第03章 門電路+半導體基礎知識(無門復習)

1、作業(yè)3.1.73.1.93.1.12 （a）（C）3.2.23.6.7 （*）3-13-2 第 3章 集成邏輯門3-3 用以實現(xiàn)基本邏輯關系的電子電路稱為邏輯門電路 常用的邏輯門有與門、或門、非門等 本章是全課程的器件基礎，介紹基本開關元件的開關特性和最常用的TTL集成邏輯門及CMOS集成邏輯門的工作原理和主要外部特性 3-43.1 晶體管的開關特性 晶體管是電子電路中最常見的半導體器件。在邏輯門電路中，晶體二極管、三極管及MOS管都工作在開關狀態(tài)，利用它們的接通狀態(tài)和斷開狀態(tài)或輸出低電平和高電平分別表示二值邏輯的0和1。在電路中，晶體管處于接通、斷開狀態(tài)時，以及在兩種狀態(tài)之間轉換時所呈現(xiàn)的特

2、性稱為晶體管的開關特性3-53.1.1 晶體二極管開關特性 具有接通或斷開電路功能的元件稱為開關，它所具有的伏安特性就是開關特性 晶體二極管是一種開關元件，在一定條件下可以近似當成一個理想開關來分析。但是在嚴格的電路分析時或高速開關電路中則不能當成理想開關3-63.1.1 晶體二極管開關特性v開關斷開時，通過開關的電流 i0，開關兩端點間呈現(xiàn)的的電阻為無窮大v 開關閉合時，開關兩端的電壓為 v= 0，開關兩端點間呈現(xiàn)的的電阻為零v 開關的接通或斷開動作瞬間完成v 上述開關特性不受其它因素(如溫度等)影響iv0RiSV理想開關特性3-73.1.1 晶體二極管開關特性晶體二極管的穩(wěn)態(tài)開關特性 當晶

3、體二極管反偏截止時，iDIS0；正偏導通時，vD=Vth0.7V0；在截止和導通之間轉換時決不可能在瞬間完成； 而且iD和vD都還會隨溫度等環(huán)境條件的變化而變化，顯然晶體二極管不是理想開關vRiDDiD0vDVZVthIS3-8晶體二極管穩(wěn)態(tài)開關特性近似分析iDvD0 rDVD模擬電子電路中晶體二極管的等效電路vDiD0完全理想化晶體二極管的等效電路iDvD0VD數(shù)字電路中晶體二極管的等效電路硅二極管VD0.7V鍺二極管VD0.3V3.1.1 晶體二極管開關特性3-9晶體二極管的瞬態(tài)開關特性 電路處于瞬變狀態(tài)下，二極管呈現(xiàn)的特性稱為瞬態(tài)開關特性 晶體二極管在導通和截止間轉換時，呈現(xiàn)的瞬態(tài)開關特

4、性，其內在機理在于二極管的等效勢壘電容和結電容的充、放電過程，即電荷的積累和消散過程需要一定時間。常用正向恢復時間和反向恢復時間來表征二極管的開關速度3.1.1 晶體二極管開關特性3-10晶體二極管的開關應用二極管門電路與門或門3.1.1 晶體二極管開關特性FABCD2D1AB+12VCD3FABCD1D212VD3CBA3-113.1.2 晶體三極管開關特性（BJT） 晶體三極管作為開關元件時，其優(yōu)點在于具有增益，可以用基極微小信號控制集電極和發(fā)射極間的通、斷，并具有一定的帶負載能力 晶體三極管作為開關元件時，電路大多連接成共發(fā)射極組態(tài)，總是工作在飽和狀態(tài)和截止狀態(tài)，而放大狀態(tài)僅僅是一種過渡

5、狀態(tài) )V(fiCEC 雙極型三極管的基本開關電路3-143.1.1 晶體三極管開關特性晶體三極管的穩(wěn)態(tài)開關特性正 偏反 偏BE 結狀態(tài)很 小很 大CE 間電阻正 偏反 偏BC 結狀態(tài)vO= vCE(Sat) 0.3VvO= vCE VCCCE 間壓降iC = iC0集電極電流特點iB IBS=iB0基 極 電 流vBE 0.7V,vB vCvBE 0.5V,vB vC偏 置條件飽 和截 止工 作 狀 態(tài)C)Sat(CECCRVVC)Sat(CECCRVVCCCRV三極管的開關等效電路3-16晶體三極管的瞬態(tài)開關特性 晶體三極管在飽和狀態(tài)與截止狀態(tài)之間轉換時呈現(xiàn)的開關特性稱為瞬態(tài)開關特性 晶體

6、三極管從截止狀態(tài)轉向飽和狀態(tài)所需時間稱為開通時間ton (包括延遲時間td和上升時間tr)；從飽和狀態(tài)轉向截止狀態(tài)所需時間稱為關斷時間toff (包括存儲時間ts和下降時間tf） 3.1.1 晶體三極管開關特性動態(tài)開關特性3-18晶體三極管的開關應用 三極管的基本開關電路就是非門RCR1R2CjvI+VCC-VBBvO電壓傳輸特性vOvI截止飽和放大0VCC0.3V3.1.1 晶體三極管開關特性3-19晶體三極管的開關應用 晶體三極管反相器正常工作條件 設輸入高、低電平分別是VH和VL則截止條件是： 0121RRRVVVvBBLLBE飽和條件是：CCCBSBR.VIiii70211170R.V

7、iH227 . 0RViBB3.1.1 晶體三極管開關特性3-203.2 TTL集成邏輯門 TTL(Transistor-Transistor Logic) 即晶體管晶體管邏輯電路，數(shù)字電路中一類最常見的雙極型集成邏輯門。3-213.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路常見的TTL門電路系列有：v標準通用系列 CT54/74系列v高速系列 CT54H/74H系列v肖特基系列 CT54S/74S系列v低耗肖特基系 CT54LS/74LS系列54系列(軍用)：電源電壓 (50.5)V，使用環(huán)境溫度范圍55125 74系列(民用)：電源電壓 (50.25)V， 使用環(huán)境溫度范圍 070 TTL門電路的標稱

8、邏輯高電平是3.6V 邏輯低電平是0.3V3-22多發(fā)射極晶體管推拉式輸出級保護二極管TTL與非門CT5410/7410典型電路3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路T2R31kWVCC(+5V)R14kWR21.6kWR4130WT1T4T3D1 D2 D3D4ACBY輸入級中間級輸出級3-23TTL與非門CT5410/7410的特點 多發(fā)射極晶體管的作用是實現(xiàn)與運算 推拉式輸出級有助于提高開關速度和增強電路帶負載能力CAB +5VB1C1R1R1T1ACB +5V3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路3-24A、B、C中至少有一個為低電平時VCC(+5V)vo=VOH=3.6VT2R31kWR14

9、kWR21.6kWR4130WT1T4T3D4ACBYVL0.3V1V0.4V截止深飽和導通3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路關態(tài)！3-25TTL 與非門CT5410/7410工作原理A、B、C中至少有一個為低電平（0.3V）時vI=0.3V vB1=1V T1 深飽和 vCES1 0.1V iB1=(51) 4k=1mA IBS vC1= 0.4V T2 截止T4 截止 T3 、D4導通 vo = VCC iB3R2 vBE3 vD4 500.70.7 =3.6V =VOH3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路3-26A、B、C全部為高電平時VCC(+5V)T2R31kWR14kWR21.6kW

10、R4130WT1T4T3D4ACBYVH3.6V2.1V1.4V截止 倒置飽和0.7V1Vvo=VOL=0.3V開態(tài)！3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路3-27TTL 與非門CT5410/7410工作原理A、B、C全部為高電平（3.6V）時 vI=3.6V vB1=2.1V T1 倒置vC1= vB2 =1.4V vB1= vBC1 vBE2vBE4=0.70.70.7= 2.1V T2 飽和 vE2 0.7V , vCES2 0.3V vC2= 0.70.3=1V T3 、D4截止 vB4= vE2 0.7V T4 飽和 vo= vCES4 0.3V =VOL3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電

11、路TTL 與非門CT5410/7410工作原理3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路TTL 與非門3-29TTL 與非門CT5410/7410的邏輯功能01111011110110011110101011001000YCBA 根據(jù)分析不難列出電路的真值表，并得出結論：該電路輸入見“0”出“1”，輸入全“1”出“0”，其邏輯功能是 與非門的邏輯符號是CBAYA&BCY&3.2.1 晶體管晶體管邏輯門電路3-303.2.2 TTL與非門的主要外部特性 TTL與非門的主要外部特性包括電壓傳輸特性：輸入、輸出電壓之間關系輸入特性：輸入電壓與輸入電流之間關系輸出特性：輸出電壓與輸出電流之間關

12、系電源特性：平均功耗傳輸延遲特性：動態(tài)特性 通過討論這些外部特性，進而了解它們的技術參數(shù)，幫助我們更好地使用數(shù)字集成電路3-313.2.2 TTL與非門的主要外部特性電壓傳輸特性vO(V)vI (V)03.60.33 2 1 VthVoffVonVNLVOLVNHVOHVIL3開門電平 Von ，關門電平 Voff閾值電平 Vth1.4VVOH 3.6VVOL 0.3V標稱輸出邏輯電平（額定輸出邏輯電平 3V，0.35V ）3-32電壓傳輸特性關于噪聲容限輸入高電平噪聲容限VIH VNH VonVNH = VIHVon輸入低電平噪聲容限VNL VIL Voff VNL Voff VILVth=

13、1.4 VVIHVNHVNLVoffVonVILvI3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-33輸入特性（輸入伏安特性）vI(V)iI(mA)0IIH11IIS2 當輸入端對地短路時，從輸入端流出的電流稱為輸入短路電流 IIS 當輸入高電平時流入輸入端的電流稱為輸入漏電流 IIH40mA17 . 0RvViICCI當vI=0時 iI =IIS 1.08mA3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-34輸入特性（輸入負載特性）VCCT2R14kWT1T4AB2.1V1.4V0.7VVCCRivIiiCCIRRRVv17 . 01.4VvI(V)01.4RI(kW)23.2.2 TTL與非門的主

14、要外部特性3-35輸入特性（輸入負載特性） 與非門的輸入端外接接地電阻Ri時，由于T1管發(fā)射極電流在電阻Ri上產生的電壓降等效這個輸入端的輸入電壓，該電壓直接影響與非門的輸出狀態(tài)。根據(jù)分析，這個電壓的數(shù)值決定于電阻Ri的大小，且最大值為1.4V，可以計算出，當Ri小于某個數(shù)值時，產生的電壓很小，相當于輸入邏輯0，當Ri大于某個數(shù)值時，產生的電壓為1.4V，相當于輸入邏輯1，顯然，Ri決定與非門的狀態(tài)3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-36輸入特性（輸入負載特性） 由此引出一個TTL門電路多余輸入端的正確處理方法問題： 為避免干擾多余輸入端一般不應懸空，若懸空則相當于外接無窮大電阻； 為保

15、證門電路的邏輯功能正確，多余輸入端可接適當電平、與在用輸入端并聯(lián)使用； 當需要外接電阻時，應當注意到電阻Ri對門電路工作狀態(tài)的影響：當Ri3.2kW (開門電阻Ron)時，相當于輸入邏輯1；當Ri910W (關門電阻Roff)時，相當于輸入邏輯03.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-37A&BY1&100WA&BY&10kWBA“1”“0”TTL與非門外接電阻Ri對電路工作的影響 將TTL與非門換成TTL或非門，其輸出又如何？3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-383.2.2 TTL與非門的主要外部特性TTL與非門外接電阻Ri對電路工作的影響 將TTL

16、與非門換成TTL或非門，電阻在輸入端的等效作用沒變，但輸出變了A&BY1100WA&BY0110kW“1”“0”BA3-39輸出特性vo(V)io(mA)012023404020關態(tài)時帶拉電流負載能力較弱開態(tài)時帶灌電流負載能力稍強 扇出系數(shù)NO：輸出端最多能帶同類門的個數(shù)，它規(guī)定了TTL與非門的最大負載容限ISOOIINmax3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-40平均延遲時間tpHLtpLH)(21pLHpHLpdttt 平均延遲時間反映了TTL門的瞬態(tài)開關特性，主要說明了它的工作速度3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-41電源特性電路處于穩(wěn)定開態(tài)時的空載導通功耗

17、 PLIELVCC(iR1+iR2)VCC電路處于穩(wěn)定關態(tài)時的空載截止功耗 PHIEHVCCiR1VCC 與非門的空載平均功耗 P( PH +PL) 2電路從開態(tài)向關態(tài)轉換時， T1 、 T2 、 T3 、 D4 、 T4 同時處于導通的瞬間， R1 、 R2 、 R4上均流過電流，電流出現(xiàn)瞬時峰值，使電源在一個工作周期中的平均功耗增加 3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3-42TTL與非門的主要參數(shù) 輸出邏輯電平 開門電阻 開門電平 關門電阻 關門電平 扇出系數(shù) 閾值電平 平均延遲時間 噪聲容限 空載導通功耗 輸入短路電流 空載截止功耗 輸入漏電流3.2.2 TTL與非門的主要外部特性3

18、-433.2.3 其它邏輯功能TTL門或非門VCCT2T1T4T3D4ABYT1T2ABA+BA+B=A+B3-443.2.3 其它邏輯功能TTL門異或門VCCT2T1AT9T8DYBT4T3T5T6T7ABABA+BAB+A+BAB+A+BA B3-45集電極開路與非門（OC門）VCCABABVCCBABABA 將兩個反相器輸出端直接相連，實現(xiàn)了兩輸出端相與的功能，稱為線與。用線與有時能大大地簡化電路 那么，能否將兩個TTL與 非門的輸出端也直接相連 來實現(xiàn)線與？ 不能！3.2.3 其它邏輯功能TTL門3-46集電極開路與非門（OC門） 如果把兩個推拉式輸出結構TTL門電路的輸出端直接相連，

19、將可能破壞正確輸出邏輯，甚至損壞門電路iro1020WVOLYVOHro100WY3.2.3 其它邏輯功能TTL門3-47集電極開路與非門（OC門）T2VCCT1T4ABY 為使TTL門能夠實現(xiàn)線與，將輸出級改為集電極開路結構，簡稱OC門。A&BY&集電極開路與非門的邏輯符號集電極開路與非門的邏輯符號T3D4T3D4T3D43.2.3 其它邏輯功能TTL門3-48集電極開路與非門（OC門）的應用VCCA&BY&C&D&E&F&RLOC門實現(xiàn)線與EFCDABEFCDABY除此之外，OC門常常用于驅動高電壓、大電流負載3.2.3 其它

20、邏輯功能TTL門3-49三態(tài)輸出門(TSL)VCCABT2T1T4T3D4YA&BENY&A&BY&EN 開態(tài)、關態(tài)(工作態(tài))之外的第三態(tài)，稱為高阻態(tài) (也稱禁止態(tài))EN使能控制端DEN11G1G2Y =AB EN1高阻態(tài) EN03.2.3 其它邏輯功能TTL門三態(tài)輸出門(TSL)3.2.3 其它邏輯功能TTL門三態(tài)輸出門(TSL)3-51三態(tài)輸出門(TSL)的應用A1&B1EN1&A2B2EN2AnBnENn&D0EN&D111D1/D0總線結構雙向總線結構3.2.3 其它邏輯功能TTL門三態(tài)輸出門(TSL)的應用3.2.3 其

21、它邏輯功能TTL門三態(tài)輸出門(TSL)的應用3-53三態(tài)輸出門(TSL)的應用 為什么這些應用中三態(tài)門的輸出端可以連接在一起？ 這些三態(tài)門分別受使能端控制信號控制，根本不在同一時間工作!模擬開關&D011END1D0 / D13.2.3 其它邏輯功能TTL門3-543.2.4 其它系列TTL門電路 TTL門電路的改進系列：高速系列、肖特基系列、低耗肖特基系列（自學） 改進系列是針對“提高工作速度” 和 “降低功耗”而出現(xiàn)的。但是，在電路中 “提高工作速度” 和 “降低功耗”往往是矛盾的，所以常用功耗和傳輸延遲時間的乘積來綜合評價器件的性能，簡稱功耗延遲積或pd積。 451255035最

22、高工作頻率(MHz)2192210平均功耗(mW/門)9.53610平均延遲時間(ns/門)CT54LS/74LSCT54S/74SCT54H/74HCT54/74TTL各系列器件主要性能比較3-553.3 發(fā)射極耦合邏輯(ECL)門 與集成注入邏輯(I2L)電路 ECL(Emitter Coupled Logic) 發(fā)射極耦合邏輯門電路，雙極型集成邏輯門，一種非飽和型的高速邏輯門電路I2L(Integrated Injection Logic) 集成注入邏輯電路，雙極型集成邏輯器件，一種低功耗雙極型器件（自（自 學）學）3-563.4 MOS邏輯門 以金屬氧化物半導體(MOS)場效應晶體管(

23、FET)為基礎的數(shù)字集成電路就是 MOS 邏輯門。 MOS 邏輯門是數(shù)字集成電路中另一類最常見的器件。 MOS(Metal Oxide Semiconductor) FET(Field Effect Transistor) 3-573.4.1 MOS晶體管（復習） MOS晶體管的類型和電路符號： N溝道增強 型、耗盡型、P溝道增強型、耗盡型 三個電極：源極S、漏極D和柵極G 開啟電壓：VGS(th)N 、VGS(th)P 夾斷電壓: VGS(off)N 、VGS(off)P 輸出特性 三個工作區(qū)：截止區(qū)、飽和區(qū)、非飽和區(qū)3-583.4.1 MOS晶體管（復習）NNP襯底SiSiO2SDGN溝道

24、增強型MOS管增強型P溝道N溝道耗盡型N溝道P溝道MOS管的基本開關電路3-603.4.2 MOS反相器和門電路反相器是MOS門電路的基本單元，可分為：v電阻負載MOS反相器，用線性電阻作為負載v E/E MOS反相器，輸入管和負載都采用同種溝道增強型MOS晶體管，即增強增強型反相器vE/D MOS反相器，輸入管為增強型MOS晶體管，負載為同種溝道耗盡型MOS晶體管，即增強耗盡型MOS反相器vCMOS(Complementary MOS) 反相器，輸入管和負載管為不同種溝道的MOS管，即互補型MOS反相器3-613.4.2 MOS反相器和門電路 在反相器的基礎上可以組合構成各種邏輯功能的MOS

25、門電路VDDvOvI電阻負載型E/E型VDDvIvOTLTOVDDvIvOTLTOE/D型VDDvIvOTOTLCMOS型3-623.5 CMOS門電路 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 以增強型P溝道MOS管和增強型N溝道MOS管串聯(lián)互補(反相器)和并聯(lián)互補 (傳輸門)為基本組件構成CMOS集成門電路。3-633.5.1 CMOS反相器的工作原理VGS(th)N = VGS(th)P,VDD VGS(th)N + VGS(th)P VDDvOTNTPvIDSGSDG當vI = 0時， VGSN = vI = 0 VGS(th)N T

26、N截止 Roff1091012WVGSP = vI VDD VGS(th)P TP導通 Ron103W vO = VDD VDD 輸出高電平 offonoffRRR3-643.5.1 CMOS反相器的工作原理VDDvOTNTPvIDSGSDG當vI = VDD時， VGSN = vI VGS(th)N TN導通 Ron103WVGSP = vI VDD VGS(th)P TP截止 Roff1091012W vO = VDD 0 輸出低電平 offononRRR根據(jù)分析可見電路具有反相器的功能3-653.5.2 CMOS反相器的主要特性電壓傳輸特性和電流傳輸特性特點：靜態(tài)功耗極低抗干擾能力強電源

27、利用率高輸入阻抗高扇出系數(shù)大vOvI0VGS(th)NvIiDS(VDD+VGS(th)P)Vth0VDDVDD3-663.5.2 CMOS反相器的主要特性輸入特性 在 CMOS 電路的輸入端都加有二極管保護電路，可以避免MOS管在正或負尖峰脈沖作用下被擊穿。保護電路決定了CMOS反相器的輸入特性VDDvOTNTPvI0vIiIVDD1V3-67輸出特性0voiOHVDDvI(VGSN)vI(VGSP)(VDSN ,VDSP)(iDSP)(iDSN )iOL輸出低電平帶灌電流負載輸出高電平帶拉電流負載3.5.2 CMOS反相器的主要特性3-68電源特性 在靜態(tài)工作下，CMOS反相器中的TP和T

28、N總有一個截止，截止時的漏電流及其微小，因此消耗的電源功耗可以忽略不計。保護二極管的反向漏電流卻比MOS管的截止漏電流大許多，而成為靜態(tài)電流的主要部分 CMOS反相器的TP和TN短時間同時飽和導通時動態(tài)功耗比靜態(tài)功耗大得多。因此，功耗主要決定于動態(tài)功耗，尤其是工作頻率較高時更為突出。當然，動態(tài)功耗還包括狀態(tài)轉換時，對負載電容充、放電所消耗的功率3.5.2 CMOS反相器的主要特性3-693.5.3 CMOS傳輸門 P溝道和N溝道增強型MOS管并聯(lián)互補 組成CMOS傳輸門VDDTNTPvOvI/vOvICCvOvI/vOvICCTGC=0, C=VDD時，C=VDD, C=0時，兩管同時截止，傳

29、輸門截止可見當 0vIVDD 總有一管導通，傳輸門導通0vIVDDVGS(th)N TN管導通 VGS(th)P vIVDD TP管導通 3-703.5.4 CMOS邏輯門VDDTNTPTPTNAT3T4T1T2YBVDDAT3T4T1T2YBCMOS與非門和或非門3-713.5.4 CMOS邏輯門帶緩沖級的CMOS與非門VDDTNTPTPTNAT3T4T1T2YB設每管的導通電阻是Ron,與非門的輸出電阻是RO則當：A=0，B=0時 RO =Ron3 Ron4 = Ron 2A=0，B=1時 RO =Ron4 = Ron A=1，B=0時 RO =Ron3 = RonA=1，B=1時 RO

30、=Ron1 + Ron2 =2Ron顯然，輸出電阻在不同的輸入下有四倍之差3-72帶緩沖級的CMOS與非門ABABA+BVDDAYB3.5.4 CMOS邏輯門3-73TPTNVDDAY1TPENCMOS三態(tài)門TPTNTNVDDAY1TPEN3.5.4 CMOS邏輯門3-74CMOS三態(tài)門和CMOS漏極開路門VDDAYTGEN1VDDARL&1BVDD3.5.4 CMOS邏輯門3-75CMOS邏輯門主要系列CD4000系列（CD4000,MC14000等）54HC/74HC系列（MC 54HC/74HC）26692654HC/74HC系列38090318CC4000系列最高工作頻率(MH

31、z)邊沿時間（nS）傳輸延遲（nS）電源電壓（V）系 列CMOS門性能3.5.4 CMOS邏輯門3-76CMOS器件使用注意 1.器件存放、拿取、運輸、裝配、調試時應當采取必要的靜電防護措施，輸入端不允許懸空 2.電路加必要的過流保護 3.防止鎖定效應(CMOS制作保護二極管時形成的寄生三極管，構成反饋電路使電流迅速增大到最大值，只能切斷電源才能制止，稱為鎖定效應或可控硅效應)3.5.4 CMOS邏輯門3-77VNHVNL51.51.00.0080.0018+5高速CMOS159.06.50.1800.01512+15VDD=15V53.42.20.2550.00545+5VDD=5VCMOS

32、0.80.130.13530400.754.5CE100K系列0.80.1250.135502525.2CE10K系列ECL137.5725503085+15HTL3.50.50.41527.5+5CT54LS/74LS3.52.21.21501510+5CT54/74TTL輸出邏輯擺幅(V)直流噪聲容限(V)功耗延遲積(pJ)靜態(tài)功耗(mW)傳輸延遲時間(nS)電源電壓(V) 電 路 類 型各類數(shù)字集成電路主要性能比較END內容提要：半導體的基本知識PN結的形成及特性半導體二極管復習：半導體基礎知識3-78 PNPN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電

33、流；具有較大的正向擴散電流； PNPN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。具有很小的反向漂移電流。 由此可以得出結論：由此可以得出結論：PNPN結具有單結具有單向導電性。向導電性。3-79半導體二極管半導體二極管3-803-81 半導體三極管半導體三極管的結構示意圖如圖的結構示意圖如圖所示。它有兩種類所示。它有兩種類型型:NPN型和型和PNP型。型。(a) NPN型管結構示意圖型管結構示意圖(b) PNP型管結構示意圖型管結構示意圖(c) NPN管的電路符號管的電路符號(d) PNP管的電路符號管的電路符號3-82 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。流子傳輸體現(xiàn)出來的。外部條件：外部條件：發(fā)射結正偏發(fā)射結正偏 集電結反偏集電結反偏1. 內部載流子的傳輸過程內部載流子的傳輸過程發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收