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第三章 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor MOSFET,電子科學(xué)與技術(shù)系 張瑞智,本章內(nèi)容,1、MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、工作原理和類型 2、MOSFET的閾值電壓 3、MOSFET的直流特性 4、MOSFET的動(dòng)態(tài)特性 5、小尺寸效應(yīng),1、MOSFET的物理結(jié)構(gòu),MOSFET由一個(gè)MOS電容和靠近MOS柵控區(qū)域的兩個(gè)PN結(jié)組成。,NMOSFET的三維結(jié)構(gòu)圖,柵 氧化層 硅襯底,源區(qū)溝道區(qū)漏區(qū),body,金屬 Al（Al 柵） 重?fù)诫s的多晶硅（硅柵， Polycide（多晶硅/難融金屬硅化物）,MOSFET的三維結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化圖,

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