第7章_MEMS工藝(體硅微加工技術(shù))

1、第7章 MEMS工藝 體硅微加工工藝（腐蝕） 內(nèi)容 腐蝕工藝簡介 濕法腐蝕 干法刻蝕 其他類似加工工藝 腐蝕工藝簡介腐蝕工藝簡介 腐蝕是指一種材料在它所處的環(huán)境中由于另一種材料的作腐蝕是指一種材料在它所處的環(huán)境中由于另一種材料的作 用而造成的緩慢的損害的現(xiàn)象。然而在不同的科學(xué)領(lǐng)域?qū)τ枚斐傻木徛膿p害的現(xiàn)象。然而在不同的科學(xué)領(lǐng)域?qū)?腐蝕這一概念則有完全不同的理解方式。腐蝕這一概念則有完全不同的理解方式。 在微加工工藝中，在微加工工藝中，腐蝕工藝腐蝕工藝是用來是用來“可控性可控性”的的“去除去除” 材料的工藝。材料的工藝。 大部分的微加工工藝基于“Top-Down”的加 工思想。 “Top-Do

2、wn”加工思想：通過去掉多余材料 的方法，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的加工。（雕刻泥 人） 腐蝕工藝簡介腐蝕工藝簡介腐蝕工藝重要性腐蝕工藝重要性 作為實(shí)現(xiàn)“去除去除”步驟的 腐蝕工藝是形成特定平面 及三維結(jié)構(gòu)過程中，最為 關(guān)鍵的一步。 圖形工藝 掩模圖形生成 臺階結(jié)構(gòu)生成 襯底去除 犧牲層去除 清潔表面 腐蝕工藝簡介腐蝕工藝簡介腐蝕工藝作用腐蝕工藝作用 腐蝕腐蝕 紅光紅光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)光藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底 紅光紅光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)光藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底 紅光紅光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)光藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底 紅光紅光LED 藍(lán)光藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)

3、寶石襯底藍(lán)寶石襯底 紅光紅光LED 藍(lán)光藍(lán)光LED 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底 紅光紅光LED 藍(lán)光藍(lán)光LED 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底 藍(lán)光藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 藍(lán)寶石襯底藍(lán)寶石襯底 紅光紅光LED結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 硅腐蝕方法：干法干法和濕法濕法 腐蝕方向選擇性：各向同性各向同性和各向異性各向異性 腐蝕材料選擇性： 選擇性刻蝕選擇性刻蝕或非選擇性非選擇性 刻蝕刻蝕 選擇方法：晶向晶向和掩模掩模 多種腐蝕技術(shù)的應(yīng)用：體硅工藝體硅工藝（三維技 術(shù)），表面硅工藝表面硅工藝（準(zhǔn)三維技術(shù)） 濕法腐蝕 濕法腐蝕“濕濕”式腐蝕方法，基于溶液 狀態(tài)的腐蝕劑。 濕法腐蝕工藝特點(diǎn)： 設(shè)備簡單，操作簡便，成本低 可控參數(shù)多，適于研發(fā)

4、 受外界環(huán)境影響大 濃度、溫度、攪拌、時間 有些材料難以腐蝕 濕法腐蝕方向性 各向同性腐蝕腐蝕速率在不同方向上 沒有差別 各向異性腐蝕對不同的晶面的腐蝕速 率有明顯差別 利用各向異性腐蝕特性，可以腐蝕出各種 復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。 各向異性腐蝕和各向同性腐蝕 硅的各向異性腐蝕硅的各向異性腐蝕 是利用腐蝕液對單晶硅不同晶向腐蝕速是利用腐蝕液對單晶硅不同晶向腐蝕速 率不同的特性，使用抗蝕材料作掩膜，率不同的特性，使用抗蝕材料作掩膜， 用光刻、干法腐蝕和濕法腐蝕等手段制用光刻、干法腐蝕和濕法腐蝕等手段制 作掩膜圖形后進(jìn)行的較大深度的腐蝕。作掩膜圖形后進(jìn)行的較大深度的腐蝕。 機(jī)理：腐蝕液發(fā)射空穴給硅，形成氧化機(jī)

5、理：腐蝕液發(fā)射空穴給硅，形成氧化 態(tài)態(tài)Si+，而羥基，而羥基OH-與與Si+形成可溶解的形成可溶解的 硅氫氧化物的過程。硅氫氧化物的過程。 硅的各向異性腐蝕技術(shù)硅的各向異性腐蝕技術(shù) 各向異性各向異性(Anisotropy) 各向異性腐蝕液通常對單晶硅各向異性腐蝕液通常對單晶硅(111)面的腐面的腐 蝕速率與蝕速率與(100)面的腐蝕速率之比很大（面的腐蝕速率之比很大（1： 400） 濕法腐蝕的化學(xué)物理機(jī)制 腐蝕生長 晶體生長是典型的各向異性表現(xiàn)。 腐蝕作用：晶體生長的反過程 濕法腐蝕的化學(xué)物理機(jī)制 腐蝕過程： 反應(yīng)物擴(kuò)散到腐蝕液表面 反應(yīng)物與腐蝕表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 反應(yīng)物的生成物擴(kuò)散到溶液中去

6、硅腐蝕機(jī)理（P62） Si Si Si 2OH- Si Si Si OH- OH- 2e- Si OH- OH- OH- OH- 2e- 2OH- 4H2O4OH-2H2 OH-離子的參與對離子的參與對Si的腐蝕至關(guān)重要，在這一過程中，由于（的腐蝕至關(guān)重要，在這一過程中，由于（111） 面的懸鍵只有面的懸鍵只有1個，因而其電離所需的能量較高，導(dǎo)致（個，因而其電離所需的能量較高，導(dǎo)致（111）面）面 的速率最低。的速率最低。 100 111 總反應(yīng)式為： 懸鍵密度只是導(dǎo)致各向異性的一個因素，但不能解釋 不同晶面間腐蝕速率有幾百倍這么大的差異。實(shí)際的 腐蝕機(jī)制，還和表面的粗糙，微臺階處的階躍自由能

7、， 以及和吸附、擴(kuò)散過程密切相關(guān)的動力學(xué)因素有關(guān)。 2H2O Si Si Si Si Si H H OH- H H H H Si OH- OH- （111面）面） （100面）面） 缺陷缺陷 由于（由于（111）面為理想光滑表面，）面為理想光滑表面， 對該面進(jìn)行腐蝕所需的電離能要對該面進(jìn)行腐蝕所需的電離能要 大，而產(chǎn)生吸附和擴(kuò)散所需的能大，而產(chǎn)生吸附和擴(kuò)散所需的能 量也比較高，并且在腐蝕過程中量也比較高，并且在腐蝕過程中 形成粗糙的幾率比其他面要小很形成粗糙的幾率比其他面要小很 多。因而該面的腐蝕速率要小的多。因而該面的腐蝕速率要小的 多。多。 各向異性腐蝕簡單小結(jié)： 粗糙晶面腐蝕比光滑晶面快

8、。（111）面在腐蝕 過程中會因表面重建或吸附變得更平坦，因而 容易在腐蝕過程中顯露出來。 理想晶體平滑面腐蝕速率的激活能和化學(xué)反應(yīng) 的能量勢差以及液體傳輸有關(guān)。前者的作用是 各向異性的，后者是各向同性的。 表面重構(gòu)狀態(tài)影響著腐蝕速率的變化 不同的腐蝕劑中，不同陽離子會影響腐蝕過程 中特殊面的穩(wěn)定性，因而導(dǎo)致腐蝕結(jié)果不同。 各向異性腐蝕的特點(diǎn)： 腐蝕速率比各項(xiàng)同性腐蝕慢，速率僅能 達(dá)到1um/min 腐蝕速率受溫度影響 在腐蝕過程中需要將溫度升高到100左 右，從而影響到許多光刻膠的使用 各向異性腐蝕液各向異性腐蝕液 腐蝕液：腐蝕液： 無機(jī)腐蝕液：無機(jī)腐蝕液：KOH, NaOH, LiOH,

9、NH4OH等；等； 有機(jī)腐蝕液：有機(jī)腐蝕液：EPW、TMAH和聯(lián)胺等。和聯(lián)胺等。 常用體硅腐蝕液：常用體硅腐蝕液： 氫氧化鉀氫氧化鉀(KOH)系列溶液；系列溶液； EPW(E：乙二胺，：乙二胺，P：鄰苯二酚，：鄰苯二酚，W：水：水)系列溶系列溶 液。液。 乙二胺乙二胺(NH2(CH2) 2NH2) 鄰苯二酚鄰苯二酚(C6H4(OH) 2) 水水(H2O) 1.KOH system KOH是目前在微機(jī)電領(lǐng)域中最常使用的非等 向蝕刻液，為一堿金屬之強(qiáng)堿蝕刻液，其金 屬雜質(zhì)會破壞CMOS的氧化層電性，所以不 兼容于IC制程； 但因其價格低廉、溶液配制簡單、對硅(100) 蝕刻速率也較其它的蝕刻液為快

10、，更重要的 是操作時穩(wěn)定、無毒性、又無色，可以觀察 蝕刻反應(yīng)的情況，是目前最常使用的蝕刻液 之一。 1.KOH system 溶劑：水，也有用異丙醇(IPA) 溶液：20% - 50% KOH 溫度： 60 80C 速率：1um/分鐘 特點(diǎn)：鏡面，易于控制，兼容性差 2322 22HSiOKKOHOHSi KOH的刻蝕機(jī)理 2.EDP system Ethylenedamine 為有機(jī)淡黃色溶液，加入 pyrocatechol后顏色會變成暗褐色，隨著反應(yīng)的進(jìn) 行，顏色會加深，故不易觀察蝕刻表面的反應(yīng)過程， 蝕刻速率也會改變，這是因?yàn)槲g刻液接觸到空氣中 的氧氧化所引起，此一氧化過程會使得化合物

11、pyrazine (C4H4N2)增加而改變其蝕刻速率； EDP不具堿金屬離子，可與IC制程相容，且對蝕刻 停止所需的硼摻雜濃度較低，大約為7 x 1019 離子 /cm-3，但是EDP具有毒性，蝕刻操作溫度須在攝 氏一百多度，危險性較高，操作及廢液處理的困難 度亦較高，故在一般微機(jī)電制程中不常使用。 2.EDP system EPW NH2(CH2)2NH2乙二胺，C6H4(OH2)2 (鄰苯二酚)，H2O 特點(diǎn)：蒸 氣有毒，時效較差， P+選擇性好 232463222 2462222 2)()(2 )(3)(2 HOHCSiNHCHNH CHHCSiNHCHNH EDP腐蝕條件腐蝕條件 腐

12、蝕溫度：腐蝕溫度：115左右左右 反應(yīng)容器在甘油池內(nèi)加熱，加熱均勻；反應(yīng)容器在甘油池內(nèi)加熱，加熱均勻； 防止乙二胺揮發(fā)，冷凝回流；防止乙二胺揮發(fā)，冷凝回流； 磁裝置攪拌，保證腐蝕液均勻；磁裝置攪拌，保證腐蝕液均勻； 在反應(yīng)時通氮?dú)饧右员Ｗo(hù)。在反應(yīng)時通氮?dú)饧右员Ｗo(hù)。 掩膜層：用掩膜層：用SiO2，厚度，厚度4000埃以上。埃以上。 3、N2H4 （聯(lián)氨、無水肼） 為有機(jī)、無色的水溶液，具有很強(qiáng)的毒性及揮發(fā) 性，在50oC以上就會揮發(fā)，故操作時需在良好裝 置下及密閉容器中進(jìn)行。 其優(yōu)點(diǎn)包括相容于IC制程，對于氧化硅(SiO)及氮 化硅(SiN)等介電材料蝕刻率 低，Ti、Al、Cr、Au 及Pt等

13、金屬也無明顯蝕刻反應(yīng)，Ti和Al是目前最常 用的金屬材料，蝕刻時不需有其它的保護(hù)層，降 低了制程的復(fù)雜性。 4、TMAH 氫氧化四鉀銨為有機(jī)、無色之水溶液，原本為半導(dǎo)體制程中 正膠的顯影液，但目前亦應(yīng)用于蝕刻制程中。 TMAH的毒性低為其最大優(yōu)點(diǎn)，對于SiO及SiN等介電材料蝕 刻率低；對于Ti和Al有明顯的蝕刻，在蝕刻組件前需加入適 當(dāng)?shù)墓璺勰?，降低對鋁的蝕刻率，亦可加入酸來降低蝕刻液 的pH值，如酸與鋁會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成硅鋁酸鹽，硅鋁酸鹽 對蝕刻液有較好的抵抗能力，可以保護(hù)鋁材的電路。 TMAH的蝕刻反應(yīng)過程會因操作參數(shù)不同而有極大的差異， 且長時間蝕刻蝕刻液亦不穩(wěn)定。此外，適用于硅微加工

14、的高 濃度TMAH(15%)價格高昂，都是無法廣泛應(yīng)用的原因。 腐蝕設(shè)備腐蝕設(shè)備 繼電器 電源 加熱電爐 攪拌器轉(zhuǎn)子 石英支架 石英提籃 硅片 溫控溫度計(jì) 磨沙密封口 冷凝水入口 冷凝水出口 氮?dú)馊肟?氮?dú)獬隹?冷凝洄流管道 甘油池 腐蝕液 冷凝水 氣體 流量 控制 計(jì) 氮?dú)?硅和硅氧化物典型的腐蝕速率 材料腐蝕劑腐蝕速率 硅在晶向KOH0.25-1.4m/min 硅在晶向EDP0.75m/min 二氧化硅KOH40-80nm/h 二氧化硅EDP12nm/h 氮化硅KOH5nm/h 氮化硅EDP6nm/h 影響腐蝕質(zhì)量因素影響腐蝕質(zhì)量因素 晶格方向晶格方向 腐蝕溶液的選擇腐蝕溶液的選擇 腐蝕溶

15、液的濃度腐蝕溶液的濃度 腐蝕時間腐蝕時間 操作溫度溫度操作溫度溫度 攪拌方式攪拌方式 轉(zhuǎn)子 硅片 低速區(qū) 高速區(qū) 容器 表面流速A 表面流速B 深度A 深度B 腐蝕液 Etching Bulk Silicon 車輪法來測量平面上不同晶向的腐蝕速率 （有局限性） 更準(zhǔn)確的反映腐蝕各向異性的是球形法 （正相或負(fù)相） 111 面凹角停止面凹角停止 100 方向硅片的腐蝕特點(diǎn)方向硅片的腐蝕特點(diǎn) (1) 溶液及配比 影響各向異性腐蝕的主要因素影響各向異性腐蝕的主要因素 (2) 溫度 各向同性腐蝕 硅的各向同性腐蝕在半導(dǎo)體工藝中以及在微 機(jī)械加工技術(shù)中有著極為廣泛的應(yīng)用。常用的 腐蝕液為HF-HNO3加水

16、或者乙酸系統(tǒng)。腐蝕機(jī) 理為： 首先是硝酸同硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成SiO 2，然后 有HF將SiO 2溶解。 222623 HOHHNOSiFHHFHNOSi 優(yōu)點(diǎn)： 無尖角， 較低應(yīng)力 刻蝕速度快 可用光刻膠掩膜 目前主要的各向同性腐蝕液為： NHA和HNW H：氫氟酸(HF) N：硝酸(HNO3) A：乙酸(CH3COOH) W: Water 三、自停止腐蝕技術(shù)三、自停止腐蝕技術(shù) 機(jī)理：機(jī)理： EPW和和KOH對硅的腐蝕在摻雜濃度小對硅的腐蝕在摻雜濃度小 于于1 1019cm-3時基本為常數(shù)，超過該濃時基本為常數(shù)，超過該濃 度時，腐蝕速率與摻雜硼濃度的度時，腐蝕速率與摻雜硼濃度的4次方次方 成反

17、比，達(dá)到一定的濃度時，腐蝕速率成反比，達(dá)到一定的濃度時，腐蝕速率 很小，甚至可以認(rèn)為腐蝕很小，甚至可以認(rèn)為腐蝕“停止停止”。 （1） 重?fù)诫s自停止腐蝕(KOH 和EDP：51013/cm3) （2）(111)面停止 （3） 時間控制 （4）P-N結(jié)自停止腐蝕 （5）電化學(xué)自停止腐蝕 重?fù)诫s自停止腐蝕 自停止腐蝕典型工藝流程自停止腐蝕典型工藝流程 硅 光刻膠 擴(kuò)散層 二氧化硅 工藝路線（1） 工藝路線（2） 1、薄膜自停止腐蝕 薄膜自停止腐蝕是指晶片刻蝕到最后，終止于其它不 會被刻蝕所影響的薄膜，這層薄膜可以是氧化硅、氮 化硅、富硅氮化硅、聚酰亞胺，甚至是金屬。 利用薄膜自停止腐蝕必須考慮刻蝕選

18、擇性，以及薄膜 應(yīng)力問題，因?yàn)閼?yīng)力太大將使薄膜發(fā)生破裂。 2 、重?fù)诫s自停止腐蝕技術(shù) KOH對硅的腐蝕在摻雜濃度超過閾值濃 N0(約為51019CM-3)時，腐蝕速率很小， 輕摻雜與重?fù)诫s硅的腐蝕速率之比高達(dá)數(shù) 百倍，可以認(rèn)為KOH溶液對重?fù)诫s硅基本 上不腐蝕。 高摻雜硼有兩個缺點(diǎn)： 與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝不兼容 導(dǎo)致高應(yīng)力，使得材料易碎或彎曲 重?fù)诫s硼的硅腐蝕自停止效應(yīng)比重?fù)诫s磷的 硅明顯，所以工藝中常采用硼重?fù)诫s硅作為 硅腐蝕的自停止材料。 重?fù)诫s自停止腐蝕工藝流程 3、（111）面自停止腐蝕 KOH溶液對（100）和（111）面硅的 腐蝕速率差別很大，可高達(dá)100400 倍，因此可利用（1

19、11）面作為停止腐 蝕的晶面。 （111）面自停止腐蝕工藝流程 4、電化學(xué)自停止腐蝕 電化學(xué)自停止腐蝕技術(shù)不需要重?fù)诫s層，由于 用了外延技術(shù)，因此腐蝕自停止層可以做的很 厚。 腐蝕保護(hù)技術(shù)腐蝕保護(hù)技術(shù) 如果硅晶片表面已經(jīng)形成一些圖案，其中 部分薄膜會被腐蝕液所影響，所以必須利 用腐蝕保護(hù)技術(shù)來保護(hù)已完成的結(jié)構(gòu)。 目前常用的保護(hù)技術(shù)有兩種： 一是制作夾具或用膠將整個面保護(hù)住； 另一種是淀積氮化硅將正面包住，待背后腐蝕 完后再將氮化硅去除 薄膜殘余應(yīng)力問題 薄膜應(yīng)力引起結(jié)構(gòu)破裂的問題，主要分為兩 大類： 第一類是制造過程的殘留熱應(yīng)力、高溫淀積后回 歸常溫，由于熱膨脹系數(shù)不同所產(chǎn)生的殘留熱應(yīng) 力；這

20、種殘留熱應(yīng)力可由高溫退火的方式達(dá)到一 定消除； 第二類是薄膜間因膨脹系數(shù)不同造成的殘余應(yīng)力 凸角腐蝕補(bǔ)償凸角腐蝕補(bǔ)償 凸角腐蝕是指在硅島或硅梁的腐蝕成型過 程中，凸角部分被腐蝕掉的現(xiàn)象，體硅各 向異性腐蝕時經(jīng)常出現(xiàn)，這是因?yàn)閷?100) 晶面的硅片體硅腐蝕時，凸角的邊緣與110 方向平行，而腐蝕液對此方向的腐蝕速度 較快。若要腐蝕出帶凸角的整齊的臺面結(jié) 構(gòu)，必須采取凸角補(bǔ)償。 凸角腐蝕補(bǔ)償凸角腐蝕補(bǔ)償 重?fù)诫s自停止腐蝕法重?fù)诫s自停止腐蝕法 當(dāng)目標(biāo)結(jié)構(gòu)的厚度相對較薄時當(dāng)目標(biāo)結(jié)構(gòu)的厚度相對較薄時 在加工結(jié)構(gòu)前先在硅片上擴(kuò)散自停止層，深度在加工結(jié)構(gòu)前先在硅片上擴(kuò)散自停止層，深度 達(dá)到所需結(jié)構(gòu)厚度，光

21、刻后用干法腐蝕出結(jié)構(gòu)達(dá)到所需結(jié)構(gòu)厚度，光刻后用干法腐蝕出結(jié)構(gòu) 圖形，然后體硅腐蝕，準(zhǔn)確得到設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)。圖形，然后體硅腐蝕，準(zhǔn)確得到設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)。 目前比較常見的補(bǔ)償方式 （100）面雙方塊凸角腐蝕補(bǔ)償）面雙方塊凸角腐蝕補(bǔ)償 （100）面雙方塊凸角腐蝕補(bǔ)償）面雙方塊凸角腐蝕補(bǔ)償 （100）面雙方塊凸角腐蝕補(bǔ)償）面雙方塊凸角腐蝕補(bǔ)償 濕法腐蝕的缺點(diǎn)：圖形受晶向限制，深寬比較差， 傾斜側(cè)壁，小結(jié)構(gòu)粘附。 四、干法腐蝕 狹義的干法刻蝕主要是指利用等離子體放 電產(chǎn)生的化學(xué)過程對材料表面的加工 廣義上的干法刻蝕則還包括除等離子體刻 蝕外的其它物理和化學(xué)加工方法，例如激 光加工、火花放電加工、化學(xué)蒸汽加工以

22、及噴粉加工等。 干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)： 具有分辨率高、各向異性腐蝕能力強(qiáng)、腐蝕的 選擇比大、能進(jìn)行自動化操作等 干法刻蝕的過程： 腐蝕性氣體離子的產(chǎn)生 離子向襯底的傳輸 吸附及反應(yīng) 襯底表面的腐蝕 鈍化及去除 腐蝕反應(yīng)物的排除 干法腐蝕的主要形式： *純化學(xué)過程：（等離子體腐蝕 ) *純物理過程： (離子刻蝕、離子束腐蝕） *物理化學(xué)過程：反應(yīng)離子腐蝕RIE ，感應(yīng) 耦合等離子體刻蝕ICP. 在物理腐蝕方法中，利用放電時所產(chǎn)生的高能 惰性氣體離子對材料進(jìn)行轟擊，腐蝕速率與轟 擊粒子的能量、通量密度以及入射角有關(guān)； 在化學(xué)腐蝕中，惰性氣體（如四氟化碳）在高 頻或直流電場中受到激發(fā)并分解（如形成氟離 子

23、），然后與被腐蝕材料起反應(yīng)形成揮發(fā)性物 質(zhì)； 在物理化學(xué)結(jié)合的方法中，既有粒子與被腐蝕 材料的碰撞，又有惰性氣體與被腐蝕材料的反 應(yīng)。 反應(yīng)離子刻蝕 反應(yīng)離子刻蝕（Reactive ion etch）是在等 離子中發(fā)生的。 隨著材料表層的“反應(yīng)剝離排放”周 期循環(huán)，材料被逐層刻蝕到制定深度。 衡量反應(yīng)離子刻蝕的指標(biāo)： 掩模的刻蝕比 刻蝕的各向異性程度 其它：刻蝕速率、刻蝕均勻性等 等離子腐蝕 利用氣體輝光放電電離和分解穩(wěn)定的原子所形 成的離子和活性物質(zhì)，與被腐蝕的固體材料作 用，產(chǎn)生揮發(fā)性的物質(zhì)或氣態(tài)產(chǎn)品。 刻蝕過程主要是化學(xué)反應(yīng)刻蝕，是各向同 性的，主要作為表面干法清洗工藝。 離子轟擊的作用

24、： 1.將被刻蝕材料表面的原子鍵破壞； 2.將再淀積于被刻蝕表面的產(chǎn)物或聚合物打掉 DRIE、ICP刻蝕工藝刻蝕工藝 1.現(xiàn)象現(xiàn)象 （1）各向同性腐蝕 （2）各向異性腐蝕 （3）濺射腐蝕 等離子體腐蝕的主要現(xiàn)象和特點(diǎn) （1）速率高 （2）環(huán)境清潔，工藝兼容性好。 （3）掩膜選擇性好 30：1 （4）表面光潔度好，應(yīng)力集中少 （5）無晶向限制 主要特點(diǎn)主要特點(diǎn) min/7:mER （1）好的截面形狀，易于滿足鑄模要求。 （2）高的腐蝕速率，適于體硅要求。 （3）利用各向同性腐蝕，滿足犧牲層腐蝕要 求。 （4）可用于活動結(jié)構(gòu)制作。 （5）可用于高深寬比結(jié)構(gòu)制作。 適應(yīng)性適應(yīng)性 反應(yīng)離子深刻蝕 改善刻蝕的方向性，即各向異性，一直是