常用的電子元件

1、常用電子元器件參考資料第一節(jié) 局部電氣圖形符號(hào)電阻器、電容器、電感器和變壓器圖形符號(hào)名稱與說明圖形符號(hào)名稱與說明/_J電阻器一般符號(hào)電感器、線圈、繞組或扼 流圖。注：符號(hào)中半圓數(shù) 不得少于3個(gè)1/ /可變電阻器或可調(diào) 電阻器帶磁芯、鐵芯的電感器滑動(dòng)觸點(diǎn)電位器帶磁芯連續(xù)可調(diào)的電感器11tL T極性電容LaaaJ雙繞組變壓器 注：可增加繞組數(shù)目半可變電容器或可調(diào) 電容器LaaaJ pYYYj繞組間有屏敝的雙繞組變 壓器注：可增加繞組數(shù)目雙聯(lián)同調(diào)可變電容 器。注：可增加同調(diào)聯(lián)數(shù)IaaaJ m在一個(gè)繞組上有抽頭的變 壓器*微調(diào)電容器半導(dǎo)體管圖形符號(hào)名稱與說明圖形符號(hào)名稱與說明T二極管的符號(hào)1JFET結(jié)

2、型場效應(yīng) 管(1) N溝道(2) P溝道發(fā)光二極管714光電二極管PNP型晶體三極管-4>穩(wěn)壓二極管NPN型晶體三極 管hi-變?nèi)荻O管全波橋式整流器三其它電氣圖形符號(hào)圖形符號(hào)名稱與說明圖形符號(hào)名稱與說明1 具有兩個(gè)電極 的壓電晶體 注：電極數(shù)目 可增加叢 或 丄接機(jī)殼或底板1導(dǎo)線的連接L1熔斷器指示燈及信號(hào) 燈導(dǎo)線的不連接揚(yáng)聲器一動(dòng)合(常開)觸點(diǎn)開 關(guān)H -蜂鳴器動(dòng)斷(常閉)觸點(diǎn)開 關(guān)±接大地1/_手動(dòng)開關(guān)第二節(jié)常用電子元器件型號(hào)命名法及主要技術(shù)參數(shù)電阻器和電位器1.電阻器和電位器的型號(hào)命名方法表1電阻器型號(hào)命名方法第一局部：主稱第二局部：材料第三局部：特征分類第四局部：序號(hào)

3、符號(hào)意義符 號(hào)意義符 號(hào)意義電阻器電位器R電阻器T碳膜1普通普通對(duì)主稱、材 料相同，僅性能 指標(biāo)、尺寸大小 有差異，但根本 不影響互換使用 的產(chǎn)品，給予同 一序號(hào)；假設(shè)性能 指標(biāo)、尺寸大小 明顯影響互換 時(shí)，那么在序號(hào)后 面用大寫字母作 為區(qū)別代號(hào)。W電位器H合成膜2普通普通S有機(jī)實(shí)芯3超高頻N無機(jī)實(shí)芯4高阻J金屬膜5高溫:丫氧化膜6C沉積膜7精密精密r i玻璃釉膜8高壓r特殊函數(shù)p硼碳膜9特殊特殊:U硅碳膜G高功率X線繞T可調(diào)M壓敏Wp微調(diào)G光敏D多圈R熱敏B溫度補(bǔ)償用C溫度測量用P旁熱式W穩(wěn)壓式Z正溫度系數(shù)例如:1精密金屬膜電阻器R J 7 3序號(hào)類別精密 材料金屬膜 主稱電阻器序號(hào)類別多

4、圈 材料線繞 主稱電位器2多圈線繞電位器W X D 3I 第四局部第三局部 第二局部 第一局部2 電阻器的主要技術(shù)指標(biāo)(1) 額定功率電阻器在電路中長時(shí)間連續(xù)工作不損壞，或不顯著改變其性能所允許消耗的最大功率稱為電阻器的額定功率。電阻器的額定功率并不是電阻器在電路中工作時(shí)一定要消耗的功率， 而是電阻器在電路工作中所允許消耗的最大功率。不同類型的電阻具有不同系列的額定功 率，如表2所示。表2電阻器的功率等級(jí)名稱額定功率(W)實(shí)芯電阻器0.250.5125一0.51261015線繞電阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜電阻器25102550100(2)

5、標(biāo)稱阻值阻值是電阻的主要參數(shù)之一，不同類型的電阻，阻值范圍不同，不同精度的電阻其阻值系列亦不同。根據(jù)國家標(biāo)準(zhǔn)，常用的標(biāo)稱電阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也適用于電位器和電容器。表3標(biāo)稱值系列標(biāo)稱值系列精度電阻器(W、電位器(W、電容器標(biāo)稱值(PF)1.01.11.21.31.51.61.8r 2.0E24犬2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E12±10%3.33.94.75.66.88.2一一E6吃0%1.01.52.23.34.76.88.2一表中數(shù)值再乘以10n，其中n

6、為正整數(shù)或負(fù)整數(shù)。(3)允許誤差等級(jí)表4電阻的精度等級(jí)允許誤差(%)如.001±0.002±3.005如.01±0.02±0.05±0.1等級(jí)符號(hào)EXYHUWB允許誤差()±0.2±0.5±1±2北±10±20等級(jí)符號(hào)CDFGJ (廠K ( II 廠M ( III )3 .電阻器的標(biāo)志內(nèi)容及方法(1) 文字符號(hào)直標(biāo)法：用阿拉伯?dāng)?shù)字和文字符號(hào)兩者有規(guī)律的組合來表示標(biāo)稱阻值，額 定功率、允許誤差等級(jí)等。符號(hào)前面的數(shù)字表示整數(shù)阻值，后面的數(shù)字依次表示第一位小數(shù) 阻值和第二位小數(shù)阻值，其文字符

7、號(hào)所表示的單位如表5所示。如1R5表示1.5門，2K7表示 2.7k1.文字符號(hào)RKMGT表示單位歐姆(僞千歐姆(10Yj)兆歐姆(106。):千兆歐姆(10爲(wèi)兆兆歐姆(1012。)例如:RJ71 0.125 - 5k1 - II允許誤差_10%標(biāo)稱阻值5.1k額定功率1/8W由標(biāo)號(hào)可知，它是精密金屬膜電阻器， 額定功率為1/8W ,標(biāo)稱阻值為5.1k允許誤差 為.110%。2色標(biāo)法： 色標(biāo)法是將電阻器的類別及主要技術(shù)參數(shù)的數(shù)值用顏色色環(huán)或色點(diǎn) 標(biāo)注在它的外外表上。色標(biāo)電阻色環(huán)電阻器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標(biāo)法。其含義 如圖1和圖2所示。標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字標(biāo)稱值有效數(shù)字

8、后 0的個(gè)數(shù)|允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值倍率允許偏差黑八、00100棕11101紅22102橙33103黃44104綠55105藍(lán)66106紫77107灰88108白9910920% +50%金10，±5%銀10±10%無色±20%圖1 兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱電阻值允許誤差均為+20%。例如，色環(huán)為棕黑紅，表示10 102= 1.0k，匕20%的電阻器。四色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱值二位有效數(shù)字及精度。例如，色環(huán)為棕綠橙金表示 15 103= 15k；匕5%的電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標(biāo)稱值三位有效數(shù)字及精度。例如，色環(huán)

9、為紅紫綠黃棕表 示 275 104= 2.75Ml：_1%的電阻器。一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點(diǎn)是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠(yuǎn)。 標(biāo)準(zhǔn)的表示應(yīng)是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的(1.52)倍。有些色環(huán)電阻器由于廠家生產(chǎn)不標(biāo)準(zhǔn)，無法用上面的特征判斷，這時(shí)只能借助萬用表判 斷。標(biāo)稱值第一位有效數(shù)字標(biāo)稱值第二位有效數(shù)字標(biāo)稱值第三位有效數(shù)字標(biāo)稱值有效數(shù)字后 0的個(gè)數(shù)| 允許誤差顏色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允許偏差里八、000100棕111101±1%紅222102±2%橙：333r103黃444104綠555105±0.5%藍(lán)666106

10、±0.25紫777107±0.1%灰888P 108白999109金110銀10，圖2三位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法4.電位器的主要技術(shù)指標(biāo)(1) 額定功率電位器的兩個(gè)固定端上允許耗散的最大功率為電位器的額定功率。使用中應(yīng)注意額定功率不等于中心抽頭與固定端的功率。(2) 標(biāo)稱阻值標(biāo)在產(chǎn)品上的名義阻值，其系列與電阻的系列類似。(3) 允許誤差等級(jí)實(shí)測阻值與標(biāo)稱阻值誤差范圍根據(jù)不同精度等級(jí)可允許.120%、10%、一5%、二2%、1%的誤差。精密電位器的精度可達(dá)_0.1%。(4) 阻值變化規(guī)律指阻值隨滑動(dòng)片觸點(diǎn)旋轉(zhuǎn)角度(或滑動(dòng)行程)之間的變化關(guān)系，這種變化關(guān)系可以是任 何函數(shù)形式

11、，常用的有直線式、對(duì)數(shù)式和反轉(zhuǎn)對(duì)數(shù)式(指數(shù)式)。在使用中，直線式電位器適合于作分壓器；反轉(zhuǎn)對(duì)數(shù)式(指數(shù)式)電位器適合于作收音 機(jī)、錄音機(jī)、電唱機(jī)、電視機(jī)中的音量控制器。維修時(shí)假設(shè)找不到同類品，可用直線式代替， 但不宜用對(duì)數(shù)式代替。對(duì)數(shù)式電位器只適合于作音調(diào)控制等。5 .電位器的一般標(biāo)志方法WT 23.3k_10%WX 1510 門 JI 允許誤差±5%標(biāo)稱阻值5100額定功率1W線繞電位器二.電容器1電容器型號(hào)命名法表6電容器型號(hào)命名法第一局部：主 稱第二局部：材料第三局部： 特征、分類第四局部：序號(hào)符號(hào)丿意義符 號(hào)意義符 號(hào)意義瓷介云母玻璃電解其他電 容 器C瓷介1圓片非密封箔式非

12、密封對(duì)主稱、材料相同，僅尺 寸、性能指標(biāo)略有不同， 但根本不影響互使用的產(chǎn) 品，給予同一序號(hào)；假設(shè)尺 寸性能指標(biāo)的差異明顯； 影響互換使用時(shí)，那么在序 號(hào)后面用大寫字母作為區(qū) 別代號(hào)。Y云母2管形非密封箔式非密封I玻璃釉3迭片密封燒結(jié)粉固體密封O玻璃膜4獨(dú)石密封燒結(jié)粉固體密封Z紙介5穿心穿心J金屬化紙6支柱B聚苯乙烯7無極性L滌綸8高壓高壓高壓Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金屬膜H復(fù)合介質(zhì)W微調(diào)D鋁A鉭N鈮G合金T鈦E其他例如：(1) 鋁電解電容器第四局部第三局部第二局部第一局部C D 11序號(hào)特征分類箔式材料鋁主稱電容器2圓片形瓷介電容器第四局部：序號(hào)第三局部：特征分類圓片 第二局部：材料瓷介

13、質(zhì) 第一局部：主稱電容器3紙介金屬膜電容器C Z J X序號(hào)特征分類金屬膜 材料紙介主稱電容器2 電容器的主要技術(shù)指標(biāo)1電容器的耐壓：常用固定式電容的直流工作電壓系列為：6.3V ,10V ,16V , 25V ,40V , 63V , 100V , 160V , 250V , 400V。2電容器容許誤差等級(jí)：常見的有七個(gè)等級(jí)如表7所示。表7容許誤差±2%±5%±10%:t20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%級(jí)別0.2IIIIIIIVVVI電容常用字母代表誤差：B: ± 0.1 % ,C: ± 0.25 % ,D: 

14、7; 0.5% ,F: ± 1% ,G: ± 2% ,J: ± 5% ,K: ± 10 % ,M: ± 20% ,N: ± 30 % ,Z:+80 % -20%。標(biāo)稱電容量:表8固定式電容器標(biāo)稱容量系列和容許誤差系列代號(hào)E24E12E6容許誤差±5% (I)或(J)±10% (II)或(K)±20% (III )或(m)標(biāo)稱容量10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,10,12,15,18,22,27,310,15,22,23,47,68對(duì)應(yīng)值33,36,39,43,47,

15、51,56,62,68,75,82,903,39,47,56,68,82注：標(biāo)稱電容量為表中數(shù)值或表中數(shù)值再乘以10n ,其中n為正整數(shù)或負(fù)整數(shù)， 單位為pF。3 .電容器的標(biāo)志方法1直標(biāo)法 容量單位：F 法拉、JF 微法、nF 納法、pF 皮法或微微法。1法拉=106微法=1012微微法，1微法=103納法=106微微法1納法=103微微法例如：4n7 表示 4.7nF 或 4700pF, 0.22 一 表示 0.22呻，51 表示 51pF。有時(shí)用大于1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF的電容，例如101表示100 pF;用小于1的數(shù)字表示單位為的電容，例如0.1表示0.1F。(2) 數(shù)碼表示

16、法一般用三位數(shù)字來表示容量的大小，單位為pF。前兩位為有效數(shù)字，后一位表示位率。即乘以10i,i為第三位數(shù)字，假設(shè)第三位數(shù)字9,那么乘10-1。如223J代表22 103pF =22000pF = 0.22F,允許誤差為_5% ;又如479K代表47 10-1pF,允許誤差為_5%的電容。 這種表示方法最為常見。(3) 色碼表示法這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂于電容器的一端或從頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為位率，單位為pF。有時(shí)色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個(gè)紅色環(huán)涂成一個(gè)寬的，表示22000pF。電感器1 電感器的分類常用的電感器有固定電感器、微調(diào)電感器

17、、色碼電感器等。變壓器、阻流圈、振蕩線圈、偏轉(zhuǎn)線圈、天線線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。2 電感器的主要技術(shù)指標(biāo)(1) 電感量：在沒有非線性導(dǎo)磁物質(zhì)存在的條件下，一個(gè)載流線圈的磁通量與線圈中的電流成正比其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用L表示，簡稱為電感。即：<PL 二一I式中： =磁通量1 =電流強(qiáng)度(2) 固有電容：線圈各層、各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統(tǒng)稱為電感器的固有電容。(3) 品質(zhì)因數(shù)：電感線圈的品質(zhì)因數(shù)定義為:式中：一工作角頻率，L 線圈電感量，R線圈的總損耗電阻(4) 額定電流：線圈中允許通過的最大電流。(5) 線圈的損耗電阻：線圈的直流損耗電

18、阻。2 .電感器電感量的標(biāo)志方法(1) 直標(biāo)法。單位 H (亨利)、mH (毫亨)、lH (微亨)、(2) 數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法相同。3色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標(biāo)法相似，色碼一般有四種顏色，前兩種 顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為-H，第四種顏色是誤差位。四.半導(dǎo)體分立器件1 半導(dǎo)體分立器件的命名方法1我國半導(dǎo)體分立器件的命名法表9國產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法第一局部第二局部第三局部第四局部第五局部用數(shù)字表示器用漢語拼音字母表示器用漢語拼音字母用數(shù)字用漢語拼件電極的數(shù)目件的材料和極性表示器件的類型表示器件音表示規(guī)符意義符意義符意義符意義序號(hào)格的區(qū)別號(hào)號(hào)號(hào)號(hào)代號(hào)

19、2二極管AN型，鍺材料P普通管D低頻大功率管BP型，鍺材料V微波管(如< 3MHz,CN型，硅材料W穩(wěn)壓管PcW)DP型，硅材料C參量管A高頻大功率管Z整流管(fa遐MHz3三極管APNP型，錯(cuò)材料L整流堆PQW)BNPN型，錯(cuò)材料S隧道管T半導(dǎo)體閘流管CPNP型，硅材料N阻尼管可控硅整流器DNPN型，硅材料U光電器件Y體效應(yīng)器件E化合物材料K開關(guān)管B雪崩管X低頻小功率管J階躍恢復(fù)管(怙< 3MHz,CS場效應(yīng)器件Pc<1W )BT半導(dǎo)體特殊器件G高頻小功率管FH復(fù)合管如迄MHzPINPIN型管Pc<1W )JG激光器件例:1鍺材料PNP型低頻大功率三極管:I1序號(hào)4單

20、結(jié)晶體管:穩(wěn)壓管 N型、硅材料 二極管半導(dǎo)體2國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名法表10國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一局部第二局部第三局部第四局部用字母表示使 用的材料用字母表示類型及主要特性用數(shù)字或字母加 數(shù)字表示登記號(hào)用字母對(duì)同一 型號(hào)者分檔符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義A鍺材料A檢波、開關(guān)和 混頻二極管M封閉磁路中的 霍爾元件位 數(shù) 字通用半 導(dǎo)體器件 的登記序 號(hào)同一 類型器件 使用同一 登記號(hào)A B C D E同一 型號(hào)器 件按某 一參數(shù) 進(jìn)行分 檔的標(biāo) 志B變?nèi)荻O管1P光敏元件B硅材料C低頻小功率三 極管Q發(fā)光器件D低頻大功率三 極管R小功率可控硅C砷化鎵E隧道二極管

21、1S小功率開關(guān)管F高頻小功率三 極管T大功率可控硅個(gè) 字 母 加 兩 位 數(shù) 字專用半 導(dǎo)體器件 的登記序 號(hào)同一 類型器件 使用同一 登記號(hào)D銻化銦G復(fù)合器件 及其它器件U大功率開關(guān)管H磁敏二極管 1X倍增二極管R復(fù)合材 料K開放磁路中的 霍爾元件Y整流二極管L高頻大功率三 極管Z穩(wěn)壓二極管即 齊納二極管例如命名AF239型某一參數(shù)的S檔 普通用登記序號(hào)高頻小功率三極管鍺材料國際電子聯(lián)合會(huì)晶體管型號(hào)命名法的特點(diǎn):1這種命名法被歐洲許多國家采用。因此，凡型號(hào)以兩個(gè)字母開頭，并且第一個(gè)字母 是A，B，C，D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的 產(chǎn)品。2第一個(gè)字母表示材

22、料A表示鍺管，B表示硅管，但不表示極性NPN型或PNP 型。3第二個(gè)字母表示器件的類別和主要特點(diǎn)。如C表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。假設(shè)記住了這些字母的意義，不查手 冊(cè)也可以判斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。4第三局部表示登記順序號(hào)。三位數(shù)字者為通用品；一個(gè)字母加兩位數(shù)字者為專用品，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)型號(hào)的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185那么為NPN型。5第四局部字母表示同一型號(hào)的某一參數(shù)如hFE或Nf進(jìn)行分檔。6型號(hào)中的符號(hào)均不反映器件的極性指 NPN或PNP。極性確實(shí)定需查閱手冊(cè)或測量。3

23、美國半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法美國晶體管或其它半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名法較混亂。這里介紹的是美國晶體管標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)命名法，即美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)EIA 規(guī)定的晶體管分立器件型號(hào)的命名法。如表11所示。EIA登記序號(hào)EIA注冊(cè)標(biāo)志三極管軍用品2) 1N4001EIA登記序號(hào)EIA注冊(cè)標(biāo)志二極管表11美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一局部第二局部第三局部第四局部第五局部用符號(hào)表示 用途的類型用數(shù)字表示 PN結(jié)的數(shù)目美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)EIA注冊(cè)標(biāo)志美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)EIA登記順序號(hào)用字母表示 器件分檔符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義符號(hào)意義JAN 或J軍用品1二極管N該器件 已在美國 電子工業(yè) 協(xié)會(huì)注冊(cè) 登記多 位

24、 數(shù) 字該器件在 美國電子工 業(yè)協(xié)會(huì)登記 的順序號(hào)A B C D同一 型號(hào)的 不同檔 別2三極管無非軍用品3三個(gè)PN結(jié)器件nn個(gè)PN結(jié)器件例:美國晶體管型號(hào)命名法的特點(diǎn):1型號(hào)命名法規(guī)定較早，又未作過改良，型號(hào)內(nèi)容很不完備。例如，對(duì)于材料、極性、主要特性和類型，在型號(hào)中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應(yīng)管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號(hào)命名法命名。2組成型號(hào)的第一局部是前綴，第五局部是后綴，中間的三局部為型號(hào)的根本局部。3除去前綴以外，凡型號(hào)以1N、2N或3N開頭的晶體管分立器件，大都是美國制造的，或按美國專利在其它國家制造的產(chǎn)品。4第四局部數(shù)字只表示登記序號(hào)

25、，而不含其它意義。因此，序號(hào)相鄰的兩器件可能特 性相差很大。例如，2N3464為硅NPN，高頻大功率管，而 2N3465為N溝道場效應(yīng)管。5不同廠家生產(chǎn)的性能根本一致的器件，都使用同一個(gè)登記號(hào)。同一型號(hào)中某些參數(shù) 的差異常用后綴字母表示。因此，型號(hào)相同的器件可以通用。6登記序號(hào)數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。4日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法日本半導(dǎo)體分立器件包括晶體管或其它國家按日本專利生產(chǎn)的這類器件，都是按日 本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS規(guī)定的命名法JIS C 702命名的。日本半導(dǎo)體分立器件的型號(hào)，由五至七局部組成。通常只用到前五局部。前五局部符號(hào) 及意義如表12所示。第六、七局部的符號(hào)及意義通常是各公司自行規(guī)定的。

26、第六局部的符 號(hào)表示特殊的用途及特性，其常用的符號(hào)有：M-松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上自衛(wèi)隊(duì)參謀部有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)登記的產(chǎn)品。N -松下公司用來表示該器件符合日本播送協(xié)會(huì)NHK 有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的登記產(chǎn)品。Z-松下公司用來表示專用通信用的可靠性高的器件。H-日立公司用來表示專為通信用的可靠性高的器件。K日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的可靠性高的器件。T-日立公司用來表示收發(fā)報(bào)機(jī)用的推薦產(chǎn)品。G-東芝公司用來表示專為通信用的設(shè)備制造的器件。S-三洋公司用來表示專為通信設(shè)備制造的器件。第七局部的符號(hào)，常被用來作為器件某個(gè)參數(shù)的分檔標(biāo)志。例如，三菱公司常用R, G ,Y等字母；日立公司常用 A ,

27、 B, C, D等字母，作為直流放大系數(shù) hFE的分檔標(biāo)志。表12日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法第一局部第二局部第三局部第四局部第五局部用數(shù)字表示類型 或有效電極數(shù)S表示日本電子工 業(yè)協(xié)會(huì)EIAJ 的 注冊(cè)產(chǎn)品用字母表示器件 的極性及類型用數(shù)字表示在日 本電子工業(yè)協(xié)會(huì) 登記的順序號(hào)用字母表示 對(duì)原來型號(hào) 的改良產(chǎn)品符 號(hào)意義符 號(hào)意義符 號(hào)意義符 號(hào)意義符 號(hào)意義0光電即光敏 二極管、晶體 管及其組合 管S表示已在日 本電子工業(yè)協(xié) 會(huì)EIAJ注冊(cè) 登記的半導(dǎo)體 分立器件APNP型高頻管四 位 以 上 的 數(shù) 字從11開 始，表示在 日本電子工 業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè) 登記的順序 號(hào)，不同公 司性能相同 的器件可

28、以 使用同一順 序號(hào)，其數(shù) 字越大越是 近期產(chǎn)品A B C D E F用字母 表示對(duì)原 來型號(hào)的 改良產(chǎn)品BPNP型低頻管CNPN型高頻管DNPN型低頻管1:二極管:Frp控制極可控硅2三極管、具有 兩個(gè)以上PN 結(jié)的其他晶 體管GN控制極可控硅HN基極單結(jié)晶體管JP溝道場效應(yīng)管Krn溝道場效應(yīng)管3具有四個(gè)有 效電極或具 有三個(gè)PN結(jié) 的晶體管M:雙向可控硅n-1具有n個(gè)有效 電極或具有n-1個(gè)PN結(jié)的晶體管例如:12SC502A 日本收音機(jī)中常用的中頻放大管2SC502型的改良產(chǎn)品日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào) NPN型高頻三極管日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品 三極管兩個(gè)PN結(jié)22SA495 日本夏普

29、公司 GF 9494收錄機(jī)用小功率管2 S A 495I II一 日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)PNP高頻管日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品三極管兩個(gè)PN結(jié)日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法有如下特點(diǎn)：1型號(hào)中的第一局部是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1 表示二極管，用“ 2表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。2第二局部均為字母 S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，而不表示材料和極性。3第三局部表示極性和類型。例如用 A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場效應(yīng)三 極管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。4第四局部只表示在日本工業(yè)協(xié)會(huì) EIAJ 注冊(cè)登記的順序號(hào)，并不反映器件的性能，

30、順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號(hào)能反映產(chǎn)品時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。5第六、七兩局部的符號(hào)和意義各公司不完全相同。6日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號(hào)，常采用簡化標(biāo)記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡化為 D764，2SC502A簡化為C502A。7在低頻管2SB和2SD型中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當(dāng)高頻管用。8日本通常把Pcm_1W的管子，稱做大功率管。2常用半導(dǎo)體

31、二極管的主要參數(shù)表13局部半導(dǎo)體二極管的參數(shù)類 型、參 數(shù)型、號(hào)、最大 整流 電流/mA正向 電流/mA正向壓 降在左 欄電流 值下/V反向 擊穿 電壓N最高反 向工作 電壓/V反向 電流/Ma零偏 壓電 容/pF反向恢復(fù) 時(shí)間/ns普通2AP9.5>4020fHMHz1檢波 二極 管2AP7<16冷<1>150100仝50<1502AP11空530蘭0fHMHz42AP17<1530<1乞00喳50<10鍺2AK13010開 關(guān)2AK2>150<14020空魚002AK5>2000.96040<150極 管2AK10耳0

32、<170502AK136040<1502AK14>250弐.77050硅：2CK70AE習(xí)0開2CK71AE320丸.8A 230A >20<1.5關(guān)2CK72AE230B齊5B230一2CK73AES0C蚩0C齊0極2CK74AD>100D>75D50<1管2CK75AD>150<1E90e3602CK76AD>200類 型、參、數(shù) 型 、 號(hào)最大 整流 電流/mA正向 電流/mA正向壓 降在左 欄電流 值下/V反 擊 電N向 穿 壓最高反 向工作 電壓/V反向 電流/MA零偏 壓電 容/pF反向恢復(fù)時(shí)間/ns整2CZ52B2

33、5同2AP普通二極流 H20.1<1600管-二二2CZ53B50極 M60.3<11000管2CZ54B50 M100.5<110002CZ55B50 M201<110002CZ56B25 B653切.8-10001N40015040073011.1-510001N5391505399501.51.4-1010001N540050540820031.21010003.常用整流橋的主要參數(shù)表14幾種單相橋式整流器的參數(shù)參數(shù)型號(hào)不重復(fù)正向 浪涌電流/A整流電流/A正向電壓降/V反向漏電/"反向工作電壓/V最高工作結(jié)溫/oCQL110.05弐2宜0常見的分檔為：2

34、5，50， 100， 200， 400，500， 600， 700， 800，900， 1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL7402百5QL86034.常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)表15局部穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)、測試條件工作電流為 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電 壓下環(huán)境溫度<50OC穩(wěn)定電 流下穩(wěn)定電流下環(huán)境溫度< 10°c型 、數(shù)號(hào)穩(wěn)定電壓/V穩(wěn)定電流/mA最大穩(wěn)定電流/mA反向漏電 流動(dòng)態(tài)電阻G電壓溫度系數(shù)/10-4/°c最大耗散功率/W2CW512.53.571空$0>-92CW523.24.555芻0>-82CW5345.

35、841<1蚌0-642CW545.56.51038空0-350.252CW5678.827P <152CW578.59.826盤.5金0空2CW591011.820空02CW6011.512.5519如2CW10345.850165<100-642CW11011.512.52076笛.50012CW11316191052笛.5如<112CW1A530240<012CW6C15307012CW7C6.06.51030<00.050.25.常用半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)(1) 3AX51(3AX31)型PNP型鍺低頻小功率三極管表163AX51(3AX31)型半導(dǎo)體

36、三極管的參數(shù)原型號(hào)3AX31測試條件新型號(hào)3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D極 限 參 數(shù)PcM(mW)100100100100Ta= 25oClcM(mA)100100100100TjM(oC)75757575BV cbo(V)爹0迫0>30>30l c= 1mABVceo(V)32>12啟18聲4lc= 1mA直 流 參 數(shù)Icbo( l-A)宜2<12<12<12Vcb=-10VIcEo( l-A)藥00埶0鄉(xiāng)00M00Vce = -6VIebo( l-A)丸2<12<12<12Veb = -6VhFE401504015

37、0301002570VCE= -1V lc= 50mA交 流 參 數(shù)r f#Hz):¥00冷00冷00龍00V cb= -6V l e= 1mANF(dB)詔VcB= -2V lE= 0.5mA f = 1kHzhie(kQ)0.64.50.64.50.64.50.64.5VcB = -6V lE= 1mA f = 1kHzhre(©0)22瑩.2玄.2空.2hod 內(nèi))空0空0勺0自0hfehFE色標(biāo)分檔(紅)2560;(綠)50100;(藍(lán))90150管腳E纟B(2) 3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管表17 3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號(hào)3AX8

38、1A3AX81B測試條件極限 參數(shù)PcM(mW)200200IcM(mA)200200TjM(OC)7575BVcbo(V)-20-30lc= 4mABVceo(V)-10-15lc= 4mABVebo(V)-7-10lE = 4mA直流 參數(shù)Icbo(Ha)空0<15VcB = -6VIcEO( HA)<1000弐00Vce = -6VIebo( HA)空0<15V eb =-6VVbes(V)切.6切.6Vce = -1V l c= 175mAVces(V)魚.65空65Vce = V be V cb= 0 l c= 200mAhFE4027040270Vce = -1V

39、 l c= 175mA交流 參數(shù)fp<Hz)Vcb= -6V l e= 10mAhFE色標(biāo)分檔(黃)4055 (綠)5580 (藍(lán))80120 (紫)120180 (灰)180270 (白)270400管腳ES?4)c(3) 3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管表18 3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)型號(hào)3BX31M3BX31A3BX31B3BX31c測試條件極限 參數(shù)PcM(mW)125125125125Ta=25°CI cM(mA)125125125125TjM(oC)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40Ic= 1mABV ceo(V)-6

40、-12-18-24Ic= 2mABV ebo(V)-6-10-10-10IE= 1mA直流 參數(shù)1 CBO( MA)勺5瑩0蘭2Vcb= 6VI CEO-A)<1000空00審00M00V ce= 6VI EBO( !A)空5玄0乞2Veb= 6VVbes(V)或60606切.6V ce= 6V I c = 100mAVces(V)切.65切.65切.65切.65V ce = Vbe Vcb = 0 I c= 125mAhFE80400401804018040180V ce= 1V I c = 100mA交流 參數(shù)ffkHz)>8陸65Vcb = -6V Ie= 10mAhFE色標(biāo)

41、分檔(黃)4055 (綠)5580 (藍(lán))80120 (紫)120180 (灰)180270 (白)270400管腳BE忿)c3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)原型號(hào)3DG6測試條件新型號(hào)3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D極 限 參 數(shù)PcM(mW)100100100100IcM(mA)20202020BVcbo(V )30羽0曲0蚩0Ic=100gABVceo(V )卻3305200Ic=100gABV EBO(V )器Ie= 100MA直 流 參 數(shù)I CBO(從)魚01笛.01空.01

42、盤.01Vcb = 10VICEO(A)魚1笛.1空.1盤.1vce= 10VIebo(a)魚01空01001盤.011 Veb= 1.5VVbes(V)宜<1<1<1Ic= 10mA IB = 1mAVces(V)<1豈<1Ic= 10mA IB = 1mAhFE330530530530Vce= 10V I c = 3mA交 流 參 數(shù)fT(MHz)誇50>cb = 10V Ie = 3mA f = 100MHz Rl =5QKp(dB)富方習(xí)Vcb = -6V Ie = 3mA f = 100MHzCob(pF)2<4<

43、;4Vcb = 10V Ie = 0hFE色標(biāo)分檔(紅)3060(綠)50110(藍(lán))90160(白)>150B管腳3DG130(3DG12)型NPN型硅高頻小功率三極管表203DG130(3DG12)型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)原型號(hào)3DG12測試條件新型號(hào)3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D極 限 參 數(shù)iPcM(mW)700700700700lcM(mA)300300300300BVcbo(V )>40>60> 40> 60lc= 100 gABVceo(V )>30>45> 30> 45I c= 100 g

44、ABV ebo(V )>4>4>4>4lE= 100 ma直 流 參 數(shù)|CBO( |-A)<0.5<0.5<0.5<0.5Vcb= 10VI ceo( l-A)<1<1<1<1Vce= 10VI ebo( l-A)<0.5<0.5<0.5<0.5Veb= 1.5VVbes(V)<1<1<1<1|c= 100mA I B= 10mAVces(V)<0.6<0.6<0.6<0.6lc= 100mA I B= 10mAhFE冷0>30> 30> 30V ce= 10V I c = 50mA交 流 參 數(shù)fT(MHz)>150> 150>300>300Vcb = 10V Ie =