05章硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷

1、 理想半導(dǎo)體理想半導(dǎo)體： 1、原子嚴(yán)格周期性排列，具有完整的、原子嚴(yán)格周期性排列，具有完整的 晶格結(jié)構(gòu)。晶格結(jié)構(gòu)。 2、晶體中無雜質(zhì)，無缺陷。、晶體中無雜質(zhì)，無缺陷。 3、電子在周期場中作共有化運(yùn)動，形、電子在周期場中作共有化運(yùn)動，形 成允帶和禁帶成允帶和禁帶電子能量只能處在電子能量只能處在 允帶允帶中的能級上，禁帶中無能級。中的能級上，禁帶中無能級。 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體晶體具有完整的（完晶體具有完整的（完 美的）晶格結(jié)構(gòu)，無任何雜質(zhì)和缺陷美的）晶格結(jié)構(gòu)，無任何雜質(zhì)和缺陷 。由本征激發(fā)提供載流子。由本征激發(fā)提供載流子。 實際半導(dǎo)體實際半導(dǎo)體： 1、總是有雜質(zhì)、缺陷，使周期場破壞，在、總是有雜

2、質(zhì)、缺陷，使周期場破壞，在 雜質(zhì)或缺陷周圍引起局部性的量子態(tài)雜質(zhì)或缺陷周圍引起局部性的量子態(tài) 對應(yīng)的能級常常處在禁帶中，對半導(dǎo)體的對應(yīng)的能級常常處在禁帶中，對半導(dǎo)體的 性質(zhì)起著決定性的影響。性質(zhì)起著決定性的影響。 2、雜質(zhì)電離提供載流子。、雜質(zhì)電離提供載流子。 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 雜質(zhì)和缺陷可在禁帶中引入能級，從而對半雜質(zhì)和缺陷可在禁帶中引入能級，從而對半 導(dǎo)體的性質(zhì)產(chǎn)生了決定性的作用導(dǎo)體的性質(zhì)產(chǎn)生了決定性的作用 一、雜質(zhì)存在的方式一、雜質(zhì)存在的方式 雜質(zhì)雜質(zhì)與本體元素不同的其他元素與本體元素不同的其他元素 (2) 替位式替位式雜質(zhì)占據(jù)格點雜質(zhì)占據(jù)格點 位置。大小接近、電子位置。大小接近、電

3、子 殼層結(jié)構(gòu)相近殼層結(jié)構(gòu)相近 si：r=0.117nm b：r=0.089nm p：r=0.11nm si si si si si si si p si li 1. va族的替位雜質(zhì)族的替位雜質(zhì) 在硅在硅si中摻入中摻入p si si si si si si si p+ si 磷原子替代硅原 子后，形成一個 正電中心p和一 個多余的價電子 未電離未電離 電離后電離后 二、元素半導(dǎo)體的雜質(zhì)二、元素半導(dǎo)體的雜質(zhì) 電離時，電離時，p原子能夠提供導(dǎo)電電子并形成正電原子能夠提供導(dǎo)電電子并形成正電 中心，中心，。 施主雜質(zhì)施主雜質(zhì) 施主能級施主能級 被施主雜質(zhì)束縛的電子被施主雜質(zhì)束縛的電子 的能量比導(dǎo)帶底

4、的能量比導(dǎo)帶底ec低，低， 稱為稱為，ed。 。 由于施主雜質(zhì)少，原子由于施主雜質(zhì)少，原子 間相互作用可以忽略，間相互作用可以忽略， 施主能級是具有相同能施主能級是具有相同能 量的孤立能級量的孤立能級 ed 施主濃度：施主濃度：nd 施主電離能施主電離能ed=弱束縛的電子擺脫雜質(zhì)原子弱束縛的電子擺脫雜質(zhì)原子 束縛成為晶格中自由運(yùn)動的束縛成為晶格中自由運(yùn)動的 電子（導(dǎo)帶中的電子）所需電子（導(dǎo)帶中的電子）所需 要的能量要的能量 ec ed ed =eced 施主電離能施主電離能 ev - 束縛態(tài)束縛態(tài) 離化態(tài)離化態(tài) + 施主雜質(zhì)的電離能小，施主雜質(zhì)的電離能小， 在常溫下基本上電離。在常溫下基本上電

5、離。 含有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電的載流子主要含有施主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電的載流子主要 是電子是電子n型半導(dǎo)體，或電子型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體，或電子型半導(dǎo)體 在在si中摻入中摻入b b具有得到電子的性質(zhì)，這類雜質(zhì)稱為具有得到電子的性質(zhì)，這類雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)受主雜質(zhì)。 受主雜質(zhì)向價帶提供空穴。受主雜質(zhì)向價帶提供空穴。 2. a族替位雜質(zhì)族替位雜質(zhì)受主雜質(zhì)受主雜質(zhì) b獲得一個電子變成獲得一個電子變成 負(fù)離子，成為負(fù)電中負(fù)離子，成為負(fù)電中 心，周圍產(chǎn)生帶正電心，周圍產(chǎn)生帶正電 的空穴。的空穴。 b b ea 受主濃度：受主濃度：na vaa eee ec ev ea (2)受主電離能和受主能級受主電離能和

6、受主能級 受主電離能受主電離能ea=空穴擺脫受主雜質(zhì)束縛成為導(dǎo)電空穴擺脫受主雜質(zhì)束縛成為導(dǎo)電 空穴所需要的能量空穴所需要的能量 - 束縛態(tài)束縛態(tài) 離化態(tài)離化態(tài) + 受主雜質(zhì)的電離能小，在受主雜質(zhì)的電離能小，在 常溫下基本上為價帶電離常溫下基本上為價帶電離 的電子所占據(jù)的電子所占據(jù)空穴由空穴由 受主能級向價帶激發(fā)。受主能級向價帶激發(fā)。 含有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電的載流子主要含有受主雜質(zhì)的半導(dǎo)體，其導(dǎo)電的載流子主要 是空穴是空穴p型半導(dǎo)體，或空穴型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體，或空穴型半導(dǎo)體。 施主和受主濃度：施主和受主濃度：nd、na 施主施主：donor，摻入半導(dǎo)體的雜質(zhì)原子向半，摻入半導(dǎo)體的雜質(zhì)原子向半

7、 導(dǎo)體中提供導(dǎo)電的電子，并成為帶正電的離導(dǎo)體中提供導(dǎo)電的電子，并成為帶正電的離 子。如子。如si中中摻摻的的p 和和as 受主受主：acceptor，摻入半導(dǎo)體的雜質(zhì)原子向，摻入半導(dǎo)體的雜質(zhì)原子向 半導(dǎo)體提供導(dǎo)電的空穴，并成為帶負(fù)電的離半導(dǎo)體提供導(dǎo)電的空穴，并成為帶負(fù)電的離 子。如子。如si中摻的中摻的b 小結(jié)！小結(jié)！ 等電子雜質(zhì)等電子雜質(zhì) n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 特征：特征： a 施主雜質(zhì)電離，導(dǎo)帶中施主雜質(zhì)電離，導(dǎo)帶中 出現(xiàn)施主提供的導(dǎo)電電子出現(xiàn)施主提供的導(dǎo)電電子 b 電子濃度電子濃度n 空穴濃度空穴濃度p p 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 特征：特征： a 受主雜質(zhì)電離，價帶中受主雜質(zhì)電離，價帶中 出現(xiàn)

8、受主提供的導(dǎo)電空穴出現(xiàn)受主提供的導(dǎo)電空穴 b空穴濃度空穴濃度p 電子濃度電子濃度n ec ed ev ea - + - + eg n型和型和p型半導(dǎo)體都稱為型半導(dǎo)體都稱為極性半導(dǎo)體極性半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體價帶空穴數(shù)由受主決定，半導(dǎo)體價帶空穴數(shù)由受主決定，半導(dǎo)體 導(dǎo)電的載流子主要是空穴。空穴為多子，電導(dǎo)電的載流子主要是空穴?？昭槎嘧?，電 子為少子。子為少子。 n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子數(shù)由施主決定，半導(dǎo)體導(dǎo)帶電子數(shù)由施主決定，半導(dǎo)體 導(dǎo)電的載流子主要是電子。電子為導(dǎo)電的載流子主要是電子。電子為多子多子，空，空 穴為穴為少子少子。 多子多子多數(shù)載流子多數(shù)載流子 少子少子少數(shù)載流子少數(shù)載流子

9、 雜質(zhì)向?qū)Ш蛢r帶提供電子和空穴的過程（電雜質(zhì)向?qū)Ш蛢r帶提供電子和空穴的過程（電 子從施主能級向?qū)У能S遷或空穴從受主能級子從施主能級向?qū)У能S遷或空穴從受主能級 向價帶的躍遷）稱為向價帶的躍遷）稱為雜質(zhì)電離或雜質(zhì)激發(fā)雜質(zhì)電離或雜質(zhì)激發(fā)。具。具 有雜質(zhì)激發(fā)的半導(dǎo)體稱為有雜質(zhì)激發(fā)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 雜質(zhì)激發(fā)雜質(zhì)激發(fā) 3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 電子從價帶直接向?qū)Ъぐl(fā)，成為導(dǎo)帶的自由電子從價帶直接向?qū)Ъぐl(fā)，成為導(dǎo)帶的自由 電子，這種激發(fā)稱為電子，這種激發(fā)稱為本征激發(fā)本征激發(fā)。只有本征激發(fā)。只有本征激發(fā) 的半導(dǎo)體稱為的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體。 本征激發(fā)本征激發(fā) n型和型和

10、p型半導(dǎo)體都是型半導(dǎo)體都是雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 施主向?qū)峁┑妮d流子施主向?qū)峁┑妮d流子 =10161017/cm3 本征載流子濃度本征載流子濃度 雜質(zhì)半導(dǎo)體中雜質(zhì)載流子濃度遠(yuǎn)高于雜質(zhì)半導(dǎo)體中雜質(zhì)載流子濃度遠(yuǎn)高于 本征載流子濃度本征載流子濃度 si的原子濃度為的原子濃度為10221023/cm3 摻入摻入p的濃度的濃度/si原子的濃度原子的濃度=10-6 例如：例如：si 在室溫下，本征載流子濃度為在室溫下，本征載流子濃度為 1010/cm3， 上述雜質(zhì)的特點：上述雜質(zhì)的特點： 施主雜質(zhì)：施主雜質(zhì)： 受主雜質(zhì)：受主雜質(zhì)： 淺能級雜質(zhì)淺能級雜質(zhì) 雜質(zhì)的雙重作用：雜質(zhì)的雙重作用： u 改變半導(dǎo)

11、體的導(dǎo)電性改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性 u 決定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型決定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型 雜質(zhì)能級在禁帶中的位置雜質(zhì)能級在禁帶中的位置 gd ee ga ee ec ed 電離施主電離施主 電離受主電離受主 ev 雜質(zhì)的補(bǔ)償作用雜質(zhì)的補(bǔ)償作用 (1) ndna 半導(dǎo)體中同時存在施主和受主雜質(zhì)，施主和受半導(dǎo)體中同時存在施主和受主雜質(zhì)，施主和受 主之間有互相抵消的作用主之間有互相抵消的作用 此時半導(dǎo)體為此時半導(dǎo)體為n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 有效施主濃度有效施主濃度n=nd-na ea ec ed ea ev 電離施主電離施主 電離受主電離受主 (2) ndna 此時半導(dǎo)體為此時半導(dǎo)體為p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 有效受主濃度

12、有效受主濃度p=na- nd (3) ndna 雜質(zhì)的高度補(bǔ)償雜質(zhì)的高度補(bǔ)償 ec ed ea ev 本征激發(fā)產(chǎn)生的導(dǎo)本征激發(fā)產(chǎn)生的導(dǎo) 帶電子帶電子 本征激發(fā)產(chǎn)生的價本征激發(fā)產(chǎn)生的價 帶空穴帶空穴 深雜質(zhì)能級深雜質(zhì)能級 根據(jù)雜質(zhì)能級在禁帶中根據(jù)雜質(zhì)能級在禁帶中 的位置，雜質(zhì)分為：的位置，雜質(zhì)分為： 淺能級雜質(zhì)淺能級雜質(zhì)能級接近導(dǎo)帶底能級接近導(dǎo)帶底 ec或價帶頂或價帶頂ev，電離能很小電離能很小 深能級雜質(zhì)深能級雜質(zhì)能級遠(yuǎn)離導(dǎo)帶能級遠(yuǎn)離導(dǎo)帶 底底ec或價帶頂或價帶頂ev，電離能較，電離能較 大大 ec ed ev ea eg ec ea ev ed eg gd ee ga ee 例：例：在在ge

13、中摻中摻au 可產(chǎn)生可產(chǎn)生3個受主能級，個受主能級，1個施主能個施主能 級級 au的電子組態(tài)是：的電子組態(tài)是：5s25p65d106s1 augege ge ge au+ au0 au- au2- au3- 多次電離，每一次電離相應(yīng)地有一個能級既多次電離，每一次電離相應(yīng)地有一個能級既 能引入施主能級又能引入受主能級能引入施主能級又能引入受主能級 1. au失去一個電子失去一個電子施主施主 au ec ev ed ed=ev+0.04 ev ec ev ed ea1 au 2. au獲得一個電子獲得一個電子受主受主 ea1= ev + 0.15ev 3.au獲得第二個電子獲得第二個電子 ec e

14、v ed ea1 au2 ea2= ec - 0.2ev ea2 4.au獲得第三個電子獲得第三個電子 ec ev ed ea1 ea3= ec - 0.04ev ea2 ea3 au3 深能級雜質(zhì)特點深能級雜質(zhì)特點： 不容易電離，對載流不容易電離，對載流 子濃度影響不大；子濃度影響不大； 一般會產(chǎn)生多重能級一般會產(chǎn)生多重能級 ，甚至既產(chǎn)生施主能，甚至既產(chǎn)生施主能 級也產(chǎn)生受主能級。級也產(chǎn)生受主能級。 能起到復(fù)合中心作用能起到復(fù)合中心作用 ，使少數(shù)載流子壽命，使少數(shù)載流子壽命 降低。降低。 ec ev ed ea au doped silicon 0.35ev 0. 54ev 1.12ev 淺

15、能級雜質(zhì)淺能級雜質(zhì) 1雜質(zhì)對材料導(dǎo)電類型的影響雜質(zhì)對材料導(dǎo)電類型的影響 當(dāng)材料中共存施主和受主雜質(zhì)時，它們將當(dāng)材料中共存施主和受主雜質(zhì)時，它們將 相互發(fā)生補(bǔ)償，相互發(fā)生補(bǔ)償，材料的導(dǎo)電類型取決于占材料的導(dǎo)電類型取決于占 優(yōu)勢的雜質(zhì)優(yōu)勢的雜質(zhì)。 一些離子半導(dǎo)體材料，如大多數(shù)一些離子半導(dǎo)體材料，如大多數(shù)一一族族 化合物，晶體中的缺陷能級對半導(dǎo)體的導(dǎo)化合物，晶體中的缺陷能級對半導(dǎo)體的導(dǎo) 電類型可起支配作用。電類型可起支配作用。 遷移率遷移率所帶電量所帶電量有效雜質(zhì)濃度有效雜質(zhì)濃度 1 1 電阻率電阻率 如果施主雜質(zhì)占優(yōu)勢，則有：如果施主雜質(zhì)占優(yōu)勢，則有： n nacceptoracceptordon

16、ordonor )e)en n(n(n 1 1 遷移率遷移率所帶電量所帶電量受主雜質(zhì)濃度)受主雜質(zhì)濃度)(施主雜質(zhì)濃度(施主雜質(zhì)濃度 1 1 電阻率電阻率 如果受主雜質(zhì)占優(yōu)勢，則有：如果受主雜質(zhì)占優(yōu)勢，則有： p pdonordonoracceptoracceptor )e)en n(n(n 1 1 遷移率遷移率所帶電量所帶電量施主雜質(zhì)濃度)施主雜質(zhì)濃度)(受主雜質(zhì)濃度(受主雜質(zhì)濃度 1 1 電阻率電阻率 c cs s= =kckc0 0(1-(1-g g) )k k-1 -1（ （4 44 4） 將將4 43 3代入代入4 44 4式可算出在拉單晶時，拉出的單晶的某一位式可算出在拉單晶時，拉

17、出的單晶的某一位 置置g g處的電阻率與原來雜質(zhì)濃度的關(guān)系：處的電阻率與原來雜質(zhì)濃度的關(guān)系： ) )(1(1 ) )(1(1 1 1 k gek 0 0 )1( 0 0 )1 ( 1 dn wa geukdn wa cm k 思考：思考： 為什么會是為什么會是 m=c0wa/dn0這一公式？這一公式？ 而不是而不是 m=wc0 阿佛加德羅常數(shù)密度 摩爾質(zhì)量單晶質(zhì)量雜質(zhì)濃度 雜質(zhì)質(zhì)量 c0:雜質(zhì)濃度，每立方米晶體中所含的雜質(zhì)數(shù)目雜質(zhì)濃度，每立方米晶體中所含的雜質(zhì)數(shù)目 單位：單位： 個個cm-3 w :單晶質(zhì)量單晶質(zhì)量 單位：單位：g a: 雜質(zhì)的摩爾質(zhì)量雜質(zhì)的摩爾質(zhì)量 單位：單位： g mol-

18、1 d: 單晶的密度，單晶的密度， 單位：單位：g cm-3 n0: 阿佛加德羅常數(shù)，阿佛加德羅常數(shù)， 單位單位 ： 個個 mol-1 g molgcm gmolgcm 13- -1-3 - 個 個 單晶中雜質(zhì)濃度 鍺密度 母合金質(zhì)量鍺質(zhì)量 母合金中雜質(zhì)濃度 母合金密度 母合金質(zhì)量 c0 d mw cm d m )c0( d mw )cm( )d( )m( 單晶中雜質(zhì)濃度 鍺密度 母合金質(zhì)量鍺質(zhì)量 母合金中雜質(zhì)濃度 母合金密度 母合金質(zhì)量 )c0( d w )cm( )d( )m( 單晶中雜質(zhì)濃度 鍺密度 鍺質(zhì)量 母合金中雜質(zhì)濃度 鍺密度 母合金質(zhì)量 )cm( )c0(w )m( 母合金中雜質(zhì)

19、濃度 單晶中雜質(zhì)濃度鍺質(zhì)量 母合金質(zhì)量 2、考慮坩堝污染及蒸發(fā)的摻雜 (1) 坩堝污染 0ct v ra ci c l (2) 同時考慮坩堝污染和雜質(zhì)的蒸發(fā) s c l s l fa xra c fa ea k dx dc x )( )1 ()1 ( k c c 1s l1 k c c s l2 2 熔體熔體 單晶單晶 )exp( 0 t v ea cc ll 度度) )c cm m( (母母合合金金中中雜雜質(zhì)質(zhì)濃濃 ( (熔熔硅硅中中雜雜質(zhì)質(zhì)濃濃度度) )c cw w硅硅質(zhì)質(zhì)量量 m m( (母母合合金金質(zhì)質(zhì)量量) ) l l0 0 如果蒸發(fā)效應(yīng)很小，則摻雜公式為如果蒸發(fā)效應(yīng)很小，則摻雜公式

20、為 cm )c(cw )m( l1l2 硅 母合金質(zhì)量母合金質(zhì)量 hfe共發(fā)射極直流放大系數(shù)：當(dāng)集電極電壓與電流為規(guī)定值時，ic與ib之比。 charge coupled device電荷藕合器件電荷藕合器件 ，它是一種特殊半導(dǎo)體器件，上面有很多，它是一種特殊半導(dǎo)體器件，上面有很多 一樣的感光元件，每個感光元件叫一個像素。在攝像機(jī)里是一個極其重一樣的感光元件，每個感光元件叫一個像素。在攝像機(jī)里是一個極其重 要的部件，它起到要的部件，它起到 將光線轉(zhuǎn)換成電信號的作用，類似于人的眼睛，因此其性能將光線轉(zhuǎn)換成電信號的作用，類似于人的眼睛，因此其性能 的好壞將直接影響到攝像機(jī)的性能。的好壞將直接影響到

21、攝像機(jī)的性能。 微缺陷形成原因微缺陷形成原因 1.什么叫淺能級雜質(zhì)？它們電離后有何特點？什么叫淺能級雜質(zhì)？它們電離后有何特點？ 2.什么叫施主？什么叫施主電離？施主電離前后什么叫施主？什么叫施主電離？施主電離前后 有何特征？試舉例說明之，并用能帶圖表征出有何特征？試舉例說明之，并用能帶圖表征出n 型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 3.什么叫受主？什么叫受主電離？受主電離前后什么叫受主？什么叫受主電離？受主電離前后 有何特征？試舉例說明之，并用能帶圖表征出有何特征？試舉例說明之，并用能帶圖表征出p 型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 4.摻雜半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體之間有何差異？試舉摻雜半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體之間有何差異？試舉 例

22、說明摻雜對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能的影響。例說明摻雜對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能的影響。 5.兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？ 6.深能級雜質(zhì)和淺能級雜質(zhì)對半導(dǎo)體有何影響？深能級雜質(zhì)和淺能級雜質(zhì)對半導(dǎo)體有何影響？ 7.何謂雜質(zhì)補(bǔ)償？雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)囊饬x何在？何謂雜質(zhì)補(bǔ)償？雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)囊饬x何在？ 1、解：淺能級雜質(zhì)是指其雜質(zhì)電離能遠(yuǎn)小于本征半導(dǎo)體的禁、解：淺能級雜質(zhì)是指其雜質(zhì)電離能遠(yuǎn)小于本征半導(dǎo)體的禁 帶寬度的雜質(zhì)。它們電離后將成為帶正電（電離施主）或帶帶寬度的雜質(zhì)。它們電離后將成為帶正電（電離施主）或帶 負(fù)電（電離受主）的離子，并同時向?qū)峁╇娮踊蛳騼r帶負(fù)電（電離受主）的離子，并同時向?qū)峁?/p>

23、電子或向價帶 提供空穴。提供空穴。 2、解：半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì)后，施主電離后將成為帶正電、解：半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì)后，施主電離后將成為帶正電 離子，并同時向?qū)峁╇娮?，這種雜質(zhì)就叫施主。離子，并同時向?qū)峁╇娮?，這種雜質(zhì)就叫施主。 施主電離成為帶正電離子（中心）的過程就叫施主電離。施主電離成為帶正電離子（中心）的過程就叫施主電離。 施主電離前不帶電，電離后帶正電。例如，在施主電離前不帶電，電離后帶正電。例如，在si中摻中摻p，p為為 族元素。族元素。 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體si為為族元素，族元素，p摻入摻入si中后，中后，p的最外層電子的最外層電子 有四個與有四個與si的最外層四個電子配對

24、成為共價電子，而的最外層四個電子配對成為共價電子，而p的第五的第五 個外層電子將受到熱激發(fā)掙脫原子實的束縛進(jìn)入導(dǎo)帶成為自個外層電子將受到熱激發(fā)掙脫原子實的束縛進(jìn)入導(dǎo)帶成為自 由電子。這個過程就是施主電離。由電子。這個過程就是施主電離。 3、解：半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì)后，受主電離、解：半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì)后，受主電離 后將成為帶負(fù)電的離子，并同時向價帶提供后將成為帶負(fù)電的離子，并同時向價帶提供 空穴，這種雜質(zhì)就叫受主?？昭ǎ@種雜質(zhì)就叫受主。 受主電離成為帶負(fù)電的離子（中心）的受主電離成為帶負(fù)電的離子（中心）的 過程就叫受主電離。過程就叫受主電離。 受主電離前帶不帶電，電離后帶負(fù)電。受主電離前帶不帶電，電離后帶負(fù)電。 例如，在例如，在si中摻中摻b，b為為族元素，而本征半族元素，而本征半 導(dǎo)體導(dǎo)體si為為族元素，族元素，p摻入摻入b中后，中后，b的最外層的最外層 三個電子與三個電子與si的最外層四個電子配對成為共的最外層四個電子配對成為共 價電子，而價電子，而b傾向于接受一個由