模電(第四版)習(xí)題解答

1、 第1章 常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“×”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N 型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P 型半導(dǎo)體。( ) (2)因為N 型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負電。( × ) (3)PN 結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。( ) (4)處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。( × )(5)結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其大的特點。( ) (6)若耗盡型N 溝道MOS 管的 大于零，則其輸入電阻會明顯變小。( × ) 二、選擇正確答案

2、填入空內(nèi)。(l) PN 結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將 A 。 A.變窄 B.基本不變 C.變寬(2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 C 。A.正向?qū)?B.反向截止 C.反向擊穿(3)當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 B 。A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V時，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有 A 、C 。A.結(jié)型管 B.增強型MOS 管 C.耗盡型MOS 管 三、寫出圖Tl.3 所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。 圖T1.3 解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V,

3、UO5=1.3V, UO6=-2V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ=6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin=5mA。求圖Tl.4 所示電路中UO1和UO2各為多少伏。 (a) (b)圖T1.4 解：左圖中穩(wěn)壓管工作在擊穿狀態(tài)，故UO1=6V。右圖中穩(wěn)壓管沒有擊穿，故UO2=5V。五、電路如圖T1.5所示，VCC=15V，b=100，UBE=0.7V。試問： (1)Rb=50kW時，Uo=? (2)若T臨界飽和，則Rb=?解：(1)， ,。 圖T1.5 (2)， 六、測得某放大電路中三個MOS 管的三個電極的電位如表Tl.6 所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)（截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)）

4、，并填入表內(nèi)。 表T1.6 管號UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14-513恒流區(qū)T2-43310截止區(qū)T3-4605可變電阻區(qū)解：因為三只管子均有開啟電壓，所以它們均為增強型MOS 管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如表Tl.6最后一欄所示。習(xí)題1.1選擇合適答案填入空內(nèi)。(l)在本征半導(dǎo)體中加入( A )元素可形成N 型半導(dǎo)體，加入( C )元素可形成P 型半導(dǎo)體。 A.五價 B.四價 C.三價(2)當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將(A) 。 A.增大 B.不變 C.減小(3)工作在放大區(qū)的某三極管，如果當IB 從12 uA 增大到22 uA 時，

5、IC 從lmA 變?yōu)?mA ，那么它的約為( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)當場效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時,它的低頻跨導(dǎo)gm將( A ) 。A.增大； B.不變； C.減小1.2電路如圖P1.2 所示，已知(V)，試畫出與的波形。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計。 圖P1.2 解圖P1.2 解：與的波形如解圖Pl.2所示。1.3電路如圖P1.3所示，已知(V)，二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。試畫出與的波形圖，并標出幅值。 圖P1.3 解圖P1.3 解：波形如解圖Pl.3所示。1.4電路如圖P1.4所示, 二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V,常溫下，電容C對交流信號可視

6、為短路；為正弦波，有效值為10mV。試問二極管中流過的交流電流的有效值為多少？解：二極管的直流電流 其動態(tài)電阻: 圖P1.4故動態(tài)電流的有效值：1.5現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值分別是6V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問：(1)若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？(2)若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？解：(1)串聯(lián)相接可得4種：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并聯(lián)相接可得2種：0.7V；6V。1.6 已知圖Pl.6 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓，最小穩(wěn)定電流，最大穩(wěn)定電流。(1)分別計算為10V 、15V 、35V 三種情況下輸出電壓的值；(2)若時負載

7、開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象？ 為什么？解：(1)只有當加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時，輸出電壓才為6V。時，；圖Pl.6時，；時，。0.1(2)當負載開路時，故穩(wěn)壓管將被燒毀。1.7 在圖Pl.7 所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD =1.5V ，正向電流在515mA 時才能正常工作。試問：(1)開關(guān)S 在什么位置時發(fā)光二極管才能發(fā)光？(2)R的取值范圍是多少？解：(1)S閉合。 (2) R的范圍為: 圖P1.7 1.8現(xiàn)測得放大電路中兩只管子兩個電極的電流如圖P1.8所示。分別求另一電極的電流，標出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(shù)。 (a) (b) (a) (b) 圖

8、Pl.8 解圖Pl.8 解：答案如解圖Pl.8所示。放大倍數(shù)分別為和1.9測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.9所示。在圓圈中畫出管子，并說明它們是硅管還是鍺管。 圖P1.9解:如解圖1.9。 解圖1.91.10電路如圖P1.10所示，晶體管導(dǎo)通時，=50。試分析為0V、1V、3V三種情況下T 的工作狀態(tài)及輸出電壓的值。解： (1)當時，T 截止，。(2)當時，因為 圖P1.10所以T處于放大狀態(tài)。(3)當時，因為， 所以T處于飽和狀態(tài)。1.11電路如圖Pl.11所示,晶體管的=50 ,，飽和管壓降；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, 正向?qū)妷?。試問：當時？；當時？解：當時，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿

9、，。當時，晶體管飽和，。因為： 圖P1.11，1.12分別判斷圖Pl.12 所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。(a) (b) (c) (d) (e)圖P1.12解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞。(e)可能。1.13已知放大電路中一只N溝道場效應(yīng)管三個極 、 、 的電位分別為4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子（結(jié)型管、MOS 管、增強型、耗盡型），并說明 、 、 與G 、S 、D 的對應(yīng)關(guān)系。 解：管子可能是增強型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個極 、 、 與G 、S 、D 的對應(yīng)關(guān)系如解圖Pl.13 所示。

10、解圖Pl.131.14已知場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖Pl.14所示，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。 圖Pl.14 (a) (b)解圖Pl.14解：在場效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標的垂線(如解圖Pl.14 (a)所示),讀出其與各條曲線交點的縱坐標值及值，建立坐標系，描點，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線，如解圖Pl.14 (b)所示。1.15電路如圖P1.15所示，T的輸出特性如圖Pl.14所示,分析當=4V、8V 、12V 三種情況下場效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解：根據(jù)圖P1.14 所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V ，根據(jù)圖Pl.15所示電路可知。當=4V時，小于開啟電壓，故T 截止。當=8V時，

11、設(shè)T 工作在恒流區(qū)，根據(jù)輸出 特性可知，管壓降， 因此，小于開啟電壓，說明假設(shè)成立，即T工作在恒流區(qū)。 圖Pl.15當=12V時，由于，必然使T工作在可變電阻區(qū)。l.16分別判斷圖Pl.16 所示各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。 (a) (b) (c) (d) 圖P1.16 解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。補充1.電路如補圖P1(a)、(b)所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, R 的取值合適，的波形如圖(c)所示。試分別畫出和的波形。(a) (b) (c) 補圖P1 解：波形如下圖所示 補充2.在溫度20oC時某晶體管的試問溫度是60oC時的？解:。補充3.有兩只晶體管，一

12、只的=200 , ；另一只的=100 , ，其它參數(shù)大致相同。你認為應(yīng)選用哪只管子？為什么？解：選用=100 , 的管子，因其適中,較小，因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。補充4.電路如補圖P4所示，試問大于多少時晶體管飽和？解：取，若管子飽和，則, 即所以,時,管子飽和。 補圖P4第2章 基本放大電路自測題一在括號內(nèi)用“”和“×”表明下列說法是否正確。1.只有電路既放大電流又放大電壓,才稱其有放大作用。(×)2.可以說任何放大電路都有功率放大作用。()3.放大電路中輸出的電流和電壓都是有源元件提供的。(×)4.電路中各電量的交流成分是交流信號源提供的。(×

13、)5.放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。()6.由于放大的對象是變化量，所以當輸入直流信號時，任何放大電路的輸出都毫無變化。(×)7.只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。(×)二試分析圖T2.2各電路是否能放大正弦交流信號，簡述理由。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i)圖T2.2解：圖(a)不能。VBB將輸入信號短路。圖(b)可以。圖(c)不能。輸入信號與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。圖(d)不能。晶體管基極回路因無限流電阻而燒毀。圖(e)不能。輸入信號被電容C2短路。圖(

14、f)不能。輸出始終為零。圖(g)可能。圖(h)不合理。因為G-S間電壓將大于零。圖(i)不能。因為T截止。三在圖T2.3 所示電路中，已知, 晶體管=100，。填空：要求先填文字表達式后填得數(shù)。(1)當時，測得，若要基極電流, 則和之和=( )( 565 )；而若測得，則=( )( 3 )。 (2)若測得輸入電壓有效值時，輸出電壓有效值，則電壓放大倍數(shù)( )( -120 )。若負載電阻值與相等，則帶上 圖T2.3負載后輸出電壓有效值( )=( 0.3 )V。四、已知圖T2.3 所示電路中，靜態(tài)管壓降并在輸出端加負載電阻，其阻值為3。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的最大不失真輸出電壓有

15、效值( A )；A.2V B.3V C.6V (2)當時，若在不失真的條件下，減小Rw ，則輸出電壓的幅值將( C )； A.減小 B.不變 C.增大(3)在時，將Rw 調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時增大輸入電壓，則輸出電壓波形將( B )； A.頂部失真 B.底部失真 C.為正弦波(4)若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將( B )。A.Rw 減小 B.減小 C. 減小五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下：A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路D.共源電路 E.共漏電路它們的電路分別如圖2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和2.6. 9(a)所示；設(shè)圖中

16、，且、均相等。選擇正確答案填入空內(nèi)，只需填A(yù) 、B 、 (l)輸入電阻最小的電路是( C )，最大的是( D、E )；(2)輸出電阻最小的電路是( B )；(3)有電壓放大作用的電路是( A、C、D )； (4)有電流放大作用的電路是( A、B、D、E )；(5)高頻特性最好的電路是( C )；(6)輸入電壓與輸出電壓同相的電路是( B、C、E )；反相的電路是( A、D )。 六、未畫完的場效應(yīng)管放大電路如圖T2.6所示，試將合適的場效應(yīng)管接入電路，使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管，如解圖T2.6 所示。 圖T2.6 解圖T2.6習(xí)

17、題2.1 分別改正圖P2.1 所示各電路中的錯誤，使它們有可能放大正弦波信號。要求保留電路原來的共射接法和耦合方式。 (a) (b) (c) (d)圖P2.1解：(a)將-VCC改為+VCC。(b)在+VCC與基極之間加Rb。(c)將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個電阻。(d)在VBB支路加Rb，在-VCC與集電極之間加Rc。2.2畫出圖P2.2所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對交流信號均可視為短路。 (a) (b) (c) (d)圖P2.2解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。圖P2.2所示各電路的交流通路如解圖P2.2所示； (a) (b) (c) (d) 解圖P2.2

18、2.3分別判斷圖P2.2(a)、 (b)所示兩電路各屬哪種放大電路，并寫出的表達式。解：圖 (a): ，。，圖(b)：，。，。2.4 電路如圖P2.4 (a)所示，圖(b)是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時。利用圖解法分別求出和時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓（有效值）。 (a) (b)圖P2.4 解：空載時：；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V ，有效值約為3.75V 。 帶載時：；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V ，有效值約為1.63V 。如解圖P2.4 所示。解圖P2.4 圖P2.52.5在圖P2.5所示電路中,已知晶體管的=80, =1k,靜態(tài)時,。判斷下列結(jié)論是否正確，在括號內(nèi)打“”和“

19、×”表示。(1) (×) (2) (×) (3) (×) (4) () (5) (×) (6) (×) (7) (×) (8) () (9) () (10) (×) (11) (×) (12) ()2.6電路如圖P2.6所示，已知晶體管=120，UBE=0.7V，飽和管壓降UCES=0.5V。在下列情況下，用直流電壓表測量晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少？ (1)正常情況；(2)Rb1短路；(3)Rb1開路；(4)Rb2開路；(5)Rb2短路；(6)RC短路； 圖P2.6 圖P2.7 解:(1),，。 (

20、2) Rb1短路,。 (3) Rb1開路,臨界飽和基極電流，實際基極電流。由于,管子飽和,。(4) Rb2開路,無基極電流,。(5) Rb2短路，發(fā)射結(jié)將燒毀，可能為。 (6) RC短路, 。2.7電路如圖P2.7所示，晶體管的=80 ，。分別計算和時的Q點、和。解：在空載和帶負載情況下，電路的靜態(tài)電流、均相等，它們分別為： 空載時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為： ； ； 時，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為： 。2.8若將圖P2.7 所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化？ Q點、和變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部

21、失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？解：由正電源改為負電源；Q點、和不會變化；輸出電壓波形底部失真對應(yīng)輸入信號正半周失真，對PNP管而言，管子進入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真；減小Rb。2.9 已知圖P2.9所示電路中，晶體管=100，=1.4k。(1)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V，估算Rb；(2)若測得和的有效值分別為1mV和100mV，則負載電阻RL為多少？解：(1)，, 。(2)由,可得: 。 圖P2.92.10在圖P2.9所示電路中，設(shè)靜態(tài)時，晶體管飽和管壓降。試問：當負載電阻和時，電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？解：由于，所以?？蛰d時，輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽

22、和失真。故 時，當輸入信號增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故 2.11 電路如圖P2.11所示，晶體管=100，=100。(1)求電路的Q點、和；(2)若改用=200的晶體管，則Q點如何變化？(3)若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？解：(1)靜態(tài)分析： 圖P2.11動態(tài)分析： (2) =200時，（不變）； （不變）；（減?。?；（不變）。 (3) Ce開路時，（減?。?； （增大）； （不變）。2.12 電路如圖P2.12所示，晶體管的=80，=1k。(1)求出Q點； (2)分別求出RL=和RL=3k時電路的、和。解：(1)求解Q 點： (2)求解放大倍數(shù)和輸入

23、、輸出電阻：RL=時； 圖P2.12 RL=3k時；輸出電阻：2.13 電路如圖P2.13 所示，晶體管的=60 , 。(1)求解Q點、和(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），問,若C3開路，則,解：(1) Q 點： 圖P2.13 、和的分析：, , 。(2)設(shè)Us = 10mV （有效值），則 ； 若C3開路，則： ， ， 。2.14 改正圖P2.14 所示各電路中的錯誤，使它們有可能放大正弦波電壓。要求保留電路的共漏接法。(a) (b) (c) (d)圖P2.14解：(a)源極加電阻RS ； (b)漏極加電阻RD；(c)輸入端加耦合電容； (d)在Rg 支路加VGG， +VDD 改為VD

24、D改正電路如解圖P2.14所示。(a) (b) (c) (d)解圖P2.14 2.15已知圖P2.21 (a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖(b)、(c)所示。(1)利用圖解法求解Q點；(2)利用等效電路法求解、和。 (a) (b) (c) 圖P2.15解：(1)在轉(zhuǎn)移特性中作直線，與轉(zhuǎn)移特性的交點即為Q點；讀出坐標值，得出。如解圖P2.15(a)所示。 (a) (b) 解圖P2.21在輸出特性中作直流負載線，與的那條輸出特性曲線的交點為Q 點，。如解圖P2.21(b)所示。(2)首先畫出交流等效電路（圖略），然后進行動態(tài)分析。 ； ；2.16已知圖P2.16(a)所示電路中場

25、效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖(b)所示。求解電路的Q 點和。 (a) (b)圖P2.16 解：(1)求Q 點：根據(jù)電路圖可知，。從轉(zhuǎn)移特性查得，當時的漏極電流：因此管壓降 。(2)求電壓放大倍數(shù)：， 2.17電路如圖P2.17 所示。（1）若輸出電壓波形底部失真，則可采取哪些措施？若輸出電壓波形頂部失真，則可采取哪些措施？（2）若想增大，則可采取哪些措施？解：（1）輸出電壓波形底部失真，類似于NPN型三極管的飽和失真，應(yīng)降低Q，故可減小R2或增大R1、RS；若輸出電壓波形頂部失真，則與上述相反，故可增大R2或減小R1、RS。（2）若想增大，就要增大漏極靜態(tài)電流以增大，故可增大R2或減小R1、RS。2.

26、18圖P2.18中的哪些接法可以構(gòu)成復(fù)合管？標出它們等效管的類型（如NPN 型、PNP 型、N 溝道結(jié)型 )及管腳(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。 (a) (b) (c) (d)(e) (f) (g)圖P2.18 解：(a)不能。(b)不能。(c)構(gòu)成NPN 型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。(d)不能。(e)不能。(f)構(gòu)成PNP 型管，上端為發(fā)射極，中端為基極，下端為集電極。(g)構(gòu)成NPN型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。 第3章 多級放大電路自測題一、現(xiàn)有基本放大電路：A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路 D.共源電路 E.共漏電路根據(jù)要求選擇合適

27、電路組成兩級放大電路。(1)要求輸入電阻為1k至2k，電壓放大倍數(shù)大于3000 ，第一級應(yīng)采用( A )，第二級應(yīng)采用( A )。(2)要求輸入電阻大于10M，電壓放大倍數(shù)大于300 ，第一級應(yīng)采用( D )，第二級應(yīng)采用( A )。(3)要求輸入電阻為100k200k，電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100 , 第一級應(yīng)采用( B )，第二級應(yīng)采用( A )。(4)要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10 ，輸入電阻大于10M，輸出電阻小于100，第一級應(yīng)采用( D )，第二級應(yīng)采用( B )。(5)設(shè)信號源為內(nèi)阻很大的電壓源，要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓，且，輸出電阻Ro100 ，第一級應(yīng)采用采用( C )，第

28、二級應(yīng)( B )。二、選擇合適答案填入空內(nèi)。(1)直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是( C、D )。 A電阻阻值有誤差 B晶體管參數(shù)的分散性 C晶體管參數(shù)受溫度影響 D電源電壓不穩(wěn) (2)集成放大電路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A便于設(shè)計 B放大交流信號 C不易制作大容量電容(3)選用差動放大電路的原因是( A )。 A克服溫漂 B提高輸入電阻 C穩(wěn)定放大倍數(shù)(4)差動放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的( A )，共模信號是兩個輸入端信號的( C )。 A.差 B.和 C.平均值(5)用恒流源取代長尾式差動放大電路中的發(fā)射極電阻，將使單端電路的( B )。 A差模放大倍數(shù)數(shù)值增大

29、 B抑制共模信號能力增強 C差模輸入電阻增大(6)互補輸出級采用共集形式是為了使( C )。A.放大倍數(shù)的數(shù)值大 B.最大不失真輸出電壓大 C.帶負載能力強三、電路如圖T3·3所示，所有晶體管均為硅管，均為200，靜態(tài)時。試求：(1)靜態(tài)時Tl管和T2管的發(fā)射極電流。(2)若靜態(tài)時，則應(yīng)如何調(diào)節(jié)Rc2的值才能使？若靜態(tài)V，則Rc2 =？，電壓放大倍數(shù)為多少？ 解：(1)T3管的集電極電流靜態(tài)時Tl管和T2管的發(fā)射極電流(2)若靜態(tài)時，則應(yīng)減小Rc2。當 時, T4管的集電極電流。Rc2的電流及其阻值分別為：，電壓放大倍數(shù)求解過程如下： 圖T3·3 習(xí)題3.1判斷圖P3.1所

30、示各兩級放大電路中T1和T2管分別組成哪種基本接法的放大電路。設(shè)圖中所有電容對于交流信號均可視為短路。(a) (b) (c) (d) (e) (f)圖P3.1 解：(a)共射，共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射 (d)共集，共基 (e)共源，共集 (f)共基，共集3.2 設(shè)圖P3.2所示各電路的靜態(tài)工作點均合適，分別畫出它們的交流等效電路，并寫出、和的表達式。 (a) (b) (c) (d)圖P3.2解：(1)圖示各電路的交流等效電路如解圖P3.2所示。 (2)各電路的、和的表達式分別為：(a)：； ； (b)： ； (c)： ； (d)：； (a) (b) (c) (d) 解圖P3.2

31、3.3基本放大電路如圖P3.3(a)、(b)所示，圖(a)虛線框內(nèi)為電路，圖(b)虛線框內(nèi)為電路。由電路、組成的多級放大電路如圖(c)、(d)、(e)所示，它們均正常工作。試說明圖(c)、(d)、(e)所示電路中(1)哪些電路的輸入電阻較大；(2)哪些電路的輸出電阻較??；(3)哪個電路的電壓放大倍數(shù)最大。 (a) (b) (c) (d) (e)圖P3.3解：(1)圖(d)、(e)所示電路的輸入電阻比較大； (2)圖(c)、(e)所示電路的輸出電阻比較?。?(3)圖(e)所示電路的電壓放大倍數(shù)最大。3.4電路如圖P3.l (a) (b)所示，晶體管的均為150 , 均為，Q點合適。求解、和。解：

32、在圖(a)所示電路中 ； 。在圖(b)所示電路中 ； ； 3.5電路如圖P3.l (c)、(e)所示，晶體管的均為200 , 均為。場效應(yīng)管的gm為15mS ; Q 點合適。求解、和。解：在圖(c)所示電路中 ； ； 在圖(e)所示電路中； ； 3.6圖P3.6所示電路參數(shù)理想對稱，晶體管的均為100， 。試求Rw的滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流以及動態(tài)參數(shù)Ad和Ri。 圖P3.6 圖P3.7 解：Rw 滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流分析如下： 動態(tài)參數(shù)Ad和Ri分析如下： 3.7電路如圖P3.7所示，T1和T2兩管的均為140，均為4k。試問：若輸入直流信號，則電

33、路的共模輸入電壓差模輸入電壓輸出動態(tài)電壓解：電路的共模輸入電壓、差模輸入電壓、差模放大倍數(shù)和動態(tài)電壓 分別為：； ； 3.8 電路如圖P3.8所示，Tl和T2的低頻跨導(dǎo)gm均為10mS。試求解差模放大倍數(shù)和輸入電阻。 圖P3.8 圖P3.9 解：差模放大倍數(shù)和輸入電阻分別為： ； 。3.9試寫出圖P3.9 所示電路Ad和Ri的近似表達式。設(shè)Tl和T2的電流放大系數(shù)分別為1和2，b-e 間動態(tài)電阻分別為和。解：Ad和Ri的近似表達式分別為 ； 3.10電路如圖P3.10 所示，Tl T5的電流放大系數(shù)分別為15 , b-e間動態(tài)電阻分別為rbe1rbe5，寫出Au、Ri和Ro的表達式。 圖P3.

34、10 圖P3.11解：Au、Ri和Ro的表達式分析如下： ; ; 3.11 電路如圖P3.11 所示。已知電壓放大倍數(shù)為-100 ，輸入電壓uI為正弦波，T2和T3管的飽和壓降UCES=1V 。試問：(1)在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值Uimax為多少伏？(2)若Ui= 10mV（有效值），則Uo？若此時R3開路，則Uo？若R3短路，則Uo？ 解：(1)最大不失真輸出電壓有效值為:故在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值： (2)Ui= 10mV ，則Uo1V（有效值）。若R3開路，則Tl和T3組成復(fù)合管，等效, T3可能飽和，使得（直流）;若R3短路，則（直流）。第4章 集成運算放大電路

35、自測題一、選擇合適答案填入空內(nèi)。 (1)集成運放電路采用直接耦合方式是因為( C )。A.可獲得很大的放大倍數(shù) B.可使溫漂小 C.集成工藝難于制造大容量電容 (2)通用型集成運放適用于放大( B )。 A.高頻信號 B.低頻信號 C.任何頻率信號 (3)集成運放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的( C )。 A.指標參數(shù)準確 B.參數(shù)不受溫度影響 C.參數(shù)一直性好 (4)集成運放的輸入級采用差分放大電路是因為可以( A )。 A.減小溫漂 B.增大放大倍數(shù) C.提高輸入電阻 (5)為增大電壓放大倍數(shù),集成運放的中間級多采用( A )。 A.共射放大電路 B.共集放大電路 C.共基放大電路二、判斷下列

36、說法是否正確，用“”和“×”表示判斷結(jié)果。(1)運放的輸入失調(diào)電壓UIO是兩輸入端電位之差。( × )(2)運放的輸入失調(diào)電流IIO是兩輸入端電流之差。( )(3)運放的共模抑制比。( )(4)有源負載可以增大放大電路的輸出電流。( )(5)在輸入信號作用時，偏置電路改變了各放大管的動態(tài)電流。( × ) 三、電路如圖T4.3 所示，已知123= 100 。各管的UBE均為0.7V , 試求IC2的值。解：分析估算如下：；圖T4.3。比較上兩式，得 四、電路如圖T4.4所示。 圖T4.4(1)說明電路是幾級放大電路，各級分別是哪種形式的放大電路（共射、共集、差放 ）

37、; (2)分別說明各級采用了哪些措施來改善其性能指標（如增大放大倍數(shù)、輸入電阻 ）。解：(1)三級放大電路，第一級為共集共基雙端輸入單端輸出差分放大電路，第二級是共射放大電路，第三級是互補輸出級。(2)第一級采用共集共基形式，增大輸入電阻，改善高頻特性；利用有源負載(T5 、T6 )增大差模放大倍數(shù)，使單端輸出電路的差模放大倍數(shù)近似等于雙端輸出電路的差模放大倍數(shù)，同時減小共模放大倍數(shù)。第二級為共射放大電路，以T7、T8構(gòu)成的復(fù)合管為放大管、以恒流源作集電極負載，增大放大倍數(shù)。第三級為互補輸出級，加了偏置電路，利用Dl、D2的導(dǎo)通壓降使T9和T10在靜態(tài)時處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，從而消除交越失真。習(xí)題

38、4.1根據(jù)下列要求，將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運放填入空內(nèi)。已知現(xiàn)有集成運放的類型是：通用型 高阻型 高速型 低功耗型 高壓型 大功率型 高精度型(1)作低頻放大器，應(yīng)選用( )。(2)作寬頻帶放大器，應(yīng)選用( )。(3)作幅值為1V以下微弱信號的量測放大器，應(yīng)選用( )。(4)作內(nèi)阻為100k。信號源的放大器，應(yīng)選用( )。(5)負載需5A電流驅(qū)動的放大器，應(yīng)選用( )。(6)要求輸出電壓幅值為±80V的放大器，應(yīng)選用( )。(7)宇航儀器中所用的放大器，應(yīng)選用( )。4. 2 已知幾個集成運放的參數(shù)如表P4.3 所示，試分別說明它們各屬于哪種類型的運放。表P4.3 特性指標Aodri

39、dUIOIIOIIB-3dBfHKCMRSR增益帶寬單位dBMmVnAnAHzdBV/VMHzA1100252006007860.5A213020.0124071200.5A3100100050.020.03860.55A41002220150966512.5解：A1為通用型運放，A 2為高精度型運放，A3為高阻型運放，A4為高速型運放。4.3 多路電流源電路如圖P4.3所示,已知所有晶體管的特性均相同,UBE均為0.7V。試求IC1、IC2各為多少。 圖P4.3 圖P4.4解：因為Tl 、T2、T3的特性均相同，且UBE 均相同，所以它們的基極、集電極電流均相等，設(shè)集電極電流為IC。先求出R

40、 中電流，再求解IC1、IC2。 當時，。4.4電路如圖P4.4 所示，Tl 管的低頻跨導(dǎo)為gm , Tl和T2管d-s 間的動態(tài)電阻分別為rds1和rds2。試求解電壓放大倍數(shù)的表達式。 解：由于T2和T3 所組成的鏡像電流源是以Tl 為放大管的共射放大電路的有源負載， Tl和T2管d -s 間的動態(tài)電阻分別為rds1和rds2，所以電壓放大倍數(shù)的表達式為：。4.5電路如圖P4.5所示，Tl與T2管特性相同，它們的低頻跨導(dǎo)為gm ; T3與T4管特性對稱；T2與T4管d-s 間的動態(tài)電阻分別為rds2和rds4。試求出電壓放大倍數(shù)的表達式。 圖P4.5 圖P4.6解：在圖示電路中：； ； 電

41、壓放大倍數(shù)：4.6電路如圖P4.6所示，具有理想的對稱性。設(shè)各管均相同。 (1)說明電路中各晶體管的作用； (2)若輸入差模電壓為產(chǎn)生的差模電流為，則電路的電流放大倍數(shù)？解：(1)圖示電路為雙端輸入、單端輸出的差分放大電路。Tl和T2 、T3和T4分別組成的復(fù)合管為放大管，T5和T6組成的鏡像電流源為有源負載。 (2)由于用T5和T6所構(gòu)成的鏡像電流源作為有源負載，將左半部分放大管的電流變化量轉(zhuǎn)換到右邊，故輸出電流變化量及電路電流放大倍數(shù)分別為： ； 。4.7 電路如圖P4.7所示，Tl和T2管的特性相同，所有晶體管的均相同，Rcl 遠大于二極管的正向電阻。當時，。(1)求解電壓放大倍數(shù)的表達

42、式；(2)當有共模輸入電壓時，簡述理由。圖P4.7 圖P4.8解：(1)在忽略二極管動態(tài)電阻的情況下：，。 。 (2)當有共模輸入電壓時，近似為零。由于， , 因此，故。4.8 電路如圖P4.8所示，Tl和T2管為超管，電路具有理想的對稱性。選擇合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路采用了( C )。A 共集-共基接法 B 共集-共射接法 C 共射-共基接法(2)電路所采用的上述接法是為( C )。A 增大輸入電阻 B 增大電流放大系數(shù) C 展寬頻帶(3)電路采用超管能夠( B )。A 增大輸入級的耐壓值 B 增大放大能力 C 增大帶負載能力(4) Tl和T2管的靜態(tài)壓降約為( A )。A0.7V B 1.4V C 不可知4.9 在圖P4.9 所示電路中，已知TlT3管的特性完全相同，> 2