chapter19電力電子技術(shù)

1、GSDBECGEC P1P2N1N2P1P2N1N2K GAPPNNNPAGKKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKG 在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè)在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè)三極管均飽和導(dǎo)通，此三極管均飽和導(dǎo)通，此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii G21i EA+_R T1T2EG_+G21iG2iGi2BiGc1GB2iiii 1BiG2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii G21i EA+_R T1T2G21iG2iGi2Bi1BiGc1GB2iiii 必須使可控硅陽極電流減小，直到必須使可控硅陽極電流減小，直到正反饋正反饋效效應(yīng)不能維持。應(yīng)

2、不能維持。 將陽極電源斷開或者在晶閘管的將陽極電源斷開或者在晶閘管的URRMUDRMIG2 IG1 IG0 UBRIFUBOIHOUIIG0=0IG1IG2正向平均電流正向平均電流曲曲線線)(UfI UDRM 晶閘管晶閘管控制極開路且正向阻斷情況下控制極開路且正向阻斷情況下, ,可以重復(fù)可以重復(fù)加在加在晶閘管晶閘管兩端的正向峰值電壓。兩端的正向峰值電壓。 一般一般UDRM 比正向轉(zhuǎn)折電壓比正向轉(zhuǎn)折電壓UBO低低100V 。URRM 晶閘管晶閘管控制極開路時(shí)控制極開路時(shí), ,可以重復(fù)加在可以重復(fù)加在晶閘管晶閘管兩端兩端的反向峰值電壓。的反向峰值電壓。 一般一般URRM 比反向轉(zhuǎn)折電壓比反向轉(zhuǎn)折電

3、壓| |UBO|低低100V 。 環(huán)境溫度為環(huán)境溫度為40C及及標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管處晶閘管處于于全導(dǎo)通時(shí)全導(dǎo)通時(shí)可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值。均值。)(sin21m0FIttdIIm IFt 2 i如果正弦半波電流的最大值為如果正弦半波電流的最大值為Im, 則則普通晶閘管普通晶閘管IF為為1A 1000A。額定電壓額定電壓, ,用百位或千位數(shù)表用百位或千位數(shù)表示示取取UFRM或或URRM較小者較小者額定正向平均電流額定正向平均電流( (IF)晶閘管晶閘管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示額定正向平均電流為額定正向平均電流為5

4、A,額定電壓為額定電壓為700V。(b) 符號(hào)符號(hào)TA2GA1(1) 。uuu T,0O。0,TO uuu+T tguO t1 2 。uuu T , 0O:1t 。0T,O uuu tuO晶晶閘閘管管不不導(dǎo)導(dǎo)通通。,00g1 ut t 。uuu T,0O tguO tOuO 控制角控制角 t1 tuO t22 tTuO導(dǎo)通角導(dǎo)通角 d21OtuU )d(sin221ttU 2cos145. 0LLOO RURUI2cos145. 0 U O+TLeL tguO tOuO t1 tuO t22 tTuO O+LTD+ tguOiL tOu tuO tTuO 2 aRLD2T1b+T1T2RLuO

5、D1D2+bRLD1T2a+T1T2RLuOD1D2+ tguO tOu tuO tTuO2 d1OtuU )d(sin21ttUU 2cos19 . 0LO RURUI2cos19 . 0 U兩種常用可控整流電路兩種常用可控整流電路電路電路特點(diǎn)特點(diǎn)1. 該電路只用一只晶閘管，且其上無反該電路只用一只晶閘管，且其上無反 向電壓。向電壓。2. 晶閘管和負(fù)載上的電流相同。晶閘管和負(fù)載上的電流相同。(1)uTD2D4uORL+-+-電路電路特點(diǎn)特點(diǎn) 1. 電路接入電感性負(fù)載時(shí)，二極管電路接入電感性負(fù)載時(shí)，二極管D1、D2起起 續(xù)流作用。續(xù)流作用。2. 由于由于T1的陽極和的陽極和T2的陰極相連，兩管

6、控制的陰極相連，兩管控制 極必須加獨(dú)立的觸發(fā)信號(hào)。極必須加獨(dú)立的觸發(fā)信號(hào)。(2)T1T2D1D2uuORL+-+- ，一旦發(fā)生過電，一旦發(fā)生過電流時(shí)，溫度急劇上升，可能將流時(shí)，溫度急劇上升，可能將PN結(jié)燒壞，造成元件結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部斷爐或開路。例如一只內(nèi)部斷爐或開路。例如一只100A的的晶閘管晶閘管過電流為過電流為400A時(shí)，僅允許持續(xù)時(shí)，僅允許持續(xù)0.02秒，否則將因過熱而損壞；秒，否則將因過熱而損壞； 電壓超過其反向擊電壓超過其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。若正向電穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，則晶

7、閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。流較大，使器件受損。與晶閘與晶閘管串聯(lián)管串聯(lián)接在接在輸入輸入端端接在接在輸出輸出端端 硒碓保護(hù)硒碓保護(hù)(硒整流片硒整流片)RCRC晶閘管元件晶閘管元件的阻容保護(hù)的阻容保護(hù)NPPN結(jié)結(jié)N型硅片型硅片BBUURRR2B1B1BA BBU 分壓比分壓比( (0.5 0.9) )UBB+_+_RP+_+_RE+_RB1RB2AUBB+_RP+_RE(3) 維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小 電壓、電流。電壓、電流。 單結(jié)管由截止變導(dǎo)通單結(jié)管由截止變導(dǎo)通 所需發(fā)射極電壓所需發(fā)射極電壓。IpIVV截止區(qū)截止區(qū)P (3) 不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓谷點(diǎn)電流谷點(diǎn)電流 都不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在都不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在2 5V之間。之間。常選用常選用 稍大一些，稍大一些， 稍小的單結(jié)晶體管，以增稍小的單結(jié)晶體管，以增大輸出脈沖幅度和移相范圍。大輸出脈沖幅度和移相范圍。UVugg。uVRLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+C+RU2MU2MuOuuRu2+uO+uZUZUP-UDR1R2RPCCRuZuLuguCuVUpRLT1D1D2T2 uL LR1AVR2R4R3RPDDZC+_T1。 R1AVR2R4R3