《光電技術(shù)的新發(fā)展》PPT課件

第11章光電技術(shù)的新發(fā)展,學(xué)習(xí)目的與要求,本章主要學(xué)習(xí)光電技術(shù)的新發(fā)展，包括泵浦探測(cè)技術(shù)、頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù)及光電探測(cè)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。本章要求了解目前發(fā)展有哪幾種新技術(shù)及相關(guān)原理術(shù)語(yǔ)等。,考核知識(shí)點(diǎn)與考核目標(biāo),（一）本章重點(diǎn)識(shí)記：太赫茲信號(hào)波長(zhǎng)、頻率范圍。領(lǐng)會(huì)：泵浦探測(cè)技術(shù)中光電導(dǎo)采樣過(guò)程。應(yīng)用：分析電光太赫茲掃描照相機(jī)的測(cè)量原理。（二）本章次重點(diǎn)識(shí)記；獲得藍(lán)色激光輸出的幾種方法。領(lǐng)會(huì)：頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù)中上轉(zhuǎn)換現(xiàn)象、上轉(zhuǎn)換原理。應(yīng)用：藍(lán)色熒光光譜分析。,考核知識(shí)點(diǎn)與考核目標(biāo),（三）本章一般識(shí)記：光電技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)光電材料與器件。領(lǐng)會(huì)：量子阱與超晶體材料與器件、垂直腔面發(fā)射激光器、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)研究、光子晶體研究的進(jìn)展、有機(jī)發(fā)光材料與器件、固體激光器、納米技術(shù)、光通信。應(yīng)用：光電技術(shù)的應(yīng)用（光電技術(shù)在軍事上的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)、光電技術(shù)在航天方面的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)、光電技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)上的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)光電技術(shù)在環(huán)境保護(hù)上的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)、電技術(shù)在工業(yè)上的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)、其他應(yīng)用）、世界光電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析。,第11章光電技術(shù)的新發(fā)展,11.1泵浦探測(cè)技術(shù)11.2頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù)11.3光電技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),11.1泵浦探測(cè)技術(shù),1.太赫茲：1THz=1012Hz太赫茲信號(hào)波長(zhǎng)及頻率范圍太赫茲輻射是波長(zhǎng)為3m3mm，頻率為0.110THz的電磁輻射。2.泵浦探測(cè)技術(shù)中光電導(dǎo)采樣過(guò)程光電導(dǎo)采樣測(cè)量原理：探測(cè)飛秒激光脈沖在光導(dǎo)層中產(chǎn)生自由載流子，用泵浦得到的太赫茲輻射電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)載流子產(chǎn)生光電流，通過(guò)探測(cè)光電流來(lái)探測(cè)太赫茲輻射。,光電導(dǎo)采樣過(guò)程：一個(gè)與太赫茲脈沖有確定時(shí)間關(guān)系的取樣脈沖，在光導(dǎo)層中產(chǎn)生自由載流子，當(dāng)它與自由空間中傳播的太赫茲輻射場(chǎng)同時(shí)到達(dá)時(shí)，即可驅(qū)動(dòng)這些載流子產(chǎn)生正比于太赫茲瞬間電場(chǎng)的電流。記錄采樣脈沖和太赫茲脈沖在不同時(shí)間延遲下產(chǎn)生的光電流，即可獲得太赫茲脈沖電場(chǎng)的時(shí)間波形。光探測(cè)脈沖的持續(xù)時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于太赫茲脈沖，所以通過(guò)改變兩光脈沖的時(shí)間延遲采樣出時(shí)間軸上太赫茲波形。探測(cè)的太赫茲信號(hào)是入射太赫茲波形與光電導(dǎo)天線響應(yīng)的卷積。,3.電光太赫茲掃描照相機(jī)的測(cè)量原理電光采樣測(cè)量原理：太赫茲電場(chǎng)調(diào)制探測(cè)晶體的雙折射，進(jìn)而調(diào)制通過(guò)該晶體的探測(cè)光束的偏振方向，通過(guò)測(cè)量探測(cè)光束的偏振變化，可獲得施加電場(chǎng)(太赫茲場(chǎng))的振幅和位相信息。電光太赫茲掃描照相機(jī)的測(cè)量原理圖,電光太赫茲掃描照相機(jī)的測(cè)量原理太赫茲脈沖(泵浦獲得的脈沖)和線偏振飛秒探測(cè)脈沖共線穿過(guò)EO(ZnTe)晶體，經(jīng)過(guò)Pockels效應(yīng)探測(cè)脈沖的偏振方向受到太赫茲脈沖電場(chǎng)的調(diào)制，并由檢偏器將偏振方向調(diào)制轉(zhuǎn)化為強(qiáng)度調(diào)制。太赫茲調(diào)制的飛秒光探測(cè)脈沖照射到掃描電子管的光電陰極，產(chǎn)生光電子，這些光電子朝向微通道板加速。同時(shí)，在掃描電極提供的恰當(dāng)?shù)耐届o電壓下，光電子沿x方向偏轉(zhuǎn)。因此，不同時(shí)間產(chǎn)生的電子會(huì)射到MCP的不同位置。電子穿過(guò)MCP后經(jīng)過(guò)幾千次放大，然后在熒光屏上生成可見的成像軌跡。熒光屏的圖像通過(guò)CCD攝像機(jī)輸入到計(jì)算機(jī)。,第11章光電技術(shù)的新發(fā)展,11.1泵浦探測(cè)技術(shù)11.2頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù)11.3光電技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),11.2頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù),1.獲得藍(lán)色激光輸出的三種方法(1)利用寬禁帶半導(dǎo)體材料直接制作藍(lán)光波段的半導(dǎo)體激光器；(2)利用非線性頻率變換技術(shù)對(duì)固體激光器進(jìn)行倍頻；(3)利用上轉(zhuǎn)換技術(shù)在摻稀土的晶體、玻璃或光纖中實(shí)現(xiàn)藍(lán)激光輸出。,2.頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù)中上轉(zhuǎn)換現(xiàn)象用紅外光來(lái)激發(fā)一種材料,材料吸收雙光子或多光子,產(chǎn)生可見光。產(chǎn)生的可見光的光子能量高于激發(fā)光的光子能量,這一現(xiàn)象稱為上轉(zhuǎn)換現(xiàn)象。3.上轉(zhuǎn)換原理在通常的激光器中，泵浦光子的能量比激光光子能量高，激活離子吸收一個(gè)泵浦光子即足以被激發(fā)到上激光能級(jí)。對(duì)上轉(zhuǎn)換激光器而言，要使激活離子被激發(fā)到上激光能級(jí)，需要不止一個(gè)光子才能提供足夠的能量。,上轉(zhuǎn)換過(guò)程分為三種(1)激發(fā)態(tài)吸收(ESA)一個(gè)基態(tài)離子順序吸收兩個(gè)光子能引起上轉(zhuǎn)換激發(fā)。第一個(gè)光子使亞穩(wěn)態(tài)的光子數(shù)增加，第二個(gè)光子通過(guò)激發(fā)態(tài)吸收把亞穩(wěn)態(tài)離子泵浦到上激發(fā)能級(jí)，當(dāng)足夠多的離子被激發(fā)到亞穩(wěn)態(tài)時(shí)，就由可能造成上激光能級(jí)對(duì)基態(tài)的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)上轉(zhuǎn)換躍遷。(2)能量轉(zhuǎn)移(ET)兩個(gè)能量接近的臨近離子通過(guò)非輻射耦合，結(jié)果一個(gè)回到基態(tài)，另一個(gè)被激發(fā)到上能級(jí)。在多數(shù)情況下，這些交叉馳豫過(guò)程建立在電偶極子之間的相互作用的基礎(chǔ)上。為了彌補(bǔ)施主和受主離子能量的失配，聲子參與了這些能量轉(zhuǎn)移的過(guò)程。(3)雪崩吸收或光子雪崩過(guò)程它涉及泵浦光的激發(fā)態(tài)吸收，以及離子間的交叉馳豫。,第11章光電技術(shù)的新發(fā)展,11.1泵浦探測(cè)技術(shù)11.2頻率上轉(zhuǎn)換光電探測(cè)技術(shù)11.3光電技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),11.3光電技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì),11.3.1光電技術(shù)的若干發(fā)展11.3.2光