FPGA器件發(fā)展綜述

1、FPGA器件發(fā)展綜述1 引言2005年是 FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列，F(xiàn)ield Pro-grammable Gate Array）發(fā)明 20 周年，2007年是晶體管發(fā)明 60 周年，2008年是集成電路平面工藝發(fā)明 50 周年, 在這幾十年，尤其是FPGA發(fā)明的二十幾年內(nèi)，集成電路產(chǎn)業(yè)得到了快速的發(fā)展，2006年，Xilinx和Alter公司采用65nm技術(shù)分別推出了最先進(jìn)的FPGA系列Virtex-5系列和Stratix-3 系列；在2006,年國際電子器件會議（IEDM）上，三星公司的 32Gbit 新型 NAND型閃存亮相，公布其采用了40nm技術(shù)，計(jì)劃在2008年量產(chǎn)的 32Gbi

2、t NAND 型閃存，集成度已超過 300 億。最近幾年，微處理器完成了從單核到多核的提升，2006年11月14日,英特爾先于AMD發(fā)布了酷睿2四核處理器，稱性能較雙核提高了 80%。2006 年 11 月 17 日, AMD對外發(fā)布了四核處理器架構(gòu)，稱總體功耗較英特爾處理器低 80%。本文主要闡述 FPGA 的發(fā)展現(xiàn)狀, 并對未來的發(fā)展趨勢進(jìn)行分析。2 FPGA的發(fā)展概要自 20 世紀(jì) 70 年代以來，可編程邏輯器件(PLD，Programmable Logic Device)作為一種通用型器件迅速發(fā)展起來，改變了采用固定功能器件、自下而上的傳統(tǒng)數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法。使用可編程邏輯器件，用戶可通

3、過編程的方式實(shí)現(xiàn)所需邏輯功能，而不必依賴由芯片制造商設(shè)計(jì)和制造的 ASIC 芯片。從 PLD 的發(fā)展歷程來看，按照結(jié)構(gòu)區(qū)分，前后共有 4 種可編程邏輯器件類型：PLA、PAL、CPLD和 FPGA。PLA(Programmable Logic Arrays)同時具有可編程的“與邏輯”和“或邏輯”陣列結(jié)構(gòu)，采用反熔絲編程方式，集成密度較低，只能完成相對簡單的組合邏輯功能，進(jìn)行一次性編程。為實(shí)現(xiàn)時序邏輯，MMI 公司開發(fā)出 PAL(Programmable Array Logic)：PAL 具有可編程的“與邏輯”陣列和固定的或門，具有 D 觸發(fā)器和反饋功能，能夠?qū)崿F(xiàn)時序電路，但同樣采用反熔絲編程方

4、式，也是一種低密度、一次性編程的邏輯器件。由于整體架構(gòu)的原因，若將 PAL 的規(guī)模和密度進(jìn)一步提高，就需要增加“與邏輯”陣列的規(guī)模和更多的 I/O 端口，由此會帶來版圖面積指數(shù)增長。可行的方法是將更多的 PAL 集成在一起，于是便出現(xiàn)了 CPLD 器件(Complex Programmable Logic Device)。早期 CPLD 大都采用 EPROM、Flash(閃存式存儲器）或E2PROM（電擦除可編程只讀存儲器)的可編程技術(shù)，后期基于 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)13可編程技術(shù)的發(fā)展使 CPLD 器件的密度得到了提高，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的組合和時序邏輯。由于繼承了 PAL 的架構(gòu)體系，CPL

5、D 器件規(guī)模與密度很難隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展而進(jìn)一步提高，需要尋求截然不同的設(shè)計(jì)方法?；?SRAM 可編程技術(shù)的 FPGA 概念最初由Wahlstrom 于 1967 年提出，與 PAL 器件的“與或”邏輯陣列結(jié)構(gòu)不同，F(xiàn)PGA 是由許多獨(dú)立的可編程邏輯模塊組成，邏輯模塊之間的連接通過可編程開關(guān)實(shí)現(xiàn)。這種體系結(jié)構(gòu)具有邏輯單元靈活、集成度高、適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。為充分利用連線資源，通常 FPGA 具有多種長度的連線單元，電路的延時特性具有多種可能?；?SRAM 控制的可編程開關(guān)結(jié)構(gòu)使可編程器件具有最大的配置靈活性，但是與 ROM 相比，需要耗費(fèi)較大的版圖面積來實(shí)現(xiàn)可編程開關(guān)，因此直到1984

6、年，隨著亞微米CMOS要藝的出現(xiàn)，Xilinx公 司 才 推 出 第 一 片 基 于 SRAM 編 程 技 術(shù)的FPGA。FPGA 既具有門陣列器件的高集成度和通用性，又具有用戶可編程的靈活性，在規(guī)模和密度上的發(fā)展并不受到整體架構(gòu)的限制，同時 FPGA 還具有功能強(qiáng)大的 EDA 軟件的支持，在隨后的 20 多年中得到了飛速發(fā)展。3 Xilinx公司 FPGA主要產(chǎn)品系列3.1 發(fā)展歷程 表1給出了Xilinx CPLD/FPGAs 產(chǎn)品的發(fā)展歷程。3.2 XC3000系列 XC3000系列FPGA是Xilinx公司最早提出的FPGA系列，可用最大門不到 10 000 門，主要產(chǎn)品見表 2。3.

7、3 XC4000系列 1997 年，Xilinx 推出了當(dāng)時業(yè)內(nèi)最大的 FPGA XC4085XL，用 0.35 m 工藝制造，可用門 85000邏輯門，XC4085XL 的工作電壓為 3.3V，比同級產(chǎn)品省電一半，完全符合 PCI 及 Select-RAM 功能，可提供更佳的存儲器功能、沿邊觸發(fā)編寫及雙端口工作特性。因?yàn)閼?yīng)用了分段路由架構(gòu)，縮短了互連線長度，比使用長線作互連線的非分段架構(gòu)消耗較少電流，但更有效。34 Virtex系列 1998 年，Xilinx 推出 Virtex 結(jié)構(gòu)，Virtex 結(jié)構(gòu)是XC4000 系列現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）結(jié)構(gòu)和 5層金屬、0.25m 工藝技術(shù)結(jié)

8、合的產(chǎn)物。新的Virtex系列FPGA 的密度可達(dá) 5 萬門至 100 萬門，時鐘頻率高達(dá)100MHz 以上。Virtex系列的電源電壓是 2.5V，與TTL兼容，它支持多種總線，如 GTL+、SSTL、LVTTL及 PCI 。35 Xilinx公司的Spartan系列FPGA Spartan2系列產(chǎn)品基于Virtex結(jié)構(gòu)，采用0.22/0.18CMOS 工藝，6 層金屬連線制造，在 Spartan 的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上有了較大的改進(jìn)，Spartan 2系列產(chǎn)品門數(shù)最高達(dá) 200 000 門，時鐘達(dá) 200MHz，與 66MHz 的 PCI兼容，能達(dá)到 ASIC 性價(jià)比。 Xilinx公司Sparta

9、n-3系列FPGA基于查找表技術(shù)，采用 90nm SRAM、8 層金屬的工藝制程，表6 為Spar- tan-3 系列，系統(tǒng)門從 50k 到 5 000k 不等。另外，不同的封裝形式，用戶的 I/O數(shù)是不同的，表 6中列出的是最大 I/O 數(shù)。3.6 Xilinx公司FPGA最新系列 Virtex-5 2006年5月，Xilinx公司推出了世界上第一個65nmFPGA 系列 Virtex-5?；?65nm 三極柵氧化層技術(shù)、11 層銅布線工藝、低 K 材料、新型鎳硅自對準(zhǔn)技術(shù)、新型 ExpressFabric 技術(shù)和 ASMBL 架構(gòu)，可以提供330 000個邏輯單元和1 200個用戶I/O

10、，與前一代90nm FPGA相比，Virtex-5 LXT平臺的整體性能平均提高 30%，容量提高 65%，動態(tài)功耗降低 35%。4 Altera公司的可編程集成電路系列41 發(fā)展歷程 Altera 公司自從事 FPGA 的研制開發(fā)以來，不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，研發(fā)新產(chǎn)品。表7給出了Altera公司FPGA的主要發(fā)展歷程。4.2 FLEX 10K系列 表8給出了ALTEAG公司FLEX 10K系列的主要產(chǎn)品，規(guī)模最大的 EPF10K250A 典型門是 25 萬門，最大系統(tǒng)門是 31 萬門。 ALTERA 公司的 APEX 20K 系列 FPGA 器件，采用 0.22 m 、5 層金屬的工藝制程，表

11、9 為 APEX 20K系列，系統(tǒng)門從 263 000 門到 1 052 000 門不等。另外，不同的封裝形式，用戶的 I/O 數(shù)是不同的，表中列出的是最大 I/O 數(shù)。4.3 Stratix系列 Stratix 系列FPGA于2002年中期推出，采用0.13m工藝，1.5V 內(nèi)核供電，集成硬件乘加器等。后來推出的 StratixII系列產(chǎn)品采用90nm工藝制程，支持內(nèi)部時鐘頻率高達(dá) 500MHz。4.4 Altera公司的最新產(chǎn)品 Stratix III系列 Stratix III是Altera公司2006年11月份推出的65nm FPGA 系列。Stratix III 比前一代器件快 25

12、%，密度是前一代 FPGA 的兩倍，功耗降低了 50%，支持四十多個 I/O 接口標(biāo)準(zhǔn)，具有業(yè)界一流的性能、靈活性和信號完整性。5 Altera在65nm半導(dǎo)體工藝上的發(fā)展策略Altera在65nm半導(dǎo)體制造工藝上的發(fā)展策略是充分利用先進(jìn)的技術(shù)和方法，以最低的成本為客戶提供性能最好的器件，同時降低客戶風(fēng)險(xiǎn)，保證產(chǎn)品盡快面市。Altera在130nm和90nm器件上的市場份額表明，有效控制高端半導(dǎo)體技術(shù)中存在的風(fēng)險(xiǎn)，能夠提高FPGA體系結(jié)構(gòu)在市場上的受歡迎程度。因此，早自2003年初以來，Altera就一直在穩(wěn)步開發(fā)和測試其65nm技術(shù)。本節(jié)研究Altera在65nm工藝上的工程策略，介紹公司如

13、何為客戶降低生產(chǎn)和計(jì)劃風(fēng)險(xiǎn)，并同時從根本上提高密度、性能，及降低成本和功耗。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)達(dá)到新的極限，在65nm工藝節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了特殊的產(chǎn)品規(guī)劃、設(shè)計(jì)和交付挑戰(zhàn)。在130nm和90nm通道尺度上還可以處理的深亞微米效應(yīng)，包括功耗增加、工藝偏差以及參數(shù)失效等，成為65nm工藝最顯著的工程挑戰(zhàn)。這一工藝節(jié)點(diǎn)的IC開發(fā)存在很大的風(fēng)險(xiǎn)，會影響FPGA的工藝和性能。Altera在降低功耗上的策略是幫助客戶盡可能的控制好功耗和性能，在這兩方面達(dá)到均衡。Altera的65nm低功耗策略包括：l 功耗最佳硅工藝l 三次氧化l 芯片應(yīng)變l 低k絕緣l 用戶可選的內(nèi)核電壓l 高性能模式l 低功耗模式功耗最佳硅

14、工藝 在65nm工藝中，Altera采用了三次氧化技術(shù)來降低漏電流。三次氧化提高了晶體管電壓閾值，但會降低晶體管的性能，因此，Altera巧妙的采用了這種晶體管技術(shù)來降低功耗，同時為用戶設(shè)計(jì)提供最佳性能。Altera還使用了應(yīng)變硅，提高晶體管中的載流子移動能力，增加驅(qū)動電流，但是不會增加漏電流。最后，Altera使用低k絕緣工藝來隔離金屬層，減小了電容，從而直接降低了動態(tài)功耗。用戶可選的內(nèi)核電壓 用戶可選的內(nèi)核電壓使客戶能夠選擇不同等級的功耗和性能。選擇最低的支持內(nèi)核電壓，平均降低30的動態(tài)功耗。如果性能沒有達(dá)到要求，用戶可以選擇更高的電壓，然后使用不同的方法來降低功耗，而不會破壞時序要求。5

15、.1 Altera的功耗/性能優(yōu)勢 Altera在65nm工藝上的功耗策略顯著降低了65nm器件的漏電流。盡管業(yè)界普遍認(rèn)為65nm器件較大的漏電流會導(dǎo)致出現(xiàn)用戶無法承受的靜態(tài)功耗，但是Altera的65nm FPGA要比90nm FPGA和競爭65nmFPGA的靜態(tài)功耗低。通過積極采用創(chuàng)新的功耗降低技術(shù)，Altera的65nm FPGA動態(tài)功耗也要低于90nm FPGA和競爭65nm FPGA，而性能則大大提高。 除了更低的功耗以外，Altera還延續(xù)了對競爭65nm產(chǎn)品的性能優(yōu)勢。例如，一個設(shè)計(jì)從90nm StratixII器件移植到65nm Stratix III器件后，在相同的工作頻率下

16、，其功耗將會降低50(參見表1)。希望通過從Stratix II FPGA轉(zhuǎn)向Stratix III FPGA來提高性能的用戶，在功耗上將會降低30，同時在性能上提高20。表1設(shè)計(jì)時鐘頻率從Stratix II 器件到Stratix III 器件的總功耗變化+20%-30%等值-50%5.2 65 nm產(chǎn)品生產(chǎn)挑戰(zhàn) Altera雖然克服了這些功耗問題，但是在轉(zhuǎn)向更高級工藝時，還存在固有的生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。在更小的幾何尺寸上，制造工藝的變化對器件工作影響很大。半導(dǎo)體制造工藝的變化來自多種原因，包括光刻效應(yīng)、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)導(dǎo)致的金屬層厚度變化、攙雜波動、邏輯門尺寸和氧化層厚度的變化以及量子阱鄰近效

17、應(yīng)(WPE)等。 尤其是65nm工藝光刻技術(shù)，由于器件尺寸以及彼此之間的空隙小于光刻的光半波長，因此在這一節(jié)點(diǎn)上存在很大的挑戰(zhàn)。這意味著不能通過簡單的使用對應(yīng)形狀和尺寸的光掩模板，在管芯上實(shí)現(xiàn)芯片功能，因?yàn)槭д鏁?dǎo)致最終得到的特性偏離最初的設(shè)想。已經(jīng)開發(fā)了多種方法來解決這一問題，包括光接近校正(OPC)和相移掩模(PSM)等分辨率增強(qiáng)技術(shù)。然而，所有這些方法都沒有徹底消除光刻導(dǎo)致的失真，而有些方法還引入了其他失真，導(dǎo)致更大的偏差。 不管來源如何，這些不穩(wěn)定性是亞微米半導(dǎo)體生產(chǎn)面臨的最大挑戰(zhàn)。例如，在90nm設(shè)計(jì)中，WPE會增加60mV的閾值電壓變化，導(dǎo)致對設(shè)計(jì)電路的預(yù)測偏離(1)。隨著晶體管之

18、間距離的縮短，這些效應(yīng)的影響更加嚴(yán)重。布局產(chǎn)生的雜散電阻和電容也增加了亞微米生產(chǎn)工藝的難度，對時序和信號完整性有一定的影響，而且對這些效應(yīng)也越來越難進(jìn)行建模和分析。5.3 降低65nm生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)的策略 Altera采用了最新的技術(shù)來降低65nm生產(chǎn)中不利因素的影響。為了可靠實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)勢，同時降低前沿技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)，Altera采用的策略包括先進(jìn)的工藝技術(shù)、全面的65nm測試芯片程序以及降低缺陷密度的成熟系統(tǒng)。統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時序分析降低了工藝拐點(diǎn)偏差 Altera采用的最新生產(chǎn)穩(wěn)定技術(shù)是統(tǒng)計(jì)時序建模和分析，考慮了不同工藝、電壓和溫度條件下的時序和功能的統(tǒng)計(jì)分布，而不是僅僅關(guān)注最好和最差數(shù)值的傳統(tǒng)方法。采用這

19、些分布結(jié)果，了解電路在不同條件下的工作情況，Altera能夠?qū)崿F(xiàn)更好的性能和參量效率。為了實(shí)現(xiàn)統(tǒng)計(jì)時序建模等前沿技術(shù)，Altera開發(fā)了專用方法，采用了來自多個EDA供應(yīng)商的高級工具。 例如，Altera使用Synopsys提供的“偏差預(yù)知”Star-RCXT工具，為雜散提取產(chǎn)生精確的電阻電容(RC)雜散值。Toshiba、Renesas和ATI在亞微米設(shè)計(jì)中也采用了Star-RCXT，它能夠?yàn)?5nm工藝中各種偏差導(dǎo)致的雜散現(xiàn)象進(jìn)行精確建模，包括WPE和用于CMP偏置變化的金屬填充工藝等(2)。通過采用最新的技術(shù)和工具來了解并評估65nm設(shè)計(jì)中的大量難點(diǎn)，例如雜散現(xiàn)象的來源和數(shù)值大小等，Al

20、tera降低了實(shí)現(xiàn)65nm器件可靠生產(chǎn)過程中的不確定性。6 Xilinx新一代 28nm FPGA 技術(shù) 賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗技術(shù)，并將該技術(shù)與新型一體化 ASMBLTM 架構(gòu)相結(jié)合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實(shí)現(xiàn)了前所未有的高集成度和高帶寬，為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)人員提供了一種可替代 ASSP和 ASIC 的全面可編程解決方案。賽靈思的 28nm 技術(shù)與架構(gòu)創(chuàng)新：l 相對于其它 28nm 高性能方案而言，可將靜態(tài)功耗降低多達(dá) 50%。l 相對于前代 FPGA 而言，可將系統(tǒng)級性能提升多達(dá) 50%。l 相對于前代 FPGA 而

21、言，可將容量提升 2 倍，總功耗降低多達(dá) 50%。6.1 經(jīng)濟(jì)及技術(shù)挑戰(zhàn)：降低靜態(tài)功耗以提高可用性能，并降低系統(tǒng)功耗 隨著越來越多的系統(tǒng)集成多個集成電路 (IC)，系統(tǒng)功耗不斷增加，這是全球關(guān)注的問題。除了帶來環(huán)保影響外，功耗的增加也會增加系統(tǒng)構(gòu)建及運(yùn)營成本。要想散去多余熱量，就必須使用復(fù)雜的散熱片、風(fēng)扇甚至更多的穩(wěn)壓器，而這些都會增加資本支出(CAPEX)。運(yùn)營支出 (OPEX) 包括設(shè)備運(yùn)行以及制冷所需的電力，也會隨著總功耗的增加而增加。此外，系統(tǒng)過熱會降低可靠性，增加系統(tǒng)停機(jī)風(fēng)險(xiǎn)，并提高運(yùn)營成本。 摩爾定律繼續(xù)發(fā)揮作用。新一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)都會提高集成度，降低成本。不過，上述優(yōu)勢往往會被

22、增加的靜態(tài)功耗抵消。每次縮減外形尺寸，似乎不可避免地都會提升靜態(tài)功耗，這種現(xiàn)象在 FPGA 產(chǎn)業(yè)中尤為突出。此前，F(xiàn)PGA 產(chǎn)業(yè)在采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)為客戶提供更高性能及容量方面一直處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。最后，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)，由于功耗原因，他們很難充分利用更高的密度和電路速度。支持新一代系統(tǒng)的關(guān)鍵在于為設(shè)計(jì)人員提供更高的“可用性能”，也就是說，要在可用功耗預(yù)算范圍內(nèi)提供盡可能高的數(shù)據(jù)處理能力。降低靜態(tài)功耗可為動態(tài) (工作) 功耗留下更多功耗預(yù)算，從而提高可用性能，進(jìn)而也能提高接口的帶寬，并為同一 FPGA 中的邏輯、存儲器、DSP 及其他功能提供更多資源。6.2 最佳 28nm FPGA

23、 工藝技術(shù)：HKMG 高性能低功耗 傳統(tǒng)的 FPGA 工藝技術(shù)在 28nm 工藝上已經(jīng)達(dá)到了功耗極限，因此也達(dá)到了性能極限。問題的根源在于幾十年來用于構(gòu)建 IC 晶體管的多晶/氮氧化硅。 為了提高晶體管的速度，半導(dǎo)體工程師一直在隨著工藝技術(shù)的提高努力減小門介電層的厚度。不過，由于介電層的隧道效應(yīng)和門本身的漏電流，電介質(zhì)厚度的減少會導(dǎo)致漏電流增加，這就造成工藝技術(shù)每次節(jié)點(diǎn)進(jìn)步都會大幅提升靜態(tài)功耗。 賽靈思以創(chuàng)新型的三重門極氧化層 電路技術(shù)成功控制隧道電流效果，從 90nm 工藝到40nm 工藝節(jié)點(diǎn)一直都比較成功。不過，就 28nm 工藝而言，門極氧化層太薄了，必須用最新門材料和架構(gòu)來處理隧道效果

24、。為了控制門下的漏電流 (亞閾值泄漏)，賽靈思工程師在整體晶體管設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行了審慎權(quán)衡。為了解決 28nm 工藝問題，賽靈思采用了二氧化鉿這種新型門介電材料，該材料的介電常數(shù) () 較高，可增減門極厚度，這就使晶體管不太容易受到隧道電流效應(yīng)的影響。舉例來說，40nm 工藝使用的二氧化硅 值為 3.9，而 28nm 金屬閘技術(shù)所用的二氧化鉿 值則為 25，這就成為高性能低功耗 28nm 工藝技術(shù)的最佳選擇。6.3 堆疊硅片互聯(lián)技術(shù) （Stacked Silicon Interconnect Technology (SSIT)）賽靈思推出的獨(dú)特的堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)使其最高性能Virtex-7 FP

25、GA的容量增加一倍以上。通過引入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第一個堆疊硅片架構(gòu)，賽靈思推出了世界上最大的FPGA，其中最大的一顆可以提供兩百萬個邏輯單元，是最大競爭器件容量的兩倍。 SSIT使得賽靈思可以在目前這一代工藝技術(shù)上，即可提供下一代的密度。這意味著客戶利用一個單芯片的Virtex-7就可以替代2-4個上一代FPGA芯片，可把總功耗降低50-70，BOM成本降低40-50%。SSIT不僅僅只是擴(kuò)充了芯片的容量。同樣的技術(shù)也可用于把FPGA和其它芯片切片（dice）混合和匹配來創(chuàng)建全新的器件。事實(shí)上，這種方法首次用于賽靈思的超快Virtex-7 HT系列，它把多個FPGA芯片切片和內(nèi)置28 Gbps串行

26、收發(fā)器的芯片切片結(jié)合在一起，提供了比市場上任何其他解決方案多四倍的收發(fā)器。其結(jié)果就是可以提供一個具有極低噪聲和抖動的、串行帶寬總額高達(dá)2.78 Tbps的器件，用以支持并加速下一代400G網(wǎng)絡(luò)部署。 7 未來可編程器件的發(fā)展趨勢先進(jìn)的ASIC生產(chǎn)工藝已經(jīng)被用于FPGA的生產(chǎn)，越來越豐富的處理器內(nèi)核被嵌入到高端的FPGA芯片中，基于FPGA的開發(fā)成為一項(xiàng)系統(tǒng)級設(shè)計(jì)工程。隨著半導(dǎo)體制造工藝的不同提高，F(xiàn)PGA 的集成度將不斷提高，制造成本將不斷降低，其作為替代ASIC 來實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的前景將日趨光明。7.1 大容量、低電壓、低功耗FPGA大容量FPGA 是市場發(fā)展的焦點(diǎn)。FPGA 產(chǎn)業(yè)中的兩大霸主

27、：Altera和Xilinx在超大容量FPGA上展開了激烈的競爭。2007年Altera推出了65nm工藝的StratixIII系列芯片，其容量為67200個L E (Logic Element，邏輯單元)，Xilinx推出的65nm工藝的VitexVI系列芯片，其容量為33792個Slices (一個Slices約等于2個L E)。采用深亞微米(DSM)的半導(dǎo)體工藝后,器件在性能提高的同時，價(jià)格也在逐步降低。由于便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的發(fā)展，對FPGA 的低電壓、低功耗的要日益迫切。因此，無論那個廠家、哪種類型的產(chǎn)品,都在瞄準(zhǔn)這個方向而努力。7.2 系統(tǒng)級高密度FPGA隨著生產(chǎn)規(guī)模的提高,產(chǎn)品應(yīng)用成

28、本的下降，F(xiàn)PGA 的應(yīng)用已經(jīng)不是過去的僅僅適用于系統(tǒng)接口部件的現(xiàn)場集成，而是將它靈活地應(yīng)用于系統(tǒng)級(包括其核心功能芯片)設(shè)計(jì)之中。在這樣的背景下，國際主要FPGA 廠家在系統(tǒng)級高密度FPGA 的技術(shù)發(fā)展上，主要強(qiáng)調(diào)了兩個方面：FPGA 的IP( Intellec2tual Property ，知識產(chǎn)權(quán))硬核和IP軟核。當(dāng)前具有IP內(nèi)核的系統(tǒng)級FPGA的開發(fā)主要體現(xiàn)在兩個方面：一方面是FPGA 廠商將IP硬核(指完成版圖設(shè)計(jì)的功能單元模塊)嵌入到FPGA 器件中，另一方面是大力擴(kuò)充優(yōu)化的IP軟核(指利用HDL語言設(shè)計(jì)并經(jīng)過綜合驗(yàn)證的功能單元模塊)，用戶可以直接利用這些預(yù)定義的、經(jīng)過測試和驗(yàn)證的IP 核資源,有效地完成復(fù)雜的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)。7.3 FPGA和ASIC出現(xiàn)相互融合雖然標(biāo)準(zhǔn)邏輯ASIC 芯片尺寸小、功能強(qiáng)、功耗低，但其設(shè)計(jì)復(fù)雜，并且有批量要求。FPGA價(jià)格較低廉，能在現(xiàn)場進(jìn)行編程，但它們體積