模擬電子學基礎課件-第三章

1、工業(yè)制造學院測控系工業(yè)制造學院測控系 電流電流 +4 +4 +4 +4+4 +4+4+4 +4 自由電子自由電子空穴空穴 ： 1 3 2 本征半導體、雜質(zhì)半導體本征半導體、雜質(zhì)半導體 本節(jié)中的有關概念本節(jié)中的有關概念 自由電子、空穴自由電子、空穴 N N型半導體、型半導體、P P型半導體型半導體 多數(shù)載流子、少數(shù)載流子多數(shù)載流子、少數(shù)載流子 施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì) EV pp EV nn 多多 end iD/mA 1.0 0.5 0.51.00.501.0 D/V 2. PN結(jié)加反向電壓時結(jié)加反向電壓時 。 iD/mA 1.0 0.5 iD=IS 0.51.00.501.0 D/

2、V PN結(jié)加反向電壓時：結(jié)加反向電壓時： 很小的反向漂移電流很小的反向漂移電流 。 )1(e D SD T nV/ Ii v IS VT V026.0 q kT V T vD iD n V Q C D )F( d d 法法 T Dt Q D D V I v Q C end l S U Q C d d b )1e ( / SD D T V Ii v 鍺二極管鍺二極管2AP15的的V-I 特性特性 硅二極管硅二極管2CP10的的V-I 特性特性 R V i DDD D v DDDD 11 V RR i v )1e ( D SD T V Ii v )( 11 sDDDD vv V RR i D D

3、d i r v )1e ( / SD D T V Ii v (mA) (mV)261 DD d II V g r T d TDTD V/v T S V/v S DD D d e V I eI dv d dv di g 1 TDTD V/v S V/v SD eIeIi 1 T D Q T D Q V/v T S d V I V i e V I g TD R=10k k V 0 D V mA 1/ DDD RVI 當當VDD=10V 時，時， 折線模型折線模型 V 5 . 0 th V mA 931. 0 D thDD D rR VV I V 69. 0 DDthD rIVV mA 93. 0/

4、 )( DDDD RVVI V 7 . 0 D V 理想模型理想模型 當當VDD=1V 時：時： 理想模型理想模型V 0 D V mA 10 DDD .R/VI V 7 . 0 D V mA 030)/( DDDD .RVVI 折線模型折線模型 mA 0490 D thDD D . rR VV I V 510 DDthD .rIVV 例例3.4.4 電路如圖電路如圖(a)，R=1k，VREF=3V，二極管為硅二極管。，二極管為硅二極管。 分別用理想模型和恒壓降模型求解，分別用理想模型和恒壓降模型求解，(1)vI=0V、4V、6V時，時， 求相應的輸出電壓求相應的輸出電壓vO；(2)當當vI =

5、 6sin t V時，繪出相應的輸出時，繪出相應的輸出 電壓電壓vO的波形。的波形。 vI = 6sin t V時時 V.VD70 mA. R VV I DDD D 860 V.RIV DO 34 V.VVV DDDO 34705 03030 (mA)860 (mV)26 k. .I V r D T d (V) 09940tsin.v rR R v s d o (V) 0994034tsin.vVv oOO (max)zz II (min)zz II 3. 穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路 (max)ZZ(min)Z III V.IrVV ZZZZO 66 OZR III LOOZZ0ZZ RIVrIVV 0

6、ZZZRZRI VrIRIVRIV )( )( 0 RRrRR RRVRV I LZL LZLI Z V9 I V (min)ZZ ImA.I 955 V11 I VmA.I Z 7815 mA839.I Z V20.IrVV ZZZO 3.5.2 變?nèi)荻O管變?nèi)荻O管 （a）符號）符號 （b）結(jié)電容與電壓的關系（縱坐標為對數(shù)刻度）結(jié)電容與電壓的關系（縱坐標為對數(shù)刻度） 3.5.3 肖特基二極管肖特基二極管 （a）符號）符號 （b）正向）正向V-I特性特性 3.5.4 光電子器件光電子器件 1. 光電二極管光電二極管 （a）符號）符號 （b）電路模型）電路模型 （c）特性曲線）特性曲線 3.5.4 光電子器