ITO制作工藝講解(共16頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上觸摸屏制造工藝實(shí)戰(zhàn)與難點(diǎn)二ITO 圖形制備工藝   二ITO 圖形制備工藝透明導(dǎo)電氧化物薄膜主要包括號(hào)In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料，具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低，對(duì)紫外線的吸收率大于85%,對(duì)紅外線的反射率大于70%等特性。透明導(dǎo)電薄膜以摻錫氧化銦（Indium TinOxinde）ITO為代表，廣泛地應(yīng)用于平板顯示、太陽能電池、特殊功能窗口涂層及其它光電器件領(lǐng)域，它的特性是當(dāng)厚度降到 1800埃 (1埃 =10 10米 )以下時(shí)會(huì)突然變得透明，透光率為80，再薄下去透光率反而下降，到300埃厚度時(shí)又上升到

2、80。ITO是所有電阻技術(shù)觸屏及電容技術(shù)觸摸屏都用到的主要材料，實(shí)際上電阻和電容技術(shù)觸摸屏的工作面就是ITO涂層。一、ITO的特性ITO就是在In2O3里摻入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因?yàn)镮n2O3中的In元素是三價(jià)，形成SnO2時(shí)將貢獻(xiàn)一個(gè)電子到導(dǎo)帶上，同時(shí)在一定的缺氧狀態(tài)下產(chǎn)生氧空穴，形成1020至1021cm-3的載流子濃度和10至30cm2/vs的遷移率。這個(gè)機(jī)理提供了在10-4.cm數(shù)量級(jí)的低薄膜電阻率，所以ITO薄膜具有半導(dǎo)體的導(dǎo)性能。目前ITO膜層之電阻率一般在5*10-4左右，最好可達(dá)5*10-5，已接近金屬的電阻率，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)

3、，常以方塊電阻來表征ITO的導(dǎo)電性能，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例控制，增加氧化錮比例則可提高ITO之透過率，通常Sn2O3： In2O3=1：9因?yàn)檠趸a之厚度超過200?時(shí)，通常透明度已不夠好-雖然導(dǎo)電性能很好。 如用是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長(zhǎng)度，L2為在垂直于電流方向上的膜層長(zhǎng)主，當(dāng)電流流過方形導(dǎo)電膜時(shí)，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導(dǎo)電膜之電阻率，對(duì)于給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當(dāng)L1=L2時(shí)，其正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即方塊電阻定義： R=P/d，式

4、中R單位為：奧姆/（/），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關(guān)且ITO膜阻值越低，膜厚越大。 ITO膜層的電阻對(duì)高溫和酸堿比較敏感，因?yàn)橥ǔ５碾娮赢a(chǎn)品生產(chǎn)工藝中要使用高溫烘烤及各種酸堿液的浸泡，而一般在300°C *30min的環(huán)境中，會(huì)使R增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min（60°C）下也會(huì)增到1.1倍左右，由此可知，在生產(chǎn)工藝中不宜采用高溫生產(chǎn)及酸堿的長(zhǎng)時(shí)清洗，若無法避免，則應(yīng)盡量在低溫下進(jìn)行并盡量縮短動(dòng)作時(shí)間。 ITO 膜在電子行業(yè)應(yīng)用中，除了作為電子屏蔽、紫外線吸收阻斷、紅外線反射阻斷等應(yīng)

5、用外，還有一大應(yīng)用就是在平板顯示器領(lǐng)域作為透明電極線路使用，利用ITO膜制作透明電極線路的方法主要為化學(xué)蝕刻、激光刻蝕兩種。 二、ITO膜的制作方式1、真空磁控濺射鍍膜。ITO磁控濺射示意圖濺射過程中，在高氧流量的情況下，從靶材中轟擊出的金屬In、Sn原子在真空室內(nèi)或襯底表面能充分和氧反應(yīng)生成In2O3和SnO2 2、真空蒸鍍。上世紀(jì)八十年代初的技術(shù)，基本已淘汰。 3、溶膠凝膠法這種方式不適合用于量產(chǎn)，目前僅用于一些科研機(jī)構(gòu)分析使用。 4、絲印或噴墨打印法目前僅日本住友有絲印法的實(shí)用技術(shù)，用于該公司自有產(chǎn)品上使用，據(jù)說品質(zhì)上要比傳統(tǒng)方式好些。一般微晶IT

6、O粉劑制劑用絲印方式生產(chǎn)較合理，納米級(jí)ITO粉劑制劑則可以使用噴墨找印法。這種方式無疑在生產(chǎn)效率上是最高的，在絕大部分場(chǎng)合，省去了后面的刻蝕工序，直接生產(chǎn)所需要的ITO透明電極圖形，是以后的主要研究和發(fā)展方向。 5、半導(dǎo)體制程之Lift-off 作法可以另外在PET薄膜基材上先進(jìn)行印刷負(fù)型圖案，接著進(jìn)行ITO鍍膜，最后將印刷油墨去除。 三、化學(xué)蝕刻法進(jìn)行ITO圖形制備目前行業(yè)中應(yīng)用最廣的ITO膜，絕大部分都是利用磁控濺射的方式生產(chǎn)的。磁控濺射所生成的ITO層，可以理解為一些單個(gè)的原子或原子團(tuán)經(jīng)氧化后堆積在一起所形成的薄膜，所以從宏觀上講，它可以理解為具有各向同性的特性，也就

7、是在光、電、化學(xué)等性能上，各個(gè)方向基本上是一致的。這個(gè)特性可以讓ITO膜在進(jìn)行化學(xué)蝕刻時(shí)，各個(gè)方向的化學(xué)反應(yīng)速度都一致，從而得到很好的圖形重現(xiàn)性。因?yàn)榧词乖趫D形邊緣進(jìn)行三到五倍的過蝕時(shí)間，也只是在邊緣損失幾百到幾千埃的側(cè)蝕區(qū)，對(duì)于微米級(jí)以上的線路而言，埃級(jí)的公差可以完全忽略。ITO層在宏觀上理解為各向同性特性這點(diǎn)與一些場(chǎng)合強(qiáng)調(diào)ITO是一種非等鍵晶體結(jié)構(gòu)所體現(xiàn)的各向異性是完全不同的概念，強(qiáng)調(diào)其晶體結(jié)構(gòu)，是為了強(qiáng)調(diào)表述其微觀結(jié)構(gòu)上的穩(wěn)定性，這種穩(wěn)定性能夠具體描述它的一些物理化學(xué)參數(shù)的相對(duì)恒定值，然而從宏觀上講，ITO不可能真正的成為完整結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)構(gòu)。ITO的原子與晶粒排布（電子掃描）在絕大多數(shù)的

8、場(chǎng)合中，化學(xué)蝕刻法是ITO圖形制備最成熟和可行的技術(shù)，它可以根據(jù)你的需要，生成目前足夠精細(xì)的圖案和相對(duì)比較少的前期投資。隨著深紫外線技術(shù)在曝光設(shè)備上的應(yīng)用，微米的精度，早已被大多數(shù)廠家所實(shí)現(xiàn)。它具有高效率、批次穩(wěn)定性和重復(fù)性好、設(shè)備投資額低、配套技術(shù)完善等諸多優(yōu)點(diǎn)，目前仍是大規(guī)模生產(chǎn)的主要方向，使用的原料有蝕刻膏、抗蝕油墨、光刻膠三種。 1、蝕刻膏工藝化學(xué)蝕刻法有以下幾種方式實(shí)現(xiàn)：一種是直接在產(chǎn)品電極圖形區(qū)域外印制蝕刻膏，等反應(yīng)完全后，用蝕刻膏溶劑，一般是水清洗干凈，留下所需的電極圖形。這種方式對(duì)于一些線寬和線距要求在0.2mm以上的光電產(chǎn)品如低檔TN顯示器、電阻式觸摸屏、按鍵式電容

9、屏、光伏電池等，因?yàn)椴挥煤馁M(fèi)大量的化學(xué)物品，對(duì)環(huán)境污染影響更小，節(jié)省大量水、電費(fèi)、場(chǎng)地費(fèi)用，前期投資費(fèi)用低廉，一般的絲印行業(yè)就可以掌握大部分技術(shù)等因素，有日趨發(fā)展的勢(shì)頭。它主要的控制點(diǎn)就在于溫度對(duì)于蝕刻速度的控制，設(shè)計(jì)時(shí)要充分考慮邊緣效應(yīng)這兩點(diǎn)上，一般可以用比較簡(jiǎn)單的工場(chǎng)實(shí)地實(shí)驗(yàn)，就可以得到比較準(zhǔn)備的參數(shù)。 2、抗蝕油墨工藝化學(xué)蝕刻法第二種方法，剛好與第一種相反，它是在產(chǎn)品電極圖形區(qū)域內(nèi)印制是阻蝕油墨保護(hù)起來，然后把產(chǎn)品浸入化學(xué)蝕刻液中，讓產(chǎn)品電極圖形區(qū)域外部分與化學(xué)蝕刻液完全反應(yīng)后，再把阻蝕油墨從產(chǎn)品電極圖形表面剝離下來，形成產(chǎn)品電極圖形。它的線寬和線距做到0.08mm，仍可以達(dá)到

10、95%以上的蝕刻良率。這種方法在PCB線路板、薄膜開關(guān)、電阻式觸摸屏、光伏電池等產(chǎn)品生產(chǎn)上，目前占據(jù)主流的地位。 按照最后剝離去的方式不同，阻蝕油墨分為物理剝離型和化學(xué)溶液剝離型。其中物理剝離型阻蝕油墨，除了用在電子產(chǎn)品圖形制備生產(chǎn)中，更多的是用在產(chǎn)品表面防護(hù)上，以阻止外力損傷產(chǎn)品，隔絕外面環(huán)境中的水、電、氣，防止它們腐蝕產(chǎn)品。其中在電子行業(yè)里應(yīng)用最多的就是電路板絕緣保護(hù)膠，和觸摸屏生產(chǎn)中的表面保護(hù)膠。由于物理剝離型阻蝕油墨，如果在產(chǎn)品轉(zhuǎn)序過程中，需要去除的話，是使用物理外力撕下剝離的，所以一般它的絲印厚度要求在化學(xué)溶液剝離型阻蝕油墨的絲印厚度的二到三倍以上，并且在固化程度上，不能象

11、化學(xué)溶液剝離型阻蝕油墨一樣，只要達(dá)到表面固化即可，也要求一定要完全固化，這樣在生產(chǎn)的后續(xù)加工過程中，邊緣部分不會(huì)因?yàn)閿D壓而變形破裂，在需要移除的時(shí)候，產(chǎn)生邊緣殘留。在觸摸屏的生產(chǎn)過程中，表面保護(hù)膠的邊緣殘留，是影響產(chǎn)品生產(chǎn)效率和品質(zhì)良品率的主要因素之一。 化學(xué)溶液剝離型阻蝕油墨，按最后剝離時(shí)的方式不同，也分為一種是溶解型的，一種是膨脹型的。兩都在蝕刻效果上沒有什么區(qū)別，只是在剝離清洗過程中，溶解型的阻蝕油墨不需要強(qiáng)堿，對(duì)一些對(duì)堿濃度比較敏感的產(chǎn)品更適合，它的缺點(diǎn)是，為了提高油墨絲印的性能，添加了一些填料在油墨中以增加油墨粘度和定型能力，這些填料，會(huì)在剝離溶解過程中，因附壁效應(yīng)，依附殘

12、留在產(chǎn)品表面，比較難以清洗干凈。這些缺點(diǎn)，在膨脹型的油墨中則不會(huì)出現(xiàn)，但膨脹型油墨在剝離時(shí)，對(duì)堿的濃度要求較高，并且剝離后的油墨呈片狀，在剝離設(shè)備的堿液循環(huán)系統(tǒng)中，要有相應(yīng)的過濾和隔離措施，以免阻塞管路和重復(fù)污染產(chǎn)品。 阻蝕油墨的關(guān)鍵參數(shù)是針孔度和粘度，由于一般都是制作線寬線距0.08mm以上的產(chǎn)品，一般的針孔度都能達(dá)到要求，所以在實(shí)際生產(chǎn)過程，主要關(guān)注的是粘度變化。 3、光刻膠工藝化學(xué)蝕刻方法在線寬線距要求在0.07mm以下的產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，上面的兩種方式就很難達(dá)到要求了，這時(shí)就需要一種更為精細(xì)的第三種化學(xué)蝕刻方式，光刻膠化學(xué)蝕刻。 光刻膠又稱光致抗蝕劑，由、增

13、感劑和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形?；诟泄鈽渲幕瘜W(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可以分為三種類型。光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，自

14、由基再進(jìn)一步引發(fā)單體，最后生成聚合物，具有形成正像的特點(diǎn)。光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經(jīng)光照后,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄?，可以制成正性膠。光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負(fù)性光刻膠?？逻_(dá)公司的產(chǎn)品KPR膠即屬此類。 感光樹脂在用近紫外光輻照成像時(shí)，光的波長(zhǎng)會(huì)限制分辨率的提高。為進(jìn)一步提高分辨率以滿足超大規(guī)模集成電路工藝的要求，必須采用波長(zhǎng)更短的輻射作為光源。由此產(chǎn)生電子束、X 射線和深紫外(250nm)刻蝕技術(shù)和相應(yīng)的電子束刻蝕膠，

15、X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細(xì)至1m以下。 微細(xì)加工技術(shù)是人類迄今所能達(dá)到的精度最高的加工技術(shù)，光刻膠是其重要支撐條件之一，這是由微電子信息產(chǎn)業(yè)微細(xì)加工的線寬所決定的 光刻膠在微電子信息產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用有很多，如用于平板顯示器行業(yè)，用于印制電路板行業(yè)中的光固化阻焊油墨、干膜、濕膜、ED抗蝕劑等等。近年來，電子信息產(chǎn)業(yè)的更新?lián)Q代速度不斷加快，新技術(shù)、新工藝不斷涌現(xiàn)，對(duì)光刻膠的需求不論是品種、還是質(zhì)量和數(shù)量都大大增多?？梢院敛豢鋸埖卣f，光刻膠已成為微電子信息產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的重要工藝支撐條件之一。 除了上述在平面顯示器領(lǐng)域的應(yīng)用外，光刻膠產(chǎn)品在微細(xì)加工技術(shù)中的

16、應(yīng)用將隨著高集成度、超高速、超高頻集成電路及元器件的開發(fā)，集成電路與元器件特征尺寸越來越精細(xì)的趨勢(shì)，其加工尺寸將達(dá)到深亞微米、百納米直至納米級(jí)，應(yīng)用光刻膠的發(fā)展趨勢(shì)為了適應(yīng)微電子行業(yè)亞微米圖形加工技術(shù)要求，光刻膠的開發(fā)已從普通紫外光發(fā)展到紫外光刻膠、深紫外光刻膠、電子束膠、X射線膠、離子束膠等。目前的開發(fā)重點(diǎn)是深紫外光刻膠和電子束化學(xué)放大抗蝕劑(CAR)。CAR是以聚4-羥基苯乙烯為化學(xué)平臺(tái)，加入光產(chǎn)酸劑、交聯(lián)劑及其他成分而成。在輻射源曝光時(shí)，其光化學(xué)增益可達(dá)102108，從而得到高精度圖形。 近年來，光刻膠在微電子行業(yè)中不斷開發(fā)出新的用途，如采用光敏性介質(zhì)材料制作多芯片組件(MCM

17、)。MCM技術(shù)可大幅度縮小電子系統(tǒng)體積，減輕其質(zhì)量，并提高其可靠性。近年來國外在高級(jí)軍事電子和宇航電子裝備中，已廣泛地應(yīng)用MCM技術(shù)。 光刻膠的技術(shù)由于改良發(fā)展較快的緣故，在普通產(chǎn)品應(yīng)用上，基本已經(jīng)解決了針孔率偏高的問題，對(duì)普通產(chǎn)品應(yīng)用幾乎不再考慮針孔率對(duì)產(chǎn)品制作的影響了。 粘度的調(diào)整要視各家的習(xí)慣，一般是50CP的產(chǎn)品由于使用時(shí)添加了一定的稀釋劑，可以比較好調(diào)整涂覆效果，成本也可以降低，但是由于大量使用稀釋劑，也使光刻膠的一些性能受到影響，在作比較高檔的產(chǎn)品時(shí)會(huì)有分辨率下降的趨勢(shì)。而30CP的產(chǎn)品，在涂覆效果上，控制稍顯困難，但性能比較穩(wěn)定，比較適合制作精細(xì)度高的產(chǎn)品。&

18、#160;光刻膠的保存條件比較嚴(yán)格，在光線、溫度、濕度上都有限制，特別是開瓶使用后的光刻膠和稀釋劑，一旦吸潮，其物理化學(xué)性能均下降很快?，F(xiàn)在光刻膠涂覆工段一般都與自動(dòng)純水清洗線連在一起，很多時(shí)候都只考慮此段的潔凈度，而疏忽了該段的濕度控制，使得光刻膠涂覆的良品率比較低，在顯影時(shí)光刻膠脫落嚴(yán)重，起不到保護(hù)阻蝕的效果。 電子類產(chǎn)品光刻膠分為高感光度光刻膠和低感光度光刻膠。高感光度光刻膠可以制作10m以內(nèi)的高精密線路，一般用于IC和LCD微顯示器制作，低感光度光刻膠制作精度在10m以上，一般用于普通電子產(chǎn)品制作和線路板制作，比如說LCD、OLED、矩陣式電阻觸摸屏、投影式電容觸摸屏等產(chǎn)品。

19、這種方式在ITO圖形制備生產(chǎn)中，目前占據(jù)了主流的地位。下面所要講述的光刻膠工藝，是指應(yīng)用比較廣泛的低感光度正型光刻膠工藝，而負(fù)型光刻膠工藝除在圖形復(fù)制曝光過程中選擇相反外，其它工藝步驟基本相似。 光刻膠工藝分為以下幾個(gè)步驟：光刻膠涂覆光刻膠預(yù)烘圖形復(fù)制（曝光）-圖形顯影光刻膠固化化學(xué)刻蝕光刻膠剝離（1）光刻膠涂覆方法A、浸漬法：把所需涂覆的材料，直接浸入光刻膠中，然后取出后烘干。這種方法因?yàn)椴牧媳砻骐s質(zhì)不斷污染光刻膠，光刻膠的利用率很低，對(duì)光刻膠浪費(fèi)很大，同于材料的清潔程度不同和操作控制比較隨便，膜層厚度很不穩(wěn)定，得到精細(xì)圖案能力也不太強(qiáng)，目前很少有人在繼續(xù)使用。 B、離心

20、旋轉(zhuǎn)法：把所需涂覆的材料放在離心機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，在上面倒上光刻膠，然后按設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時(shí)間進(jìn)行涂覆后再烘干。這種方式比浸漬法更容易得到精細(xì)的電極圖案、生產(chǎn)批次穩(wěn)定和批次重復(fù)性高的工藝數(shù)據(jù)等。它的前期設(shè)備投入費(fèi)用較低，產(chǎn)品品質(zhì)較穩(wěn)定，特別是在一些高世代大尺寸產(chǎn)品和一些小規(guī)模產(chǎn)線的產(chǎn)品生產(chǎn)中，仍占有很重要的地位。當(dāng)然它也沒有克服光刻膠利用率低的缺點(diǎn)。 離心旋轉(zhuǎn)法的主要難點(diǎn)在于旋轉(zhuǎn)參數(shù)的控制，有時(shí)為了得到比較完美的效果，不得不把旋轉(zhuǎn)參數(shù)分成多段，以便光刻膠在離心力的作用下，中心區(qū)和邊緣區(qū)都達(dá)到相同的涂覆效果。針對(duì)不同的尺寸，一般需要多次試驗(yàn)后才能得到比較完美的各段參數(shù)。 C、輥印轉(zhuǎn)移

21、法這種方式是先把光刻膠轉(zhuǎn)移到一個(gè)或一組帶有百微米級(jí)的溝槽或微孔的軟膠輪上，通過調(diào)節(jié)刮板與軟膠輪間隙，或一組輪的輪與輪的間隙調(diào)整光刻膠轉(zhuǎn)移量，再轉(zhuǎn)印到所需要的圖形區(qū)域內(nèi)。這種方式在一些中小尺寸產(chǎn)品生產(chǎn)線上應(yīng)用最廣，它可以完全嵌入自動(dòng)流水生產(chǎn)線中，對(duì)生產(chǎn)效率提高、產(chǎn)品質(zhì)量控制、生產(chǎn)環(huán)境控制十分有利。在輥印過程中，速度、壓力、溫度的控制，對(duì)涂覆質(zhì)量起著決定性的作用，只有在這個(gè)環(huán)節(jié)得到穩(wěn)定的效果后，才能對(duì)前后工序中的不良品分析有個(gè)清晰的認(rèn)識(shí)。離心旋轉(zhuǎn)法和輥印轉(zhuǎn)移法兩種方式涂覆光刻膠，一般都是要求生產(chǎn)線上的ITO膜要先進(jìn)行預(yù)清洗作業(yè)，要保證產(chǎn)品表面潔凈度很好，水汽成份極小，因?yàn)楣饪棠z的表面張力較強(qiáng)，很容

22、易與在產(chǎn)品表面的污漬互相疏離形成空泡或孔洞，在后面的蝕刻工序中失去阻蝕作用。所以對(duì)預(yù)清洗的品質(zhì)控制、生產(chǎn)環(huán)境的控制，在光刻膠涂覆作業(yè)中尤為重要。 （2）光刻膠預(yù)烘因?yàn)楣饪棠z的表面張力比較大，被涂覆的ITO膜表層也無法做到絕對(duì)的無污漬，為了阻止包裹在污漬外的光刻膠因表面張力和作用繼續(xù)收縮，由氣泡或小針也變?yōu)榇筢樋?，需要把光刻膠預(yù)烘烤，讓其表面迅速固化，利用其塑性保證光刻膠的厚度穩(wěn)定，達(dá)到阻蝕效果均勻一致。并且在這道工序中盡量使里面的溶劑完全揮發(fā)出來，使光刻膠里面的單體結(jié)構(gòu)在脫去溶劑后，初步聚合成為具有一定分子鏈的固態(tài)小分子物質(zhì)，以便在后續(xù)的圖形復(fù)制曝光、圖形顯影工序中，能夠得到完整可靠

23、的圖形。在光刻膠預(yù)烘過程中，如果溶劑揮發(fā)不干凈，一是很容易在形復(fù)制曝光過程中，因光刻膠里包含的溶劑與已固化的光刻膠交接處的界面效應(yīng)，使透光掩模下來的紫外光遇到這些界面時(shí)產(chǎn)生折射，讓圖形復(fù)制變形。二是在圖形顯影過程中，ITO表層的溶劑溶于顯影劑中，造成ITO膜上的光刻膠與ITO膜面脫離，失去保護(hù)ITO的阻蝕作用。在光刻膠預(yù)烘過程中，如果溫度過高或時(shí)間過長(zhǎng)，可能讓光刻膠提前由小分子物質(zhì)變成大分子物質(zhì)，失去在其在顯影液弱堿中的活性，就會(huì)在圖形顯影過程中無法顯影，得不到復(fù)制的圖案。所以根據(jù)自己的工場(chǎng)環(huán)境、設(shè)備條件、圖形設(shè)計(jì)效果、光刻膠參數(shù)，試驗(yàn)出自己的光刻膠預(yù)烘參數(shù)，是光刻膠工藝中的重中之重。

24、0;（3）圖形復(fù)制曝光這個(gè)步驟是把設(shè)計(jì)好的圖形復(fù)制到光刻膠上。具體操作時(shí)，是先把設(shè)計(jì)好的電極電路圖形用專用的繪圖儀繪制到掩模版上，再把掩模版套放在涂覆有光刻膠需要曝光的ITO膜上，用與光刻膠光感波長(zhǎng)相匹配的紫外線燈光照射。掩模的作用就是讓紫外線燈光對(duì)ITO膜上的光刻膠產(chǎn)生選擇性，被繪制過的圖形內(nèi)部被不透紫外線的墨水遮蓋，這部分光刻膠保持原樣，圖形內(nèi)容外沒有繪制墨水的部分，透過紫外線燈光，光刻膠里感光物質(zhì)中的化學(xué)鍵吸收紫外線能量后斷裂打開，形成溶于弱堿的單體分子。在曝光過程中，主要要注意掩模版與ITO膜光刻膜間的距離和平行度，距離太大，平行度不夠，都容易引起圖形畸變。對(duì)于一些特別精細(xì)的圖形，還要

25、對(duì)掩模塊和ITO膜進(jìn)行同溫處理，以避免因熱脹冷縮不同，產(chǎn)生圖形復(fù)制尺寸偏差。 當(dāng)然生產(chǎn)環(huán)境也是很關(guān)鍵，如果把一些外物、污漬或灰塵，也復(fù)制到產(chǎn)品上，產(chǎn)生批次性的品質(zhì)缺陷不良品，那就損失巨大了。 （4）圖形顯影把曝光后的ITO膜浸漬在弱堿溶液中，被紫外線照射過的部分的光刻膠溶解于溶液中，圖形部分則繼續(xù)被光刻膠保護(hù)著，留下圖形的影子。 圖形顯影時(shí)間的安全系數(shù)，一般為曝光后的光刻膠完全溶解時(shí)間的三到五倍，這樣可以保證光刻膠溶解得更徹底。 （5）光刻膠固化顯影后，需要對(duì)光刻膠進(jìn)行固化，讓光刻膠里的小分子物質(zhì)產(chǎn)生聚合反應(yīng)成不溶于強(qiáng)酸但溶于強(qiáng)堿的致密大分子物質(zhì)。

26、60;（6）化學(xué)蝕刻把光刻膠固化好的ITO膜浸入蝕刻液中，沒有光刻膠遮蓋的部分與蝕刻液產(chǎn)能化學(xué)反應(yīng)，生成溶解在水中的鹽和水。蝕刻液一般為強(qiáng)氧化溶液，如草酸、鹽酸、硫酸、硝酸、三氯化鐵等等。其中應(yīng)用最多的是混和酸，比例為濃鹽酸:水:硝酸=1:1:0.5。在一些使用ITO FILM的柔性透明電路產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，有些人用到與ITO鍍膜玻璃一樣的上述比例混和酸，有些人則要去掉里面的硝酸，主要原因在于ITO FILM的保護(hù)方式不一樣，如果ITO FILM沒有保護(hù)膜，或保護(hù)膜會(huì)被硝酸氧化脫水碳化或磺化，則不能加硝酸，如果保護(hù)膜本身就具有阻蝕作用，耐含硝酸在內(nèi)的強(qiáng)酸，則無需考慮是不是要與ITO鍍膜

27、玻璃是否配比一樣的問題。 化學(xué)蝕刻時(shí)間的安全系數(shù)與顯影時(shí)間的安全系數(shù)類似，也是為ITO完全蝕刻時(shí)間的三到五倍。以保證需要去除ITO的部分能徹底蝕刻干凈。 （7）光刻膠剝離把蝕刻好的ITO膜放入強(qiáng)堿中，讓光刻膠溶解在堿液中，完全露出ITO線路和ITO工作面，再用水清洗干凈上面的堿液，利用光刻膠化學(xué)蝕刻方法進(jìn)行ITO圖形制備的整個(gè)工藝流程就完成了。 從上面看來，化學(xué)蝕刻方法制備ITO圖形，無非就是復(fù)制設(shè)計(jì)圖案，制作一層圖案選取層，把一部分ITO表面進(jìn)行保護(hù)遮蓋后，讓裸露的部分ITO與化學(xué)蝕刻液產(chǎn)生反應(yīng)腐蝕掉，得到與設(shè)計(jì)圖案一致的ITO圖形。這個(gè)過程中，圖案選取層的材質(zhì)與ITO表面的表面親和力，以及與外物污漬的溶解能力