薄膜材料ppt課件

1、整理課件1第一章第一章 緒緒 論論1.1 1.1 薄膜的定義及特性薄膜的定義及特性1.2 1.2 薄膜材料研究現(xiàn)狀薄膜材料研究現(xiàn)狀整理課件21.1 1.1 薄膜的定義及特性薄膜的定義及特性u(píng)薄膜的歷史，要追溯到一千多年以前。薄膜的歷史，要追溯到一千多年以前。u近近30年來，真正作為一門新型的年來，真正作為一門新型的薄膜科薄膜科學(xué)與技術(shù)學(xué)與技術(shù)。u目前，薄膜材料已是材料學(xué)領(lǐng)域中的一目前，薄膜材料已是材料學(xué)領(lǐng)域中的一個(gè)重要分支，它涉及物理、化學(xué)、電子個(gè)重要分支，它涉及物理、化學(xué)、電子學(xué)、冶金學(xué)等學(xué)科，在國防、通訊、航學(xué)、冶金學(xué)等學(xué)科，在國防、通訊、航空、航天、電子工業(yè)、光學(xué)工業(yè)等方面空、航天、電子

2、工業(yè)、光學(xué)工業(yè)等方面有著特殊的應(yīng)用，逐步形成了一門獨(dú)特有著特殊的應(yīng)用，逐步形成了一門獨(dú)特的學(xué)科的學(xué)科“薄膜學(xué)薄膜學(xué)”。整理課件3u薄膜材料的薄膜材料的合成合成：可用各種單質(zhì)元素及：可用各種單質(zhì)元素及無機(jī)化合物或有機(jī)材料來制作膜，也可無機(jī)化合物或有機(jī)材料來制作膜，也可用固體、液體或氣體物質(zhì)來合成薄膜。用固體、液體或氣體物質(zhì)來合成薄膜。u薄膜不同于通常的氣態(tài)、液態(tài)、固態(tài)和薄膜不同于通常的氣態(tài)、液態(tài)、固態(tài)和等離子態(tài)的一種等離子態(tài)的一種新的凝聚態(tài)物質(zhì)新的凝聚態(tài)物質(zhì)，可為，可為氣相、液相和固相或是它們的組合。氣相、液相和固相或是它們的組合。u薄膜與塊體一樣，可以是單晶、多晶、薄膜與塊體一樣，可以是單晶、

3、多晶、微晶、納米晶、多層膜、超晶格膜等。微晶、納米晶、多層膜、超晶格膜等。u也可以是均相的或非均相的，對(duì)稱的或也可以是均相的或非均相的，對(duì)稱的或非對(duì)稱的，中性的或荷電的。非對(duì)稱的，中性的或荷電的。整理課件4本科程的研究對(duì)象本科程的研究對(duì)象n在固體表面（基片或襯底）上在固體表面（基片或襯底）上鍍一層與基材不同的薄膜材料。鍍一層與基材不同的薄膜材料。n利用固體本身生成與基體不同利用固體本身生成與基體不同的材料。的材料。n基片上的固態(tài)薄膜基片上的固態(tài)薄膜整理課件5薄膜（薄膜（thin film）u薄膜這個(gè)詞是隨著科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展而自然薄膜這個(gè)詞是隨著科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展而自然出現(xiàn)的，有時(shí)與類似的詞匯出現(xiàn)

4、的，有時(shí)與類似的詞匯“涂層涂層”（coating）、）、“層層”（layer）、）、“箔箔”（foil）等有相同的意義，但有時(shí)又有些差）等有相同的意義，但有時(shí)又有些差別。別。u薄膜是指尺度在某個(gè)一維方向遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他薄膜是指尺度在某個(gè)一維方向遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他二維方向，厚度可從納米級(jí)到微米級(jí)的材料。二維方向，厚度可從納米級(jí)到微米級(jí)的材料。u常常用厚度對(duì)薄膜加以描述。通常把膜層無常常用厚度對(duì)薄膜加以描述。通常把膜層無基片而能獨(dú)立成形的厚度作為薄膜厚度的一基片而能獨(dú)立成形的厚度作為薄膜厚度的一個(gè)大致的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定其厚度約在個(gè)大致的標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定其厚度約在1 m左右。左右。u有時(shí)把厚度為幾十微米的膜層也稱為薄膜。

5、有時(shí)把厚度為幾十微米的膜層也稱為薄膜。整理課件6u從表面科學(xué)的角度來說，從表面科學(xué)的角度來說，薄膜物理薄膜物理研究的范圍通研究的范圍通常是涉及材料表面幾個(gè)至幾十個(gè)原子層，在這個(gè)常是涉及材料表面幾個(gè)至幾十個(gè)原子層，在這個(gè)范圍內(nèi)的原子和電子結(jié)構(gòu)與塊體內(nèi)部有較大差別。范圍內(nèi)的原子和電子結(jié)構(gòu)與塊體內(nèi)部有較大差別。u薄膜的制備薄膜的制備，絕不是將塊體材料（如金屬）壓薄，絕不是將塊體材料（如金屬）壓薄而成的，而是通過特殊方法（物理氣相沉積而成的，而是通過特殊方法（物理氣相沉積PVD、化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積CVD）制備的。）制備的。u在真空在真空薄膜沉積過程薄膜沉積過程中，可以看成是原子量級(jí)的中，可以看成

6、是原子量級(jí)的鑄造工藝，它是將單個(gè)原子一個(gè)一個(gè)地凝結(jié)在襯鑄造工藝，它是將單個(gè)原子一個(gè)一個(gè)地凝結(jié)在襯底表面上（成核、生長(zhǎng)）形成薄膜。底表面上（成核、生長(zhǎng)）形成薄膜。u薄膜的原子結(jié)構(gòu)薄膜的原子結(jié)構(gòu)類似于它的塊狀形式，但也發(fā)生類似于它的塊狀形式，但也發(fā)生了很大變化，不僅存在多晶、表面、界面結(jié)構(gòu)缺了很大變化，不僅存在多晶、表面、界面結(jié)構(gòu)缺陷態(tài)及結(jié)構(gòu)的無序性，而且還有薄膜同襯底的粘陷態(tài)及結(jié)構(gòu)的無序性，而且還有薄膜同襯底的粘附性等問題。附性等問題。整理課件7幾個(gè)概念幾個(gè)概念n相：相：系統(tǒng)中具有同一凝聚狀態(tài)，同一晶體結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)中具有同一凝聚狀態(tài)，同一晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)并以界面相互隔開的均勻組成部分。性質(zhì)并以界面相

7、互隔開的均勻組成部分。n界面：界面：在一定溫度和壓力條件下，兩個(gè)不同相之在一定溫度和壓力條件下，兩個(gè)不同相之間的交界面。如固間的交界面。如固- -固、固固、固- -液、固液、固- -氣界面。氣界面。n表面：表面：固體材料與氣體或液體間的分界面，它具固體材料與氣體或液體間的分界面，它具有與固體內(nèi)部不同的獨(dú)特的物理和化學(xué)特性。有與固體內(nèi)部不同的獨(dú)特的物理和化學(xué)特性。n晶界：晶界：多晶材料中，成分、結(jié)構(gòu)相同而取向不同多晶材料中，成分、結(jié)構(gòu)相同而取向不同的晶粒之間的界面。的晶粒之間的界面。n相界：相界：固體材料中成分、結(jié)構(gòu)不同的兩相之間的固體材料中成分、結(jié)構(gòu)不同的兩相之間的界面。界面。整理課件8薄膜的

8、結(jié)構(gòu)特征薄膜的結(jié)構(gòu)特征n從基本理論上看，把塊狀固體理論的結(jié)論硬往從基本理論上看，把塊狀固體理論的結(jié)論硬往薄膜上套用，是不全面的。薄膜上套用，是不全面的。n薄膜結(jié)構(gòu)中的原子排列都存在一定的無序性和薄膜結(jié)構(gòu)中的原子排列都存在一定的無序性和一定的缺陷態(tài)。一定的缺陷態(tài)。n而塊狀固體理論是以原子周期排列為基本依據(jù)，而塊狀固體理論是以原子周期排列為基本依據(jù)，電子在晶體內(nèi)的運(yùn)動(dòng)服從電子在晶體內(nèi)的運(yùn)動(dòng)服從布洛赫定理布洛赫定理，電子遷，電子遷移率很大。移率很大。n但在薄膜材料中，由于無序性和薄膜缺陷態(tài)的但在薄膜材料中，由于無序性和薄膜缺陷態(tài)的存在，電子在晶體中將受到晶格原子的散射，存在，電子在晶體中將受到晶格原

9、子的散射，遷移率變?。ǔ糠纸鼏尉П∧ね猓?，將使薄遷移率變?。ǔ糠纸鼏尉П∧ね猓?，將使薄膜材料的電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)等性能受到很大影膜材料的電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)等性能受到很大影響。響。整理課件9能帶理論能帶理論 是單電子近似的理論是單電子近似的理論 把每個(gè)電子把每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)看成是獨(dú)立的在一個(gè)等效勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)。的運(yùn)動(dòng)看成是獨(dú)立的在一個(gè)等效勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)。能帶理論的出發(fā)點(diǎn)能帶理論的出發(fā)點(diǎn) 固體中的電子不再束縛于固體中的電子不再束縛于個(gè)別的原子，而是在整個(gè)固體內(nèi)運(yùn)動(dòng)個(gè)別的原子，而是在整個(gè)固體內(nèi)運(yùn)動(dòng) _ _ 共有化共有化電子。電子。共有化電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)共有化電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài) 假定原子實(shí)處在其平衡假定原子實(shí)處在

10、其平衡位置，把原子實(shí)偏離平衡位置的影響看成微擾。位置，把原子實(shí)偏離平衡位置的影響看成微擾。理想晶體理想晶體 晶格具有周期性，等效勢(shì)場(chǎng)晶格具有周期性，等效勢(shì)場(chǎng)V(r)V(r)具有具有周期性。周期性。布洛赫定理布洛赫定理能帶理論能帶理論整理課件10薄膜材料科學(xué)與技術(shù)研究?jī)?nèi)容薄膜材料科學(xué)與技術(shù)研究?jī)?nèi)容n材料的制備工藝（合成）技術(shù)：如何使某材料的制備工藝（合成）技術(shù)：如何使某一物質(zhì)（塊狀、液態(tài)等）能成為薄膜形狀？一物質(zhì)（塊狀、液態(tài)等）能成為薄膜形狀？n研究薄膜具有哪些新的特性（包括光、熱、研究薄膜具有哪些新的特性（包括光、熱、電、磁力等），研究這些特性的物理本質(zhì)。電、磁力等），研究這些特性的物理本質(zhì)。

11、n如何把這些薄膜材料應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，尤如何把這些薄膜材料應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，尤其是用于高新科技領(lǐng)域。其是用于高新科技領(lǐng)域。整理課件11薄膜材料分類薄膜材料分類（1 1）電學(xué)薄膜）電學(xué)薄膜n半導(dǎo)體器件與集成電路中使用的導(dǎo)電材料與介質(zhì)薄膜半導(dǎo)體器件與集成電路中使用的導(dǎo)電材料與介質(zhì)薄膜材料材料Al、Cr、Pt、Au、多晶硅、硅化物、多晶硅、硅化物、SiO2、Si3N4、Al2O3等的薄膜。等的薄膜。n超導(dǎo)薄膜：超導(dǎo)薄膜：YBaCuO系稀土元素氧化物超導(dǎo)薄膜，系稀土元素氧化物超導(dǎo)薄膜，BiSrCaCuO系和系和TlBaCuO(鉈鉈)系非稀土元素氧化物超系非稀土元素氧化物超導(dǎo)薄膜。導(dǎo)薄膜。n光電子器件中使用

12、的功能薄膜：光電子器件中使用的功能薄膜：GaAs/GaAlAs、HgTe/CdTe(碲碲)、a-Si:H、a-SiC:H、a-SiN:H、a-Si/a-SiC等一系列晶態(tài)與非晶態(tài)超晶格薄膜。等一系列晶態(tài)與非晶態(tài)超晶格薄膜。按薄膜的功能及其應(yīng)用領(lǐng)域按薄膜的功能及其應(yīng)用領(lǐng)域amorphous整理課件12n薄膜敏感元件與固態(tài)傳感器：薄膜敏感元件與固態(tài)傳感器：SnO2薄膜可燃性薄膜可燃性氣體傳感器、氣體傳感器、ZrO2薄膜氧敏傳感器、薄膜氧敏傳感器、Pt、Ni等等金屬薄膜與金屬薄膜與Co-Mn-Ni等氧化物薄膜及等氧化物薄膜及SiC薄膜薄膜的熱敏電阻和的熱敏電阻和Si3N4、Ta2O5 (鉭鉭)薄膜的

13、離子敏傳薄膜的離子敏傳感器等。感器等。n薄膜電阻、薄膜電容、薄膜阻容網(wǎng)絡(luò)與混合集薄膜電阻、薄膜電容、薄膜阻容網(wǎng)絡(luò)與混合集成電路：成電路：Ni-Cr系列低電阻率和系列低電阻率和Cr-SiO系列高系列高電阻率的金屬膜電阻，以滌綸薄膜或聚丙烯薄電阻率的金屬膜電阻，以滌綸薄膜或聚丙烯薄膜為基材（介質(zhì)），以鍍鋁膜或鍍鋅膜為電極膜為基材（介質(zhì)），以鍍鋁膜或鍍鋅膜為電極制造的薄膜電容等。制造的薄膜電容等。n薄膜太陽能電池：非晶硅、薄膜太陽能電池：非晶硅、CuInSe2和和CdSe薄薄膜太陽電池。膜太陽電池。整理課件13n平板顯示器件：液晶顯示、等離子體顯示和平板顯示器件：液晶顯示、等離子體顯示和電致發(fā)光顯示

14、三大類平板顯示器件所用的透電致發(fā)光顯示三大類平板顯示器件所用的透明導(dǎo)電電極（氧化銦錫薄膜）。明導(dǎo)電電極（氧化銦錫薄膜）。n用用ZnO、Ta2O5、AlN等薄膜制成的聲表面波等薄膜制成的聲表面波濾波器。濾波器。n磁記錄薄膜與薄膜磁頭：用于計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)儲(chǔ)磁記錄薄膜與薄膜磁頭：用于計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的存的CoCrTa、CoCrNi等的薄膜軟盤和硬盤，等的薄膜軟盤和硬盤，用于垂直磁記錄中用于垂直磁記錄中FeSiAl薄膜磁頭等。薄膜磁頭等。n靜電復(fù)印鼓用的靜電復(fù)印鼓用的Se-Te、SeTeAs合金膜及非晶合金膜及非晶硅薄膜。硅薄膜。整理課件14（2 2）光學(xué)薄膜）光學(xué)薄膜n減反射膜：?jiǎn)螌訙p反射膜：?jiǎn)螌覯gF2

15、薄膜和雙層或多層薄膜和雙層或多層SiO2、ZrO2、Al2O3、TiO2等薄膜組成的寬帶減反射等薄膜組成的寬帶減反射膜（照相機(jī)、幻燈機(jī)、投影儀等），膜（照相機(jī)、幻燈機(jī)、投影儀等），ZnS、CeO2、SiO、Y2O3等紅外減反射膜（夜視儀、等紅外減反射膜（夜視儀、紅外設(shè)備）。紅外設(shè)備）。n反射膜：鍍鋁膜（用于民用鏡和太陽灶中拋反射膜：鍍鋁膜（用于民用鏡和太陽灶中拋物面太陽能接收器），用于大型天文儀器和物面太陽能接收器），用于大型天文儀器和精密儀器中的鍍膜反射鏡。精密儀器中的鍍膜反射鏡。n分光鏡和濾光片：彩色擴(kuò)印與放大設(shè)備中所分光鏡和濾光片：彩色擴(kuò)印與放大設(shè)備中所用紅、綠、藍(lán)三原色濾光片上鍍的多層

16、膜。用紅、綠、藍(lán)三原色濾光片上鍍的多層膜。整理課件15n照明光源中所用的反熱鏡與冷光鏡薄膜。照明光源中所用的反熱鏡與冷光鏡薄膜。n建筑物、汽車等交通工具所用的鍍膜玻建筑物、汽車等交通工具所用的鍍膜玻璃：熱帶地區(qū)的太陽能控制膜（璃：熱帶地區(qū)的太陽能控制膜（Cr、Ti、不銹鋼、不銹鋼、Ag等）和用于寒帶地區(qū)的低輻等）和用于寒帶地區(qū)的低輻射率薄膜（射率薄膜（TiO2-Ag-TiO2）。）。n激光唱片與光盤中的光存儲(chǔ)薄膜：激光唱片與光盤中的光存儲(chǔ)薄膜：Te81Ge15S2Sb2(銻銻)硫系半導(dǎo)體化合物薄硫系半導(dǎo)體化合物薄膜、膜、TbFeCo(鋱鋱) 非晶膜。非晶膜。整理課件16（3 3）硬質(zhì)膜、耐蝕膜

17、、潤(rùn)滑膜）硬質(zhì)膜、耐蝕膜、潤(rùn)滑膜n硬質(zhì)膜：用于工具、模具、量具、刀具表面的硬質(zhì)膜：用于工具、模具、量具、刀具表面的TiN、TiC、TiB2、（、（Ti，Al）N、Ti（C，N）等硬質(zhì)膜，以及金剛石薄膜、等硬質(zhì)膜，以及金剛石薄膜、C3N4、BN薄膜。薄膜。n耐蝕膜：用于化工容器表面耐化學(xué)腐蝕的非晶耐蝕膜：用于化工容器表面耐化學(xué)腐蝕的非晶鎳膜和非晶與微晶不銹鋼膜，用于渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)鎳膜和非晶與微晶不銹鋼膜，用于渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)葉片表面抗熱腐蝕的葉片表面抗熱腐蝕的NiCrAlY膜。膜。n潤(rùn)滑膜：使用于真空、高溫、低溫、輻射等特潤(rùn)滑膜：使用于真空、高溫、低溫、輻射等特殊場(chǎng)合的殊場(chǎng)合的MoS2、MoS2-Au、M

18、oS2-Ni等固體潤(rùn)等固體潤(rùn)滑膜和滑膜和Au、Ag、Pb等軟金屬膜。等軟金屬膜。整理課件17（4 4）有機(jī)分子薄膜）有機(jī)分子薄膜n定義：定義：Langmuir-Blodgett膜，簡(jiǎn)稱膜，簡(jiǎn)稱LB膜。是有機(jī)物，如羧酸及其鹽、膜。是有機(jī)物，如羧酸及其鹽、脂肪酸烷基族和染料、蛋白質(zhì)等構(gòu)成脂肪酸烷基族和染料、蛋白質(zhì)等構(gòu)成的分子薄膜，厚度可以是一個(gè)分子層的分子薄膜，厚度可以是一個(gè)分子層的單分子膜，也可以是多個(gè)分子層疊的單分子膜，也可以是多個(gè)分子層疊加的多層分子膜。加的多層分子膜。n多層分子膜可以是同一材料組成的，多層分子膜可以是同一材料組成的，也可以是多種材料的調(diào)制分子膜，或也可以是多種材料的調(diào)制分子

19、膜，或稱超分子結(jié)構(gòu)薄膜。稱超分子結(jié)構(gòu)薄膜。整理課件18（5 5）裝飾膜）裝飾膜n用于燈具、玩具及汽車等交通運(yùn)輸工用于燈具、玩具及汽車等交通運(yùn)輸工具、家電、鐘表、工藝美術(shù)品、具、家電、鐘表、工藝美術(shù)品、“金金”線、線、“銀銀”線、日用小商品等的鋁膜、線、日用小商品等的鋁膜、黃銅膜、不銹鋼膜和仿金黃銅膜、不銹鋼膜和仿金TiN膜與黑膜與黑色色TiC膜。膜。整理課件19（6 6）包裝膜）包裝膜n用于香煙包裝的鍍鋁紙用于香煙包裝的鍍鋁紙n用于食品、糖果、茶葉、咖啡、藥品、用于食品、糖果、茶葉、咖啡、藥品、化妝品等包裝的鍍鋁滌綸薄膜化妝品等包裝的鍍鋁滌綸薄膜n用于取代電鍍或熱涂用于取代電鍍或熱涂Sn鋼帶的

20、真空鍍鋼帶的真空鍍鋁鋼帶等鋁鋼帶等整理課件20n薄膜材料的厚度很薄，很容易產(chǎn)生薄膜材料的厚度很薄，很容易產(chǎn)生尺寸效應(yīng)尺寸效應(yīng)，因此薄膜材料的物性會(huì)受到薄膜厚度的影響。因此薄膜材料的物性會(huì)受到薄膜厚度的影響。n薄膜材料的表面積同體積之比很大，所以薄膜材料的表面積同體積之比很大，所以表面表面效應(yīng)效應(yīng)很顯著，表面能、表面態(tài)、表面散射和表很顯著，表面能、表面態(tài)、表面散射和表面干涉對(duì)它的物性影響很大。面干涉對(duì)它的物性影響很大。n在薄膜材料中還包含有大量的在薄膜材料中還包含有大量的表面晶粒間界和表面晶粒間界和缺陷態(tài)缺陷態(tài)，對(duì)電子輸運(yùn)性能影響較大。，對(duì)電子輸運(yùn)性能影響較大。n薄膜與基片之間的薄膜與基片之間的

21、粘附性和附著力粘附性和附著力，以及，以及內(nèi)應(yīng)內(nèi)應(yīng)力力問題。問題。薄膜材料的特殊性薄膜材料的特殊性整理課件21（1 1）表面能級(jí)很大）表面能級(jí)很大n由于薄膜表面積與體積之比很大，致使薄膜材由于薄膜表面積與體積之比很大，致使薄膜材料的表面效應(yīng)十分突出。料的表面效應(yīng)十分突出。n表面能級(jí)：在固體的表面，原子周期排列的連表面能級(jí)：在固體的表面，原子周期排列的連續(xù)性發(fā)生中斷。在這種情況下，電子波函數(shù)的續(xù)性發(fā)生中斷。在這種情況下，電子波函數(shù)的周期性當(dāng)然也受到影響，把表面考慮在內(nèi)的電周期性當(dāng)然也受到影響，把表面考慮在內(nèi)的電子波函數(shù)已由塔姆（子波函數(shù)已由塔姆（Tamm）在）在1932年進(jìn)行了年進(jìn)行了計(jì)算，得到了

22、電子表面能級(jí)或稱塔姆能級(jí)。計(jì)算，得到了電子表面能級(jí)或稱塔姆能級(jí)。n一般情況下，這些能級(jí)位于該物質(zhì)體內(nèi)能帶結(jié)一般情況下，這些能級(jí)位于該物質(zhì)體內(nèi)能帶結(jié)構(gòu)的禁帶之中，因此處于束縛狀態(tài)。構(gòu)的禁帶之中，因此處于束縛狀態(tài)。n表面態(tài)的數(shù)目和表面原子的數(shù)目具有同一數(shù)量表面態(tài)的數(shù)目和表面原子的數(shù)目具有同一數(shù)量級(jí)，如級(jí)，如Si原子面密度約為原子面密度約為1015/cm2數(shù)量級(jí)，實(shí)驗(yàn)數(shù)量級(jí)，實(shí)驗(yàn)值為值為1014 1015/cm2左右。左右。整理課件22（2 2）薄膜和基片的粘附性）薄膜和基片的粘附性n薄膜是在基片之上生成的，基片和薄膜之薄膜是在基片之上生成的，基片和薄膜之間就會(huì)存在一定的相互作用，這種相互作間就會(huì)存

23、在一定的相互作用，這種相互作用的表現(xiàn)形式是用的表現(xiàn)形式是附著附著（adhesion）。）。n薄膜的一個(gè)面附著在基片上并受到約束作薄膜的一個(gè)面附著在基片上并受到約束作用，因此薄膜內(nèi)容易產(chǎn)生用，因此薄膜內(nèi)容易產(chǎn)生應(yīng)變應(yīng)變。n若考慮與薄膜膜面垂直的任一斷面，斷面若考慮與薄膜膜面垂直的任一斷面，斷面兩側(cè)就會(huì)產(chǎn)生相互作用力，稱為兩側(cè)就會(huì)產(chǎn)生相互作用力，稱為內(nèi)應(yīng)力內(nèi)應(yīng)力。整理課件23附著力附著力n附著現(xiàn)象：附著現(xiàn)象：相互接觸的兩種不同物質(zhì)間相互接觸的兩種不同物質(zhì)間的邊界和界面。的邊界和界面。n附著能：附著能：基片和薄膜屬于不同種物質(zhì)，基片和薄膜屬于不同種物質(zhì)，兩者之間的相互作用能就是附著能，可兩者之間的相

24、互作用能就是附著能，可以看成是界面能的一種。以看成是界面能的一種。n附著力：附著力：附著能對(duì)基片附著能對(duì)基片- -薄膜間的距離微薄膜間的距離微分，微分最大值就是附著力。分，微分最大值就是附著力。整理課件24范德華力范德華力n是永久偶極子、感應(yīng)偶極子之間的作用力以及其是永久偶極子、感應(yīng)偶極子之間的作用力以及其他色散力的總稱。他色散力的總稱。n用范德華力成功地解釋了許多附著現(xiàn)象。用范德華力成功地解釋了許多附著現(xiàn)象。n設(shè)兩個(gè)分子間的相互作用能為設(shè)兩個(gè)分子間的相互作用能為U，BABABAIIIIraaU623r為分子間距離；為分子間距離；a為分子的極化率；為分子的極化率；I為分子的離化能；為分子的離化

25、能；下標(biāo)下標(biāo)A、B分別表示分別表示A分子和分子和B分子。分子。整理課件25靜電力靜電力n設(shè)薄膜、基片都是導(dǎo)體，而且兩者的費(fèi)米設(shè)薄膜、基片都是導(dǎo)體，而且兩者的費(fèi)米能級(jí)不同，由于薄膜的形成，從一方到另能級(jí)不同，由于薄膜的形成，從一方到另一方會(huì)發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，在界面上會(huì)形成帶一方會(huì)發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，在界面上會(huì)形成帶電的雙層。此時(shí)，薄膜和基片之間相互作電的雙層。此時(shí)，薄膜和基片之間相互作用的靜電力用的靜電力F：022F 為界面上出現(xiàn)的電荷密度；為界面上出現(xiàn)的電荷密度； 0為真空中的介電常為真空中的介電常數(shù)。數(shù)。要充分考慮這要充分考慮這種力對(duì)附著的種力對(duì)附著的貢獻(xiàn)。貢獻(xiàn)。整理課件26 相互擴(kuò)散相互擴(kuò)散n與附著

26、相關(guān)的因素還應(yīng)考慮相互擴(kuò)散。這與附著相關(guān)的因素還應(yīng)考慮相互擴(kuò)散。這種擴(kuò)散在薄膜、基片的兩種原子間相互作種擴(kuò)散在薄膜、基片的兩種原子間相互作用大的情況下發(fā)生。用大的情況下發(fā)生。n由于兩種原子的混合或化合，造成界面消由于兩種原子的混合或化合，造成界面消失，附著能變成混合物或化合物的凝聚能。失，附著能變成混合物或化合物的凝聚能。n凝聚能要比附著能大。凝聚能要比附著能大。整理課件27 錨連作用錨連作用n基片的表面并非完全平整，從微觀尺度基片的表面并非完全平整，從微觀尺度講，當(dāng)基片為粗糙狀態(tài)時(shí)，薄膜的原子講，當(dāng)基片為粗糙狀態(tài)時(shí)，薄膜的原子會(huì)進(jìn)入基片中，像打入一個(gè)釘子一樣使會(huì)進(jìn)入基片中，像打入一個(gè)釘子一樣

27、使薄膜附在基片上，可以產(chǎn)生錨連作用。薄膜附在基片上，可以產(chǎn)生錨連作用。 整理課件28研究結(jié)果表明：研究結(jié)果表明：n在金屬薄膜在金屬薄膜- -玻璃基片系統(tǒng)中，玻璃基片系統(tǒng)中，Au薄膜薄膜的附著力最弱。的附著力最弱。n易氧化元素的薄膜，通常附著力較大。易氧化元素的薄膜，通常附著力較大。n在很多情況下，對(duì)薄膜加熱（沉積過程在很多情況下，對(duì)薄膜加熱（沉積過程中、沉積完成之后），會(huì)使附著力以及中、沉積完成之后），會(huì)使附著力以及附著能增加。附著能增加。n基片經(jīng)離子照射會(huì)使附著力增加?；?jīng)離子照射會(huì)使附著力增加。整理課件29n從宏觀角度研究附著問題，則和浸潤(rùn)問題從宏觀角度研究附著問題，則和浸潤(rùn)問題相等同。

28、相等同。n從熱力學(xué)角度看屬于表面能或界面能的問從熱力學(xué)角度看屬于表面能或界面能的問題。題。n分析薄膜在基片上是否能很好地附著，可分析薄膜在基片上是否能很好地附著，可以看二者能否很好的相互浸潤(rùn)。以看二者能否很好的相互浸潤(rùn)。n由于薄膜附著的結(jié)果，系統(tǒng)的表面能應(yīng)該由于薄膜附著的結(jié)果，系統(tǒng)的表面能應(yīng)該降低。降低。浸浸 潤(rùn)潤(rùn)整理課件30n表面能：建立一個(gè)新的表面所需要的能量。表面能：建立一個(gè)新的表面所需要的能量。n金屬是高表面能材料，而氧化物是低表面金屬是高表面能材料，而氧化物是低表面能材料。能材料。n表面能的相對(duì)大小決定一種材料是否和另表面能的相對(duì)大小決定一種材料是否和另一種材料相對(duì)浸潤(rùn)并形成均勻的粘

29、附層。一種材料相對(duì)浸潤(rùn)并形成均勻的粘附層。n具有非常低表面能的材料容易和具有較高具有非常低表面能的材料容易和具有較高表面能的材料相浸潤(rùn)。反之，如果沉積材表面能的材料相浸潤(rùn)。反之，如果沉積材料具有高表面能，則它容易在具有較低表料具有高表面能，則它容易在具有較低表面能襯底上形成原子團(tuán)（面能襯底上形成原子團(tuán)（“起球起球”）。）。整理課件31增加附著力的幾種方法：增加附著力的幾種方法：n增加基片活性。用洗滌劑清洗基片，利增加基片活性。用洗滌劑清洗基片，利用腐蝕液（用腐蝕液（HF）等進(jìn)行刻蝕及離子轟擊，）等進(jìn)行刻蝕及離子轟擊，機(jī)械研磨。機(jī)械研磨。n加熱會(huì)使相互擴(kuò)散增強(qiáng)。加熱會(huì)使相互擴(kuò)散增強(qiáng)。n氧化物具有

30、特殊的作用。通過沉積過渡氧化物具有特殊的作用。通過沉積過渡層的方法（層的方法（SiO、SiO2等），增加金屬與等），增加金屬與基片的附著力。基片的附著力。整理課件32n幾乎對(duì)所有物質(zhì)的薄膜，基片都會(huì)發(fā)生彎幾乎對(duì)所有物質(zhì)的薄膜，基片都會(huì)發(fā)生彎曲，原因是薄膜中有內(nèi)應(yīng)力存在。曲，原因是薄膜中有內(nèi)應(yīng)力存在。（3 3）內(nèi)應(yīng)力）內(nèi)應(yīng)力彎曲的兩種類型彎曲的兩種類型拉應(yīng)力拉應(yīng)力：使薄膜成為彎曲面的：使薄膜成為彎曲面的內(nèi)側(cè)，薄膜的某些部分與其他部分內(nèi)側(cè)，薄膜的某些部分與其他部分之間處于拉伸狀態(tài)。之間處于拉伸狀態(tài)。壓應(yīng)力壓應(yīng)力：使薄膜成為彎曲面的：使薄膜成為彎曲面的外側(cè)，薄膜的某些部分與其他外側(cè)，薄膜的某些部分與

31、其他部分之間處于壓縮狀態(tài)。部分之間處于壓縮狀態(tài)。整理課件33拉應(yīng)力或壓應(yīng)力造成薄膜從襯底表面脫落的情況拉應(yīng)力或壓應(yīng)力造成薄膜從襯底表面脫落的情況aa拉應(yīng)力作用；拉應(yīng)力作用；bb壓應(yīng)力作用壓應(yīng)力作用整理課件34內(nèi)應(yīng)力的兩種類型內(nèi)應(yīng)力的兩種類型固有應(yīng)力固有應(yīng)力：本征應(yīng)力，來自于本征應(yīng)力，來自于薄膜中的缺陷，如位錯(cuò)。薄膜中的缺陷，如位錯(cuò)。非固有應(yīng)力非固有應(yīng)力：來自薄膜對(duì)來自薄膜對(duì)襯底的附著力。襯底的附著力。由于薄膜和襯底間不同的熱膨脹系數(shù)和晶格失配由于薄膜和襯底間不同的熱膨脹系數(shù)和晶格失配能夠把應(yīng)力引進(jìn)薄膜。能夠把應(yīng)力引進(jìn)薄膜。由于金屬薄膜與襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)時(shí)，在薄膜和由于金屬薄膜與襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)

32、時(shí)，在薄膜和襯底之間形成的金屬化合物同薄膜緊密結(jié)合，但有襯底之間形成的金屬化合物同薄膜緊密結(jié)合，但有輕微的晶格失配也能把應(yīng)力引進(jìn)薄膜。輕微的晶格失配也能把應(yīng)力引進(jìn)薄膜。整理課件35實(shí)例：內(nèi)應(yīng)力的大小實(shí)例：內(nèi)應(yīng)力的大小n對(duì)超硬寬帶隙薄膜：金剛石薄膜、對(duì)超硬寬帶隙薄膜：金剛石薄膜、BN膜和膜和C3N4膜，膜，內(nèi)應(yīng)力很大，在制備過程中容易發(fā)生薄膜的龜裂內(nèi)應(yīng)力很大，在制備過程中容易發(fā)生薄膜的龜裂或卷皮現(xiàn)象?；蚓砥がF(xiàn)象。n當(dāng)薄膜的膜厚很小時(shí)，應(yīng)力值的情況很復(fù)雜；膜當(dāng)薄膜的膜厚很小時(shí)，應(yīng)力值的情況很復(fù)雜；膜厚超過厚超過100nm時(shí)，通常情況下應(yīng)力取確定的值。時(shí)，通常情況下應(yīng)力取確定的值。n拉應(yīng)力用正數(shù)表示

33、，壓應(yīng)力用負(fù)數(shù)表示，則金屬拉應(yīng)力用正數(shù)表示，壓應(yīng)力用負(fù)數(shù)表示，則金屬薄膜中的應(yīng)力值薄膜中的應(yīng)力值-108 +107Pa之間。之間。nFe、Ti、Al等易氧化物質(zhì)的薄膜，情況復(fù)雜。通等易氧化物質(zhì)的薄膜，情況復(fù)雜。通常，氧化使應(yīng)力向負(fù)（壓應(yīng)力）方向移動(dòng)。常，氧化使應(yīng)力向負(fù)（壓應(yīng)力）方向移動(dòng)。n許多物質(zhì)，包括化合物，表現(xiàn)為拉應(yīng)力，而許多物質(zhì)，包括化合物，表現(xiàn)為拉應(yīng)力，而C、B、TiC和和ZnS等薄膜為壓應(yīng)力，等薄膜為壓應(yīng)力，-108 -107Pa。nBi、Ga等也顯示出不太大的壓應(yīng)力。等也顯示出不太大的壓應(yīng)力。Bi、Ga從液從液相到固相的相變過程中會(huì)發(fā)生體積膨脹。相到固相的相變過程中會(huì)發(fā)生體積膨脹。

34、整理課件36薄膜中的應(yīng)變能薄膜中的應(yīng)變能設(shè)薄膜的內(nèi)應(yīng)力為設(shè)薄膜的內(nèi)應(yīng)力為 ，彈性模量為，彈性模量為E，則單位體積，則單位體積薄膜中儲(chǔ)存的應(yīng)變能薄膜中儲(chǔ)存的應(yīng)變能u（10-7J/cm3）為：）為：Eu22單位面積基片上附著的薄膜，若其膜厚為單位面積基片上附著的薄膜，若其膜厚為d，則該部，則該部分薄膜所具有的應(yīng)變能為：分薄膜所具有的應(yīng)變能為：Edu22如果如果u、d超過了薄膜超過了薄膜與基片間的界面能，與基片間的界面能，薄膜就會(huì)從基片薄膜就會(huì)從基片上剝上剝離。離。整理課件37（4 4）異常結(jié)構(gòu)和非理想化學(xué)計(jì)量比）異常結(jié)構(gòu)和非理想化學(xué)計(jì)量比n異常結(jié)構(gòu)異常結(jié)構(gòu)：薄膜的制法多數(shù)屬于非平衡狀態(tài)的：薄膜的制

35、法多數(shù)屬于非平衡狀態(tài)的制取過程，薄膜的結(jié)構(gòu)不一定和相圖符合。規(guī)制取過程，薄膜的結(jié)構(gòu)不一定和相圖符合。規(guī)定與相圖不符合的結(jié)構(gòu)稱為異常結(jié)構(gòu)。是一種定與相圖不符合的結(jié)構(gòu)稱為異常結(jié)構(gòu)。是一種準(zhǔn)穩(wěn)（亞穩(wěn)）態(tài)結(jié)構(gòu)，但由于固體的粘性大，準(zhǔn)穩(wěn)（亞穩(wěn)）態(tài)結(jié)構(gòu)，但由于固體的粘性大，實(shí)際上把它看成穩(wěn)態(tài)也是可以的，通過加熱退實(shí)際上把它看成穩(wěn)態(tài)也是可以的，通過加熱退火和長(zhǎng)時(shí)間的放置還會(huì)慢慢變成穩(wěn)定狀態(tài)?；鸷烷L(zhǎng)時(shí)間的放置還會(huì)慢慢變成穩(wěn)定狀態(tài)。n最明顯的異常結(jié)構(gòu)是最明顯的異常結(jié)構(gòu)是族元素的非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。族元素的非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。非晶態(tài)結(jié)構(gòu)材料除了具有優(yōu)良的抗腐蝕性能之非晶態(tài)結(jié)構(gòu)材料除了具有優(yōu)良的抗腐蝕性能之外，其強(qiáng)度非常高，而且具

36、有普通晶態(tài)材料無外，其強(qiáng)度非常高，而且具有普通晶態(tài)材料無法比擬的電、磁、光、熱性能。薄膜技術(shù)是制法比擬的電、磁、光、熱性能。薄膜技術(shù)是制取這些非晶態(tài)材料的最主要手段。取這些非晶態(tài)材料的最主要手段。整理課件38實(shí)例：實(shí)例：n非晶態(tài)膜的結(jié)構(gòu)是長(zhǎng)程無序而短程有序，非晶態(tài)膜的結(jié)構(gòu)是長(zhǎng)程無序而短程有序，失去了結(jié)構(gòu)周期性。只要基片溫度足夠低，失去了結(jié)構(gòu)周期性。只要基片溫度足夠低，許多物質(zhì)都能實(shí)現(xiàn)非晶態(tài)。許多物質(zhì)都能實(shí)現(xiàn)非晶態(tài)。n當(dāng)基片的溫度為當(dāng)基片的溫度為4K時(shí)，對(duì)時(shí)，對(duì)Bi進(jìn)行蒸鍍就能進(jìn)行蒸鍍就能獲得非晶態(tài)，且具有超導(dǎo)性。如果對(duì)這種獲得非晶態(tài)，且具有超導(dǎo)性。如果對(duì)這種薄膜加熱，在薄膜加熱，在10 15K

37、會(huì)發(fā)生結(jié)晶化，同時(shí)會(huì)發(fā)生結(jié)晶化，同時(shí)超導(dǎo)性也自行消失。超導(dǎo)性也自行消失。整理課件39非理想化學(xué)計(jì)量比非理想化學(xué)計(jì)量比n多組元薄膜的成分偏離。多組元薄膜的成分偏離。n當(dāng)當(dāng)Ta在在N2的放電氣體中被濺射時(shí)，對(duì)的放電氣體中被濺射時(shí)，對(duì)應(yīng)于一定的應(yīng)于一定的N2的分壓，其生成薄膜的分壓，其生成薄膜TaNx（0 x 1）的成分是任意的。）的成分是任意的。nSi或或SiO在在O2的放電中真空蒸鍍或?yàn)R射，的放電中真空蒸鍍或?yàn)R射，得到的薄膜得到的薄膜SiOx（0 x 1）的計(jì)量比也）的計(jì)量比也是任意的。是任意的。整理課件40（5 5）薄膜結(jié)構(gòu)缺陷）薄膜結(jié)構(gòu)缺陷n單晶膜：用分子束外延法（單晶膜：用分子束外延法（M

38、BE）和有）和有機(jī)金屬氧化物化學(xué)氣相沉積法機(jī)金屬氧化物化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）制備。）制備。n多晶、微晶、非晶態(tài)膜：濺射法、蒸發(fā)多晶、微晶、非晶態(tài)膜：濺射法、蒸發(fā)法、熱絲法等制備。法、熱絲法等制備。n在薄膜的生長(zhǎng)過程中存在大量的晶格缺在薄膜的生長(zhǎng)過程中存在大量的晶格缺陷態(tài)和局部的內(nèi)應(yīng)力。薄膜生成時(shí)的基陷態(tài)和局部的內(nèi)應(yīng)力。薄膜生成時(shí)的基片溫度越低，薄膜中的點(diǎn)缺陷，特別是片溫度越低，薄膜中的點(diǎn)缺陷，特別是空位的密度越大，有的達(dá)到空位的密度越大，有的達(dá)到0.1at.%。整理課件41n空位在產(chǎn)生、移動(dòng)的過程中，由于和其他空位在產(chǎn)生、移動(dòng)的過程中，由于和其他空位合并會(huì)生長(zhǎng)成大的空位。由空位合并會(huì)生長(zhǎng)成大的空位。由2、3個(gè)單個(gè)單空位合并而形成的空位稱為雙空位和三空空位合并而形成的空位稱為雙空位和三空位。更大尺寸的空位稱為空洞，常見于由位。更大尺寸的空位稱為空洞，常見于由PVD法制備的無機(jī)化合物薄膜中。法制備的無機(jī)化合物薄膜中。n雜質(zhì)：點(diǎn)缺陷的另一種類型。在薄膜的生雜質(zhì)：點(diǎn)缺陷的另一種類型。在薄膜的生成過程中，雜質(zhì)多數(shù)是由周圍環(huán)境氣氛混成過程中，雜質(zhì)多數(shù)是由周圍環(huán)境氣氛混入薄膜之中