GPP_制程簡(jiǎn)介_第1頁
GPP_制程簡(jiǎn)介_第2頁
GPP_制程簡(jiǎn)介_第3頁
GPP_制程簡(jiǎn)介_第4頁
GPP_制程簡(jiǎn)介_第5頁
已閱讀5頁，還剩48頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、 P+NN+GlassP+NN+GlassWafer CleanOxidation1st PhotoBOE EtchGrid EtchPR StripOxide EtchSIPOS Dep.2nd Photo1st Ni PlatingNi Sintering2nd Ni PlatingAu PlatingPG Burn offGlass FiringLTO3rd PhotoPG CoatingRCA Clean進(jìn)黃進(jìn)黃光室光室PR StripContact EtchNon SIPOSNN+P+排晶片進(jìn)熱氧化爐熱氧化出熱氧化爐收料HMDS烤箱烘烤光阻涂布軟烤對(duì)位曝光顯影硬烤BOE浸泡HF浸泡純

2、水QDR沖洗混合酸浸泡純水QDR沖洗甩干機(jī)甩干純水QDR沖洗利用 BOE 蝕刻晶片表面氧化層利用高純水( 12M)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘余物利用高純水( 12M)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘余物利用混合酸去除晶片表面之雜物利用甩干機(jī)將晶片表面之水分帶離利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層利用高純水( 12M)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘余物SC1清洗HF浸泡純水QDR沖洗SC2清洗純水QDR沖洗甩干機(jī)甩干純水QDR沖洗利用 SC1 去除晶片表面之微粒及有機(jī)物利用高純水( 12M)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘余物利用高純水( 12M)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘余物利用SC2 去除可能殘留於晶片表面之金屬離子利用甩干機(jī)將晶片表面之水分帶離利用 HF 蝕刻晶片表面氧化層利用高純水( 12M)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘余物光阻玻璃涂布軟烤對(duì)位曝光顯影硬烤將光阻玻璃以旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)均勻的涂布在晶片表面將光阻內(nèi)之有機(jī)溶液以約90烘烤，以增加后續(xù)對(duì)位曝光之解析度將軟烤完成之晶片以對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移將曝光完成之晶片以顯影液將所需之圖形顯現(xiàn)出來將顯影完成之晶片送進(jìn)130 之烤箱烘烤，使光阻固化排晶片光阻燒除爐光阻燒除出光阻燒除爐收料排晶片玻璃燒結(jié)爐玻璃燒結(jié)出玻璃燒結(jié)爐收料HMDS烤箱烘烤光阻涂布軟烤對(duì)位曝光顯影

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論