北京半導體硅片項目投資計劃書（參考范文）

1、泓域咨詢 /北京半導體硅片項目投資計劃書報告說明3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升。SEMI預計，2019年3DNAND存儲器芯片產能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。根據謹慎財務估算，項目總投資10506.48萬元，其中：建設投資7732.63萬元，占項目總投資的73.60%；建設期利息207.63萬元，占項目總投資的1.98%；流動資金2566.22萬元，占

2、項目總投資的24.43%。項目正常運營每年營業(yè)收入22500.00萬元，綜合總成本費用18634.53萬元，凈利潤2824.22萬元，財務內部收益率19.36%，財務凈現(xiàn)值2982.57萬元，全部投資回收期6.25年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本項目生產線設備技術先進，即提高了產品質量，又增加了產品附加值，具有良好的社會效益和經濟效益。本項目生產所需原料立足于本地資源優(yōu)勢，主要原材料從本地市場采購，保證了項目實施后的正常生產經營。綜上所述，項目的實施將對實現(xiàn)節(jié)能降耗、環(huán)境保護具有重要意義，本期項目的建設，是十分必要和可行的。本報告基于可信的公開資料，參考

3、行業(yè)研究模型，旨在對項目進行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。目錄第一章 項目背景、必要性7一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景7二、 行業(yè)發(fā)展情況和未來發(fā)展趨勢9三、 項目實施的必要性11第二章 市場分析13一、 半導體硅片需求情況13二、 半導體硅片需求情況16三、 半導體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢19第三章 緒論23一、 項目名稱及建設性質23二、 項目承辦單位23三、 項目定位及建設理由24四、 報告編制說明25五、 項目建設選址27六、 項目生產規(guī)模28七、 建筑物建設規(guī)模28八、 環(huán)境影響28九、 原輔材料及設備28十、 項目總投資及資金構成29十一、 資金籌措

4、方案29十二、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標30十三、 項目建設進度規(guī)劃30主要經濟指標一覽表30第四章 產品方案分析33一、 建設規(guī)模及主要建設內容33二、 產品規(guī)劃方案及生產綱領33產品規(guī)劃方案一覽表33第五章 選址可行性分析35一、 項目選址原則35二、 建設區(qū)基本情況35三、 創(chuàng)新驅動發(fā)展38四、 社會經濟發(fā)展目標39五、 產業(yè)發(fā)展方向41六、 項目選址綜合評價46第六章 建筑技術分析47一、 項目工程設計總體要求47二、 建設方案48三、 建筑工程建設指標49建筑工程投資一覽表49第七章 進度規(guī)劃方案51一、 項目進度安排51項目實施進度計劃一覽表51二、 項目實施保障措施52第八章 節(jié)

5、能說明53一、 項目節(jié)能概述53二、 能源消費種類和數(shù)量分析54能耗分析一覽表54三、 項目節(jié)能措施55四、 節(jié)能綜合評價56第九章 人力資源分析57一、 人力資源配置57勞動定員一覽表57二、 員工技能培訓57第十章 原輔材料及成品分析60一、 項目建設期原輔材料供應情況60二、 項目運營期原輔材料供應及質量管理60第十一章 項目綜合評價62第十二章 附表附錄63主要經濟指標一覽表63建設投資估算表64建設期利息估算表65固定資產投資估算表66流動資金估算表67總投資及構成一覽表68項目投資計劃與資金籌措一覽表69營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表70綜合總成本費用估算表70固定資產折舊費估

6、算表71無形資產和其他資產攤銷估算表72利潤及利潤分配表73項目投資現(xiàn)金流量表74借款還本付息計劃表75建筑工程投資一覽表76項目實施進度計劃一覽表77主要設備購置一覽表78能耗分析一覽表78第一章 項目背景、必要性一、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產工藝更復雜、成本更高、應用領域更專業(yè)，全球范圍內僅有Soitec、信越化學、環(huán)球晶圓、SU

7、MCO和硅產業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產。而在需求方面，中國大陸芯片制造領域具備SOI芯片生產能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應用射頻前端芯片是超小型內置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號，是以移動智能終端為代表的無線通信設備的核心器件之一。近年來，移動通信技術迅速發(fā)展，移動數(shù)據傳輸量和傳輸速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱

8、層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點，符合射頻前端芯片對于高速、高線性與低插損等要求。為了應對射頻前端芯片對于集成度與復雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結構與良好的電學性能，為系統(tǒng)設計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標準的集成電路生產線以降低芯片制造企業(yè)的生產成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應用領域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在

9、射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、混和信號器件之間的串擾并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質隔離，RF-SOI實現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產線。國內RF-SOI產業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進口。目前，雖然我國企

10、業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產能力，但是國內僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應用于智能手機、WiFi等無線通信設備的射頻前端芯片，亦應用于汽車電子、功率器件、傳感器等產品。未來，隨著5G通信技術的不斷成熟，新一輪智能手機的更新?lián)Q代即將到來，以及自動駕駛、車聯(lián)網技術的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。二、 行業(yè)發(fā)展情況和未來發(fā)展趨勢依照摩爾定律，半導體行業(yè)呈現(xiàn)產品升級迭代快、性能持續(xù)提升、成本持續(xù)下降、制程不斷縮小的基本發(fā)展趨勢。1、制程的不斷縮小提升了對半導體硅片的技術要求制程亦稱為節(jié)點或特征線寬，即晶體管柵

11、極寬度的尺寸，用來衡量半導體芯片制造的工藝水準。遵循摩爾定律，半導體芯片的制程已經從上世紀70年代的1m、0.35m、0.13m逐漸發(fā)展至當前的90nm、65nm、45nm、22nm、16nm、10nm、7nm。隨著制程的不斷縮小，芯片制造工藝對硅片缺陷密度與缺陷尺寸的容忍度不斷降低。對應在半導體硅片的制造過程中，需要更加嚴格地控制硅片表面微粗糙度、硅單晶缺陷、金屬雜質、晶體原生缺陷、表面顆粒尺寸和數(shù)量等技術指標，這些參數(shù)將直接影響半導體產品的成品率和性能。根據Gartner預測，2016至2022年，全球芯片制造產能中，預計20nm及以下制程占比12%，32/28nm至90nm占比41%，0

12、.13m及以上的微米級制程占比47%。目前，90nm及以下的制程主要使用300mm半導體硅片，90nm以上的制程主要使用200mm或更小尺寸的硅片。2、未來幾年，300mm仍將是半導體硅片的主流品種隨著半導體制程的不斷縮小，芯片生產的工藝愈加復雜，生產成本不斷提高，成本因素驅動硅片向著大尺寸的方向發(fā)展。半導體硅片尺寸越大，對于技術和設備的要求越高，半導體硅片的尺寸每進步一代，生產工藝的難度亦隨之提升。3、半導體硅片市場將繼續(xù)保持較高的集中度半導體硅片行業(yè)技術壁壘高、資金壁壘高、人才壁壘高，并且與宏觀經濟關聯(lián)性較強，半導體硅片企業(yè)需通過規(guī)模效應來提高盈利能力，預計未來半導體硅片市場仍將保持較高的

13、集中度。4、中國大陸半導體硅片行業(yè)快速發(fā)展近年來，中國政府高度重視半導體行業(yè)，制定了一系列政策推動中國大陸半導體行業(yè)的發(fā)展。2014年，國務院印發(fā)了國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要，綱要指出：集成電路產業(yè)是信息技術產業(yè)的核心，是支撐經濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè)。當前和今后一段時期是我國集成電路產業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機遇期和攻堅期。加快推進集成電路產業(yè)發(fā)展，對轉變經濟發(fā)展方式、保障國家安全、提升綜合國力具有重大戰(zhàn)略意義。到2020年，中國集成電路行業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%。到2030年，產業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，實現(xiàn)跨越發(fā)展。近年來

14、，在中國政府高度重視、大力扶持半導體行業(yè)發(fā)展的大背景下，中國大陸的半導體產業(yè)快速發(fā)展，產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的產能和技術水平都取得了長足的進步，但相對而言，半導體材料仍是我國半導體產業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié)。目前，我國半導體硅片市場仍主要依賴于進口，我國企業(yè)具有很大的進口替代空間。受益于產業(yè)政策的支持、國內硅片企業(yè)技術水準的提升、以及全球芯片制造產能向中國大陸的轉移，預計中國大陸半導體硅片企業(yè)的銷售額將繼續(xù)提升，將以高于全球半導體硅片市場的增速發(fā)展，市場份額占比也將持續(xù)擴大。三、 項目實施的必要性（一）現(xiàn)有產能已無法滿足公司業(yè)務發(fā)展需求作為行業(yè)的領先企業(yè)，公司已建立良好的品牌形象和較高的市場知名度，產品銷售形勢

15、良好，產銷率超過 100%。預計未來幾年公司的銷售規(guī)模仍將保持快速增長。隨著業(yè)務發(fā)展，公司現(xiàn)有廠房、設備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優(yōu)化生產流程、強化管理等手段，不斷挖掘產能潛力，但仍難以從根本上緩解產能不足問題。通過本次項目的建設，公司將有效克服產能不足對公司發(fā)展的制約，為公司把握市場機遇奠定基礎。（二）公司產品結構升級的需要隨著制造業(yè)智能化、自動化產業(yè)升級，公司產品的性能也需要不斷優(yōu)化升級。公司只有以技術創(chuàng)新和市場開發(fā)為驅動，不斷研發(fā)新產品，提升產品精密化程度，將產品質量水平提升到同類產品的領先水準，提高生產的靈活性和適應性，契合關鍵零部件國產化的需求，才能在與國外企業(yè)的競爭

16、中獲得優(yōu)勢，保持公司在領域的國內領先地位。第二章 市場分析一、 半導體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導體硅片制造。半導體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領域的芯片制造企業(yè)。半導體硅片的終端應用領域涵蓋智能手機、便攜式設備、物聯(lián)網、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學技術的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產能情況（1）芯片制造產能情況2017至2020年，全球芯片制造產能（折合成200mm）預計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復合增長率6.64%；中國芯片制

17、造產能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產，中國大陸芯片制造產能增速高于全球芯片產能增速。隨著芯片制造產能的增長，對于半導體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產能低于200mm芯片制造產能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術實力的不斷提升，預計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產能將會超過200mm制造芯片制造產能。（2）半導體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產能快速增長，其主要原因是用于大

18、數(shù)據存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升。SEMI預計，2019年3DNAND存儲器芯片產能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學影像轉化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網絡中廣泛應用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產品，預計2019年圖像傳感器產能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導體行業(yè)近年增長最強勁的細分領域之一。功率器件主要用于電子電力的開關、功率轉換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電

19、源開關電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復合增長率7.45%。根據ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導體芯片制造市

20、場規(guī)模根據WSTS分類標準，半導體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復合增長率43.

21、45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。二、 半導體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導體硅片制造。半導體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領域的芯片制造企業(yè)。半導體硅

22、片的終端應用領域涵蓋智能手機、便攜式設備、物聯(lián)網、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學技術的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產能情況（1）芯片制造產能情況2017至2020年，全球芯片制造產能（折合成200mm）預計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復合增長率6.64%；中國芯片制造產能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴產，中國大陸芯片制造產能增速高于全球芯片產能增速。隨著芯片制造產能的增長，對于半導體硅片的需求仍將持續(xù)增長

23、。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產能低于200mm芯片制造產能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術實力的不斷提升，預計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產能將會超過200mm制造芯片制造產能。（2）半導體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升。SEMI預計，2019年3DNAND存儲器芯片產能增速將達4.01%，3DNAND存儲器芯片產能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主

24、要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學影像轉化為數(shù)字信號，在智能手機、汽車電子、視頻監(jiān)視網絡中廣泛應用。隨著多攝像頭手機成為市場的主流產品，預計2019年圖像傳感器產能增速將達到21%，圖像傳感器將成為半導體行業(yè)近年增長最強勁的細分領域之一。功率器件主要用于電子電力的開關、功率轉換、功率放大、線路保護等，是在電力控制電路和電源開關電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復合增長率7.45%。根據ICI

25、nsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務規(guī)模隨之擴大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導體芯片制造市場規(guī)模根據WSTS分類標準，半導體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為

26、3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機與便攜式設備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復合增長率達11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速

27、；手機新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。三、 半導體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢1、全球半導體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢由于半導體行業(yè)與全球宏觀經濟形勢緊密相關，全球半導體硅片行業(yè)在2009年受經濟危機影響較為低迷出貨量與銷售額均出現(xiàn)下滑；2010年由于智能手機放量增長，硅片行業(yè)大幅反彈。2011年至2016年，全球經濟逐漸復蘇但依舊較為低迷，硅片行業(yè)亦隨之低速發(fā)展。2017年以來，受益于半導體終端市場需求強勁，下游傳統(tǒng)應用領域計算機、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應用領域如人工智能、區(qū)塊鏈

28、、物聯(lián)網、汽車電子的快速發(fā)展，半導體硅片市場規(guī)模不斷增長，并于2018年突破百億美元大關。2、全球各尺寸半導體硅片市場情況2018年，300mm硅片和200mm硅片市場份額分別為63.83%和26.14%，兩種尺寸硅片合計占比接近90.00%。2011年開始，200mm半導體硅片市場占有率穩(wěn)定在25-27%之間。2016年至2017年，由于汽車電子、智能手機用指紋芯片、液晶顯示器市場需求快速增長，200mm硅片出貨面積從2,690.00百萬平方英寸上升至3,085.00百萬平方英寸，同比增長14.68%。2018年，受益于汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網等應用領域的強勁需求，以及功率器件、傳感器等生

29、產商將部分產能從150mm轉移至200mm，帶動200mm硅片繼續(xù)保持增長，200mm硅片出貨面積達到3,278.00百萬平方英寸，同比增長6.25%。自2000年全球第一條300mm芯片制造生產線建成以來，300mm半導體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導體硅片出貨量首次超過200mm半導體硅片；2009年，300mm半導體硅片出貨面積超過其他尺寸半導體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動通信、計算機等終端市場持續(xù)快速發(fā)展，300mm半導體硅片出貨面積從94.00百萬平方英寸擴大至8,005.00百萬平方英寸，市場份額從1.69%大幅提升至2018年

30、的63.83%，成為半導體硅片市場最主流的產品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發(fā)展，300mm半導體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,005.00百萬平方英寸，年均復合增長率為8.36%。3、中國大陸半導體硅片市場現(xiàn)狀及前景2008年至2013年，中國大陸半導體硅片市場發(fā)展趨勢與全球半導體硅片市場一致。2014年起，隨著中國各半導體制造生產線投產、中國半導體制造技術的不斷進步與中國半導體終端產品市場的飛速發(fā)展，中國大陸半導體硅片市場步入了飛躍式發(fā)展階段。2016年至2018年，中國大陸半導體硅片銷售額從5.00億美元上升至9.92

31、億美元，年均復合增長率高達40.88%，遠高于同期全球半導體硅片的年均復合增長率25.65%。中國作為全球最大的半導體產品終端市場，預計未來隨著中國芯片制造產能的持續(xù)擴張，中國半導體硅片市場的規(guī)模將繼續(xù)以高于全球市場的速度增長。半導體硅片作為芯片制造的關鍵材料，市場集中度很高，目前全球半導體硅片市場主要被日本、德國、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)的知名企業(yè)占據。中國大陸的半導體硅片企業(yè)主要生產150mm及以下的半導體硅片，僅有少數(shù)幾家企業(yè)具有200mm半導體硅片的生產能力。2017年以前，300mm半導體硅片幾乎全部依賴進口。2018年，硅產業(yè)集團子公司上海新昇作為中國大陸率先實現(xiàn)300mm硅片規(guī)

32、?；N售的企業(yè)，打破了300mm半導體硅片國產化率幾乎為0%的局面。第三章 緒論一、 項目名稱及建設性質（一）項目名稱北京半導體硅片項目（二）項目建設性質本項目屬于新建項目二、 項目承辦單位（一）項目承辦單位名稱xx投資管理公司（二）項目聯(lián)系人胡xx（三）項目建設單位概況公司堅持提升企業(yè)素質，即“企業(yè)管理水平進一步提高，人力資源結構進一步優(yōu)化，人員素質進一步提升，安全生產意識和社會責任意識進一步增強，誠信經營水平進一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素質企業(yè)員工，企業(yè)品牌影響力不斷提升。公司不斷建設和完善企業(yè)信息化服務平臺，實施“互聯(lián)網+”企業(yè)專項行動，推廣適合企業(yè)需求的信息化產品和服務，促進

33、互聯(lián)網和信息技術在企業(yè)經營管理各個環(huán)節(jié)中的應用，業(yè)通過信息化提高效率和效益。搭建信息化服務平臺，培育產業(yè)鏈，打造創(chuàng)新鏈，提升價值鏈，促進帶動產業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同發(fā)展。公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產品服務、可靠的質量、一流的服務為客戶提供更多更好的優(yōu)質產品及服務。公司依據公司法等法律法規(guī)、規(guī)范性文件及公司章程的有關規(guī)定，制定并由股東大會審議通過了董事會議事規(guī)則，董事會議事規(guī)則對董事會的職權、召集、提案、出席、議事、表決、決議及會議記錄等進行了規(guī)范。 三、 項目定位及建設理由半導體產業(yè)按產品類別可分為集成電路、光電子器件、分立

34、器件和傳感器四類。2018年，全球集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元，較2017年分別增長14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半導體行業(yè)占比分別為83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成電路系半導體行業(yè)中增速最快、占比最高的行業(yè)。從國際環(huán)境看，和平與發(fā)展的時代主題沒有變，世界多極化、經濟全球化、文化多樣化、社會信息化深入發(fā)展，新一輪科技革命和產業(yè)革命蓄勢待發(fā)，我國發(fā)展具有相對穩(wěn)定的外部環(huán)境。從國內大勢看，我國已成為世界第二大經濟體，經濟長期向好的基本面沒有改變，

35、發(fā)展方式加快轉變，改革開放釋放出新的發(fā)展活力，為北京發(fā)展提供了更加有力支撐。從自身發(fā)展看，北京已經是一個現(xiàn)代化國際大都市，發(fā)展優(yōu)勢更加明顯、前景更加廣闊，轉型升級發(fā)展的潛力巨大。特別是實施“一帶一路”、京津冀協(xié)同發(fā)展、長江經濟帶三大戰(zhàn)略，部署籌辦2022年北京冬奧會，推動京津冀全面創(chuàng)新改革試驗區(qū)建設，推進北京服務業(yè)擴大開放綜合試點，支持辦好世界園藝博覽會等，有利于我們更好地落實城市戰(zhàn)略定位，提升北京在全球資源配置中的地位和作用，加快建設以首都為核心的世界級城市群，打造中國經濟發(fā)展新的支撐帶。四、 報告編制說明（一）報告編制依據1、中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展“十三五”規(guī)劃綱要；2、建設項目

36、經濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；3、工業(yè)可行性研究編制手冊；4、現(xiàn)代財務會計；5、工業(yè)投資項目評價與決策；6、國家及地方有關政策、法規(guī)、規(guī)劃；7、項目建設地總體規(guī)劃及控制性詳規(guī)；8、項目建設單位提供的有關材料及相關數(shù)據；9、國家公布的相關設備及施工標準。（二）報告編制原則堅持以經濟效益為中心，社會效益和不境效益為重點指導思想，以技術先進、經濟可行為原則，立足本地、面向全國、著眼未來，實現(xiàn)企業(yè)高質量、可持續(xù)發(fā)展。1、優(yōu)化規(guī)劃方案，盡可能減少工程項目的投資額，以求得最好的經濟效益。2、結合廠址和裝置特點，總圖布置力求做到布置緊湊，流程順暢，操作方便，盡量減少用地。3、在工藝路線及公用工程的

37、技術方案選擇上，既要考慮先進性，又要確保技術成熟可靠，做到先進、可靠、合理、經濟。4、結合當?shù)赜欣麠l件，因地制宜，充分利用當?shù)刭Y源。5、根據市場預測和當?shù)厍闆r制定產品方向，做到產品方案合理。6、依據環(huán)保法規(guī)，做到清潔生產，工程建設實現(xiàn)“三同時”，將環(huán)境污染降低到最低程度。7、嚴格執(zhí)行國家和地方勞動安全、企業(yè)衛(wèi)生、消防抗震等有關法規(guī)、標準和規(guī)范。做到清潔生產、安全生產、文明生產。（二） 報告主要內容根據項目的特點，報告的研究范圍主要包括：1、項目單位及項目概況；2、產業(yè)規(guī)劃及產業(yè)政策；3、資源綜合利用條件；4、建設用地與廠址方案；5、環(huán)境和生態(tài)影響分析；6、投資方案分析；7、經濟效益和社會效益分

38、析。通過對以上內容的研究，力求提供較準確的資料和數(shù)據，對該項目是否可行做出客觀、科學的結論，作為投資決策的依據。五、 項目建設選址本期項目選址位于xxx（待定），占地面積約19.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。六、 項目生產規(guī)模項目建成后，形成年產xxx噸半導體硅片的生產能力。七、 建筑物建設規(guī)模本期項目建筑面積23393.89，其中：生產工程16080.81，倉儲工程4527.07，行政辦公及生活服務設施1840.89，公共工程945.12。八、 環(huán)境影響本期工程項目設計中采用了清潔生產工藝，應用清潔原材料，生產

39、清潔產品，同時采取完善和有效的清潔生產措施，能夠切實起到消除和減少污染的作用；因此，本期工程項目建成投產后，各項環(huán)境指標均符合國家和地方清潔生產的標準要求。九、 原輔材料及設備（一）項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括脂肪酸聚氧、乙烯醚水、脂肪醇聚氧、乙烯醚、脂肪酸聚氧、仲烷基磺酸鈉、脂肪醇聚氧、脂肪酸聚氧、滲透劑、水、消泡劑、天然氣、氨基改性硅油、非離子乳化劑、冰醋酸、多元嵌段硅油、非離子乳化劑、氨基改性硅油、多元嵌段硅油。（二）主要設備主要設備包括：真空泵、制氮機、捏合機、濾膠機、三輥研研磨機、攪拌分散機、空壓機。十、 項目總投資及資金構成（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投

40、資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資10506.48萬元，其中：建設投資7732.63萬元，占項目總投資的73.60%；建設期利息207.63萬元，占項目總投資的1.98%；流動資金2566.22萬元，占項目總投資的24.43%。（二）建設投資構成本期項目建設投資7732.63萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用6827.82萬元，工程建設其他費用761.78萬元，預備費143.03萬元。十一、 資金籌措方案本期項目總投資10506.48萬元，其中申請銀行長期貸款4237.26萬元，其余部分由企業(yè)自籌。十二、 項目預期經濟效益規(guī)劃目標（一）經濟效益目標

41、值（正常經營年份）1、營業(yè)收入（SP）：22500.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：18634.53萬元。3、凈利潤（NP）：2824.22萬元。（二）經濟效益評價目標1、全部投資回收期（Pt）：6.25年。2、財務內部收益率：19.36%。3、財務凈現(xiàn)值：2982.57萬元。十三、 項目建設進度規(guī)劃本期項目按照國家基本建設程序的有關法規(guī)和實施指南要求進行建設，本期項目建設期限規(guī)劃24個月。十四、項目綜合評價綜上所述，該項目屬于國家鼓勵支持的項目，項目的經濟和社會效益客觀，項目的投產將改善優(yōu)化當?shù)禺a業(yè)結構，實現(xiàn)高質量發(fā)展的目標。主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積12667.

42、00約19.00畝1.1總建筑面積23393.891.2基底面積7220.191.3投資強度萬元/畝396.802總投資萬元10506.482.1建設投資萬元7732.632.1.1工程費用萬元6827.822.1.2其他費用萬元761.782.1.3預備費萬元143.032.2建設期利息萬元207.632.3流動資金萬元2566.223資金籌措萬元10506.483.1自籌資金萬元6269.223.2銀行貸款萬元4237.264營業(yè)收入萬元22500.00正常運營年份5總成本費用萬元18634.536利潤總額萬元3765.637凈利潤萬元2824.228所得稅萬元941.419增值稅萬元83

43、2.0110稅金及附加萬元99.8411納稅總額萬元1873.2612工業(yè)增加值萬元6322.9713盈虧平衡點萬元9265.94產值14回收期年6.2515內部收益率19.36%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元2982.57所得稅后第四章 產品方案分析一、 建設規(guī)模及主要建設內容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積12667.00（折合約19.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積23393.89。（二）產能規(guī)模根據國內外市場需求和xx投資管理公司建設能力分析，建設規(guī)模確定達產年產xxx噸半導體硅片，預計年營業(yè)收入22500.00萬元。二、 產品規(guī)劃方案及生產綱領本期項目產品主要從國家及地方產業(yè)發(fā)展政策、

44、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產工藝技術水平的先進程度、項目經濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據市場需求狀況進行必要的調整，各年生產綱領是根據人員及裝備生產能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產量和銷量視為一致，本報告將按照初步產品方案進行測算。產品規(guī)劃方案一覽表序號產品（服務）名稱單位單價（元）年設計產量產值1半導體硅片噸xxx2半導體硅片噸xxx3半導體硅片噸xxx4.噸5.噸6.噸合計xxx22500.002016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷

45、售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產工藝更復雜、成本更高、應用領域更專業(yè)，全球范圍內僅有Soitec、信越化學、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產。而在需求方面，中國大陸芯片制造領域具備SOI芯片生產能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產銷規(guī)模較小。第五章 選址可行性分析一、 項目選址原則項目建設區(qū)域以城市總體規(guī)劃為依據，布局相對獨立，便于集中開展科研、生產經營和管理活動，并且統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關系，與當?shù)氐慕ǔ蓞^(qū)有較方便的聯(lián)系。二、 建設區(qū)基本情況北京市，簡稱“京”，古稱燕京、北平，是中華人民共和國首

46、都、省級行政區(qū)、直轄市、國家中心城市、超大城市，國務院批復確定的中國政治中心、文化中心、國際交往中心、科技創(chuàng)新中心。截至2018年，全市下轄16個區(qū)，總面積16410.54平方千米，2019年末，常住人口2153.6萬人，城鎮(zhèn)人口1865萬人，城鎮(zhèn)化率86.6%，常住外來人口達794.3萬人。北京地處中國北部、華北平原北部，東與天津毗連，其余均與河北相鄰，中心位置東經11620、北緯3956，是世界著名古都和現(xiàn)代化國際城市。北京地勢西北高、東南低。西部、北部和東北部三面環(huán)山，東南部是一片緩緩向渤海傾斜的平原。境內流經的主要河流有永定河、潮白河、北運河、拒馬河等，多由西北部山地發(fā)源，穿過崇山峻嶺

47、，向東南蜿蜒流經平原地區(qū)，最后分別匯入渤海。北京的氣候為典型的暖溫帶半濕潤大陸性季風氣候，夏季高溫多雨，冬季寒冷干燥，春、秋短促。北京被世界權威機構GaWC評為世界一線城市。聯(lián)合國報告指出北京人類發(fā)展指數(shù)居中國城市第二位。2019年，北京市實現(xiàn)地區(qū)生產總值35371.3億元，按可比價格計算，比上年增長6.1%。社會消費品零售總額12270.1億元。初步預計，全市地區(qū)生產總值比上年增長6.2%左右，一般公共預算收入增長0.5%；居民消費價格上漲2.3%，城鎮(zhèn)調查失業(yè)率保持在4.4%左右，全市居民人均可支配收入實際增長6.3%左右；單位地區(qū)生產總值能耗、水耗分別下降4%和3%左右，細顆粒物年均濃度

48、降至42微克/立方米。2020年是全面建成小康社會和“十三五”規(guī)劃收官之年，要實現(xiàn)第一個百年奮斗目標，為“十四五”發(fā)展和實現(xiàn)第二個百年奮斗目標打好基礎，既是決勝期，也是攻堅期。做好各項工作，必須牢牢把握我國發(fā)展重要戰(zhàn)略機遇期，始終胸懷中華民族偉大復興的戰(zhàn)略全局和世界百年未有之大變局，緊緊圍繞“都”的功能謀劃“城”的發(fā)展，以“城”的更高水平發(fā)展服務保障“都”的功能，更好地履行首都職責，奮力推動首都高質量發(fā)展。必須牢牢把握決勝全面建成小康社會的奮斗目標，堅持以人民為中心的發(fā)展思想，堅決打贏防范化解重大風險、精準脫貧、污染防治三大攻堅戰(zhàn)，全力抓好保障和改善民生各項工作，切實增強人民群眾獲得感幸福感安

49、全感。必須牢牢把握新版城市總體規(guī)劃2020年近期目標，全面對照各領域節(jié)點任務，以最高標準、最嚴要求抓好規(guī)劃實施，確保建設國際一流的和諧宜居之都取得重大進展。全市經濟社會發(fā)展的主要預期目標是：地區(qū)生產總值增長6%左右；一般公共預算收入規(guī)模與上年持平；居民消費價格漲幅控制在3.5%以內；城鎮(zhèn)調查失業(yè)率低于5%；居民收入增長與經濟增長基本同步；單位地區(qū)生產總值能耗較2015年下降17%，單位地區(qū)生產總值二氧化碳排放較2015年下降20.5%，單位地區(qū)生產總值水耗下降3%左右，盡最大努力推動生態(tài)環(huán)境質量持續(xù)好轉。從國際環(huán)境看，和平與發(fā)展的時代主題沒有變，世界多極化、經濟全球化、文化多樣化、社會信息化深

50、入發(fā)展，新一輪科技革命和產業(yè)革命蓄勢待發(fā)，我國發(fā)展具有相對穩(wěn)定的外部環(huán)境。從國內大勢看，我國已成為世界第二大經濟體，經濟長期向好的基本面沒有改變，發(fā)展方式加快轉變，改革開放釋放出新的發(fā)展活力，為北京發(fā)展提供了更加有力支撐。從自身發(fā)展看，北京已經是一個現(xiàn)代化國際大都市，發(fā)展優(yōu)勢更加明顯、前景更加廣闊，轉型升級發(fā)展的潛力巨大。特別是實施“一帶一路”、京津冀協(xié)同發(fā)展、長江經濟帶三大戰(zhàn)略，部署籌辦2022年北京冬奧會，推動京津冀全面創(chuàng)新改革試驗區(qū)建設，推進北京服務業(yè)擴大開放綜合試點，支持辦好世界園藝博覽會等，有利于我們更好地落實城市戰(zhàn)略定位，提升北京在全球資源配置中的地位和作用，加快建設以首都為核心的

51、世界級城市群，打造中國經濟發(fā)展新的支撐帶。同時，國際金融危機深層次影響依然存在，世界經濟復蘇中的不穩(wěn)定不確定因素仍然很多；我國經濟發(fā)展進入新常態(tài)，面臨更加深刻的結構調整，倒逼我們加快轉變發(fā)展方式，實現(xiàn)從要素驅動轉向創(chuàng)新驅動。北京自身發(fā)展中還面臨著一些突出矛盾和困難，特別是人口資源環(huán)境矛盾突出，出現(xiàn)了人口過多、交通擁堵、房價高漲、環(huán)境污染等“大城市病”；城鄉(xiāng)區(qū)域發(fā)展不平衡，科技、文化創(chuàng)新優(yōu)勢發(fā)揮不夠，城市文明程度和服務管理水平還不夠高，法治建設亟待加強。綜合分析判斷，北京發(fā)展仍然處于可以大有作為的重要戰(zhàn)略機遇期，既面臨艱巨任務，又有許多有利條件。我們必須準確把握戰(zhàn)略機遇期內涵的深刻變化，準確把握

52、北京發(fā)展的階段性特征，緊緊抓住和用好重大歷史機遇，繼續(xù)集中力量落實首都城市戰(zhàn)略定位、推動京津冀協(xié)同發(fā)展，著力在優(yōu)化結構、增強動力、化解矛盾、補齊短板上取得更大成效，朝著建設國際一流的和諧宜居之都目標奮勇前進，不斷開拓發(fā)展新境界。三、 創(chuàng)新驅動發(fā)展創(chuàng)新是引領發(fā)展的第一動力，深入實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略是落實首都城市戰(zhàn)略定位、推動京津冀協(xié)同發(fā)展、支撐創(chuàng)新型國家建設的戰(zhàn)略選擇和根本動力?！笆濉睍r期，要把發(fā)展基點放在創(chuàng)新上，增強創(chuàng)新發(fā)展能力，深入實施人才優(yōu)先發(fā)展戰(zhàn)略，率先形成促進創(chuàng)新的體制機制，從供給側和需求側兩端發(fā)力，釋放新需求，創(chuàng)造新供給，推動新技術、新產業(yè)、新業(yè)態(tài)蓬勃發(fā)展，構建“高精尖”經濟結構

53、，加快建設具有全球影響力的國家創(chuàng)新戰(zhàn)略高地，成為國家自主創(chuàng)新重要源頭和原始創(chuàng)新主要策源地。更加注重增強原始創(chuàng)新能力，以科技創(chuàng)新為核心，深入實施全面創(chuàng)新改革，打造技術創(chuàng)新總部聚集地、科技成果交易核心區(qū)、全球高端創(chuàng)新中心及創(chuàng)新型人才聚集中心，更好地服務創(chuàng)新型國家建設。強化中關村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)在創(chuàng)新發(fā)展中的核心地位，充分發(fā)揮人才、科技和知識優(yōu)勢，全面提升引領支撐和輻射帶動作用，打造全球創(chuàng)新網絡的關鍵樞紐，建成具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心。加快構建“高精尖”經濟結構是引領經濟發(fā)展新常態(tài)、落實首都城市戰(zhàn)略定位的必然選擇?！笆濉睍r期，要著眼提質增效，增強經濟內生增長動力，調整三次產業(yè)內部結構，推進

54、產業(yè)功能化、功能集聚化，發(fā)揮高端產業(yè)功能區(qū)的集聚帶動作用，加快形成創(chuàng)新引領、技術密集、價值高端的經濟結構，促進首都經濟在更高水平上平穩(wěn)健康發(fā)展。四、 社會經濟發(fā)展目標緊密銜接京津冀協(xié)同發(fā)展規(guī)劃綱要確定的目標任務，堅持首都城市戰(zhàn)略定位，圍繞優(yōu)化提升首都核心功能、建設國際一流的和諧宜居之都，今后五年要在以下方面取得新成果：疏解非首都功能取得明顯成效。四環(huán)路以內區(qū)域性的物流基地和專業(yè)市場調整退出，部分教育醫(yī)療等公共服務機構、行政企事業(yè)單位有序疏解遷出。全市常住人口總量控制在2300萬人以內，城六區(qū)常住人口比2014年下降15%左右，“大城市病”等突出問題得到有效緩解，首都核心功能顯著增強。經濟保持中

55、高速增長。在發(fā)展質量和效益不斷提高的基礎上，地區(qū)生產總值年均增長6.5%，2020年地區(qū)生產總值和城鄉(xiāng)居民人均收入比2010年翻一番。主要經濟指標平衡協(xié)調，勞動生產率和地均產出率大幅提高。三次產業(yè)內部結構進一步優(yōu)化，服務業(yè)增加值占地區(qū)生產總值比重高于80%，全社會研究與試驗發(fā)展經費支出占地區(qū)生產總值的比重保持6%左右，形成“高精尖”經濟結構，成為具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心。人民生活水平和質量普遍提高。公共服務體系更加完善，基本公共服務均等化程度進一步提高。就業(yè)更加穩(wěn)定，城鎮(zhèn)登記失業(yè)率低于4%，收入差距縮小，中等收入人口比重上升，“住有所居”水平進一步提高。教育實現(xiàn)現(xiàn)代化，群眾健康水平普遍提升

56、，人均期望壽命高于82.4歲。養(yǎng)老助殘服務體系更加完善。困難群眾基本生活得到有效保障。社會更加安定有序。市民素質和城市文明程度顯著提高。中國夢和社會主義核心價值觀更加深入人心，愛國主義、集體主義、社會主義思想廣泛弘揚。市民思想道德素質、科學文化素質、健康素質明顯提高，熱情開朗、大氣開放、積極向上、樂于助人的社會風尚更加深厚。文化事業(yè)和文化產業(yè)蓬勃發(fā)展，率先建成公共文化服務體系，全國文化中心地位進一步彰顯。生態(tài)環(huán)境質量顯著提升。生產方式和生活方式綠色、低碳水平進一步提升。單位地區(qū)生產總值能耗、水耗持續(xù)下降，城鄉(xiāng)建設用地控制在2800平方公里以內，碳排放總量得到有效控制。主要污染物排放總量持續(xù)削減，生活垃圾無害化處理率達到99.8%以上，污水處理率高于95%，重要河湖水生態(tài)系統(tǒng)逐步恢復，森林覆蓋率達到44%，環(huán)境容量生態(tài)空間進一步擴大。各方面體制機制更加完善。城市治理各領域基礎性制度體系基本形成。人民民主更加健全，法治政府基本建成，成為法治中國的首善之區(qū)。城鄉(xiāng)發(fā)展一體化體制機制進一步健全，區(qū)域協(xié)同發(fā)展、統(tǒng)籌利用各級各類資源的體制機制基本建立。開放型經濟新體制基本形成。五、 產業(yè)