場(chǎng)效應(yīng)管的分類

1、場(chǎng)效應(yīng)管的分類 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓控制電流器件。其特點(diǎn)是輸入電阻高，噪聲系數(shù)低，受溫度和輻射影響小。因而特別使用于高靈敏度、低噪聲電路中。 場(chǎng)效應(yīng)管的種類很多，按結(jié)構(gòu)可分為兩大類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管主要指金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管又分為“耗盡型”和“增強(qiáng)型”兩種，而每一種又分為N溝道和P溝道 。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是利用導(dǎo)電溝道之間耗盡區(qū)的寬窄來(lái)控制電流的，輸入電阻（1051015）之間； 絕緣柵型是利用感應(yīng)電荷的多少來(lái)控制導(dǎo)電溝道的寬窄從而控制電流的大小，其輸入阻抗很高(柵

2、極與其它電極互相絕緣)。它在硅片上的集成度高，因此在大規(guī)模集成電路中占有極其重要的地位。 場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)命名方法現(xiàn)行場(chǎng)效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。 場(chǎng)效應(yīng)管所有廠家的中英文對(duì)照表在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表

3、中，收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列的單管、對(duì)管及組件等，型號(hào)達(dá)數(shù)萬(wàn)種之多。每種型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠家、材料與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數(shù)。同時(shí)還在備注欄列出世界各國(guó)可供代換的場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)，其中含國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)。 1"型號(hào)"欄 表中所列各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)按英文字母和阿拉伯

4、數(shù)字順序排列。同一類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體型號(hào)編為一組，處于同一格子內(nèi)，不用細(xì)線分開。 2"廠家"欄 為了節(jié)省篇幅，僅列入主要廠家，且廠家名稱采用縮寫的形式表示。）所到廠家的英文縮寫與中文全稱對(duì)照如下： ADV 美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體公司AEG 美國(guó)AEG公司AEI 英國(guó)聯(lián)合電子工業(yè)公司AEL 英、德半導(dǎo)體器件股份公司ALE 美國(guó)ALEGROMICRO 公司ALP 美國(guó)ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微電子技術(shù)公司AMP 美國(guó)安派克斯電子公司AMS 美國(guó)微系統(tǒng)公司APT 美國(guó)先進(jìn)功率技術(shù)公司ATE 意大利米蘭ATES公司ATT 美國(guó)電話電報(bào)公司AVA 美、德先進(jìn)技術(shù)公司B

5、EN 美國(guó)本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT電子有限公司CAL 美國(guó)CALOGIC公司CDI 印度大陸器件公司CEN 美國(guó)中央半導(dǎo)體公司CLV 美國(guó)CLEVITE晶體管公司COL 美國(guó)COLLMER公司CRI 美國(guó)克里姆森半導(dǎo)體公司 CTR 美國(guó)通信晶體管公司CSA 美國(guó)CSA工業(yè)公司DIC 美國(guó)狄克遜電子公司DIO 美國(guó)二極管公司DIR 美國(guó)DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS電氣股份公司MAC 美國(guó)M/A康姆半導(dǎo)體產(chǎn)品公司MAR 英國(guó)馬可尼電子器件公司MAL 美國(guó)MALLORY國(guó)際公司MAT 日本松下公司MCR 美國(guó)MCRWVE TECH公司MIC 中國(guó)香港微

6、電子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美國(guó)莫托羅拉半導(dǎo)體公司MUL 英國(guó)馬德拉有限公司NAS 美、德北美半導(dǎo)體電子公司NEW 英國(guó)新市場(chǎng)晶體管有限公司NIP 日本日電公司NJR 日本新日本無(wú)線電股份有公司NSC 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司NUC 美國(guó)核電子產(chǎn)品公司OKI 日本沖電氣工業(yè)公司OMN 美國(guó)OMNIREL公司OPT 美國(guó)OPTEK公司ORG 日本歐里井電氣公司PHI 荷蘭飛利浦公司POL 美國(guó)PORYFET公司POW 美國(guó)何雷克斯公司PIS 美國(guó)普利西產(chǎn)品公司PTC 美國(guó)功率晶體管公司RAY 美、德雷聲半導(dǎo)體公司REC 美國(guó)無(wú)線電公司RET 美國(guó)雷蒂肯公司R

7、FG 美國(guó)射頻增益公司RTC 法、德RTC 無(wú)線電技術(shù)公司SAK 日本三肯公司SAM 韓國(guó)三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英國(guó)塞米特朗公司 DIT 德國(guó)DITRATHERM公司ETC 美國(guó)電子晶體管公司FCH 美國(guó)范恰得公司FER 英、德費(fèi)蘭蒂有限公司FJD 日本富士電機(jī)公司FRE 美國(guó)FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美國(guó)富士通微電子公司GEC 美國(guó)詹特朗公司GEN 美國(guó)通用電氣公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美國(guó)鍺功率器件公司HAR 美國(guó)哈里斯半導(dǎo)體公司HFO 德國(guó)VHB聯(lián)合企業(yè)HIT 日本日立公司HSC 美國(guó)HELLOS半導(dǎo)體公司IDI 美國(guó)國(guó)際器件公司IN

8、J 日本國(guó)際器件公司INR 美、德國(guó)際整流器件公司INT 美國(guó)INTER FET 公司IPR 羅、德 I P R S BANEASA公司ISI 英國(guó)英特錫爾公司ITT 德國(guó)楞茨標(biāo)準(zhǔn)電氣公司IXY 美國(guó)電報(bào)公司半導(dǎo)體體部KOR 韓國(guó)電子公司KYO 日本東光股份公司LTT 法國(guó)電話公司SEM 美國(guó)半導(dǎo)體公司SES 法國(guó)巴黎斯公司SGS 法、意電子元件">元件股份公司SHI 日本芝蒲電氣公司SIE 德國(guó)西門子AG公司SIG 美國(guó)西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技術(shù)公司SML 美、德塞邁拉布公司SOL 美、德固體電子公司SON 日本縈尼公司SPE 美國(guó)空間功率電子學(xué)公司SPR

9、美國(guó)史普拉格公司SSI 美國(guó)固體工業(yè)公司STC 美國(guó)硅晶體管公司STI 美國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)公司SUP 美國(guó)超技術(shù)公司 TDY 美、德TELEDYNE晶體管電子公司TEL 德國(guó)德律風(fēng)根電子公司TES 捷克TESLA公司THO 法國(guó)湯姆遜公司TIX 美國(guó)德州儀器公司TOG 日本東北金屬工業(yè)公司TOS 日本東芝公司TOY 日本羅姆公司TRA 美國(guó)晶體管有限公司TRW 英、德TRN半導(dǎo)體公司UCA 英、德聯(lián)合碳化物公司電子分部UNI 美國(guó)尤尼特羅德公司UNR 波蘭外資企業(yè)公司W(wǎng)AB 美、德WALBERN器件公司W(wǎng)ES 英國(guó)韋斯特科德半導(dǎo)體公司VAL 德國(guó)凡爾伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET

10、英國(guó)XETEX公司 3"材料"欄 本欄目注明各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的材料和極性，沒有注明材料的均為SI材料，特殊類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管也在這一欄中說(shuō)明。 其英文與中文對(duì)照如下： N-FET 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 P-FET 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GE-N-FET 鍺N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GE-P-FET 鍺P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GaAS-FET 砷化鎵結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 SB肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MES 金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（一般為N溝道，若P溝道則在備注欄中注明） HEMT 高電子遷移率晶體管 SENSE FET 電流敏感動(dòng)率MOS場(chǎng)效應(yīng)管 SIT 靜電感應(yīng)晶體管 IGBT 絕

11、緣柵比極晶體管 ALGaAS 鋁家砷 4"外形"欄 根據(jù)本欄中所給出的外形圖序號(hào)，可在書末的"外形與管腳排列圖"中查到該型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的外形與管腳排列方式，但不考慮管子尺寸大小。注明"P-DIT"的為塑料封裝雙列直插式外形，"CER-DIP"的為陶瓷封裝雙列直插式外形，"CHIP"的為小型片狀，"SMD"或"SO"的為表面封裝，"SP"的為特殊外形，"LLCC"為無(wú)引線陶瓷片載體，"WAFER"

12、的為裸芯片。 5"用途與特性"欄 本欄中介紹了各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要用途及技術(shù)特性參數(shù)。對(duì)于MOSFET增加了MOS -DPI表示增強(qiáng)型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者M(jìn)OS-ENH表示增強(qiáng)型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管，沒有注明的即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管其余的英文縮寫與中文全稱對(duì)照如下： A 寬頻帶放大AM 調(diào)幅CC 恒流CHOP 斬波、限幅C-MIC 電容話筒專用D 變頻換流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配對(duì)管DUAL-GATE 雙柵四極FM 調(diào)頻GEP 互補(bǔ)類型HA 行輸出級(jí)HF 高頻放大（射頻放大）HG 高跨導(dǎo)HI-IMP 高輸入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗變換

13、L 功率放大MAP 匹配對(duì)管MIN 微型MIX或M 混頻MW 微波NF 音頻（低頻） O 振蕩S 開關(guān)SW-REG 開關(guān)電源SYM 對(duì)稱類TEMP 溫度傳感TR 激勵(lì)、驅(qū)動(dòng)TUN 調(diào)諧TV 電視TC 小型器件標(biāo)志UHF 超高頻UNI 一般用途V 前置/輸入級(jí)VA 場(chǎng)輸出級(jí)VHF 甚高頻VID 視頻VR 可變電阻ZF 中放V-FET V型槽MOSFETMOS-INM MOSFET獨(dú)立組件MOS-ARR MOSFET陳列組件MOS-HBM MOSFET半橋組件MOS-FBM 全橋組件MOS-TPBM MOSFET三相橋組件 技術(shù)特性參數(shù)列出極限參和特征參數(shù)，其中電壓值：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為柵極間極電

14、壓Vgds或Vgdo,MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（含MES、HEMT）一般為漏極-源極間極限電壓Vdss,IGBT晶體管為集電極發(fā)射極間極限電壓（基極和發(fā)射極短路）V(br)ces ;電流值：耗盡型（含結(jié)型）為最大漏極電流Idss,增強(qiáng)型為漏極極限電流Id，IGBT晶體管為集電極最大直流電流Ic；功率值：一般為漏極耗散功率Pd，高頻功率管有的列出漏極最大輸出功率Po，IGBT晶體管為集電極耗散功率Pc，單位為W或DBM；場(chǎng)效應(yīng)管高頻應(yīng)用的頻率值：一般為特征頻率Ft,有的為最高振蕩頻率FO；開關(guān)應(yīng)用及功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電阻值為漏極-源極間的導(dǎo)通電阻Rds，記為Ron，單位；開關(guān)時(shí)間："/&qu

15、ot;(斜線)前為導(dǎo)通時(shí)間Ton , "/"后為關(guān)斷時(shí)間Toff,部分開關(guān)時(shí)間為上升時(shí)間Tr，和下降時(shí)間Tf，IGBT晶體管"/"斜錢前為延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和td+tr, "/"后為下降時(shí)間TR；低噪聲的噪聲特性參數(shù)用噪聲系數(shù)NF（DB）或輸入換算噪聲電壓En（VN）表示；對(duì)于對(duì)管列有表示對(duì)稱性參數(shù)的柵源短路時(shí)的漏極電流之比或柵源電壓差VGS或柵極電流差JG；跨導(dǎo)值：表示放大能力的參數(shù)，多為最大跨導(dǎo)GM，單位MS（毫西門子）；柵泄漏電流值：表示輸入阻抗特怕的能數(shù)，記為IGSS，單位NA或PA；夾斷電壓：表示關(guān)斷行斷特性的參數(shù)，記為VP,，單位V。 6，" 國(guó)內(nèi)外相似型號(hào)"欄 本欄列出特性相似，可供代換的世界各國(guó)場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)，含國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般都可以代換相應(yīng)第一欄（"型號(hào)"欄）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些管子多數(shù)可直接代換，但有個(gè)別型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管因外形或管腳排列不同，不能直接代換使用，須加以注意。不過(guò)，這些場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)能數(shù)與被代換場(chǎng)效