射頻識別系統(tǒng)電磁輻射干擾特征快速分析與抑制

1、第 32 卷 第 9 期2012 年 3 月 25 日中 國 電 機(jī) 工 程 學(xué) 報proceedings of the cseevol.32 no.9 mar.25, 20122012 chin.soc.for elec.eng.161文章編號：0258-8013 (2012) 09-0161-06中圖分類號：tm 461；tn 03文獻(xiàn)標(biāo)志碼：a學(xué)科分類號：47040射頻識別系統(tǒng)電磁輻射干擾特征快速分析與抑制顏偉 1，趙陽 1，王恩榮 1，鄧凌翔 2，張宇環(huán) 1(1南京師范大學(xué)，江蘇省 南京市 210042；2江蘇省計量科學(xué)研究院，江蘇省 南京市 210007)analysis and s

2、uppression on radiated emi noise for radio frequency identification systemsyan wei1, zhao yang1, wang enrong1, deng lingxiang2, zhang yuhuan1(1. nanjing normal university, nanjing 210042, jiangsu province, china;2. jiangsu institute of metrology, nanjing 210007, jiangsu province, china)abstract: in

3、order to solve radiated electromagneticinterference generated by the radio frequency identification system, the convenient approach was proposed to diagnose the radiated emi mechanism based on near-field measurement and suppress radiated emi noise by utilizing radio frequency emi filters. it can avo

4、id the complicated emi noise analysis and suppression methods such as 3-m anechoic chamber and electromagnetic shielding. the standard results show that rfid system can pass the gb 9254 class a and the noise decrease24 dbv/m by employing the suggested approaches, and thusgood realization.輻射干擾問題大量出現(xiàn)，

5、且愈加突出和嚴(yán)重，如智能 ic 卡讀卡器等1-5。目前，針對輻射干擾問題的 研究包括：1）在遠(yuǎn)場測試方面，開闊場、10、5 和3 m 電波暗室方法能夠得到被測設(shè)備的遠(yuǎn)場輻射電 磁場特性，據(jù)此直接判定輻射噪聲是否超標(biāo)6-8；2）在電磁場仿真方面，通常借助 hfss、cst 等電 磁場仿真軟件分析多輻射源和復(fù)雜環(huán)境的輻射電 磁場特性，具有很好的適應(yīng)性9-10；3）在噪聲源重構(gòu)方面，預(yù)先假定若干標(biāo)準(zhǔn)輻射噪聲源的分布和特征，再利用格林函數(shù)和電波方程等計算其在遠(yuǎn)場測key words: radio frequency identification (rfid) system;electromagneti

6、c compatibility (emc); noise reduction; wave impedance; high frequency electromagnetic interference filter量點上的理論值，通過模式匹配尋找輻射源的場解，可以較好模擬輻射源變化對遠(yuǎn)場輻射的影響11-12；4）在噪聲抑制方面，大多采用電磁屏蔽措施，可有 效減小高頻輻射干擾噪聲13-18。盡管如此，上述方法尚存不足，如電波暗室對測試環(huán)境要求較高，且無法提取被測設(shè)備輻射干擾 機(jī)理，包括共模干擾和差模干擾。電磁場仿真軟件 實現(xiàn)復(fù)雜，分析結(jié)果常與真實值間存在一定差距。 源重構(gòu)技術(shù)對噪聲源要求苛刻，而電

7、磁屏蔽措施要 求較高，且因電磁泄漏導(dǎo)致抑制效果不穩(wěn)定，對低 頻輻射抑制效果較差。此外，電磁屏蔽措施無法在 降低射頻識別系統(tǒng)輻射干擾噪聲的同時，產(chǎn)生有益 輻射以實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸功能。有鑒于此，在前期研究基礎(chǔ)上19-22，本文提出 了一種基于近場測試的射頻識別系統(tǒng)輻射干擾快 速分析方法和基于全電容電磁干擾(electromagnetic interference，emi)濾波器的輻射噪聲抑制方法。1 射頻識別系統(tǒng)輻射干擾特征快速提取輻射干擾包括共模干擾和差模干擾，其中，共 模干擾主要是由于非良好接地或接地點地電位反摘要：針對射頻識別系統(tǒng)產(chǎn)生的輻射干擾噪聲，提出了基于近場測量結(jié)合波阻抗分析的輻射機(jī)理快速

8、分析方法與基于 全電容高頻電磁干擾(electromagnetic interference，emi)濾波 器的輻射噪聲抑制方法，可避免苛刻復(fù)雜的電波暗室噪聲檢 測和電磁屏蔽噪聲抑制方法，具有簡便、快速、經(jīng)濟(jì)等優(yōu)點。 標(biāo)準(zhǔn)測試表明：采用文中方法可有效抑制輻射干擾噪聲，噪 聲抑制效果可達(dá) 24 dbv/m，滿足 gb 9254 class a 標(biāo)準(zhǔn)， 從而驗證了方法的有效性。關(guān)鍵詞：射頻識別系統(tǒng)；電磁兼容；噪聲抑制；波阻抗；高頻電磁干擾濾波器0引言隨著射頻識別(radiofrequency identification，rfid)技術(shù)的廣泛使用，基于 rfid 芯片的電子設(shè)備基金項目：國家自然科

9、學(xué)基金項目(51075215)；江蘇省自然科學(xué)基金(bk2008429)；毫米波國家重點實驗室開放基金(k201106)。project supported by national natural science foundation of china (51075215); project supported by natural science foundation of jiangsu province(bk2008429); foundation of state key lab of millimeter waves (k201106).射電壓引起的等效短直天線電偶極子輻射效應(yīng)；而差

10、模輻射主要是由于未較好控制的大信號環(huán)路引 起的等效電流環(huán)天線磁偶極子輻射效應(yīng)，如圖 1 所 示。此外，按照輻射噪聲源與場點間距離，即測試 距離，可將輻射干擾分為近場輻射和遠(yuǎn)場輻射，其 中當(dāng)測試距離 r/2時 為遠(yuǎn)場輻射，為輻射噪聲波長。同樣，由式(2)可知，近場中差模輻射場的電場強(qiáng)度與測試距離平方的倒數(shù)成正比；磁場強(qiáng)度與測 試距離三次方的倒數(shù)成正比，即 h1/r3，e1/r2。 據(jù)此，在差模輻射場中，近場波阻抗呈現(xiàn)低阻抗， 即 zw/2，式(1)、(2)中 1/r2 和 1/r3為 1/r 的高階無窮小，因此波阻抗 zw 為一常數(shù)，即120 。然而由式(1)可見，近場中共模輻射場的電 場強(qiáng)度與

11、測試距離三次方的倒數(shù)成正比；磁場強(qiáng)度 與測試距離平方的倒數(shù)成正比，即 e1/r3，h1/r2。 據(jù)此，在共模輻射場中，近場波阻抗呈現(xiàn)高阻抗， 即 zw120 ，且與測試距離成反比。2f aidm14edm = 2.632 10(5)r由式(5)不難發(fā)現(xiàn)，差模輻射噪聲與信號頻率平方、信號電流環(huán)路面積以及差模電流成正比，與測 試距離成反比。然而，對于實際功能電路而言，信 號工作頻率、芯片額定驅(qū)動電流等由電路功能決 定，一般無法改變。此外，由于 gb9254 標(biāo)準(zhǔn)針對不同測試距離，如 3、10、20 m，確定不同的限值，故不能改變測試距離。因此，只能通過減小差模電流或信號環(huán)路面積以抑制差模輻射噪聲。

12、z = e / h 1/ r(3)電源rfid芯片環(huán)路 天線第 9 期顏偉等：射頻識別系統(tǒng)電磁輻射干擾特征快速分析與抑制1632.2基于并聯(lián)電容的高頻濾波方法通常，采用電感或濾波電容可減小差模噪聲電 流，但在射頻識別系統(tǒng)成品上加載電感比較復(fù)雜， 且電感高頻濾波效果較差。因此，本文采用高頻濾 波電容減小差模噪聲電流以抑制差模輻射噪聲。此外，為了保證設(shè)備正常工作，高頻濾波電容(emi濾波器)截止頻率應(yīng)高于系統(tǒng)工作頻率。高頻濾波電容常因寄生參數(shù)如串聯(lián)寄生電感 lp、串聯(lián)寄生電阻 rp 影響導(dǎo)致濾波性能大大降低。 不失一般性，如圖 3 所示，設(shè)濾波電容 c=2200 pf， 寄生電感 lp=50 nh

13、，寄生電阻 rp=0.1，因此，emi 濾波器的阻抗為3實驗結(jié)果與分析3.1射頻識別系統(tǒng)輻射干擾問題描述以某商用射頻識別系統(tǒng)智能 ic 卡讀卡器 cs-ks 為例，分析其產(chǎn)生的輻射干擾噪聲及其抑制 方法。其中，射頻識別系統(tǒng)采用飛利浦公司 mf rc500 芯片實現(xiàn)數(shù)據(jù)無線傳輸功能。為了精確測量 其產(chǎn)生的輻射干擾噪聲，如圖 4(a)所示，利用江蘇 省計量科學(xué)研究院產(chǎn)品檢測所美國 ets-lindgren 公司的 3 m 電波暗室(有效頻段為 14 khz18 ghz) 和德國羅德施瓦茨 (r&s) 公司的 emi 接收機(jī) esu26(有效頻段為 9 khz26.5 ghz)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)檢測，結(jié)果如圖

14、 4(b)所示。根據(jù) gb 9254 class a 標(biāo)準(zhǔn)及圖 4(b)不難發(fā)現(xiàn)，射頻識別系統(tǒng)在 88.5，108.48，176.28，189.84 mhz 頻點處輻射電磁場強(qiáng)分別為50.771，52.682，52.267，51.373 dbv/m，超過標(biāo)準(zhǔn)z = rp + j lp + 1/( jc )(6)限值(50 dbv/m)0.771，2.682，2.267，1.373 dbv/m，如表 1 所示，其最大超標(biāo)頻點為 108.48 mhz，超標(biāo)(a) emi 濾波器加載示意圖c1lplplprprprp(b) 普通電容等效電路(c) 并聯(lián)電容等效電路20(a) 江蘇省計量科學(xué)研究院 3

15、 m 法電波暗室4080并聯(lián)電容濾波特性606040800100200300f/mhz20(d) 普通電容與并聯(lián)電容濾波特性對比圖圖 3 普通電容與并聯(lián)電容濾波特性對比分析fig. 3 comparison of emi filters characterization between normal capacitor and shunt capacitors 若考慮普通電容的高頻寄生參數(shù)影響，則可采用 2 個電容 c1=1 100 pf 并聯(lián)構(gòu)成 emi 濾波器以提高濾波特性，其阻抗為0305080200f/mhz400800(b) 智能 ic 卡讀卡器 cs-ks 標(biāo)準(zhǔn)測試結(jié)果圖 4 智能

16、 ic 卡讀卡器 cs-ks 標(biāo)準(zhǔn)測試fig. 4 3-m chamber standard measurement for radiated emi noise generated by cs-ks ic card reader 表 1 智能 ic 卡讀卡器 cs-ks 噪聲tab. 1 noises generated by cs-ks ic card readerzshunt = rp + j lp + 1( jc1 ) / 2(7)由式(6)、(7)計算發(fā)現(xiàn)，普通電容與并聯(lián)電容的濾波特性如圖 3(d)所示，在 30300 mhz，并聯(lián)電容 的噪聲抑制效果明顯優(yōu)于普通電容。因此，采用并

17、聯(lián)電容 emi 濾波器可有效減小高頻噪聲電流，從而 抑制輻射干擾噪聲。頻點/mhz噪聲/(dbv/m)超標(biāo)/(dbv/m)88.5108.48176.2850.77152.68252.2670.7712.6822.267 189.84 51.373 1.373 噪聲抑制比/dbv噪聲/dbv/m天線垂直、eut 正面對開線。普通電容濾波特性c1c電源emi濾波器被測 設(shè)備值為 2.682 dbv/m。3.2射頻識別系統(tǒng)輻射干擾特征提取上述商用射頻識別系統(tǒng)采用飛利浦公司磁場強(qiáng)，據(jù)此得出不同測試距離對應(yīng)的近場波阻抗，結(jié)果如圖 6 所示，當(dāng)測試距離 r 為 0.1 cm 時， zw 為 190 ；當(dāng)

18、 r 為 0.5 cm 時，zw 為 240 ；當(dāng) r 為 1.0 cm 時，zw 為 295 ；當(dāng) r 為 1.4 cm 時，zw 為 320 ；當(dāng) r 為 1.8 cm 時，zw 為 370 ；當(dāng) r 為2.0 cm 時，zw 為 377 。由此可見，88.5 mhz 頻點 處，近場波阻抗總小于 120 ，即為低阻抗，且近 場波阻抗 zw 隨著測試距離增加而變大。根據(jù)輻射 模型可見，射頻識別系統(tǒng)在 88.5 mhz 頻點產(chǎn)生的輻射干擾以差模輻射為主。同樣地，采用上述方法測試 108.48，176.28，189.84 mhz 頻點近場波阻抗 與測試距離間的關(guān)系，實驗結(jié)果均與圖 6 類似，即

19、均以磁偶極子差模輻射場為主。mfrc500 芯片作為 rfid 芯片以實現(xiàn)無線數(shù)據(jù)傳輸。如圖 5(a)所示為射頻識別系統(tǒng) pcb 布線圖，主頻為11.0592 mhz 的晶振作為單片機(jī)驅(qū)動；如圖 5(b)所 示，2 個主頻為 11.059 2 和 13.56 mhz 的晶振作為rfid 芯片驅(qū)動。信號電流經(jīng) rfid 芯片流入環(huán)路天 線產(chǎn)生有益輻射以實現(xiàn)射頻識別功能；然而，由驅(qū) 動 rfid 芯片的 2 個晶振產(chǎn)生的高頻噪聲電流同樣 經(jīng) rfid 芯片流入環(huán)路天線引起輻射噪聲。400200rfid 芯片環(huán)路天線(a) cs-ks 智能 ic 卡讀卡器001測試距離/cm2圖 6fig. 6智能

20、 ic 卡讀卡器近場波阻抗near field wave impedance ofintelligent ic card readers3.3 射頻識別系統(tǒng)輻射干擾噪聲抑制策略射頻識別系統(tǒng)智能 ic 卡讀卡器 cs-ks 正常工 作時，主頻為 11.059 2 mhz 晶振驅(qū)動單片機(jī)，主頻 為 11.059 2 和 13.56 mhz 晶振驅(qū)動 rfid 芯片 mf rc500，而 rfid 芯片接至信號環(huán)路天線，以產(chǎn)生 足夠強(qiáng)的輻射電磁場進(jìn)行射頻識別。然而，由于驅(qū)動單片機(jī)及 rfid 芯片的 3 個晶振輸出信號并非理 想方波，且存在較陡的上升沿，從而產(chǎn)生高頻噪聲 電流，經(jīng)環(huán)路天線引起嚴(yán)重的差

21、模輻射干擾。采用 江蘇省計量科學(xué)研究院 3 m 法標(biāo)準(zhǔn)電波暗室測試表 明，射頻識別系統(tǒng)輻射噪聲超過 gb 9254 class a 標(biāo)準(zhǔn)，如圖 4(b)所示。值得注意的是，雖然智能 ic 卡讀卡器以差模 輻射為主，根據(jù)上述分析可以通過減小環(huán)路天線面 積達(dá)到噪聲抑制的目的。然而，減小環(huán)路天線面積 將導(dǎo)致射頻識別系統(tǒng)無法產(chǎn)生足夠強(qiáng)的輻射電磁 場，從而嚴(yán)重影響系統(tǒng)正常運行，因此只能減小高 頻差模噪聲電流以抑制輻射干擾噪聲。根據(jù)上述分析，針對射頻識別系統(tǒng)智能 ic 卡 讀卡器 cs-sk 產(chǎn)生的輻射干擾噪聲，設(shè)計了相應(yīng)的(b) rfid 芯片圖 5 采用 rfid 技術(shù)的智能 ic 卡讀卡器電路圖fi

22、g. 5 circuit schematic of intelligent ic card readers by employing rfid technique為了有效提取射頻識別系統(tǒng)輻射干擾機(jī)理，本 文利用臺灣固緯 gsp-827 頻譜儀作為信號接收裝 置，其最高測量頻率可達(dá) 2.7 ghz；同時采用德國 羅德施瓦茨公司近場探頭組 hz-11 作為輻射電磁場 測試設(shè)備，包括磁場探頭(loop 3 cm)和電場探頭(stab 6 mm)，頻率范圍為 10 khz2 ghz。測試過程中，先將射頻識別系統(tǒng)劃分為 33 區(qū)域，調(diào)整頻譜 儀頻譜測試范圍至 30 mhz1 ghz，再分別利用電 磁場探

23、頭測試不同區(qū)域的輻射電磁場。實驗結(jié)果發(fā) 現(xiàn)環(huán)路天線所在區(qū)域輻射電磁場強(qiáng)較大，且可能超 標(biāo)頻點分別為 88.5，108.48，176.28，189.84 mhz。因此，再次調(diào)節(jié)頻譜分析儀測試范圍至 88.5 mhz，同時改變電磁場探頭與被測設(shè)備間距離(r=0.1，0.5，1.0，1.4，1.8，2.0 cm)，分別測試其產(chǎn)生的輻射電波阻抗/第 9 期顏偉等：射頻識別系統(tǒng)電磁輻射干擾特征快速分析與抑制165噪聲抑制方案，即在 cs-ks 設(shè)備 rfid 芯片電源端加載 68 pf 電容，信號環(huán)路端并聯(lián) 51 pf 和 3 個 10 pf 電容，如圖 7 所示。實驗結(jié)果表明，采用上述噪聲 抑制方案不

24、會對原電路的功能造成任何影響。有以下結(jié)論：1）提出了基于近場測量的輻射機(jī)理診斷方法，有助于確定輻射噪聲源特性；2）提出 了基于高頻濾波電容的噪聲抑制方法，從而克服電 容的高頻寄生參數(shù)效應(yīng)；3）實驗結(jié)果表明，采用 全電容噪聲抑制方案后，系統(tǒng)可通過 gb 9254 classa 標(biāo)準(zhǔn)，為輻射噪聲分析與抑制提供理論依據(jù)。致謝本文電磁場與信號完整性分析得到新加坡南 洋理工大學(xué) see kye yak 教授與南京郵電大學(xué)邱曉 暉教授支持，在此表示感謝。參考文獻(xiàn)圖 7 智能 ic 卡讀卡器輻射噪聲抑制方案fig. 7 radiated emi noise suppression scheme of int

25、elligence ic card readers采用江蘇省計量科學(xué)研究院美國 ets-lindgren 公司的 3 m 電波暗室(14 khz18 ghz)和德 國羅德施瓦茨公司的 emi 接收機(jī) esu26(9 khz26.5 ghz)對加載并聯(lián)電容 emi 濾波器的智能 ic 卡讀卡器進(jìn)行測試。實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)設(shè)備可通過 gb9254 class a 標(biāo)準(zhǔn)且保留了一定安全裕量，如圖 8所示。對比圖 4 可見，在 88.5，108.48，176.28，189.84 mhz 頻點，輻射噪聲降幅分別為 9.615，24.144，8.115，14.549 dbv/m，安全裕量分別為1張衛(wèi)東，邢悅，崔

26、翔電力線通信網(wǎng)絡(luò)電磁輻射近場測量系統(tǒng)j中國電機(jī)工程學(xué)報，2010，30(12)：117-121 zhang weidong，xing yue，cui xiangmeasurement system for near field electromagnetic radiation of powerline communication networksj proceedings of the csee，2010，30(12)：117-121(in chinese) 鐘玉林，咸哲龍，孫旭東，等計及部分電容的接地回 路高頻電路模型j中國電機(jī)工程學(xué)報，2005，25(17)：37-41+149zhong

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31、noises from ic card reader by 3-m chamber standard measurement after noise suppression 表 2 噪聲抑制前后，智能 ic 卡讀卡器輻射噪聲對比 tab. 2 contrast of radiated emi noise generated bycs-ks ic card reader after noise suppression or not56抑制前/(dbv/m)抑制后/(dbv/m)降幅/(dbv/m)安全裕量/(dbv/m)頻點/mhz88.5108.48176.28189.8450.77152.6

32、8252.26751.37341.15628.53844.15236.8249.61524.1448.11514.5498.84421.4625.84813.17674結(jié)論針對采用射頻識別技術(shù)的智能 ic 設(shè)備，本文8噪聲/dbv/m天線垂直、eut 正面對開線電源rfid芯片信號 環(huán)路51 pf 10 pf 10 pf 10 pf68 pfjproceedings of the csee，2011，31(3)：132-137(inchinese)18 薛花，姜建國耦合電磁干擾問題的新型數(shù)值方法研究j中國電機(jī)工程學(xué)報，2007，27(30)：108-112xue hua ，jiang jian

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38、esj2008，23(1)：188-19513 yoshioka t，nakatani t，miyoshi m，integrated speech enhancement method using noise suppression anddereverberationjieee transactions on audio，speech，and language processing，2009，17(2)：231-24614 chao hao-ming，wuen wen-shen，wen kuei-annan active guarding circuit design for wideban

39、d substratenoise suppressionjieee transactions on microwavetheory and techniques，2008，56(11)：2609-261915 孫亞秀，孫力，姜保軍，等，低成本高性能的共模和差 模噪聲分離技術(shù)j中國電機(jī)工程學(xué)報，2007，27(16)：98-103sun yaxiu，sun li，jiang baojun，et alcommon and differential mode noise separate technology with low cost and high performancejproceeding

40、s of the csee，2007，27(16)：98-103(in chinese)16 穆新華，楊志勇，開關(guān)電源中印刷電路板寄生參數(shù)對傳 導(dǎo)電磁干擾影響的研究j中國電機(jī)工程學(xué)報，2004，24(11)：121-125mu xinhua，yang zhiyongparasitic parameters of circuit traces and their effects on conducted emi in switchingpower supplyjproceedings of the csee，2004，24(11)：121-125(in chinese)17 劉勝，張玉廷，于大泳

41、基于頻變參數(shù)辨識的共模扼流 圈集中參數(shù)模型j中國電機(jī)工程學(xué)報，2011，31(3)：132-137liu sheng ， zhang yuting ， yu dayong lumped parameters modeling of common mode chokes based on估計方法研究j電工技術(shù)學(xué)報，2010，25(10)：6-13zhao yang，yan wei，zhao bo，et alinvestigation onradiated emi noise diagnosis and estimation for hf circuitsj transactions of chi

42、na electrotechnical society，2010，25(10)：6-13(in chinese)22 趙陽，羅永超，顏偉，等高頻電路輻射干擾快速分析與預(yù)估方法j電波科學(xué)學(xué)報，2010，25(3)：466-471zhao yang，luo yongchao，yan wei，et al，fast analysisand estimation approach applied in radiated emi for high-frequency circuitj chinese journal of radio science，2010，25(3)：466-471(in chines

43、e)收稿日期：2011-08-08。作者簡介：顏偉(1986)，男，博士研究生，主要研 究方 向為 電磁 兼容 與汽 車電 子， kae19860202；趙陽(1966)，男，工學(xué)博士，教授，博 士生導(dǎo)師，主要研究方向為電力電子與電磁兼容，zhaoyang2；王恩榮(1962)，男，工學(xué)博士，教授， 博士生導(dǎo)師，院長，主要研究方向為汽車 電子與電磁兼容，erwang；鄧凌翔(1978)，男，工學(xué)碩士，工程師， 主要研究方向為電磁兼容，marmot23。(責(zé)任編輯王劍喬)顏偉frequency-varyingparametersidentificationextended summary正文參見

44、 pp.161-166analysis and suppression on radiated emi noise for radio frequencyidentification systemsyan wei1, zhao yang1, wang enrong1, deng lingxiang2, zhang yuhuan1(1. nanjing normal university; 2. jiangsu institute of metrology)key words: radio frequency identification (rfid) system;impedance; hig

45、h frequency electromagnetic interference filterelectromagnetic compatibility (emc); noise reduction; wavein order to solve the problem of radiatedelectromagnetic interference (emi) generated by rfidsystems, a convenient approach is proposed to diagnoseshunt capacitance method is proposed, and simula

46、tionfor noise rejection ratio is shown in fig.3. 20the radiated emi mechanism based onmeasurement and suppress radiated emiutilizing radio frequency emi filters.near-fieldnoise by 40 60radiated emi includes common mode (electricdipole) noise and differentialnoise, as shown in fig.1.mode (magneticdip

47、ole) 800100200300f /mhzfilter performancefig. 3 comparison of emi filters performance between normal capacitors and shunt capacitorsthe radiated emi noise is reduced by using thesuggest method. the original noise and the modified result are shown in tab.1 and fig.4.tab. 1 contrast of radiated emi noise betwee