儀器分析SEM,TEM

1、Transmittance Electron MicroscopyScanning Electron Microscopy 根據(jù)成像過程所采用的電子信息不同，可將電子顯微鏡分根據(jù)成像過程所采用的電子信息不同，可將電子顯微鏡分為透射電鏡和掃描電鏡兩類，具有不同的特點和應(yīng)用范圍。為透射電鏡和掃描電鏡兩類，具有不同的特點和應(yīng)用范圍。 26 直接透射電子彈性散射電子非彈性散射電子 圖圖1 1 透射電鏡成像電子信息透射電鏡成像電子信息 （1 1）透射電鏡）透射電鏡利用透射電子通過磁透鏡利用透射電子通過磁透鏡原理成像的電鏡技術(shù)，簡原理成像的電鏡技術(shù)，簡稱為透射電鏡。稱為透射電鏡。Transmittance

2、 ElectronMicroscopy, TEM。 27 （1 1）透射電鏡）透射電鏡 TEMTEM透射電鏡圖片類似于投影透射電鏡圖片類似于投影圖，立體感較掃描電鏡圖圖，立體感較掃描電鏡圖差，對于樣品厚度有嚴格差，對于樣品厚度有嚴格要求，主要用于樣品內(nèi)部要求，主要用于樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的分析。結(jié)構(gòu)的分析。 圖圖2 2 H1N1 H1N1病毒經(jīng)染色后的病毒經(jīng)染色后的TEMTEM圖圖 28 （2 2）掃描電鏡）掃描電鏡 SEMSEM通過反射電子或二次電子通過反射電子或二次電子對樣品表面進行分析的電對樣品表面進行分析的電鏡技術(shù)，簡稱為掃描電鏡鏡技術(shù)，簡稱為掃描電鏡Scanning Electron Mic

3、roscopy, SEM。 反射電子二次電子 圖圖3 3 掃描電鏡成像電子信息掃描電鏡成像電子信息 29 （2 2）掃描電鏡）掃描電鏡 SEMSEM與透射電鏡相比，掃描與透射電鏡相比，掃描電鏡圖片具有更佳的立電鏡圖片具有更佳的立體感，主要應(yīng)用于樣品體感，主要應(yīng)用于樣品表面形貌、組成及結(jié)構(gòu)表面形貌、組成及結(jié)構(gòu)的分析。的分析。 圖圖4 4 人體血紅細胞的人體血紅細胞的 SEM SEM 圖片圖片 30 掃描電子顯微鏡1. 引言2. 電子與固體試樣的交互作用3. 掃描電鏡結(jié)構(gòu)原理4. 掃描電鏡的主要性能5. 掃描電子顯微鏡的幾種電子像分析（一）表面形貌襯度原理及應(yīng)用（二）原子序數(shù)襯度原理及應(yīng)用1. 引

4、 言 掃描電子顯微鏡的簡稱為掃描電鏡。它是用細聚焦的電子束轟擊樣品表面，通過電子與樣品相互作用產(chǎn)生的二次電子、背散射電子等對樣品表面或斷口形貌進行觀察和分析?，F(xiàn)在SEMSEM都與能譜（EDSEDS）組合，可以進行成分分析。所以，SEMSEM也是顯微結(jié)構(gòu)分析的主要儀器，已廣泛用于材料、冶金、礦物、生物學等領(lǐng)域。 一束細聚焦的電子束轟擊試樣表面時，入射電子與試樣的原子核和核外電子將產(chǎn)生彈性或非彈性散射作用，并激發(fā)出反映試樣形貌、結(jié)構(gòu)和組成的各種信息，有：二次電子、背散射電子、陰極發(fā)光、特征X X 射線、俄歇過程和俄歇電子、吸收電子、透射電子等。2. 電子與固體試樣的交互作用入射電子入射電子 背散射

5、電子背散射電子二次電子二次電子X射線射線AugerAuger電子電子 陰極發(fā)光陰極發(fā)光 透射電子透射電子 一、背散射電子一、背散射電子背散射電子背散射電子是被固體樣品中的原子反彈是被固體樣品中的原子反彈回來的一部分入射電子。回來的一部分入射電子。彈性背散射電于彈性背散射電于是指被樣品中是指被樣品中原子核原子核反反彈回來的，散射角大于彈回來的，散射角大于9090度的那些入射度的那些入射電子，其能量沒有損失。電子，其能量沒有損失。非彈性背散射電子非彈性背散射電子是入射電子和樣品是入射電子和樣品核核外電子外電子撞擊后產(chǎn)生的非彈性散射，不僅撞擊后產(chǎn)生的非彈性散射，不僅方向改變，能量也不同程度的損失。如

6、方向改變，能量也不同程度的損失。如果逸出樣品表面，就形成非彈性背散射果逸出樣品表面，就形成非彈性背散射電子。電子?？蛇M行微區(qū)成分定性分析可進行微區(qū)成分定性分析 二、二次電子二、二次電子二次電子二次電子是指在入射電子束作用下被轟是指在入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品的核外層擊出來并離開樣品表面的樣品的核外層電子。電子。二次電子二次電子的能量較低，一般都不超過的能量較低，一般都不超過50 50 evev。二次電子一般都是在表層。二次電子一般都是在表層5-10 nm5-10 nm深深度范圍內(nèi)發(fā)射出來的，它對樣品的表面度范圍內(nèi)發(fā)射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效地顯形

7、貌十分敏感，因此，能非常有效地顯示樣品的表面形貌。示樣品的表面形貌。不能進行微區(qū)成分分析不能進行微區(qū)成分分析三、吸收電子三、吸收電子入射電子進人樣品后，經(jīng)多次非彈性入射電子進人樣品后，經(jīng)多次非彈性散射能量損失殆盡散射能量損失殆盡, ,最后被樣品吸收。最后被樣品吸收。當電子束入射一個多元素的樣品表面當電子束入射一個多元素的樣品表面時，則產(chǎn)生背散射電子較多的部位時，則產(chǎn)生背散射電子較多的部位( (原子序數(shù)大原子序數(shù)大) )其吸收電子的數(shù)量就較其吸收電子的數(shù)量就較少。少。可進行微區(qū)成分定性分析?？蛇M行微區(qū)成分定性分析。四、透射電子四、透射電子如果被分析的樣品很薄那么就會有如果被分析的樣品很薄那么就會

8、有一部分入射電子穿過薄樣品而成為透一部分入射電子穿過薄樣品而成為透射電子。射電子。它含有能量和入射電子相當?shù)膹椥陨⑺心芰亢腿肷潆娮酉喈數(shù)膹椥陨⑸潆娮樱€有各種不同能量損失的非射電子，還有各種不同能量損失的非彈性散射電子。彈性散射電子?？蛇M行微區(qū)成份定性分析可進行微區(qū)成份定性分析五、特征射線五、特征射線當樣品原子的內(nèi)層電子被入射電子激發(fā)，原子就會處于能量較高的激發(fā)狀態(tài)，此時外層電子將向內(nèi)層躍遷以填補內(nèi)層電子的空缺，從而使具有特征能量的射線釋放出來。用射線探測器測到樣品微區(qū)中存在一種特征波長，就可以判定這個微區(qū)中存在著相應(yīng)的元素。六、俄歇電子六、俄歇電子在特征x x射線過程中，如果在原子內(nèi)層電

9、子能級躍遷過程中釋放出來的能量并不以X X射線的形式發(fā)射出去，而是用這部分能量把空位層內(nèi)的另個電子發(fā)射出去，這個被電離出來的電子稱為。只有在距離表面層1nm左右范圍內(nèi)(即幾個原子層厚度)逸出的俄歇電子才具備特征能量，因此俄歇電子特別適用于表面層的成分分析。電子在銅中的透射、吸收和背散射系數(shù)的關(guān)系 由圖知，樣品質(zhì)量厚度越大，則透射系數(shù)越小，而吸收系數(shù)越大；樣品背散射系數(shù)和二次電子發(fā)射系數(shù)的和也越大，但達一定值時保持定值。透射透射吸收吸收背散射背散射+二次電子二次電子 樣品本身要保持電平衡，這些電子信號必須滿足： ip=ib+is+ia+it 式中：ip 是入射電子強度； ib 是背散射電子強度；

10、 is 是二次電子強度； ia 是吸收電子強度； it 是透射電子強度。將上式兩邊同除以ip，+a+T=1 式中：= ib/ip 為背散射系數(shù)； = is/ip 為二次電子發(fā)射系數(shù)； a = ia/ip 為吸收系數(shù)； T = it/ip 為透射系數(shù)。掃描電鏡 由電子光學系統(tǒng)，掃描系統(tǒng)掃描系統(tǒng), ,信號收集處理、圖像顯示和記錄系統(tǒng)，真空系統(tǒng)，電源系統(tǒng)電源系統(tǒng)五部分組成 (1)(1)電子光學系統(tǒng)（鏡筒）電子光學系統(tǒng)（鏡筒） 由由電子槍、聚光鏡、物鏡和樣品室電子槍、聚光鏡、物鏡和樣品室 等部件組成。等部件組成。 掃描電鏡一般有三個聚光鏡：掃描電鏡一般有三個聚光鏡：前兩個透鏡是強透鏡，用來縮小電子束光

11、斑尺寸。前兩個透鏡是強透鏡，用來縮小電子束光斑尺寸。 第三個聚光鏡是弱透鏡，具有較長的焦距，在該透鏡下方第三個聚光鏡是弱透鏡，具有較長的焦距，在該透鏡下方放置樣品可避免磁場對電子軌跡的干擾。放置樣品可避免磁場對電子軌跡的干擾。3. 掃描電鏡結(jié)構(gòu)原理電子槍發(fā)射的電子束電子槍發(fā)射的電子束經(jīng)過經(jīng)過2-32-3個電磁透鏡聚焦個電磁透鏡聚焦信號強度隨樣品表面特信號強度隨樣品表面特征而變。它們分別被相征而變。它們分別被相應(yīng)的收集器接受，經(jīng)放應(yīng)的收集器接受，經(jīng)放大器按順序、成比例地大器按順序、成比例地放大后，送到顯像管放大后，送到顯像管。 在樣品表面按順序逐行在樣品表面按順序逐行掃描，激發(fā)樣品產(chǎn)生各種掃描，

12、激發(fā)樣品產(chǎn)生各種物理信號物理信號: :二次電子、背二次電子、背散射電子、吸收電子等。散射電子、吸收電子等。 (2) (2) 掃描系統(tǒng)掃描系統(tǒng) 掃描系統(tǒng)由掃描發(fā)生器和掃描線圈組成。它的作用是：掃描系統(tǒng)由掃描發(fā)生器和掃描線圈組成。它的作用是： 1) 1) 使入射電子束在樣品表面掃描，并使陰極射線使入射電子束在樣品表面掃描，并使陰極射線顯像管電子束在熒光屏上作同步掃描；顯像管電子束在熒光屏上作同步掃描； 2) 2) 改變?nèi)肷涫跇悠繁砻娴膾呙璺?，從而改變改變?nèi)肷涫跇悠繁砻娴膾呙璺龋瑥亩淖儝呙柘竦姆糯蟊稊?shù)。掃描像的放大倍數(shù)。 (3) (3) 信號收集和圖像顯示系統(tǒng)信號收集和圖像顯示系統(tǒng) 掃描電

13、鏡應(yīng)用的物理信號可分為：掃描電鏡應(yīng)用的物理信號可分為： 1) 1) 電子信號，包括二次電子、背散射電子、透射電電子信號，包括二次電子、背散射電子、透射電子和吸收電子。吸收電子可直接用電流表測，其他電子信子和吸收電子。吸收電子可直接用電流表測，其他電子信號用電子收集器；號用電子收集器； 2) 2) 特征特征X X射線信號，用射線信號，用X X射線譜儀檢測；射線譜儀檢測； n 常見的電子收集器由三部分組成：常見的電子收集器由三部分組成：閃爍體：閃爍體：收集收集電子信號電子信號 ，光導(dǎo)管：光導(dǎo)管：然后成比例地轉(zhuǎn)換成然后成比例地轉(zhuǎn)換成 光光 信號信號，光電倍增管：光電倍增管：經(jīng)放大后再轉(zhuǎn)換成經(jīng)放大后再

14、轉(zhuǎn)換成 電信號電信號 輸出輸出(增益達增益達106)，作為掃描像的調(diào)制信號。，作為掃描像的調(diào)制信號。4. 掃描電鏡的主要性能（1 1）放大倍數(shù)）放大倍數(shù) 可從20倍到20萬倍連續(xù)調(diào)節(jié)。 （2 2）分辨率）分辨率 影響SEM圖像分辨率的主要因素有： 掃描電子束斑直徑 ； 入射電子束在樣品中的擴展效應(yīng)； 操作方式及其所用的調(diào)制信號； 信號噪音比； 雜散磁場； 機械振動將引起束斑漂流等，使分辨率下降。 （3 3）景深）景深 SEM（二次電子像）的景深比光學顯微鏡的大，成像富有立體感?？芍苯佑^察各種試樣凹凸不平表面的細微結(jié)構(gòu) 人類紅細胞人類紅細胞酵母酵母5.掃描電子顯微鏡的幾種電子像分析 像襯原理 電

15、子像明暗程度取決于電子束的強弱，當兩區(qū)域中電子強度不同時將出現(xiàn)圖像的明暗差異，這種差異就叫襯度。 SEM可以通過樣品上方的電子檢測器檢測到具有不同能量的信號電子有背散射電子、二次電子、吸收電子、俄歇電子等。 q二次電子成像原理二次電子成像原理q二次電子形貌襯度二次電子形貌襯度及特點及特點（一）表面形貌襯度原理及應(yīng)用樣品表面和電子束相對位置與二次電子產(chǎn)額之間的關(guān)系樣品表面和電子束相對位置與二次電子產(chǎn)額之間的關(guān)系二次電子成像原理二次電子成像原理二次電子的產(chǎn)額二次電子的產(chǎn)額 K/cos K為常數(shù)，為常數(shù)，為入射電子與樣品表面法線之間的夾為入射電子與樣品表面法線之間的夾角。角。二次電子形貌襯度二次電子

16、形貌襯度及特點及特點二次電子信號主要來自樣品表層5-10nm深度范圍，能量較低(小于50eV)。影響二次電子襯度的因素主要有： (1)表面凸凹引起形貌襯度；(2)材料的原子序數(shù)差別引起成分襯度；(3)電位差引起電壓襯度；（4）樣品傾斜角影響信號強度二次電子像襯度的特點：（1）分辨率高（2）景深大，立體感強（3）主要反應(yīng)形貌襯度斷口分析斷口分析SPEEK/HPA復(fù)合膜金像表面q背散射電子成像背散射電子成像q吸收電子的成像吸收電子的成像（二）原子序數(shù)襯度原理及應(yīng)用一、背散射電子成像一、背散射電子成像q用背散射電子信號進行形貌分析，其分辨率遠比二次電用背散射電子信號進行形貌分析，其分辨率遠比二次電子

17、低，因為背散射電子是在一個子低，因為背散射電子是在一個較大的作用體積內(nèi)較大的作用體積內(nèi)被入射被入射電子激發(fā)出來的，電子激發(fā)出來的，成像單元變大成像單元變大是分辨率降低的原因。是分辨率降低的原因。q背散射電子的背散射電子的能量很高能量很高，它們以，它們以直線軌跡逸出直線軌跡逸出樣品表面，樣品表面，對于背向檢測器的樣品表面，因檢測器無法收集到背對于背向檢測器的樣品表面，因檢測器無法收集到背散射電子而變成一片陰影，因此在圖像上顯示出很強的襯散射電子而變成一片陰影，因此在圖像上顯示出很強的襯度。度。形貌襯度特點形貌襯度特點一、背散射電子成像一、背散射電子成像可以將背散射成像與二次電子成像結(jié)合使用，這樣

18、圖像層次可以將背散射成像與二次電子成像結(jié)合使用，這樣圖像層次( (景深景深) )增加，細節(jié)清楚。增加，細節(jié)清楚。帶有凹帶有凹坑樣品坑樣品的掃描的掃描電鏡照電鏡照片片一、背散射電子成像一、背散射電子成像在原子序數(shù)在原子序數(shù)Z小于小于40的范圍內(nèi)，背散射電的范圍內(nèi)，背散射電子的產(chǎn)額對原子序數(shù)子的產(chǎn)額對原子序數(shù)十分敏感。十分敏感。原子序數(shù)襯度原理原子序數(shù)襯度原理原子序數(shù)對背散射電子產(chǎn)額的影響原子序數(shù)對背散射電子產(chǎn)額的影響一、背散射電子成像一、背散射電子成像因此，在進行分析時，樣品上因此，在進行分析時，樣品上原子序數(shù)較高的原子序數(shù)較高的區(qū)域中由于收集到的背散射電子數(shù)量較多區(qū)域中由于收集到的背散射電子數(shù)

19、量較多，故熒，故熒光屏上的圖像較亮。光屏上的圖像較亮。利用利用原子序數(shù)造成的襯度變化可以對各種金屬原子序數(shù)造成的襯度變化可以對各種金屬和合金進行定性的成分分析和合金進行定性的成分分析。樣品中重元素區(qū)域。樣品中重元素區(qū)域相對于圖像上是亮區(qū)，而輕元素區(qū)域則為暗區(qū)相對于圖像上是亮區(qū)，而輕元素區(qū)域則為暗區(qū)原子序數(shù)襯度原理原子序數(shù)襯度原理一、背散射電子成像一、背散射電子成像ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射電子系耐火材料的背散射電子成分像，成分像，1000由于由于ZrO2相平均原相平均原子序數(shù)遠高于子序數(shù)遠高于Al2O3相和相和SiO2 相，所以相，所以圖中圖中白色相為斜鋯白色相為斜鋯石石

20、，小的白色粒狀，小的白色粒狀斜鋯石與灰色莫來斜鋯石與灰色莫來石混合區(qū)為石混合區(qū)為莫來石莫來石斜鋯石共析體斜鋯石共析體，基體灰色相為莫來基體灰色相為莫來石。石。背散射電子像的襯度特點：背散射電子像的襯度特點： （1 1）分辯率低）分辯率低 （2 2）背散射電子檢測效率低，襯度?。┍成⑸潆娮訖z測效率低，襯度小 （3 3）主要反應(yīng)原子序數(shù)襯度）主要反應(yīng)原子序數(shù)襯度(a) 二次電子像 (b)背射電子像 應(yīng)用： 1定性分析物相 2顯微組織觀察 3其它應(yīng)用（背散射電子衍射花樣、電子通道花樣等用于晶體學取向測定）二、吸收電子成像二、吸收電子成像q吸收電子的產(chǎn)額與背散射電子相反，樣品的吸收電子的產(chǎn)額與背散射電

21、子相反，樣品的原原子序數(shù)越小，背散射電子越少吸收電子越多子序數(shù)越小，背散射電子越少吸收電子越多，反之樣品的原子序數(shù)越大，則背散射電子越多，反之樣品的原子序數(shù)越大，則背散射電子越多，吸收電子越少。吸收電子越少。q因此，因此，吸收電子像的襯度是與背散射電子和二吸收電子像的襯度是與背散射電子和二次電子像的襯度互補的次電子像的襯度互補的。背散射電子圖像上的亮。背散射電子圖像上的亮區(qū)在相應(yīng)的吸收電子圖像上必定是暗區(qū)。區(qū)在相應(yīng)的吸收電子圖像上必定是暗區(qū)。二、吸收電子成像二、吸收電子成像鐵素體基體球墨鑄鐵拉伸斷口的背散射電子像和吸收電子像鐵素體基體球墨鑄鐵拉伸斷口的背散射電子像和吸收電子像背散射電子像，黑色

22、團狀物為石墨背散射電子像，黑色團狀物為石墨吸收電子像，白色團狀物為石墨吸收電子像，白色團狀物為石墨 透射電子顯微鏡（TEM） Transmission Electron Microscope 1 透射電鏡簡介 2 透射電鏡結(jié)構(gòu)組成 3 透射電鏡主要性能參數(shù) 4 透射電鏡樣品的制備技術(shù) 5 透射電鏡在高聚物研究中的應(yīng)用 TEMTEM概念概念 透射電子顯微鏡是以波長極短的電子束作為照明源，透射電子顯微鏡是以波長極短的電子束作為照明源，用電磁透鏡聚焦成像的一種高分辨率、高放大倍數(shù)的電子用電磁透鏡聚焦成像的一種高分辨率、高放大倍數(shù)的電子光學儀器。光學儀器。 四部分：電子光學系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、 真空系統(tǒng)、

23、操作控制系統(tǒng) 目前世界上生產(chǎn)透射電鏡的廠家主要有：日本電子、日立和美國菲利普公司。所產(chǎn)的透射電鏡可粗略分為： 常規(guī)透射電鏡：加速電壓 100-200 kV; 中壓透射電鏡：加速電壓 300-400 kV； 高壓透射電鏡：加速電壓 1000 kV。 基本結(jié)構(gòu)組成：基本結(jié)構(gòu)組成：p電子照明系統(tǒng)電子照明系統(tǒng)p電子光學系統(tǒng)電子光學系統(tǒng)p觀察記錄系統(tǒng)觀察記錄系統(tǒng)p真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)p電源系統(tǒng)電源系統(tǒng)觀察記錄系統(tǒng) 電子照明系統(tǒng) 電子光學系統(tǒng) 真空系統(tǒng) 電源系統(tǒng) 觀察記錄系統(tǒng) 52 )電子能量損失譜(射線線波譜儀)X() 射線線能譜X(101085儀儀附加儀器系統(tǒng)電源透鏡激磁用大電流低壓流高電壓電源電子槍加速

24、電子用小電供電控制系統(tǒng)托達提高真空度新型電鏡采用離子泵來由機械泵和擴散泵完成托一般真空系統(tǒng)照相室熒光屏觀察記錄系統(tǒng)投影鏡中間鏡物鏡成像系統(tǒng)樣品室聚光鏡陽極柵極陰極電子槍照明系統(tǒng)電子光學系統(tǒng)（鏡筒）透射電子顯微鏡EELSWDSEDS，由電子槍和聚光鏡由電子槍和聚光鏡共同組成，其作用共同組成，其作用是提供高能量、小是提供高能量、小直徑的透射電子束直徑的透射電子束用以后續(xù)成像。用以后續(xù)成像。 53 54 電子槍有熱發(fā)射和電子槍有熱發(fā)射和場發(fā)射兩種。所用場發(fā)射兩種。所用材料有鎢和六硼化材料有鎢和六硼化鑭兩種。場發(fā)射電鑭兩種。場發(fā)射電子槍利用外加電場子槍利用外加電場實現(xiàn)針尖電子逸出實現(xiàn)針尖電子逸出，更易

25、獲得高質(zhì)量，更易獲得高質(zhì)量的聚集電子束。的聚集電子束。 55 該部分由試樣室、該部分由試樣室、物鏡、中間鏡和投物鏡、中間鏡和投影鏡組成。高性能影鏡組成。高性能透射電鏡一般設(shè)有透射電鏡一般設(shè)有兩個中間鏡和兩個兩個中間鏡和兩個投影鏡。投影鏡。 56 物鏡、中間鏡、投影物鏡、中間鏡、投影鏡均屬于磁透鏡，通鏡均屬于磁透鏡，通過三者共同放大作用過三者共同放大作用，可獲得很高的總放，可獲得很高的總放大倍率。大倍率。012M = M M M 57 由電子成像系統(tǒng)形成由電子成像系統(tǒng)形成的電子圖像通過熒光的電子圖像通過熒光屏或照相系統(tǒng)進行觀屏或照相系統(tǒng)進行觀察記錄。通過觀察窗察記錄。通過觀察窗口可直接觀察熒光屏

26、口可直接觀察熒光屏上的圖像。上的圖像。 58 p 避免空氣分子與高速運動電子發(fā)生碰撞；避免空氣分子與高速運動電子發(fā)生碰撞； p 避免電子槍發(fā)生高壓放電現(xiàn)象；避免電子槍發(fā)生高壓放電現(xiàn)象；p 高真空有利于延長電子槍燈絲使用壽命；高真空有利于延長電子槍燈絲使用壽命；p 避免樣品表面被污染。避免樣品表面被污染。普通透射電鏡需要真空度達普通透射電鏡需要真空度達1.331.33（1010-2-21010-3-3）PaPa，高壓透射電鏡所需真空度要求更高。，高壓透射電鏡所需真空度要求更高。 59 TEM TEM 主要技術(shù)參數(shù)包括：主要技術(shù)參數(shù)包括：a)a)加速電壓：常用加速電壓在加速電壓：常用加速電壓在20

27、0-400200-400千伏范圍內(nèi)。千伏范圍內(nèi)。b)b)燈絲種類。燈絲種類。e)e)分辨率：點分辨率、線分辨率、信息分辨率等多個參數(shù)。分辨率：點分辨率、線分辨率、信息分辨率等多個參數(shù)。通常最關(guān)心點分辨率。通常最關(guān)心點分辨率。d)d)放大倍率：增加中間鏡數(shù)量，幾乎可無限增加電鏡放大放大倍率：增加中間鏡數(shù)量，幾乎可無限增加電鏡放大倍率。但無限增大只能得一張模糊圖像。同時圖像亮度隨倍率。但無限增大只能得一張模糊圖像。同時圖像亮度隨倍率提高而降低?，F(xiàn)代倍率提高而降低。現(xiàn)代TEMTEM最大放大倍率在一百萬倍左右。最大放大倍率在一百萬倍左右。e)e)樣品臺傾轉(zhuǎn)角樣品臺傾轉(zhuǎn)角: :大小取決于樣品臺和物鏡極靴

28、種類。大小取決于樣品臺和物鏡極靴種類。入射電子束（強） 透射電子束（弱） 樣品太厚 （1 1）樣品厚度須合適）樣品厚度須合適 樣品橫向尺寸一般不超過樣品橫向尺寸一般不超過1mm1mm， 厚度須足夠薄，通厚度須足夠薄，通常常100-200nm100-200nm為宜。為宜。 過厚過厚的樣品將導(dǎo)致電子束無法的樣品將導(dǎo)致電子束無法穿透樣品。穿透樣品。 68 （2 2）避免含揮發(fā)性物質(zhì)）避免含揮發(fā)性物質(zhì) 樣品內(nèi)部必須充分去除揮樣品內(nèi)部必須充分去除揮發(fā)性物質(zhì)如溶劑，否則在發(fā)性物質(zhì)如溶劑，否則在高真空環(huán)境下由于快速揮高真空環(huán)境下由于快速揮發(fā)將導(dǎo)致樣品開裂，對圖發(fā)將導(dǎo)致樣品開裂，對圖像結(jié)果造成干擾。像結(jié)果造成干擾。 揮發(fā)性物質(zhì) 69 （3 3）具有足夠強度）具有足夠強度 樣品須具備必要的抗電子樣品須具備必要的抗電子損傷能力，由于電子束能損傷能力，由于電子束能量很強，軟質(zhì)樣品如有機量很強，