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1、1 第四章 三極管及其 放大電路基礎 模擬電路模擬電路 放大的概念 u放大的對象:變化量放大的對象:變化量 u放大的本質:能量的控制放大的本質:能量的控制 u放大的基本要求:不失真放大的基本要求:不失真放大的前提放大的前提 vcc 至少一路直流至少一路直流 電源供電電源供電 4.1 半導體三極管半導體三極管 bjt的結構簡介的結構簡介 放大狀態(tài)下放大狀態(tài)下bjt的工作原理的工作原理 bjt的的vi特性曲線特性曲線 bjt的主要參數(shù)的主要參數(shù) 4.1.1晶體管的結構 小功率管小功率管 中功率管中功率管 大功率管大功率管 4.1.1 bjt的結構的結構(以(以npnnpn為例)為例) bjt的定義

2、的定義 以npn型為例。 bjtbjt是通過一定的工藝,將兩個是通過一定的工藝,將兩個pnpn結結合在一結結合在一 起的器件。由于兩個起的器件。由于兩個pnpn結之間的相互影響,使結之間的相互影響,使bjtbjt 表現(xiàn)出不同于單個表現(xiàn)出不同于單個pnpn結的特性而具有電流放大作結的特性而具有電流放大作 用,從而使用,從而使pnpn結的應用發(fā)生了質的飛躍。結的應用發(fā)生了質的飛躍。 三極管載流子的傳輸過程三極管載流子的傳輸過程 e v 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下,通過載三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下,通過載 流子傳輸體現(xiàn)出來的。流子傳輸體現(xiàn)出來的。 4.1.1 bjt的結構

3、簡介的結構簡介 三極管載流子的傳輸過程三極管載流子的傳輸過程 4.1.1 bjt的結構簡介的結構簡介 三極管載流子的傳輸過程三極管載流子的傳輸過程 4.1.1 bjt的結構簡介的結構簡介 三極管載流子的傳輸過程三極管載流子的傳輸過程 4.1.1 bjt的結構簡介的結構簡介 三極管載流子的傳輸過程三極管載流子的傳輸過程 n 電子 注入 ien iep p 擴散 復合 收集 n ibnicbo ib 空穴注入 ie ee ic ec 少子漂移 icn 外部條件:外部條件:左側左側pn結正偏結正偏 右側右側pn結反偏結反偏 三極管的命名三極管的命名 三極管的命名三極管的命名 三極管的命名三極管的命名

4、 發(fā)射極發(fā)射極 基極基極 集電極集電極 npn型半導體三極管型半導體三極管 的結構示意圖的結構示意圖 npn管的電路符號管的電路符號 三極管的命名三極管的命名 半導體三極管的結半導體三極管的結 構示意圖如圖所示。構示意圖如圖所示。 它有兩種類型它有兩種類型:npn型型 和和pnp型。型。 pnp管的電路符號管的電路符號 三極管的命名三極管的命名 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下,通過載三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下,通過載 流子傳輸體現(xiàn)出來的。流子傳輸體現(xiàn)出來的。 三極管的電流分配三極管的電流分配(以(以npnnpn為例)為例) 1. 內(nèi)部載流子的傳輸過程內(nèi)部載流子的傳輸過程

5、 發(fā)射區(qū):發(fā)射載流子發(fā)射區(qū):發(fā)射載流子 集電區(qū):收集載流子集電區(qū):收集載流子 基區(qū):傳送和控制載流子基區(qū):傳送和控制載流子 由于三極管內(nèi)有兩種載流子由于三極管內(nèi)有兩種載流子( (自自 由電子和空穴由電子和空穴) )參與導電,故稱為雙參與導電,故稱為雙 極型三極管或極型三極管或bjtbjt ( (bipolar junction transistor) )。 放大狀態(tài)下放大狀態(tài)下bjtbjt中載流子的傳輸中載流子的傳輸 過程過程 三極管的電流分配三極管的電流分配 1. 電流關系式電流關系式 ic= icn+ icbo 放大狀態(tài)下放大狀態(tài)下bjtbjt中載流子的傳輸過程中載流子的傳輸過程 ie=

6、ien + iep ien ien = icn + ibn 發(fā)射極電流:發(fā)射極電流: 集電極電流:集電極電流: 2. 系數(shù)系數(shù) 傳輸?shù)郊姌O的電流 定義 發(fā)射極注入電流 cn e i i 即 根據(jù)傳輸過程可知根據(jù)傳輸過程可知 ic= icn+ icbo 通常通常 ic icbo e c i i 則有則有 為電流放大系數(shù)。它只為電流放大系數(shù)。它只 與管子的結構尺寸和摻雜濃度與管子的結構尺寸和摻雜濃度 有關,與外加電壓無關。一般有關,與外加電壓無關。一般 = 0.9 0.99 。 ie=ib+ ic 放大狀態(tài)下放大狀態(tài)下bjtbjt中載流子的傳輸過程中載流子的傳輸過程 1 令 b ceoc i i

7、i 則則 是另一個電流放大系數(shù)。同樣,它也只與管是另一個電流放大系數(shù)。同樣,它也只與管 子的結構尺寸和摻雜濃度有關,與外加電壓無關。子的結構尺寸和摻雜濃度有關,與外加電壓無關。 一般一般 1 。 根據(jù)根據(jù)ie=ib+ ic ic= icn+ icbo cn e i i b c ceoc i i ii 時,時,當當 3. 系數(shù)系數(shù) 內(nèi)部條件內(nèi)部條件 外部條件外部條件 三極管放大原理三極管放大原理小結小結 三極管的放大作用,主要是依靠它的發(fā)射極電流三極管的放大作用,主要是依靠它的發(fā)射極電流 能夠通過基區(qū)傳輸,然后到達集電極而實現(xiàn)的。能夠通過基區(qū)傳輸,然后到達集電極而實現(xiàn)的。 實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個

8、條件實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件 發(fā)射區(qū)雜質濃度遠大于基區(qū)雜質濃度,發(fā)射區(qū)雜質濃度遠大于基區(qū)雜質濃度, 基區(qū)很薄,基區(qū)很薄, 集電結面積要大。集電結面積要大。 發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置。發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置。 pnp型三極管要工作的型三極管要工作的 外部條件是什么?外部條件是什么? pnp管的電路符號管的電路符號 pnppnp型三極管型三極管 三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài) 共集電極接法共集電極接法,集電極作為公共電極,用,集電極作為公共電極,用cc表示。表示。 共基極接法,共基極接法,基極作為公共電極,用基極作為公共電極,用cb表示;表示; 共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法,發(fā)射極作

9、為公共電極,用,發(fā)射極作為公共電極,用ce表示;表示; bjt的三種組態(tài)的三種組態(tài) 共基極放大電路共基極放大電路 共基極放大電路共基極放大電路 共發(fā)射極放大電路共發(fā)射極放大電路 共發(fā)射極放大電路共發(fā)射極放大電路 共射極連接共射極連接 4.1.3 bjt的的v-i 特性曲線特性曲線 ib=f(vbe) vce=const (2) 當當vce1v時,時, vbc= vbe - -vce 0,集電結已進入反偏狀態(tài),同樣的,集電結已進入反偏狀態(tài),同樣的 vbe下下 ib減小,特性曲線右移。減小,特性曲線右移。 (1) 當當vce=0v時,晶體管的發(fā)射結和集電結都正偏,時,晶體管的發(fā)射結和集電結都正偏,

10、ib電流是正偏的兩個電流是正偏的兩個pn 結正向電流之和。結正向電流之和。ib=ib1+ib2 1. 輸入特性曲線輸入特性曲線(以共射極放大電路為例)(以共射極放大電路為例) 共射極連接共射極連接 pn結的正向伏安特性曲線。結的正向伏安特性曲線。 ic=f(vce) ib=const 2. 2. 輸出特性曲線輸出特性曲線 4.1.3 bjt的的v-i 特性曲線特性曲線 共射極連接共射極連接 ic(ma ) 1 2 3 4 uce(v)3 6912 ib=0 20 a 40 a 60 a 80 a 100 a 此區(qū)域相此區(qū)域相 鄰兩條線鄰兩條線 等間隔,等間隔, 滿足滿足 ic= ib稱稱 為線

11、性區(qū)為線性區(qū) (放大(放大 區(qū))。區(qū))。 當當uce大于一大于一 定的數(shù)值時,定的數(shù)值時, ic時表現(xiàn)為恒時表現(xiàn)為恒 流特性,不流特性,不 隨隨uce增大增大。 放大區(qū)放大區(qū) 發(fā)射結正偏,集電結反偏。發(fā)射結正偏,集電結反偏。 ic(ma ) 1 2 3 4 uce(v)3 6912 ib=0 20 a 40 a 60 a 80 a 100 a 此區(qū)域中此區(qū)域中uce ube, 集電結正偏,稱為集電結正偏,稱為 飽和區(qū)。飽和區(qū)。 該區(qū)域的該區(qū)域的vce 很小,稱其為飽和壓降很小,稱其為飽和壓降vces 。 飽和區(qū)飽和區(qū) 發(fā)射結正偏,集電結正偏。發(fā)射結正偏,集電結正偏。 (2) ic ib,ib失

12、去了對失去了對ic的的 控制??刂啤?(1) uceube, ,集電結正偏。 集電結正偏。 飽和區(qū)的特點飽和區(qū)的特點 (3) 集電極飽和電壓降集電極飽和電壓降uces較小,小功率硅管為較小,小功率硅管為 0.3 0.5v 。 t c i ce u c r cc v e i bb v b r be u b i (4) 飽和時集電極電流飽和時集電極電流 ccescccs / )(ruvi ic(ma ) 1 2 3 4 uce(v)3 6912 ib=0 20 a 40 a 60 a 80 a 100 a 此區(qū)域此區(qū)域 中中 :ubeic (3) 截止區(qū):截止區(qū): ube 死區(qū)電壓,死區(qū)電壓, i

13、b=0 , ic=iceo 0 例1:試判斷三極管的工作狀態(tài) 例2:用數(shù)字電壓表測得放大電路中晶體管 的各極電位,試判斷晶體管的類型(為npn 型還是pnp型,硅管還是鍺管,分別標上b、 e、c。 (4) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) 1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 4.1.4 bjt的主要參數(shù)的主要參數(shù) (3) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) (2) 共基極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù) (1) 共基極直流電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù) 當當icbo和和iceo很小時,很小時, 、 ,可以不,可以不 加區(qū)分。加區(qū)分。 1 2. 極間反向電流極間反向電流 (1) 集電極基極間反向飽和電流集電極基極間反向飽和電流icbo 發(fā)射極開發(fā)射極開路時,集電結的反向飽和電流。路時,集電結的反向飽和電流。 4.1.4 bjt的主要參數(shù)的主要參數(shù) icbo是集電是集電 結反偏由少結反偏由少 子的漂移形子的漂移形 成的反向電成的反向電 流,受溫度流,受溫度 的變化影響。的變化影響。 (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流集電極發(fā)射極間的反向飽和電流iceo iceo=(1+ )icbo 4.1.4 bjt的主要參數(shù)的主要參數(shù) 2. 極間反向電流極間反向電流(穿透電流)(穿透電流) 1 對對ubeth的影響的影響 溫度每升高溫度每升高

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