微機(jī)原理補(bǔ)充第五章(漆強(qiáng))

1、第五章第五章 存儲(chǔ)器系統(tǒng)存儲(chǔ)器系統(tǒng)5.1 存儲(chǔ)器件的分類(lèi)存儲(chǔ)器件的分類(lèi)5.2 半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片5.3 存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu) 存儲(chǔ)系統(tǒng)的分層管理存儲(chǔ)系統(tǒng)的分層管理 地址映射技術(shù)地址映射技術(shù) 現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的多級(jí)存儲(chǔ)體系現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的多級(jí)存儲(chǔ)體系 5.4 主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)u 存儲(chǔ)芯片選型存儲(chǔ)芯片選型u 存儲(chǔ)芯片的組織形式存儲(chǔ)芯片的組織形式u 地址譯碼技術(shù)地址譯碼技術(shù)1. 存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)決定芯片片選信號(hào)的實(shí)現(xiàn)決定芯片片選信號(hào)的實(shí)現(xiàn)全譯碼、部分譯碼、線譯碼；全譯碼、部分譯碼、線譯碼；存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)介質(zhì)( (存儲(chǔ)原理存儲(chǔ)原理) )、讀寫(xiě)策略、讀寫(xiě)策略(

2、(存取方式存取方式) )容量擴(kuò)展容量擴(kuò)展；基本結(jié)構(gòu)（基本結(jié)構(gòu)（RAMRAM、ROMROM）、性能指標(biāo)）、性能指標(biāo)并行、多端口并行、多端口2022-1-41/54不同的存儲(chǔ)原理不同的存儲(chǔ)原理雙極型：雙極型： MOS型型掩膜掩膜ROM 一次性可編程一次性可編程PROM紫外線可擦除紫外線可擦除EPROM 電可擦除電可擦除E2PROM 快閃存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器FLASH易失性易失性 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器非易失性非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器靜態(tài)靜態(tài)SRAM 動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)DRAM存取速度快，但集成度低，一般用于大存取速度快，但集成度低，一般用于大型計(jì)算機(jī)或高速微機(jī)的型計(jì)算機(jī)或高速微機(jī)的Cache；速度較快，集成度較低，速度較快，

3、集成度較低，一般用于對(duì)速度要求高、一般用于對(duì)速度要求高、而容量不大的場(chǎng)合（而容量不大的場(chǎng)合（Cache）集成度較高但存取速度較集成度較高但存取速度較低，一般用于需較大容量低，一般用于需較大容量的場(chǎng)合（主存）。的場(chǎng)合（主存）。半導(dǎo)體半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器磁介質(zhì)存儲(chǔ)器磁介質(zhì)存儲(chǔ)器 磁帶磁帶、軟磁盤(pán)、硬磁盤(pán)軟磁盤(pán)、硬磁盤(pán)光介質(zhì)存儲(chǔ)器光介質(zhì)存儲(chǔ)器 只讀型、一次寫(xiě)入型、多次寫(xiě)入型只讀型、一次寫(xiě)入型、多次寫(xiě)入型 2022-1-42/54不同的讀寫(xiě)策略不同的讀寫(xiě)策略數(shù)據(jù)訪問(wèn)方式數(shù)據(jù)訪問(wèn)方式并行存儲(chǔ)器并行存儲(chǔ)器 (Parallel Memory)串行存儲(chǔ)器串行存儲(chǔ)器 (Serial Memory)數(shù)據(jù)存取順序數(shù)據(jù)

4、存取順序 隨機(jī)存取隨機(jī)存取（直接存?。ㄖ苯哟嫒。┛砂吹刂冯S機(jī)訪問(wèn)；可按地址隨機(jī)訪問(wèn)；訪問(wèn)時(shí)間與地址無(wú)關(guān)；訪問(wèn)時(shí)間與地址無(wú)關(guān)；順序存取順序存取 (先進(jìn)先出先進(jìn)先出)FIFO、隊(duì)列、隊(duì)列(queue) 堆棧存儲(chǔ)堆棧存儲(chǔ)先進(jìn)后出先進(jìn)后出(FILO)/后進(jìn)先出后進(jìn)先出(LIFO)；向下生成和向上生成；向下生成和向上生成； 實(shí)棧頂實(shí)棧頂(堆棧指針堆棧指針SP)；2022-1-43/54堆棧的生成方式堆棧的生成方式2022-1-44/54靜態(tài)靜態(tài)RAM芯片的引腳特性芯片的引腳特性 6264 VCC WE CE2 A8 A9 A11 OE A10 CE1 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3

5、1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND A0A12 I/O0I/O12 CE1 CE2 WE OE 地址線 雙向數(shù)據(jù)線 片選線1 片選線2 寫(xiě)允許線 讀允許線 從三總線的角度看：從三總線的角度看：1. 地址線數(shù)目地址線數(shù)目A、數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)線數(shù)目線數(shù)目D與芯片容量與芯片容量（MN）直接相關(guān)：）直接相關(guān)：2A=MD=N2. 控制信號(hào)應(yīng)包括：控制信號(hào)應(yīng)包括：片選信號(hào)和讀片選信號(hào)和讀/寫(xiě)信號(hào)寫(xiě)信號(hào)

6、所以，所以，6264容量：容量： 21388K8可見(jiàn)可見(jiàn)6264為為RAM芯片芯片75/422022-1-45/54 產(chǎn)品出廠時(shí)存的全是產(chǎn)品出廠時(shí)存的全是1，用，用戶(hù)可一次性寫(xiě)入，即把某些戶(hù)可一次性寫(xiě)入，即把某些1改為改為0。但只能。但只能一次編程一次編程。 存儲(chǔ)單元多采用存儲(chǔ)單元多采用熔絲熔絲低低熔點(diǎn)金屬或多晶硅。寫(xiě)入時(shí)熔點(diǎn)金屬或多晶硅。寫(xiě)入時(shí)設(shè)法在熔絲上通入較大的電設(shè)法在熔絲上通入較大的電流將熔絲燒斷。流將熔絲燒斷。編程時(shí)編程時(shí)VCC和和字線電壓提高字線電壓提高可編程只讀存儲(chǔ)器可編程只讀存儲(chǔ)器PROM2022-1-46/54紫外線可擦除紫外線可擦除ROM (UVEPROM) 擦除：用紫外線

7、或擦除：用紫外線或X射線射線擦除。需擦除。需2030分鐘。分鐘。 缺點(diǎn)：需要兩個(gè)缺點(diǎn)：需要兩個(gè)MOS管；管；編程電壓偏高；編程電壓偏高；P溝道管的溝道管的開(kāi)關(guān)速度低。開(kāi)關(guān)速度低。 浮柵上電荷可長(zhǎng)期保存浮柵上電荷可長(zhǎng)期保存在在125環(huán)境溫度下，環(huán)境溫度下，70%的電荷能保存的電荷能保存10年以上。年以上。2022-1-47/54寫(xiě)入（寫(xiě)寫(xiě)入（寫(xiě)0）擦除（寫(xiě)擦除（寫(xiě)1）讀出讀出 特點(diǎn)：擦除和寫(xiě)入均利用隧道效應(yīng)。特點(diǎn)：擦除和寫(xiě)入均利用隧道效應(yīng)。 浮柵與漏區(qū)間的氧化物層極?。ǜ排c漏區(qū)間的氧化物層極薄（20納米以下），納米以下），稱(chēng)為隧道區(qū)。當(dāng)隧道區(qū)電場(chǎng)大于稱(chēng)為隧道區(qū)。當(dāng)隧道區(qū)電場(chǎng)大于107V/cm時(shí)

8、隧道時(shí)隧道區(qū)雙向?qū)?。區(qū)雙向?qū)?。電可擦除的電可擦除的ROM(EEPROM)2022-1-48/54快閃存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory) （1）寫(xiě)入利用雪崩注入法。）寫(xiě)入利用雪崩注入法。源極接地；漏極接源極接地；漏極接6V；控制；控制柵柵12V脈沖，寬脈沖，寬10 s。 （2）擦除用隧道效應(yīng)。）擦除用隧道效應(yīng)?？刂茤沤拥?；源極接控制柵接地；源極接12V脈脈沖，寬為沖，寬為100ms。因?yàn)槠瑑?nèi)。因?yàn)槠瑑?nèi)所有疊柵管的源極都連在所有疊柵管的源極都連在一起，所以一個(gè)脈沖就可一起，所以一個(gè)脈沖就可擦除全部單元。擦除全部單元。 （3）讀出：源極接地，字線為）讀出：源極接地，字線為5V邏輯高電平

9、。邏輯高電平。2022-1-49/54半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的主要技術(shù)指標(biāo)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的主要技術(shù)指標(biāo)一一存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)容量二二存取速度存取速度三三功耗功耗四四可靠性可靠性 五五工作電源電壓、工作溫度范圍、可編程工作電源電壓、工作溫度范圍、可編程存儲(chǔ)器的編程次數(shù)存儲(chǔ)器的編程次數(shù)、成本、成本注意存儲(chǔ)器的容量以注意存儲(chǔ)器的容量以字節(jié)（字節(jié)（B B）為單位，為單位，而存儲(chǔ)芯片的容量以而存儲(chǔ)芯片的容量以位（位（b b）為單位。為單位。 即存取時(shí)間，以即存取時(shí)間，以nsns為單位，也可用存取時(shí)間為單位，也可用存取時(shí)間TaTa、存取周期、存取周期TmTm和存儲(chǔ)器帶寬和存儲(chǔ)器帶寬BmBm等表示。等表示?？捎每捎闷骄?/p>

10、障間隔時(shí)間平均故障間隔時(shí)間來(lái)衡量來(lái)衡量以以mW/mW/芯片芯片或或W/W/單元單元為單位為單位2022-1-410/54存儲(chǔ)容量單位存儲(chǔ)容量單位1 kilobyte KB = 1000 (103) Byte 1 megabyte MB = 1 000 000 (106) Byte 1 gigabyte GB = 1 000 000 000 (109) Byte 1 terabyte TB = 1 000 000 000 000 (1012) Byte 23.32=102102202302022-1-411/54現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的四級(jí)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)：現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的四級(jí)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)：寄存器寄存器 Cache 主存主

11、存 輔存輔存CPU內(nèi)部高內(nèi)部高速電子線路速電子線路(如觸發(fā)器如觸發(fā)器)一級(jí)：在一級(jí)：在CPU內(nèi)部?jī)?nèi)部二級(jí)：在二級(jí)：在CPU外部外部 一般為靜態(tài)隨一般為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器機(jī)存儲(chǔ)器SRAM。一般為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為短期存一般為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，也稱(chēng)為短期存儲(chǔ)器；解決讀寫(xiě)儲(chǔ)器；解決讀寫(xiě)速度速度問(wèn)題；問(wèn)題；包括磁盤(pán)（中期存儲(chǔ)包括磁盤(pán)（中期存儲(chǔ)器）、磁帶、光盤(pán)器）、磁帶、光盤(pán)（長(zhǎng)期存儲(chǔ)）等；（長(zhǎng)期存儲(chǔ)）等； 解決存儲(chǔ)解決存儲(chǔ)容量容量問(wèn)題；問(wèn)題；其中：其中：cache-主存結(jié)構(gòu)解決主存結(jié)構(gòu)解決高速度與低成本高速度與低成本的矛盾；的矛盾； 主存主存-輔存結(jié)構(gòu)利用虛擬存儲(chǔ)器解決輔存結(jié)構(gòu)利用虛擬存儲(chǔ)器解決大容量與低成

12、本大容量與低成本的矛盾；的矛盾；2022-1-412/54現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中的多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中的多級(jí)存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)寄存器組寄存器組 特點(diǎn)：讀寫(xiě)速度快但數(shù)量較少；其數(shù)量、長(zhǎng)度以及使用方法特點(diǎn)：讀寫(xiě)速度快但數(shù)量較少；其數(shù)量、長(zhǎng)度以及使用方法會(huì)影響指令集的設(shè)計(jì)。會(huì)影響指令集的設(shè)計(jì)。 組成：一組彼此獨(dú)立的組成：一組彼此獨(dú)立的Reg，或小規(guī)模半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。，或小規(guī)模半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 RISC：設(shè)置較多：設(shè)置較多Reg，并依靠編譯器來(lái)使其使用最大化。，并依靠編譯器來(lái)使其使用最大化。Cache高速小容量高速小容量(幾十千到幾兆字節(jié)幾十千到幾兆字節(jié))；借助硬件管理對(duì)程序員透明；借助硬件管理對(duì)程序員透明；

13、命中率與失效率；命中率與失效率；主（內(nèi)）存主（內(nèi)）存 編址方式：字節(jié)編址編址方式：字節(jié)編址 信息存放方式：大信息存放方式：大/小端系統(tǒng)、對(duì)齊方式小端系統(tǒng)、對(duì)齊方式輔（外）存輔（外）存 信息以文件信息以文件(file)的形式存放，按塊為單位進(jìn)行存取。的形式存放，按塊為單位進(jìn)行存取。 虛擬存儲(chǔ)技術(shù)虛擬存儲(chǔ)技術(shù)2022-1-415/54cache的的功效功效設(shè)設(shè)cache 的存取時(shí)間為的存取時(shí)間為tc，命中率為，命中率為h，主存的存取，主存的存取時(shí)間為時(shí)間為tm，則平均存取時(shí)間，則平均存取時(shí)間：ta = tc h +(tc + tm)(1-h)【例【例5.1】 某微機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)由一級(jí)某微機(jī)存儲(chǔ)器系統(tǒng)

14、由一級(jí)cache 和主存組成。已和主存組成。已知主存的存取時(shí)間為知主存的存取時(shí)間為80 ns，cache 的存取時(shí)間為的存取時(shí)間為6 ns，cache的命中率為的命中率為85%，試求該存儲(chǔ)系統(tǒng)的平均存取時(shí)間。，試求該存儲(chǔ)系統(tǒng)的平均存取時(shí)間。ta =6 ns85%+(6+80) ns(1-85%)=5.1+12.9=18 ns cache命中率與命中率與其其大小、替換算法、程序特性等因素有關(guān)。大小、替換算法、程序特性等因素有關(guān)。cache未命中時(shí)未命中時(shí)CPU還需要訪問(wèn)主存，反而延長(zhǎng)了存取時(shí)間。還需要訪問(wèn)主存，反而延長(zhǎng)了存取時(shí)間。2022-1-416/ 54存儲(chǔ)芯片的選擇存儲(chǔ)芯片的選擇一一 確定

15、類(lèi)型確定類(lèi)型 根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)合的特點(diǎn)確定采用何種類(lèi)型的芯片，如考根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)合的特點(diǎn)確定采用何種類(lèi)型的芯片，如考慮選用慮選用SRAM還是還是DRAM，是否需要，是否需要E2PROM、FLASH等等；等等； 確定具體型號(hào)及數(shù)量確定具體型號(hào)及數(shù)量根據(jù)容量、價(jià)格、速度、功耗等要求確定芯片的具體型號(hào)和數(shù)量根據(jù)容量、價(jià)格、速度、功耗等要求確定芯片的具體型號(hào)和數(shù)量思考：若要求擴(kuò)展思考：若要求擴(kuò)展64K容量的內(nèi)存，以下幾種選擇哪種最優(yōu)？容量的內(nèi)存，以下幾種選擇哪種最優(yōu)？ 64K*1的芯片數(shù)量的芯片數(shù)量N(64K*8)/(64K*1) 1*8片片; 8K*8的芯片數(shù)量的芯片數(shù)量N (64K*8)/(8K*8

16、) 8*1片；片； 16K*4的芯片數(shù)量的芯片數(shù)量N (64K*8)/(16K*4) 4*2片；片； 顯然，芯片的顯然，芯片的種類(lèi)和數(shù)量種類(lèi)和數(shù)量應(yīng)越少越好；在芯片數(shù)量相同應(yīng)越少越好；在芯片數(shù)量相同的情況下應(yīng)考慮總線的負(fù)載能力和系統(tǒng)連接的復(fù)雜性。的情況下應(yīng)考慮總線的負(fù)載能力和系統(tǒng)連接的復(fù)雜性。從總線負(fù)載和系統(tǒng)連接來(lái)看，第一種選擇較好。從總線負(fù)載和系統(tǒng)連接來(lái)看，第一種選擇較好。17/422022-1-417/54內(nèi)（主）存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)內(nèi)（主）存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)模塊存儲(chǔ)體存儲(chǔ)體 進(jìn)行進(jìn)行位擴(kuò)展位擴(kuò)展 以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編址的結(jié)構(gòu)址的結(jié)構(gòu) 進(jìn)行進(jìn)行字?jǐn)U展字?jǐn)U展 以

17、滿(mǎn)足總?cè)萘恳詽M(mǎn)足總?cè)萘康囊蟮囊蟠鎯?chǔ)體、地址譯碼、存儲(chǔ)體、地址譯碼、數(shù)據(jù)緩沖和讀寫(xiě)控制數(shù)據(jù)緩沖和讀寫(xiě)控制 位擴(kuò)展位擴(kuò)展：因每個(gè)字的位數(shù)不夠而擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出線的數(shù)目；：因每個(gè)字的位數(shù)不夠而擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出線的數(shù)目； 字?jǐn)U展字?jǐn)U展：因總的字?jǐn)?shù)不夠而擴(kuò)展地址輸入線的數(shù)目，所以也稱(chēng)因總的字?jǐn)?shù)不夠而擴(kuò)展地址輸入線的數(shù)目，所以也稱(chēng)為地址擴(kuò)展；為地址擴(kuò)展；并行存儲(chǔ)器、多端口并行存儲(chǔ)器、多端口存儲(chǔ)器、相聯(lián)存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)器、相聯(lián)存儲(chǔ)器等2022-1-418/54存儲(chǔ)芯片的位擴(kuò)展存儲(chǔ)芯片的位擴(kuò)展64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/O64K*1I/

18、OA0 A15R/WCSD0D7等效為等效為64K*8A0 A15D0 D7R/WCS用用64K1bit的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)64KB存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器 進(jìn)行位擴(kuò)展時(shí)，模塊中所有芯片的進(jìn)行位擴(kuò)展時(shí)，模塊中所有芯片的地址線和控制線互連地址線和控制線互連形成整個(gè)模塊的地址線和控制線，而各芯片的形成整個(gè)模塊的地址線和控制線，而各芯片的數(shù)據(jù)線并列（位數(shù)據(jù)線并列（位線擴(kuò)展）線擴(kuò)展）形成整個(gè)模塊的數(shù)據(jù)線（形成整個(gè)模塊的數(shù)據(jù)線（8bit寬度）。寬度）。 19/422022-1-419/54存儲(chǔ)芯片的字?jǐn)U展存儲(chǔ)芯片的字?jǐn)U展用用8K8bit的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)64KB存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器64K*8A0 A15D

19、0 D7R/WCS等效為等效為A0 A12R/WD0 D764K*1D0764K*1D0764K*1D0764K*1D0764K*1D0764K*1D0764K*1D07CS1 CS1 8K*8D07CS 3-8譯譯碼碼器器Y0Y1Y7A13 A14 A15 進(jìn)行字?jǐn)U展時(shí)，模塊中所有芯片的進(jìn)行字?jǐn)U展時(shí)，模塊中所有芯片的地址線、控制線和數(shù)地址線、控制線和數(shù)據(jù)線互連據(jù)線互連形成整個(gè)模塊的低位地址線、控制線和數(shù)據(jù)線形成整個(gè)模塊的低位地址線、控制線和數(shù)據(jù)線 ， CPU的高位地址線（擴(kuò)展的字線）被用來(lái)譯碼以形成對(duì)各個(gè)芯的高位地址線（擴(kuò)展的字線）被用來(lái)譯碼以形成對(duì)各個(gè)芯片的選擇線片的選擇線 片選線片選線

20、。 2022-1-420/54存儲(chǔ)芯片的字、位同時(shí)擴(kuò)展存儲(chǔ)芯片的字、位同時(shí)擴(kuò)展用用16K4bit的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)的芯片擴(kuò)展實(shí)現(xiàn)64KB存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器16K*416K*4A0 A13R/WD0 D3D4 D724譯碼器譯碼器A15A14CS64K*8A0 A15D0 D7R/WCS等效為等效為16K*416K*416K*416K*416K*416K*4 首先對(duì)首先對(duì)芯片芯片分組進(jìn)分組進(jìn)行位擴(kuò)展行位擴(kuò)展，以實(shí)現(xiàn)按字以實(shí)現(xiàn)按字節(jié)編址；節(jié)編址； 其次設(shè)其次設(shè)計(jì)個(gè)芯片組計(jì)個(gè)芯片組的的片選進(jìn)行片選進(jìn)行字?jǐn)U展字?jǐn)U展，以，以滿(mǎn)足容量要滿(mǎn)足容量要求；求；2022-1-421/54兩級(jí)物理地址譯碼方案兩級(jí)物理地址譯碼

21、方案讀讀/ /寫(xiě)控制信號(hào)、數(shù)據(jù)寫(xiě)控制信號(hào)、數(shù)據(jù)寬度指示信號(hào)、傳送寬度指示信號(hào)、傳送方式指示信號(hào)，等方式指示信號(hào)，等2022-1-422/54 假設(shè)某系統(tǒng)地址總線寬度為假設(shè)某系統(tǒng)地址總線寬度為20 bit，現(xiàn)需要將，現(xiàn)需要將0C0000H 0CFFFFH地址范圍劃分為地址范圍劃分為8個(gè)同樣大小的地址空間，提個(gè)同樣大小的地址空間，提供給總線上的供給總線上的8個(gè)模塊，試設(shè)計(jì)相應(yīng)的譯碼電路。個(gè)模塊，試設(shè)計(jì)相應(yīng)的譯碼電路。 模塊模塊A19 A16A15A14A13A12A0地址空間地址空間( (范圍范圍) )1100000111111111111100000000000000C1FFFH0C0000H1

22、100001111111111111100000000000000C3FFFH0C2000H1100010111111111111100000000000000C5FFFH0C4000H1100011111111111111100000000000000C7FFFH0C6000H1100100111111111111100000000000000C9FFFH0C8000H1100101111111111111100000000000000CBFFFH0CA000H1100110111111111111100000000000000CDFFFH0CC000H1100111111111111111100000000000000CFFFFH0CE000H全譯碼電全譯碼電路的實(shí)現(xiàn)路的實(shí)現(xiàn)部分譯碼方式部分譯碼方式 最高段地址不最高段地址不參與譯碼，將會(huì)參與譯碼，將會(huì)因此存在因此存在地址重地址重疊疊，且模塊，且模塊地址地址不連續(xù)不連續(xù)。 25/422022-1-425/54線線譯譯碼碼方方式式 需較多選擇線，需較多選擇線，且同樣存在且同樣存在地址重地址重疊疊，且模塊，且模塊地址不地址不連續(xù)連續(xù)。 只有一個(gè)片選有效只有一個(gè)片選有效（為（為0）。）。A19 A13A12 A0地址空間地址空間( (范圍范圍) )