微波器件與固體電路作業(yè) 201521901012 任利鵬

1、 微波器件與固體電路作業(yè) 電技 201521901012 任利鵬一微波電路設(shè)計涉及到以下方面，簡要敘述 （一）材料技術(shù) （1）砷化鎵 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料。由于其電子遷移率比硅大56倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。 GaAs電路可以運用在移動電話、衛(wèi)星通訊、微波點對點連線、雷達系統(tǒng)等地方。GaAs曾用來做成甘恩二極管、微波二極管和耿氏二極管)以發(fā)射微波。 （2）硅 單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料

2、。廣泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場效應(yīng)管和各種集成電路都是用硅做的原材料。 （3）異質(zhì)結(jié) 異質(zhì)結(jié)，是指半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導(dǎo)體合金。高速電子遷移率晶體管，就是利用半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中雜質(zhì)與電子在空間能被分隔的優(yōu)點，因此電子得以有很高的遷移率。在此結(jié)構(gòu)中，改變閘極(gate)的電壓，就可以控制由源極(source)到泄極(drain)的電流，而達到放大的目的。因該組件具有很高的向應(yīng)頻率(600GHz)且低噪聲的優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于無限與太空通訊，以及天文觀測。 （4）外延生長 在單晶襯底

3、（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，故稱外延生長。 為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。外延生長的新單晶層可在導(dǎo)電類型、電阻率等方面與襯底不同，還可以生長不同厚度和不同要求的多層單晶，從而大大提高器件設(shè)計的靈活性和器件的性能。 對外延片檢查主要包括：表面質(zhì)量（不應(yīng)有突起點、凹坑等）、導(dǎo)電類型、電阻率、外延層厚度、外延片（片中和各片間的均勻性）和缺陷密度（包括層錯、位錯、霧狀微缺陷或小丘）等。 （二）器件技術(shù) （1）BJT BJT：BJT是雙極結(jié)型晶體管（Bip

4、olar Junction TransistorBJT）的縮寫，又常稱為雙載子晶體管。它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu)。極結(jié)型晶體管，外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）；BJT有放大作用，主要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸?shù)竭_集電區(qū)而實現(xiàn)的，為了保證這一傳輸過程，一方面要滿足內(nèi)部條件，即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時基區(qū)厚度要很小，另一方面要滿足外部條件，即發(fā)射結(jié)要正向偏置（加正向電壓）、集電結(jié)要反偏置；BJT種類很多，按照頻率分，有高頻管，低頻管，按照功率分，

5、有小、中、大功率管，按照半導(dǎo)體材料分，有硅管和鍺管等；其構(gòu)成的放大電路形式有：共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電路。（2）HBT HBT: 一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。異質(zhì)結(jié)是兩種帶隙寬度不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的結(jié)，和導(dǎo)電類型不同的結(jié)（PN結(jié)）無關(guān)。多數(shù)情況兩類相結(jié)合，有時不重合。由寬帶隙半導(dǎo)體材料制作發(fā)射區(qū)，以窄帶隙材料制作基區(qū)的雙極型晶體管成為異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管。工作原理:同質(zhì)結(jié)雙極管存在的主要問題：為提高電流增益，要求發(fā)射區(qū)重摻雜、基區(qū)輕摻雜，與為提高頻率，又要求減小發(fā)射結(jié)電容、減少基區(qū)電阻而互相矛盾。為了解決該矛盾的根本途徑是采用寬帶隙半導(dǎo)體材料作

6、成發(fā)射區(qū)，窄帶隙材料作基區(qū)。由于降低了電子從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的勢壘，同時提高了空穴由基區(qū)向發(fā)射區(qū)反注入的勢壘，提高了注入效率，進一步提高了電流增益，使器件在保持較高電流增益的條件下，提高晶體管的速度和工作頻率。特點:HBT與結(jié)構(gòu)相近的同質(zhì)結(jié)晶體管相比，具有以下特點：特征頻率fT高；最高振蕩頻率fmax高；厄利（Early）電壓較高（因基區(qū)摻雜濃度高，耗盡區(qū)不易在基區(qū)內(nèi)擴展）；基區(qū)穿通電壓較高；當輸出功率大導(dǎo)熱差時，Ic-UCE特性常出現(xiàn)負阻效應(yīng)。應(yīng)用領(lǐng)域:微波、毫米波放大和震蕩移動通信化合物超高速數(shù)字電路低溫電路（Si/SiGe HBT），高溫電路（AlGaN/GaN HBT）超高增益放大電路

7、（PET和MISTJET)。（3）MESFET MESFET（Metal-Semiconductor FET），即金屬-半導(dǎo)體接觸勢壘場效應(yīng)晶體管。MESFET是一種由Schottky勢壘柵極構(gòu)成的場效應(yīng)晶體管。它與p-n結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管相比，只是用金屬-半導(dǎo)體接觸勢壘代替了p-n結(jié)柵，則熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱；但是金屬-半導(dǎo)體接觸可以低溫形成，而且不僅可用Si，而且也能采用GaAs材料來制造出性能優(yōu)良的晶體管。MESFET的工作原理與JFET基本相同, 但是有兩點差異:a）在短溝道(0.52m) GaAs-MESFET中, 速度飽和模型能較好地描述I-V特性

8、(雖然飽和機理是由于谷間躍遷而引起的速度飽和，但與Si和SiC等的MESFET相同，都將產(chǎn)生偶極疇并使電流飽和)；b）對于柵長<0.5m的GaAs-MESFET, 由于GaAs中電子的能量弛豫時間>>動量弛豫時間，則電子的輸運將是瞬態(tài)的, 有明顯的速度過沖效應(yīng)(對短溝道Si器件, 無明顯的速度過沖)。 （4）MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect trans

9、istor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。（5）HEMT HEMT（High Electron Mobility Transistor），高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，又稱為調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFET）、二維電子氣場效應(yīng)晶體管（2-DEGFET）、選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管 (SDHT)等。這種器件及其集成電路都能夠工作于超高頻（毫米波）、超高速領(lǐng)域，原因就在于它是利用具有很高遷移率的所謂二維電子氣來工作的。 FET-IC實現(xiàn)超高頻、超

10、高速的困難（提高載流子遷移率的重要性） 因為一般的場效應(yīng)集成電路為了達到超高頻、超高速，必須要減短信號傳輸?shù)难舆t時間d CL/(nVm)和減小器件的開關(guān)能量(使IC不致因發(fā)熱而損壞)E = ( Pd d )CLVm2/2，而這些要求在對邏輯電壓擺幅Vm的選取上是矛盾的，因此難以實現(xiàn)超高頻、超高速；解決的一個辦法就是，首先適當降低邏輯電壓擺幅, 以適應(yīng)IC穩(wěn)定工作的需要，而要縮短d 則主要是著眼于提高電子的遷移率n，這就發(fā)展出了HEMT。 （三）電路技術(shù) 1 阻抗匹配（impedance matching） 信號源內(nèi)阻與所接傳輸線的特性阻抗大小相等且相位相同，或傳輸線的特性阻抗與所接負載阻抗的大

11、小相等且相位相同，分別稱為傳輸線的輸入端或輸出端處于阻抗匹配狀態(tài)，簡稱為阻抗匹配。否則，便稱為阻抗失配。有時也直接叫做匹配或失配。大體上，阻抗匹配有兩種，一種是透過改變阻抗力（lumped-circuit matching），另一種則是調(diào)整傳輸線的波長（transmission line matching）。 2 濾波（Wave filtering）是將信號中特定波段頻率濾除的操作，是抑制和防止干擾的一項重要措施。濾波分為經(jīng)典濾波和現(xiàn)代濾波。濾波是將信號中特定波段頻率濾除的操作，是抑制和防止干擾的一項重要措施。是根據(jù)觀察某一隨機過程的結(jié)果，對另一與之有關(guān)的隨機過程進行估計的概率理論與方法。濾波

12、是信號處理中的一個重要概念，濾波分經(jīng)典濾波和現(xiàn)代濾波兩種。經(jīng)典濾波的概念，是根據(jù)傅立葉分析和變換提出的一個工程概念。根據(jù)高等數(shù)學(xué)理論，任何一個滿足一定條件的信號，都可以被看成是由無限個正弦波疊加而成。換句話說，就是工程信號是不同頻率的正弦波線性疊加而成的，組成信號的不同頻率的正弦波叫做信號的頻率成分或叫做諧波成分。 3 網(wǎng)絡(luò)分析（network analysis) 在激勵和網(wǎng)絡(luò)已知的情況下計箅網(wǎng)絡(luò)響應(yīng)的方法,也稱電路分析。其最基本的計算法則是基爾霍夫電壓定律（KVL)和電流定律(KCL)，再加上網(wǎng)絡(luò)中各元器件的電流電壓關(guān)系（簡記作VCR)，就可以得出足夠的網(wǎng)絡(luò)方程(通常是微積分方程組)來求出所

13、需的響應(yīng)。依照激勵源和網(wǎng)絡(luò)種類以及所需求解響應(yīng)的不同，有多種不同的分析方法。直接求解網(wǎng)絡(luò)微積分方程的方法屬于時域分析或時域解，這里激勵和響應(yīng)都是時間t的函數(shù)；采用拉普拉斯變換或傅里葉變換來求解網(wǎng)絡(luò)方程的方法屬于頻域分析或頻域解，這里網(wǎng)絡(luò)方程變換成了代數(shù)方程，其中激勵和響應(yīng)都是復(fù)頻率變量s或j的函數(shù)。（四）無線通信系統(tǒng)簡易無線通信系統(tǒng)由正弦波信號源部分、發(fā)射部分和接收部分組成。無線通信系統(tǒng)（Wireless Communication System）：也稱為無線電通信系統(tǒng)，是由發(fā)送設(shè)備、接收設(shè)備、無線信道三大部分組成的，利用無線電磁波，以實現(xiàn)信息和數(shù)據(jù)傳輸?shù)南到y(tǒng)。它根據(jù)工作頻段或傳輸手段分類,

14、可以分為中波通信、短波通信、超短波通信、微波通信和衛(wèi)星通信等。無線通信系統(tǒng)包括：發(fā)送設(shè)備、接收設(shè)備、傳輸媒體。發(fā)送設(shè)備 （1）變換器（換能器）：將被發(fā)送的信息變換為電信號。例如話筒將聲音變?yōu)殡娦盘枴?（2）發(fā)射機：將換能器輸出的電信號變?yōu)閺姸茸銐虻母哳l電振蕩。 （3）天線：將高頻電振蕩變成電磁波向傳輸媒質(zhì)輻射。傳輸媒體電磁波 無線電波是一種頻率相對較低的電磁波。 對頻率或波長進行分段，分別稱為頻段或波段。 電磁波從發(fā)射機天線輻射后，不僅電波的能量會擴散，接收機只能收到其中極小的一部分，而且在傳播過程中，電波的能量會被地面、建筑物或高空的電離層吸收或反射；或在大氣層中產(chǎn)生折射或散射，從而造成強度

15、的衰減。根據(jù)無線電波在傳播過程所發(fā)生的現(xiàn)象 , 電波的傳播方式主要有繞射（地波），反射和折射（天波），直射（空間波）。決定傳播方式的關(guān)鍵因素是無線電信號的頻率。接收設(shè)備 （1）接收天線：將空間傳播到其上的電磁波轉(zhuǎn)化為高頻電振蕩 （2）接收機：高頻電振蕩轉(zhuǎn)化為電信號 （3）變換器（換能器）：將電信號轉(zhuǎn)化為所傳送信息為了解決無線通信系統(tǒng)中存在的問題，發(fā)射機和接收機借助線性和非線性電子線路對攜有信息的電信號進行變換和處理。除放大外，最主要有調(diào)制、解調(diào)。1. 調(diào)制：由攜有信息的電信號去控制高頻振蕩信號的某一參數(shù)，使該參數(shù)按照電信號的規(guī)律而變化。調(diào)制信號：攜有信息的電信號。載波信號：未調(diào)制的高

16、頻振蕩信號。已調(diào)波：經(jīng)過調(diào)制后的高頻振蕩信號。調(diào)幅、調(diào)角（調(diào)頻、調(diào)相）。2. 解調(diào)：調(diào)制的逆過程，將已調(diào)波轉(zhuǎn)換為載有信息的電信號。3. 調(diào)制的作用：（1）顯著減小天線的尺寸；(聲音 30 3000 Hz，天線要幾百 km)；如果天線高度為輻射信號波長的四分之一，更便于發(fā)揮天線的輻射能力。于是分配民用廣播的頻段為535-1605 KHz（中頻段），對應(yīng)波長為187-560 m，天線需要幾十米到上百米；而移動通信手機天線只不過10cm，它使用了900 MHz頻段。這些廣播與移動通信都必須進行某種調(diào)制，而將話音或編碼基帶頻譜搬移到應(yīng)用頻段。（2）將不同電臺發(fā)送的信息分配到不同頻率的載波信號上，使接收

17、機可選擇特定電臺的信息而抑制其它電臺發(fā)送的信息和各種干擾。在無線通信系統(tǒng)中，發(fā)射機組成包括以下幾個部分：（1） 振蕩器：產(chǎn)生fosc的高頻振蕩信號，幾十kHz以上。 （2）高頻放大器（倍頻器）：一或多級小信號諧振放大器，放大振蕩信號，使頻率倍增至fc，并提供足夠大的載波功率。 （3）低頻放大器：多級放大器組成，前幾級為小信號放大器，用于放大微音器的電信號；后幾級為功放，提供功率足夠的調(diào)制信號。 （4）高頻功放及調(diào)幅器：實現(xiàn)調(diào)幅功能，將輸入的載波信號和調(diào)制信號變換為所需的調(diào)幅波信號，并加到天線上。二有源（固體）器件在微波范圍內(nèi)的應(yīng)用：（一）二極管的分類與典型型號與其頻率范圍，應(yīng)用的電路： 1檢波

18、二極管檢波二極管的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點接觸型，所以其結(jié)電容較小，工作頻率較高。一般都采用鍺材料制成。就原理而言，從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波，以整流電流的大?。?00mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結(jié)電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。常用型號為2AP1到30系列，截止頻率在50到150左右2快恢復(fù)二極管PIN型二極管（PIN Diode）

19、這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造的晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和"本征"層中的渡越時間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，"本征"區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入"本征"區(qū)，而使"本征"區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅等電路中

20、?？旎謴?fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。常見快恢復(fù)二極管參數(shù)型號品牌額定電流額定電壓反向恢復(fù)時間IN5817GJ1A20V10nsIN5819GJ1A40V10nsIN5819MOT1A40V10nsIN582

21、2MOT3A40V10ns21D-06FUI3A60V10nsSBR360GI3A60V10nsC81-004FUI3A40V10ns8TQ080IR8A80V10nsMBR1045MOT10A45V10nsMBR1545CTMOT15A45V10nsMBR1654MOT16A45V10ns16CTQ100IR16A100V10nsMBR2035CTMOT20A35V10nsMBR2045CTMOT20A45V10nsMBR2060CTMOT20A60V10nsMBR20100CTIR20A100V10ns025CTQ045IR25A45V10ns30CTQ045IR30A45V10nsC85

22、-009*FUI20A90V10nsD83-004*FUI30A40V10nsD83-009*FUI30A90V10nsMBR4060*IR40A60V10ns3.變?nèi)荻O管用于自動頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， ；使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路

23、，常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。4.雪崩二極管(Avalanche Diode)它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時間，若適當?shù)乜刂贫稍綍r間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負阻效應(yīng)，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。常用型號:C30659-900-R5BH，C30659-900-R8AH, C30659-1060-R8BH，C30659-1060-3AH ,C30659-1550-R08BH SPcM-AQRH-10

24、， SPcM-AQRH-11，SB2480CLQ-011， SB4480CL， RL0512P， RL1024P， RL2048P， HL2048P， HL4096P， RL1201， RL1202， RL1205 RL1210， RL1501， RL1502， RL1505， c30659-900-R5BH， c30659-900-R8AH， c30659-1060-R8BH， c30659-1060-3AH5.隧道二極管（Tunnel Diode）它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的

25、量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個條件：費米能級位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi)；空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。 常用型號: 2BS4D 2ES32隧道二極管 6.快速關(guān)斷（階躍恢復(fù)）二極管(Step Recovary

26、 Diode)它也是一種具有PN結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點是：在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)，從而形成"自助電場"。由于PN結(jié)在正向偏壓下，以少數(shù)載流子導(dǎo)電，并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng)，使其反向電流需要經(jīng)歷一個"存貯時間"后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復(fù)二極管的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設(shè)計出梳狀頻譜發(fā)生電路?？焖訇P(guān)斷（階躍恢復(fù)）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。7.限幅二極管二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈３植蛔儯ü韫転?.7V，鍺管為0.3V）。利

27、用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若干個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個整體。8.調(diào)制二極管通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途，但它們通常是直接作為調(diào)頻用。(2) 晶體管的分類、典型型號，以及相關(guān)參數(shù)，應(yīng)用的電路 （1）雙極晶體管1高頻晶體管（指特征頻率大于30MHZ的晶體管）可分為高頻小功率晶體管和高頻大功率晶體管。 常用的國產(chǎn)高頻小功率晶體管有3AG13AG4、3AG113AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、3DG9043等型號，常用的進口高頻小功率晶體管有2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、BC558、901