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1、1,2、畫出威爾遜電流鏡的電路圖、小信號等效電路，并求出其輸出電阻r0=? 解： 由Wilson電流鏡電路可得其小信號等效電路,第六章 習(xí)題,1、MOS型和雙極型模擬集成電路相比各有何特點(diǎn),2,則,3,此電路的輸出等效電阻,4,3、已知如下圖所示運(yùn)放，其中MOS管器件參數(shù)：Kn=25A/V2，Kp=10A/V2，n=p=0.04V-1， 則,根據(jù)圖中所示電路結(jié)構(gòu)判斷宜選阱還是阱工藝實現(xiàn)集成？簡述理由。 （）、若VDD=5V，VSS=-5V，求運(yùn)放的靜態(tài)功耗Pdiss和小信號電壓增益AV（忽略輸出級產(chǎn)生的負(fù)載,5,6,解： （1） 應(yīng)采用P阱CMOS工藝。理由： 由電路拓?fù)淇芍?，該電路為無緩沖二

2、級放大器，差分放大器作輸入級，為消除輸入NMOS管的襯底偏置效應(yīng)導(dǎo)致的閾值電壓漂移，應(yīng)使其VBS=0。如將NMOS管做在p型襯底上，則襯底必須接最低電位Vss，而NMOS差分對的共同源端電位至少比Vss高一個飽和壓降Vdsat7，必有VBS0，顯然有襯偏效應(yīng)。因此應(yīng)考慮將NMOS差分對做在P阱中，利用阱的電位浮動技術(shù)，將其B、S短接，確保VBS=0,7,2） 運(yùn)放的靜態(tài)功耗是指從VDD到VSS的直流通路所消耗的功率，此電路共有3條直流通路，即分別通過M6、M7、M8的電流通道，由已知條件得： I6=20A I7=I6(S7/S6)=206=120A I8= I6(S8/S6)=202=40A 靜態(tài)功耗為 Pdiss=(VDD-VSS)(20+120+40)=1800W=1.8mW 此兩級放大器的增益應(yīng)為差分放大級和共源放大級增益

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