3G終端PA市場(chǎng)基本上掌握在四強(qiáng)手中.doc

目前WCDMA終端PA(功率放大器)市場(chǎng)基本上掌握在A(yíng)nadigics、Triquint、RFMD和Skyworks四家供應(yīng)商手中，TD-SCDMA終端PA供應(yīng)商主要有三家，即RFMD、Anadigics和中國(guó)瑞迪科(RDA)。3G基站PA供應(yīng)商主要有TriQuint、飛思卡爾、NXP和英飛凌。 3G終端PA的主流制造工藝是砷化鎵，CMOS工藝雖然開(kāi)始滲透到RF前端，但用CMOS工藝制造出來(lái)的PA在效率和功率等方面達(dá)不到3G終端產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求，因此CMOS PA基本上將無(wú)緣3G市場(chǎng)。目前CMOS PA主要應(yīng)用在低端GSM/GPRS手機(jī)上。 TriQuint半導(dǎo)體公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出：“CMOS PA雖然有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，但由于其工藝的局限性，功率、效率和線(xiàn)性度等性能一直在追趕砷化鎵PA，短期內(nèi)看不到后來(lái)居上的可能性。目前CMOS PA大部分用在中低端手機(jī)終端上，如山寨GSM手機(jī)?！?對(duì)于3G基站市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，未來(lái)的主流發(fā)展趨勢(shì)也將是砷化鎵PA，盡管目前GSM/GPRS基站主要采用的是LDMOS PA。 熊挺說(shuō)：“今天的3G基站大部分用LDMOS PA，但未來(lái)的3G、LTE基站大部分將采用砷化鎵PA。我們開(kāi)發(fā)的28V砷化鎵雙極HVT工藝可使PA的功率達(dá)到100-200W功率，效率高達(dá)45%以上。這一性能已超過(guò)當(dāng)今最好的LDMOS PA。” WCDMA終端用PA 最近，Anadigics發(fā)布了最新型 AWT66xx系列HELP4 WCDMA單頻PA，該系列PA包括AWT6621、AWT6622、AWT6624、AWT6625和AWT6628五款產(chǎn)品，每款產(chǎn)品適用于特定的無(wú)線(xiàn)頻帶。 與該公司前一代HELP3 WCDMA PA產(chǎn)品相比，AWT66xx系列PA有了兩個(gè)重要的改進(jìn)，一是增加了線(xiàn)性度，而是進(jìn)一步增加了輸出功率、提高了效率和降低了靜態(tài)功耗。 “盡管尺寸沒(méi)有什么變化，仍然是331mm?！盇nadigics CEO Mario Rivas說(shuō)：“但HELP4 WCDMA PA的最大輸出功率從前一代的28.25dBm提高到了28.8dBm，效率從前一代的40%提高到41%，靜態(tài)電流從前一代的8mA大幅降低到3mA以下。” HELP4 WCDMA PA的其它杰出性能還包括：1）包含高性能的定向耦合器，這使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可節(jié)省一個(gè)外部耦合器；2）每款PA均與HSPA和HSPA+兼容，具有最高的速率等級(jí)；3）每款PA均具有三種模式狀態(tài)，通話(huà)時(shí)可在多個(gè)功率級(jí)下獲得最高的功率效率，從而可使得電池使用時(shí)間可延長(zhǎng)高達(dá)75，使手機(jī)有超長(zhǎng)的通話(huà)時(shí)間；4）在關(guān)機(jī)模式下，這些產(chǎn)品的靜態(tài)電流和泄漏電流均非常低。 Anadigics北中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售經(jīng)理Kevin He補(bǔ)充道，HELP4 WCDMA/HSPA PA消耗的靜態(tài)電流也不到標(biāo)準(zhǔn)的雙態(tài)PA的1/3，這使得3G手機(jī)的待機(jī)時(shí)間也可得到大幅延長(zhǎng)。 AWT66xx系列PA目前已進(jìn)行批量生產(chǎn)，Anadigics可根據(jù)客戶(hù)需求提供全套評(píng)估工具。Mario Rivas表示：“高通是我們的一個(gè)主要合作伙伴?！?TriQuint最近也推出了支持高通(Qualcomm) 3G芯片組的WEDGE PA解決方案，包括針對(duì)WCDMA手機(jī)的33mm TRITON分立放大器模塊系列和針對(duì)GSM/EDGE手機(jī)的HADRON II PA Module功放模塊TQM7M5013。 TQM7M5013是一種55mm四波段HADRON II功放模塊，配合TRITON模塊使用可提供WCDMA/EDGE手機(jī)解決方案。高度通用的TQM7M5013已被設(shè)計(jì)進(jìn)今年下半年將推出的十幾種3G手機(jī)終端中。 TriQuint資深銷(xiāo)售總監(jiān)Richard Lin表示：“許多基于高通和英飛凌芯片組的3G方案或終端都采用了我們的PA，而且亞洲和全球幾乎所有主要的手機(jī)制造商都在使用我們的PA產(chǎn)品。” TQM7M5013是基于前一代HADRON產(chǎn)品TQM7M5012的成功基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的，TQM7M5012占全球EDGE-Polar放大器市場(chǎng)50%的份額。 “早期試用的主要用戶(hù)很滿(mǎn)意這款產(chǎn)品的性能和其集成的路線(xiàn)圖，我們預(yù)計(jì)該產(chǎn)品在2010年下半年將有強(qiáng)勁的市場(chǎng)采用率。”TriQuint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺說(shuō)，“我們目前在WCDMA和EDGE PA市場(chǎng)的份額最大，市占率第一。” Richard Lin補(bǔ)充道：“到目前為止，我們的PA產(chǎn)品已賣(mài)出2億5千萬(wàn)顆。這些產(chǎn)品的三大賣(mài)點(diǎn)是：業(yè)內(nèi)最高的集成度，一些PAM產(chǎn)品可集成5個(gè)PA；業(yè)內(nèi)最低的功耗；上市周期快，我們現(xiàn)在每年的砷化鎵PA生產(chǎn)能力超過(guò)幾個(gè)億，典型交貨周期僅需12周?！?TriQuint最新33mm TRITON分立放大器模塊系列涵蓋所有主要的3GPP WCDMA頻段，并且具有多模式操作的能力。TRITON產(chǎn)品提供了極低的耗電量和優(yōu)異的散熱性能， 這對(duì)于目前功能豐富的智能手機(jī)和無(wú)線(xiàn)設(shè)備是至關(guān)重要的。TriQuint公司利用其專(zhuān)利制造工藝(銅凸倒裝晶片CuFlip和TQBiHEMT)來(lái)設(shè)計(jì)性能、尺寸、效率均優(yōu)的TRITON系列產(chǎn)品。 此外，隨著TRITIUM III功放/雙工模塊TQM626028和QUANTUM II Tx模塊TQM6M9014的推出，TriQuint將在其WCDMA/HSUPA解決方案中增加對(duì)3G頻段的支持。特別是，TRITIUM模塊TQM626028增加了對(duì)WCDMA/HSUPA Band 8的支持。此前推出的TRITIUM 功放/雙工系列成員TQM616021、TQM666022、TQM676025分別支持Bands 1、2、5/6。QUANTUM模塊TQM6M9014包括線(xiàn)性開(kāi)關(guān)，用來(lái)支持WCDMA/HSUPA Band 8以及1、2、5/6。這兩種產(chǎn)品的樣品從去年4月就已開(kāi)始供貨。 RFMD則針對(duì)多頻多模WCDMA移動(dòng)手機(jī)終端推出了RF720x系列WCDMA/HSPA+功率放大器。RF720x產(chǎn)品系列由四個(gè)PA組成，可適應(yīng)所有主要WCDMA/HSPA+頻帶及頻帶組合，并且專(zhuān)為匹配業(yè)界領(lǐng)先開(kāi)放市場(chǎng) 3G 芯片組供應(yīng)商的參考設(shè)計(jì)而進(jìn)行了優(yōu)化。 RFMD元件解決方案業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Paul Augustine指出：“通過(guò)實(shí)現(xiàn)與業(yè)界領(lǐng)先開(kāi)放市場(chǎng)3G芯片組供應(yīng)商的參考設(shè)計(jì)的兼容性，RF720x極大提高了RFMD拓展在3G方面領(lǐng)先地位的能力，同時(shí)擴(kuò)展了我們的客戶(hù)群，尤其是在韓國(guó)、中國(guó)及中國(guó)臺(tái)灣?！?RF7200(頻帶1)、RF7206(頻帶2)、RF7203(頻帶3、4、9或10)及RF7211(頻帶11)主要用于單頻帶運(yùn)行，而RF7201(頻帶1/8)、RF7202(頻帶2/5)及RF7205(頻帶 1/5)在單個(gè)模塊封裝中整合了兩個(gè)頻帶特定PA。 RF720x系列中的每個(gè)PA均包含整合的輸出功率耦合器，因此無(wú)需在監(jiān)控及調(diào)節(jié)PA輸出功率的芯片組中使用外部耦合器。該整合功率耦合器還可極大縮減前端實(shí)施所需的板面積，并可降低移動(dòng)終端BOM成本。 RF720x系列PA的主要技術(shù)特性包括：1）小型超薄封裝：?jiǎn)晤l帶331 mm，雙頻帶451mm；2）3個(gè)功率模式狀態(tài)，具有芯片組特定的數(shù)字控制接口；3）整合的輸出功率耦合器；4）無(wú)需外部隔離或退耦電容器的高整合度模塊。 RF720x系列PA的樣品及預(yù)生產(chǎn)批量可立即提供。RFMD 從去年第四季度開(kāi)始發(fā)運(yùn) RF720x PA。 三星采用RFMD WCDMA PA 三星兩款量產(chǎn)的3G手機(jī)采用了RFMD的WCDMA/HSDPA功放RF3267和RF6266。RF3267是Band 1(1920-1980MHz) WCDMA/HSDPA功放，尺寸只有330.9mm。它集成了一個(gè)耦合器，從而允許手機(jī)設(shè)計(jì)師節(jié)省一個(gè)傳統(tǒng)上放在PA輸出端的外部耦合器。 RF6266 WCDMA/HSDPA功放支持Band 5(824-849MHz)和Band 8(880-915MHz)，功能與RF3267差不多，外形尺寸也一樣。組合在一起使用時(shí)，RF3267和RF6266可為針對(duì)北美和歐盟市場(chǎng)的多頻段、多模3G手機(jī)設(shè)計(jì)提供一個(gè)緊湊的PA解決方案。 “我們很高興三星的3G手機(jī)選用我們的WCDMA/HSDPA前端，”RFMD蜂窩產(chǎn)品部總裁Eric Creviston說(shuō)，“我們的RF3267和RF6266 3G前端與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，功耗性能優(yōu)越，集成度更高，它們可使得智能手機(jī)制造商開(kāi)發(fā)出電池壽命更長(zhǎng)的WCDMA/HSDPA產(chǎn)品。” TD-SCDMA終端用PA RFMD的TD-SCDMA功放至今已有二代產(chǎn)品。第一代TD-SCDMA功放是RF3266，已經(jīng)在好幾個(gè)領(lǐng)先的TD-SCDMA手機(jī)參考設(shè)計(jì)中中標(biāo)，預(yù)計(jì)可給亞洲和歐洲的多個(gè)第一流手機(jī)制造商提供支持。今年初開(kāi)發(fā)出了第二代TD-SCDMA功放RF7234，它是一個(gè)雙模產(chǎn)品，同時(shí)支持TD-SCDMA和WCDMA Band 1。 RF7234和RF3266可在峰值功率狀態(tài)提供優(yōu)越的性能，滿(mǎn)足甚至超過(guò)今天TD-SCDMA手機(jī)的各項(xiàng)嚴(yán)格性能要求。RFMD目前正在支持多個(gè)TD-SCDMA手機(jī)參考設(shè)計(jì)，包括聯(lián)發(fā)科和T3G。在三星、ZTE、BYD、LG和其它領(lǐng)先手機(jī)制造商的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)今年TD-SCDMA手機(jī)將會(huì)有強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。 “我們正在全力擴(kuò)大在高速增長(zhǎng)3G功放市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，”RFMD蜂窩產(chǎn)品部總裁Eric Creviston說(shuō)，“在TD-SCDMA市場(chǎng)，我們看到客戶(hù)對(duì)RF3266和RF7234的需求十分強(qiáng)勁，因此我們預(yù)計(jì)今年TD-SCDMA手機(jī)市場(chǎng)將有強(qiáng)勁增長(zhǎng)?！?雙模 RF7234(TD-SCDMA和WCDMA頻段1)已經(jīng)確保獲得進(jìn)入領(lǐng)先的TD-SCDMA 參考設(shè)計(jì)，并預(yù)計(jì)將支持多個(gè)在亞洲和歐洲的頂級(jí)手機(jī)制造商。 RF7234和RF3266在峰值功率條件下都具有卓越的性能、在整個(gè)頻帶發(fā)射掩碼需求上有足夠的邊緣，符合或超過(guò)目前 TD-SCDMA 手機(jī)要求的關(guān)鍵性能指標(biāo)。RFMD現(xiàn)支持多個(gè)TD-SCDMA 參考設(shè)計(jì)，包括MediaTek和T3G。RFMD期望今年在三星、ZTE、BYD、LG及其他領(lǐng)先的手機(jī)制造商的推動(dòng)下實(shí)現(xiàn)在TD-SCDMA手機(jī)領(lǐng)域的穩(wěn)固增長(zhǎng)。 RFMD 蜂窩產(chǎn)品部總裁Eric Creviston指出，“我們現(xiàn)特別專(zhuān)注于以廣闊的產(chǎn)品系列擴(kuò)展我們?cè)?G領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，尤其是新興及快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)所需求的成本和功能方面的優(yōu)化。在TD-SCDMA領(lǐng)域，我們預(yù)計(jì)很多客戶(hù)將采用RF3266和RF7234器件，并期望今年在TD-SCDMA器件領(lǐng)域有穩(wěn)固的增長(zhǎng)?！?Adadigics為T(mén)D-SCDMA手機(jī)制造商開(kāi)發(fā)的PA產(chǎn)品是AWT6244，它采用了該公司的HELP3技術(shù)，不需要外部穩(wěn)壓器或DC/DC轉(zhuǎn)換器。AWT6244采用InGaP HBT工藝制造，最大輸出功率可到27.5dBm，效率可到38%，靜態(tài)電流僅為8mA，關(guān)斷狀態(tài)下的泄漏電流小于1mA，這一優(yōu)異性能使得TD-SCDMA手機(jī)的通話(huà)和待機(jī)時(shí)間都能得到大幅延長(zhǎng)。外形尺寸也僅有331mm。 “我們的PA已經(jīng)進(jìn)入到ST-Ericsson、大唐電子、以及其他中國(guó)主要TD-SCDMA方案開(kāi)發(fā)商的參考設(shè)計(jì)中?！盇nadigics CEO Mario Rivas說(shuō)。 瑞迪科針對(duì)TD-SCDMA終端開(kāi)發(fā)的PA產(chǎn)品也有二款：RDA8202和RDA8216。RDA8202 采用砷化鎵HBT工藝制造，最大輸出功率可到27.5dBm，效率可到40%，可說(shuō)性能表現(xiàn)相當(dāng)優(yōu)秀。美中不足的是靜態(tài)電流還稍大，有65mA。RDA8216的最大輸出功率也可達(dá)到27.5dBm，靜態(tài)電流與RDA8202相同，唯一特出的是還集成了一個(gè)SP4T天線(xiàn)開(kāi)關(guān)。 未來(lái)3G/4G基站PA之爭(zhēng) 目前的3G基站基本上使用的都是飛思卡爾、NXP和英飛凌提供的LDMOS PA，因?yàn)長(zhǎng)DMOS PA在輸出功率、可靠性、功率密度和價(jià)格方面優(yōu)勢(shì)非常明顯，但Triquint的TriPower系列砷化鎵PA試圖更改這一版圖，因?yàn)門(mén)riquint相信砷化鎵PA將成為未來(lái)3G/4G基站的主流選擇。 “TriPower對(duì)基站放大器具有革命性的意義，因?yàn)閭鹘y(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法有效滿(mǎn)足3G和4G網(wǎng)絡(luò)復(fù)雜的調(diào)制要求。作為GaAs(砷化鎵)和GaN(氮化鎵)工藝技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，TriQuint檢驗(yàn)兩種不同工藝的器件在大功率基站應(yīng)用的潛力?！盩riquint中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出，“我們認(rèn)為，從可靠性、成本和效率角度看，TriPower的砷化鎵 HV-HBT技術(shù)是最佳選擇。我們最新推出的 TriPower器件提供目前市場(chǎng)上最低的功耗，并支持新型、高效、塔頂遠(yuǎn)端射頻頭設(shè)計(jì)。TriPower技術(shù)改變了游戲規(guī)則?！?TriPower系列是Triquint最新推出的革命性高功率晶體管產(chǎn)品，TriPower的名稱(chēng)來(lái)自三個(gè)主要技術(shù)指標(biāo)：高功率、高效率、高線(xiàn)性度。不使用TriPower技術(shù)的系統(tǒng)，平均效率只能接近42；而采用TriPower技術(shù)的系統(tǒng)能夠減少電力需求和較小規(guī)模的碳足跡，其效率達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的55。 熊挺補(bǔ)充道，Triquint的砷化鎵PA可使點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波設(shè)備通信距離高達(dá)幾十公里，目前全球市場(chǎng)份額高居榜首的幾家知名公司基站就采用我們的PA。而且TriPower射頻集成電路可以很容易地使用傳統(tǒng)的數(shù)字預(yù)失真技術(shù)來(lái)線(xiàn)性化。 TriQuint最新二款針對(duì)3G/4G綠色基站的PA是120W和220W的TriPower系列HV-HBT 砷化鎵晶體管放大器，它們均能實(shí)現(xiàn)高達(dá)55%的效率。 TriPower產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上采用高壓異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HV-HBT)和砷化鎵工藝，有助于無(wú)線(xiàn)基站制造商和網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商提高效率，同時(shí)滿(mǎn)足3G/4G蜂窩通信系統(tǒng)線(xiàn)性要求。當(dāng)用在提高對(duì)稱(chēng)Doherty放大器的最大效率，兩個(gè)TriQuint TG2H214120 120W器件效率可以提供大于60W WCDMA平均功率時(shí)的55%效率。由于TriPower具有極高效率，因此，運(yùn)營(yíng)商可將大型放大器安裝在現(xiàn)有基站塔頂上，毋需相應(yīng)增加尺寸和重量，相對(duì)地大功率放大器可以提高基站范圍內(nèi)所有用戶(hù)的數(shù)據(jù)傳輸速率。 “我們認(rèn)為像 TriPower這樣可提高整體射頻放大器功率的任何技術(shù)，未來(lái)將使業(yè)界能滿(mǎn)足高PAR(峰均比)放大器更嚴(yán)格的能源需求?！笔袌?chǎng)研究機(jī)構(gòu)EJL Wireless Research LLC.總裁Earl J. Lum指出，“我們預(yù)測(cè)到2013年，在出貨量方面，較高的峰均比多模的3G WCDMA/HSPA和4G LTE基站，將迅速取代傳統(tǒng)的2G GSM移動(dòng)通信基站，并且其市場(chǎng)份額將從25提高到超過(guò)50。按單位出貨量計(jì)算，從2008 年到2013年，高峰均比基站放大器將以每年85%的速度急劇增長(zhǎng)。” 不過(guò)，LDMOS PA主要供應(yīng)商飛思卡爾對(duì)此則有很大的不認(rèn)同。飛思卡爾半導(dǎo)體射頻部中國(guó)區(qū)營(yíng)銷(xiāo)和業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理李成進(jìn)指出，基于GaAs HV-HBT技術(shù)的TriPower功放最近這幾年一直在希望進(jìn)入基站功率放大器的領(lǐng)域，但一直沒(méi)有成功。 他說(shuō)，TriPower功放至少在以下四個(gè)方面還沒(méi)有表現(xiàn)出對(duì)LDMOS PA的優(yōu)勢(shì)。第一，在可靠性方面，TriPower出來(lái)的這幾年一直沒(méi)有很好地向市場(chǎng)或客戶(hù)論證它的可靠性，而移動(dòng)通信的基站對(duì)可靠性和穩(wěn)定性有著非常嚴(yán)格的要求，LDMOS被選做基站功放主流技術(shù)這么多年，這是一個(gè)重要的因素。