新余學(xué)院論文書寫格式

1、新余學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）書寫格式一、頁(yè)面設(shè)置：上2.54cm,卜 2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,頁(yè)眉設(shè)置為：居中，頁(yè)眉z卜劃一條線，用5號(hào)字宋體，頁(yè)眉用論文的名字；頁(yè)腳設(shè)置為：插入頁(yè)碼，頁(yè)碼為 阿拉伯?dāng)?shù)字，居中，5號(hào)字宋體。二、目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號(hào)宋體。三、摘要1. 中文摘要：標(biāo)題小二號(hào)宋體加粗，“摘要”兩字四號(hào)宋體，摘要內(nèi)容小四號(hào)宋體, “關(guān)鍵詞”三字小四號(hào)宋體加粗，2英文摘要：標(biāo)題小二號(hào)times new roman體加粗,a abstractn四號(hào)times new roman 體；"abstract"內(nèi)容小四號(hào) times

2、 new roman 體，“keyword” 小四號(hào) times new roman 體加粗。四、正文：標(biāo)題四號(hào)宋體，正文內(nèi)容小四號(hào)宋體，行間距1.5倍,。五、圖表：圖表內(nèi)容五號(hào)宋體。六、參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)用四號(hào)宋體，參考文獻(xiàn)內(nèi)容小四號(hào)宋體，其中英文用小四號(hào) times new roman 體。七、致謝：致謝兩字四號(hào)宋體，致謝內(nèi)容小四號(hào)宋體。八、打印要求：論文封皮封底用淺色皮紋紙打印，論文正文（設(shè)計(jì)說(shuō)明書）應(yīng)使用a4 紙單面打印。九、畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的裝訂、歸檔（1）畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的裝訂順序?yàn)椋悍饷?；（?qǐng)到教務(wù)處網(wǎng)站下載學(xué)校統(tǒng)一封面） 中文題目、摘要、關(guān)健詞；英文題廿、摘要、關(guān)健詞；目錄；正

3、文； 參考文獻(xiàn)；致謝。畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的資料歸檔內(nèi)容為：已裝訂成冊(cè)的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）文本；畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）過程管理手冊(cè)；學(xué)生參加生產(chǎn)實(shí)習(xí)的f1記，實(shí)習(xí)技術(shù)報(bào)告, 實(shí)習(xí)單位的鑒定、評(píng)價(jià)意見等材料；學(xué)生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）收集的相關(guān)材料、 以及設(shè)計(jì)類作品或光盤、電路板、圖紙、實(shí)物可一并裝入畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的資 料袋中；畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的資料袋由教務(wù)處統(tǒng)一發(fā)放。（資料袋封面請(qǐng)到教務(wù)處 網(wǎng)站卜載并填入相應(yīng)數(shù)字然后貼在資料袋上）。具體書寫式樣如下:二級(jí)標(biāo)題小四號(hào) 宋體，居左，首 行縮進(jìn)1個(gè)字 符。abstract 第一章gan基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展(多數(shù)文章為“緒論1iii族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用/

4、1丄1 iii族氮化物材料及其器件的進(jìn)展1.2 iii族氮化物材料及其器件的進(jìn)展1. 2 iii族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)1. 3摻雜和雜質(zhì)特性1. 4氮化物材料的制備1. 5氮化物器件1. 7本論文工作的內(nèi)容與安排 第二章 氮化物mocvd生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝 2. 2本論文氮化物生t所用的mocvd設(shè)備 結(jié)論參考文獻(xiàn)(references)標(biāo)四首進(jìn)字12 63 3 32 3 9 411128 o3 511致謝2、摘要式樣(1)中文摘要式樣iii- v族氮化物及其高亮度藍(lán)光小二號(hào)宋體加粗led外延片的mocvd生長(zhǎng)和性質(zhì)研究寬禁帶iiiv族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長(zhǎng)高亮度發(fā)光器件、短波長(zhǎng)激光器、光

5、探 測(cè)器以及高頻和大功率電了器件等方面有著廣泛的應(yīng)用而景。0 1994年日本日亞化學(xué) 工業(yè)公司率先在國(guó)際上突破了 gon基藍(lán)光led外延材料生長(zhǎng)技術(shù)以來(lái)，美、f1等國(guó)十余 家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)gan基led。盡 管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處丁高度保密狀態(tài)，材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開， 還無(wú)法從參考文獻(xiàn)及專利公報(bào)中獲取最重耍的材料生長(zhǎng)信息。本論文就是在這種情況下 立題的，旨在研究gan基材料生長(zhǎng)中的物理及化學(xué)問題，為生長(zhǎng)可商品化的高亮度gan 基led外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓m0cvd和英國(guó)進(jìn)口 m0cvd系統(tǒng)上對(duì)iii- v族氮化物的生

6、長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行 了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)的藍(lán)光led 外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國(guó)際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研 究結(jié)杲：1.首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單晶膜的 思想，并在gan外延生 上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了 gan外延膜的結(jié)晶 性能，使gan基藍(lán)光led器件整體性能大幅度提高，大大降低了 gan基藍(lán)光led的反向 漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸岀功率。本文得到了國(guó)家863計(jì)劃、國(guó)家h然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究 中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞：氮化物;mocvd；小四號(hào)宋體

7、加粗led；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices- study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconduct o 匸more than ten companies in america and japan reported to have developed the nitr

8、ides growth technology since nichia company in japan first realized the commercialization of gan based blue led in 1994.in this thesis,gan and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) and thomas swan 6 x t" mocvd systems- high brig

9、ht blue led wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. some encouraging results are following as:l we present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. this idea was realized

10、 in nitrides growth in this thesis. the epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using gan low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. the rbs/channeling spectra exhibited that the minimum yield x min of gan layers was just on

11、ly 1.5%. the leak electric current of gan based led was obviously decreased and lower than 1 u a at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology this work was supported by 863 program in china.keyword: nitrides； mocvd； led； photoluminescence； rbs/channeling； optical absorption小四times n

12、ew roman體加粗，分號(hào)分隔各關(guān)鍵詞在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬(wàn)種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。以gaas為代表的第 二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子器件的基礎(chǔ)。iii v族氮化物 半導(dǎo)體材料及器件研究丿力時(shí)30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于iii 族氮化物特冇的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在 短波長(zhǎng)光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率 和高密

13、度集成的電子器件。iiiv族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國(guó)內(nèi)外眾多研究者的興 趣。1. 2 iii族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 表標(biāo)題5號(hào)宋體居中，加粗， 序號(hào)同各章節(jié)，放置表格上方, 同一表格須放置于同一頁(yè)內(nèi)，4、圖表式樣表格內(nèi)容5號(hào)宋體（1）農(nóng)式樣厶表11用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、eg。、臥和樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù) deg/dt(ev/k)t=3()0kego(ev)ac (ev/k)t（）（k）參考文獻(xiàn)gan/al2o3光致發(fā)光5.32x10“3.5035.08xw4-99661gan/al2o3光致發(fā)光3.4897.32x10°70059gan/al2o3光致發(fā)光40x1

14、o'4-7.2x1 o'460062gan/al2o3光吸收-4.5xl04-3.471-9.3x10-477263(2)圖式樣加熱電阻口一一f 氣流測(cè)溫元件測(cè)溫元件圖1-1熱風(fēng)速計(jì)原理頻率設(shè)置a波形數(shù)據(jù)設(shè)置參考文獻(xiàn)參考文獻(xiàn)正文中文用宋體小四字，英 文用times new roman字體，居左頂 格,序號(hào)用阿拉伯?dāng)?shù)字加中括號(hào)1 well. multiple-modulator fraction-n dividerp. us patent, 5038117. 1986-02-022 brian miller. a multiple modulator fractionl dividerj . ieee transaction on instrumentation and measurement, 1991，40（2）： 578-583.萬(wàn)心平，張厥盛.集成鎖相環(huán)路原理、特性、應(yīng)用m.北京：人民郵電出版社, 1990. 302-307.4 miler. frequency synthesizersp. us patent, 4609881. 1991-08-06.5 candy j c. a use of double-integretion in sigma-delta modulationj. ieee trans commun, 19