HRTEM高分辨率標(biāo)定-4

1、帶軸挺正的，直接標(biāo)就行，而且是低指數(shù)，可以按照標(biāo)準(zhǔn)普標(biāo)定。那需要查查pdf卡片了，還有就是，有沒有第二相，或者有序空位,都會(huì)差生周圍的弱斑點(diǎn)，取向有微小的變化,般大變形的樣品會(huì)出現(xiàn)衍射斑點(diǎn)拉長。再有就是結(jié)晶生長的樣品，生長的過程中也取向會(huì) 形成略小的差別，就會(huì)形成你上面的衍射，要成多晶的話，需要有很 多個(gè)取向隨機(jī)的晶粒，你這個(gè)顯然不是。用DM軟件測(cè)量面間距有兩種方法，一是在像中直接測(cè)量，這種方 法測(cè)量方向必須嚴(yán)格垂直于要測(cè)的晶面，一般不常用。另外一種方法就是在FFT中測(cè)量相應(yīng)的斑點(diǎn)，因?yàn)?HRTEM與相應(yīng)FFT有對(duì)應(yīng)關(guān) 系，F(xiàn)FT 一個(gè)斑點(diǎn)代表HRTEM中的相應(yīng)一組面。方法是將像做FFT， 然

2、后用ROI Tool中虛直線工具準(zhǔn)確連接相應(yīng)斑點(diǎn)到中心斑，然后在 軟件菜單Analysis中里選Calibate ，就會(huì)有正空間面間距顯示。FFT 中點(diǎn)少說明像的分辨率或質(zhì)量不高。 希望能得到高人指點(diǎn)啊，最好上 面2種方法都介紹一下?。糠浅８兄xUSTB版主幫我做了這次TEM實(shí)驗(yàn)，標(biāo)定后也請(qǐng)教了 USTB 版主。感謝版主！兩張SAED圖，左圖經(jīng)111方向旋轉(zhuǎn)19.5度后得到右圖，如果按照 圖中的標(biāo)定，兩張圖可以自洽，可是圖中的1/2位置的弱點(diǎn)不好解釋， 能不能解釋成超晶格？晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：物質(zhì)：(space group: C222lattice parameters: a=5.5504,b=5

3、.5498,c=3.949, 90,90,90,HKL2Theta/degd/?00122.4973.94950.6611022.6393.9245110011132.1292.7836795.2120032.232.775223.6402032.2332.774923.6420139.6632.2705830.0102139.6662.270423000245.9241.974510.822046.2271.9622621.2811251.7891.7638432.8822151.9971.7572732.5831052.0641.7551716.2413052.0691.7550216.2

4、420257.2131.6088513.11以下是XRD圖譜中出現(xiàn)的d值l/rel.02257.2151.6087913.1131157.4061.6038926.0213157.4111.6037726.0122267.2071.3918318.3940067.4391.38764.5604067.4481.387454.5600371.6321.316334.0431271.9171.3118116.0313271.9211.3117516.0240172.0881.309137.9804172.0961.309017.9733072.1491.308177.9611376.2281.24

5、814.38我覺得可以說是超晶格，不過最好有高分辨圖。肯定不對(duì)如果大點(diǎn)是(111)那小點(diǎn)就是1/2(111)很滑稽.應(yīng)該是超結(jié)構(gòu)斑點(diǎn)，如果知道(的具體原子位置可以算一下看看，或者再做高分辨確認(rèn)一下。超晶格1970年美國IBM實(shí)驗(yàn)室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念. 他們 設(shè)想如果用兩種晶格匹配很好的材料交替地生長周期性結(jié)構(gòu)，每層材料的厚度在100nm以下，如圖所示，則電子沿生長方向的運(yùn)動(dòng)將會(huì) 產(chǎn)生振蕩，可用于制造微波器件.他們的這個(gè)設(shè)想兩年以后在一種分 子束外延設(shè)備上得以實(shí)現(xiàn)。一個(gè)雙超晶格可見，超晶格材料是兩種不同組元以幾個(gè)納米到幾十個(gè)納米的薄層交 替生長并保持嚴(yán)格周期性的多層膜，事實(shí)上就是特

6、定形式的層狀精細(xì) 復(fù)合材料。超晶格又分以下幾種1. 組分超晶格：在超晶格結(jié)構(gòu)中，如果超晶格的重復(fù)單元是由不同半 導(dǎo)體材料的薄膜堆垛而成的 叫做組分超晶格2. 摻雜超晶格：在同一種半導(dǎo)體中，用交替地改變摻雜類型的方法做 成的新型人造周期性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的材料。摻雜超晶格的優(yōu)點(diǎn)：任何一種半導(dǎo)體材料只要很好控制摻雜類型都可 以做成超晶格；多層結(jié)構(gòu)的完整性非常好，由于摻雜量一般比較小， 雜質(zhì)引起的晶格畸變也較小，摻雜超晶格中沒有像組分超晶格那樣明 顯的異質(zhì)界面；摻雜超晶格的有效能量隙可以具有從零到位調(diào)制的基 體材料能量隙之間的任何值，取決于各分層厚度和摻雜濃度的選擇。 3多維超晶格4.應(yīng)變超晶格1、量子阱

7、量子阱是指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、 具有明顯量子 限制效應(yīng)的電子或空穴的勢(shì)阱。量子阱的最基本特征是，由于量子阱 寬度（只有當(dāng)阱寬尺度足夠小時(shí)才能形成量子阱）的限制，導(dǎo)致載流子 波函數(shù)在一維方向上的局域化。2、多量子阱 在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長形成的多層結(jié)構(gòu)中， 如果勢(shì)壘 層足夠厚，以致相鄰勢(shì)阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小， 則多層結(jié) 構(gòu)將形成許多分離的量子阱，稱為多量子阱。3、超晶格（耦合的多量子阱）如果勢(shì)壘層很薄，相鄰阱之間的耦合很強(qiáng)，原來在各量子阱中分立的 能級(jí)將擴(kuò)展成能帶（微帶），能帶的寬度和位置與勢(shì)阱的深度、寬度及 勢(shì)壘的厚度有關(guān)，這樣的多層結(jié)構(gòu)稱為超晶格。具有

8、超晶格特點(diǎn)的結(jié) 構(gòu)有時(shí)稱為耦合的多量子阱。孿晶孿晶是指兩個(gè)晶體（或一個(gè)晶體的兩部分）沿一個(gè)公共晶面（即特定取向關(guān)系）構(gòu)成鏡面對(duì)稱的位向關(guān)系，這兩個(gè)晶體就稱為”孿晶"，此公共晶面就稱孿晶面。孿晶界可分為兩類，共格孿晶界（coherent twin boundary）和非共 格孿晶界（in cohere nt twin bou ndary），如上圖所示。共格孿晶界就是孿晶面在孿晶面上的原子同時(shí)位于兩個(gè)晶體點(diǎn)陣的結(jié)點(diǎn)上，為兩個(gè)晶體所共有，屬于自然地完全匹配是無畸變的完全共 格晶面，它的界面能很低，約為普通晶界界面能的 1/10，很穩(wěn)定， 在顯微鏡下呈直線，這種孿晶界較為常見。如果孿晶界相對(duì)于孿晶面旋轉(zhuǎn)一角度，即可得到另一種孿晶界一一非 共格孿晶界。此時(shí)，孿晶界上只有部分原子為兩部分晶體所共有，因 而原子錯(cuò)排較嚴(yán)重，這種孿晶界的能量相對(duì)較高，約為普通晶界的1/2。孿晶的形成與堆垛層錯(cuò)有密切關(guān)系。 依孿晶形成原因的不同，可分為 "形變孿晶"、"生長孿晶"和"退火孿晶"等。正因?yàn)閷\晶與層錯(cuò)能密切 相關(guān)，一般層錯(cuò)能高的晶體不易產(chǎn)生孿晶。孿晶，英文叫twi nning，孿晶其實(shí)是金屬塑性變形里的一個(gè)重要概 念。孿生與滑移是兩種基本的塑性形變機(jī)制。從微