模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料模擬電子技術(shù)基礎(chǔ).doc

1、第一章半導(dǎo)體二極管一. 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1. 半導(dǎo)體 - 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)( 如硅 Si 、鍺 Ge) 。2. 特性 - 光敏、熱敏和摻雜特性。3. 本征半導(dǎo)體 - 純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4. 兩種載流子 - 帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5. 雜質(zhì)半導(dǎo)體 - 在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體 :在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導(dǎo)體 :在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性* 載流子的濃度 - 多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度

2、與溫度有關(guān)。* 體電阻 - 通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。* 轉(zhuǎn)型 - 通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7. PN 結(jié)* PN結(jié)的接觸電位差- 硅材料約為0.60.8V ，鍺材料約為0.20.3V 。* PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?- 正偏導(dǎo)通，反偏截止。8. PN 結(jié)的伏安特性二 . 半導(dǎo)體二極管* 單向?qū)щ娦?- 正向?qū)?，反向截止? 二極管伏安特性 - 同結(jié)。* 正向?qū)▔航?- 硅管 0.60.7V ，鍺管 0.20.3V 。* 死區(qū)電壓 - 硅管 0.5V ，鍺管 0.1V 。3. 分析方法 - 將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:若 V 陽 V

3、 陰( 正偏 ) ，二極管導(dǎo)通 (短路 ); 若 V 陽 V 陰( 正偏 ) ，二極管導(dǎo)通 (短路 );若 V 陽 u- 時， uo =+Uom 當(dāng) u+u- 時， uo =- Uom兩輸入端的輸入電流為零:i +=i - =0第七章放大電路中的反饋一.反饋概念的建立開環(huán)放大倍數(shù)閉環(huán)放大倍數(shù)反饋深度環(huán)路增益：1當(dāng) 時， 下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2當(dāng) 時，表明反饋效果為零。3當(dāng) 時， 升高，這種反饋稱為正反饋。4當(dāng) 時， 。放大器處于“ 自激振蕩”狀態(tài)。二反饋的形式和判斷1. 反饋的范圍 - 本級或級間。2. 反饋的性質(zhì) - 交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存在反

4、饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋。3. 反饋的取樣 - 電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。（輸出短路時反饋不消失）4. 反饋的方式 - 并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。 Rs 越大反饋效果越好。反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs 越小反饋效果越好。反饋信號反饋到非輸入端）5. 反饋極性 - 瞬時極性法：（ 1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設(shè)信號的頻率在中頻段。（ 2）根據(jù)該極性，

5、逐級推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時極性（升高用 + 表示，降低用 表示）。（ 3）確定反饋信號的極性。（4）根據(jù) Xi 與 X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負(fù)反饋； Xid增大為正反饋。三 .反饋形式的描述方法某反饋元件引入級間（本級）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。四 . 負(fù)反饋對放大電路性能的影響1. 提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性2.3. 擴(kuò)展頻帶4. 減小非線性失真及抑制干擾和噪聲5. 改變放大電路的輸入、輸出電阻* 串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加 1+AF 倍* 并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小 1+AF 倍* 電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小 1+AF 倍* 電流負(fù)反饋使輸出電

6、阻增加 1+AF 倍五 . 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1. 產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件若表示為幅值和相位的條件則為：第八章信號的運(yùn)算與處理分析依據(jù) -“虛斷”和“虛短”一.基本運(yùn)算電路1. 反相比例運(yùn)算電路R2 = R1/ Rf2. 同相比例運(yùn)算電路R2= 1/fRR3. 反相求和運(yùn)算電路R4= 1/2 /3 /fRRRR4. 同相求和運(yùn)算電路R1/R2 / R3/ R4=Rf/ R55. 加減運(yùn)算電路R1/2/f = 3 /4/5RR RRR二.積分和微分運(yùn)算電路1. 積分運(yùn)算2. 微分運(yùn)算第九章信號發(fā)生電路一.正弦波振蕩電路的基本概念1. 產(chǎn)生正

7、弦波振蕩的條件 ( 人為的直接引入正反饋 )自激振蕩的平衡條件:即幅值平衡條件：相位平衡條件：2. 起振條件 :幅值條件：相位條件 :3. 正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1) 放大電路 - 建立和維持振蕩。(2) 正反饋網(wǎng)絡(luò) - 與放大電路共同滿足振蕩條件。(3) 選頻網(wǎng)絡(luò) - 以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。(4) 穩(wěn)幅環(huán)節(jié) - 使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類(1) RC振蕩器 - 振蕩頻率較低 ,1M 以下 ;(2) LC振蕩器 - 振蕩頻率較高 ,1M 以上 ;(3) 石英晶體振蕩器 - 振蕩頻率高且穩(wěn)定。二. RC 正弦波振蕩電路1. RC串并聯(lián)正弦波振

8、蕩電路RC移相式正弦波振蕩電路三 . LC正弦波振蕩電路1. 變壓器耦合式 LC振蕩電路判斷相位的方法： 斷回路、引輸入、看相位2. 三點(diǎn)式 LC 振蕩器* 相位條件的判斷 - “射同基反”或 “三步曲法”電感反饋三點(diǎn)式振蕩器 ( 哈特萊電路 )(2)電容反饋三點(diǎn)式振蕩器( 考畢茲電路 )(3) 串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）(4) 并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）(5) 四. 石英晶體振蕩電路1. 并聯(lián)型石英晶體振蕩器2. 串聯(lián)型石英晶體振蕩器第十章直流電源一.直流電源的組成框圖? 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。? 整流電路：將正負(fù)交替

9、的交流電壓整流成為單方向的脈動電壓。? 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。? 穩(wěn)壓電路：自動保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。? 二. 單相半波整流電路1輸出電壓的平均值UO(AV)2輸出電壓的脈動系數(shù)S3正向平均電流I D(AV)4最大反向電壓URM三.單相全波整流電路1輸出電壓的平均值UO(AV)2輸出電壓的脈動系數(shù)S3正向平均電流I D(AV)4最大反向電壓URM四.單相橋式整流電路UO(AV) 、 S、I D(AV)與全波整流電路相同，URM與半波整流電路相同。五.電容濾波電路1 放電時間常數(shù)的取值2. 輸出電壓的平均值 UO(AV)3. 輸出電壓的脈動系數(shù) S4 . 整流二極管的平均電流ID(AV)六.三種單相整流電容濾波電路的比較七 . 并聯(lián)型穩(wěn)壓電路1. 穩(wěn)壓電路及其工作原理* 當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓變化時的穩(wěn)