LED技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用狀況調(diào)查

1、課 程 論 文LED技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用狀況調(diào)查姓名： 陸宇威 學(xué)號(hào)： 201230800315 班級(jí)： 12級(jí) 3 班 專業(yè)： 光信息科學(xué)與技術(shù) 華南農(nóng)業(yè)大學(xué)理學(xué)院應(yīng)用物理系LED技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用狀況調(diào)查摘要：LED( light emitt ing diode) 是發(fā)光二極管的英文縮寫，它是一種電致發(fā)光器件。目前，LED產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走過(guò)了它的發(fā)展初期和中期，普通LED的應(yīng)用已經(jīng)成為過(guò)去，高亮度LED的使用也已無(wú)需著力推廣。另外，中小功率超高亮LED亦已誕生，并正在以極快的速度走向應(yīng)用。這些情況都表明，LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入到了成熟期。雖然以LED 為核心的科研、生產(chǎn)、應(yīng)用已經(jīng)具備了相當(dāng)?shù)囊?guī)模，但LE

2、D 的低功耗、長(zhǎng)壽命、高可靠、抗沖擊、快響應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn)仍會(huì)進(jìn)一步推動(dòng)LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。本文就LED技術(shù)發(fā)展歷史、現(xiàn)狀及展望和LED的應(yīng)用作簡(jiǎn)要概括。 關(guān)鍵詞：LED 技術(shù)發(fā)展 應(yīng)用狀況 LED光電轉(zhuǎn)換效率包括內(nèi)量子效率和外量子效率兩部分。內(nèi)量子效率主要取決于外延材料的質(zhì)量及外延層的結(jié)構(gòu)。外量子效率則取決于芯片及封裝技術(shù)。外量子效率=內(nèi)量子效率×出光效率，目前，LED 的內(nèi)量子效率已接近極限100 %，所以提高出光效率對(duì)提高外量子效率非常重要。自19世紀(jì)60年代LED問(wèn)世以來(lái)，隨著材料及半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，LED 已開(kāi)始應(yīng)用于指示燈、數(shù)字和文字顯示，但性能參數(shù)（如功率、光強(qiáng)、色溫、發(fā)光效

3、率等）的制約，局限了LED向照明領(lǐng)域的應(yīng)用。LED前期的技術(shù)研究重點(diǎn)在發(fā)光效率的提升上，中期注重光束質(zhì)量，后期則把主要關(guān)注點(diǎn)轉(zhuǎn)向了封裝散熱。1 半導(dǎo)體LED的工作原理LED（light emitting diode），發(fā)光二極管，是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它是由- 族化合物，如GaAs，GaP，GaAsP等半導(dǎo)體制成，其核心是PN 結(jié)，因此它具有一般PN 結(jié)的I-V 特性。特別是，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光，具有發(fā)光特性。LED是典型的工作在正向偏置條件下的PN 結(jié)器件。由直接帶隙半導(dǎo)體組成的P-p-N 雙異質(zhì)結(jié)在正向偏置電壓下，高濃度電子和空穴從N 型和P型Al-Ga-As層注入到p型GaAs有源

4、區(qū)。當(dāng)有源區(qū)厚度小于載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度時(shí)（有源區(qū)厚度為0.5 2.0m），由于電中性條件要求，注入到導(dǎo)帶的電子和注入價(jià)帶的空穴是相等的，且均勻分布在有源區(qū)中。在電注入激勵(lì)條件下，有源區(qū)內(nèi)的電子和空穴產(chǎn)生輻射復(fù)合（發(fā)射光子）和非輻射復(fù)合（不發(fā)射光子）。2 LED的技術(shù)發(fā)展過(guò)程2.1 材料的發(fā)展波長(zhǎng)的擴(kuò)展理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(zhǎng)與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg有關(guān)，即1240 /Eg（mm）。式中: Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光（ 在380780 nm），半導(dǎo)體材料的Eg 應(yīng)在3.61.63eV 之間。光的波長(zhǎng)是由形成PN 結(jié)的材料決定的，而波長(zhǎng)決定光的顏色（紅640750 nm

5、,橙600640 nm，黃550600 nm，綠480550 nm,藍(lán)450480 nm，紫400450 nm）。1962年，美國(guó)用GaAsP材料成功開(kāi)發(fā)出全球第一顆LED（紅色）。在其后40多年中，LED 經(jīng)歷了GaP（550 nm綠色）、GaAsP（650 nm紅色、橙色和黃色）、GaAlAs（680 nm紅光）和InGaAlP（590 620nm黃橙黃）等多種材料的形式，但發(fā)光顏色長(zhǎng)期局限于紅色和黃綠色。1993年，日亞公司的研究人員Nakamora首次成功地研制出氮化物L(fēng)ED，實(shí)現(xiàn)了藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光，進(jìn)而于1996年實(shí)現(xiàn)了白光LED。就光色而言，到2003年時(shí)，LED 光源幾乎完全涵蓋了

6、位于CIE（國(guó)際照明委員會(huì)）色度曲線內(nèi)部的飽和顏色，LED 與熒光組合可以產(chǎn)生任何一種顏色。2.2 白光LED的實(shí)現(xiàn)GaN基藍(lán)光LED、熒光粉一般白光LED的生產(chǎn)技術(shù)包括采用RGB三色晶粒、藍(lán)光LED+ 黃色熒光粉、藍(lán)光LED+綠、紅兩色熒光粉、UV LED+ RGB 三色熒光粉，以及采用ZnSe材料以發(fā)出白光等五大技術(shù)。其中，藍(lán)光LED 加上黃色熒光粉產(chǎn)生白光是目前所有技術(shù)中最易實(shí)現(xiàn)的,具有成本低、壽命長(zhǎng)、亮度及可靠度高等優(yōu)勢(shì)。氮化鎵基（GaN）材料是目前世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體材料，具有內(nèi)、外量子效率高等特性，可制成高效藍(lán)、綠光發(fā)光二極管LED，并可延伸到白光LED，將替代人類沿用至今的照明系統(tǒng)

7、。各種增加白光LED 發(fā)光光譜連續(xù)性的方案被提出來(lái)提高其顯色指數(shù)；選用小粒徑的熒光粉可以顯著提高產(chǎn)品的光色均勻性（在色8 000 K時(shí)，可提高50% 以上）；采取熒光粉保形涂覆技術(shù)（conforma lly coating），可將出光均勻性提高10倍；使用納米量子阱作為有源層的有機(jī)/無(wú)機(jī)LED，能獲得一個(gè)具有高純度飽和度且色彩可調(diào)的窄帶寬。2.3 結(jié)構(gòu)的發(fā)展發(fā)光效率的提升1991年以來(lái)，材料技術(shù)與芯片規(guī)格和形狀的組合，使提供的流明通量大幅提高?；谄ヅ湟r底所做的低缺陷密度的LED可獲得最佳的發(fā)光性能，如SiC上所做的器件具有更小的位錯(cuò)密度，基于該襯底的各色光LED的性能優(yōu)于在藍(lán)寶石襯底上依靠側(cè)

8、向生長(zhǎng)來(lái)減小位錯(cuò)密度的LED性能；增大芯片面積也能提高發(fā)光效率；結(jié)構(gòu)化芯片形狀的設(shè)計(jì)由最初普遍采用的低出光率的臺(tái)面結(jié)構(gòu)（長(zhǎng)方形）發(fā)展為倒金字塔形（化學(xué)刻蝕）以及六棱錐形，采用這些新穎的結(jié)構(gòu)可以從芯片中提取更多的光。隨著發(fā)光材料的開(kāi)發(fā)和半導(dǎo)體制作工藝的改進(jìn)，在芯片生長(zhǎng)過(guò)程中引入了MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)、分布式布拉格反射（DBR）的結(jié)構(gòu)、光學(xué)微腔（RC）以及量子阱結(jié)構(gòu)（QW）、功率型LED的多量子阱結(jié)構(gòu)（MQW）等，使得半導(dǎo)體照明用的發(fā)光二極管發(fā)光效率不斷提高，2010 年已突破100 lm/W。同時(shí)將芯片采用倒裝焊結(jié)構(gòu)及紋理表面取光結(jié)構(gòu)（即表面粗化）也能提高LED 的外量子效率和取光率。2.4

9、工藝的發(fā)展單色功率的提升早期紅色LED（GaAsP）的性能只有0.1 lm/W的輸出通量，摻氮使其效率提升了約10倍。到1971年，綠色芯片實(shí)現(xiàn)了類似的效率。上世紀(jì)80年代早期，AlGaAs LED的生產(chǎn)技術(shù)得到突破，可以以高達(dá)10 lm/W 的效率產(chǎn)生紅光。1990 年，In-GaA IP（590620 nm黃橙黃）技術(shù)提供了與最佳紅色器件同等的性能，較當(dāng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)GaAsP器件（紅色、橙色和黃色）要好10倍。2003年時(shí)，透明基底lnGaAIP的LED器件提供幾流明到幾十流明的輸出功率。更新的工藝使得每個(gè)器件中封裝了更多的LED或多個(gè)器件安裝在一個(gè)裝配件中，使得其流明輸出能夠與微型白熾燈相當(dāng)

10、。1990年前后SiC基底的藍(lán)色LED問(wèn)世，其效率僅0.04 lm/W，隨后GaN基LED在技術(shù)上取得突破。隨著高亮度藍(lán)光LED的技術(shù)進(jìn)步，2006年時(shí)，用藍(lán)光激發(fā)熒光粉發(fā)出白光的LED發(fā)光效率大都已超30 lm/W，某些產(chǎn)品已超過(guò)50 lm/W的水平。2.5 封裝技術(shù)粘結(jié)材料和基板LED散熱的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：隨著LED器件輸入功率的提升，粘結(jié)材料的導(dǎo)熱性能需要由弱變強(qiáng)。粘結(jié)材料從普通導(dǎo)熱膠到導(dǎo)電型銀漿、錫漿；常用的散熱基板材料包括硅、金屬（如鋁、銅）、陶瓷（如Al2O3、AIN、SiC）和復(fù)合材料等，綜合評(píng)估基板的加工難易度、成本、比重、熱膨脹系數(shù)、熱導(dǎo)率、強(qiáng)度與硬度等指標(biāo)，金屬基復(fù)合材料（如Al

11、SiC）脫穎而出，廣泛應(yīng)用于大功率LED 封裝中。提高出光率的2個(gè)關(guān)鍵：1）降低遮蔽、增加光透率；2）強(qiáng)化光折射、反射率。 2.6 芯片制備技術(shù)大功率LED 芯片制備技術(shù)主要目的是提高出光效率，進(jìn)而提高外量子效率。近年來(lái)一些新的技術(shù)手段已被用來(lái)提高外量子光效益，下面簡(jiǎn)單介紹幾種。(1)表面粗化技術(shù)：通過(guò)化學(xué)腐蝕等方法使外延表面形成某種光學(xué)微結(jié)構(gòu)，來(lái)減少全內(nèi)反射的光，從而提高出光效率，出光效率可提高65%，同時(shí)解決了漏電參數(shù)不穩(wěn)定，重復(fù)性差的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。(2)倒裝芯片技術(shù)：將藍(lán)寶石一面作為出光面，較好地解決了電極擋光和藍(lán)寶石不良散熱問(wèn)題，提高了散熱效率，出光效率約增加1.6倍。早期倒裝

12、在Si襯底上，2007年開(kāi)始已倒裝在陶瓷襯底上，進(jìn)一步提高了出光效率。(3)氧化銦錫(ITO)透明電極：傳統(tǒng)的NiAu合金電極對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率僅為60% 70%，而ITO 的透過(guò)率可達(dá)90%以上，因此利用ITO透明電極的高可見(jiàn)光透過(guò)率和低電阻是提LED 出光效率的有效途徑之一。(4)分布布拉格反射層(DBR)結(jié)構(gòu)：布拉格反射層是兩種折射率不同的材料周期交替生長(zhǎng)的層狀結(jié)構(gòu)，它在有源層和襯底之間，能夠?qū)⑸湎蛞r底的光利用布拉格反射原理反射回上表面，極大地減小了光從襯底出射，從而增加光的外量子效率。此結(jié)構(gòu)可以直接利用MOCVD設(shè)備進(jìn)行生長(zhǎng)，有很好的成本優(yōu)勢(shì)，目前已經(jīng)應(yīng)用于商業(yè)生產(chǎn)。(5)光子晶體：通過(guò)

13、晶格構(gòu)造的設(shè)計(jì)來(lái)人為控制光的傳播，人工控制材料的折射率及其透射和反射特性，提高LED 的出光效率。在光子晶體的加工工藝上，激光全息光刻和納米壓印技術(shù)適用于大面積制作，且生產(chǎn)效率高、成本低、工藝過(guò)程簡(jiǎn)單。電子束光刻和干法刻蝕相對(duì)較成熟，但有刻蝕速率、制作效率等方面的局限，適于實(shí)驗(yàn)室研究。(6)圖形化襯底PSS技術(shù)：通過(guò)在藍(lán)寶石襯底表面制作細(xì)微結(jié)構(gòu)圖形，能有效降低體內(nèi)的位錯(cuò)密度，從而提高器件的內(nèi)量子效率；而且圖形化襯底能使原本在臨界角范圍外的光線通過(guò)圖形的反射重新進(jìn)入到臨界角內(nèi)出射，從而提高了出光效率。PSS襯底技術(shù)工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、顯著改善器件性能，成為現(xiàn)階段大功率LED器件的首選襯底技術(shù)。(

14、7)薄膜技術(shù)：薄膜技術(shù)可以將金屬層集成在LED內(nèi)。這種“鏡子”能將芯片內(nèi)產(chǎn)生的光反射到LED頂部，并使光線從頂部射出，避免了光線或能量的損失，因而可大大提高LED的出光效率。此外還有襯底激光剝離技術(shù)（LLO）、三維垂直結(jié)構(gòu)芯片、交流芯片等新結(jié)構(gòu)和新技術(shù)，它們都給芯片帶來(lái)了技術(shù)創(chuàng)新。國(guó)際上主流的照明級(jí)LED 芯片及器件制造商有著各自獨(dú)特的外延和芯片技術(shù)路線。3 LED的技術(shù)展望MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)的引入使LED的內(nèi)量子已超過(guò)80%，提高的空間不大，但因?yàn)橥饬孔有实鸵彩菍?dǎo)致總的出光效率非常低的原因，所以目前解決出光效率低的技術(shù)首選垂直結(jié)構(gòu)和光子晶體?，F(xiàn)有藍(lán)寶石襯底近幾年內(nèi)仍將是結(jié)構(gòu)發(fā)展的主要技

15、術(shù)路線，襯底材料中藍(lán)寶石和與之配套的垂直結(jié)構(gòu)襯底的激光剝離技術(shù)仍將在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)占統(tǒng)治地位。未來(lái)非極性面外延技術(shù)有望解決目前三基色LED集成的最大障礙是綠光LED高功效的問(wèn)題。用GaN襯底外延生長(zhǎng)手段來(lái)抑制光衰的技術(shù)在57年內(nèi)有望得到突破。重大裝備和原材料的國(guó)產(chǎn)化是降低成本的重要且有效的途徑之一。國(guó)內(nèi)封裝與國(guó)外相比沒(méi)有明顯的差距，但國(guó)內(nèi)當(dāng)前的專利類型仍以實(shí)用型為主，技術(shù)創(chuàng)新性有待進(jìn)一步的提高。3.1 發(fā)展趨勢(shì)（1）發(fā)光效率不斷提高從LED技術(shù)發(fā)展來(lái)看，歐美及日系廠商仍是重要競(jìng)爭(zhēng)者。就技術(shù)水平而論，目前以美國(guó)Cree公司最為領(lǐng)先。2010 年Cree公司的白光LED的實(shí)驗(yàn)室光效已提高到208 lm

16、/W，這是目前的最高水平。首爾半導(dǎo)體的主打產(chǎn)品Acriche是世界上唯一可以在交流電源下無(wú)需直流交流轉(zhuǎn)換器就能驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體光源，比直流LED 更加節(jié)能和更具成本效益。（2）成本不斷下降成本高是LED推廣應(yīng)用的障礙。產(chǎn)生1000 lm的光通量，白熾燈的成本小于1美元，熒光燈的成本小于2美元。而LED光源產(chǎn)生1 000 lm的光能量，使用十顆大功率LED的成本超過(guò)了20美元。LED的成本問(wèn)題是與LED技術(shù)層面瓶頸的解決緊密相連的。預(yù)計(jì)到2015年白光LED的成本將可與熒光燈相當(dāng)，其技術(shù)關(guān)鍵是配備了大量的小型LED封裝。綜上所述技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)為：（1）高功效技術(shù)的研發(fā)水平加快；（2）成本急劇下降。技

17、術(shù)創(chuàng)新步伐明顯加快，推動(dòng)LED照明實(shí)用化進(jìn)程。4 LED應(yīng)用狀態(tài)4.1 風(fēng)光互補(bǔ)LED路燈太陽(yáng)能和風(fēng)能有很好的互補(bǔ)性，因此風(fēng)光互補(bǔ)發(fā)電系統(tǒng)在資源上彌補(bǔ)了風(fēng)電和光電獨(dú)立系統(tǒng)在資源上的缺陷。路燈是城市最常見(jiàn)的基礎(chǔ)設(shè)施，同時(shí)也是城市的耗電大戶。為數(shù)量眾多的路燈鋪設(shè)低壓輸電線路不僅耗費(fèi)人力物力，線路上的損耗也不容小視，所以為城市安裝風(fēng)光互補(bǔ)路燈是一項(xiàng)可行的節(jié)能減排措施。目前大功率LED路燈基本上是采用5000K6000K色溫的白光，作為道路照明光源，在視覺(jué)感覺(jué)上過(guò)分陰冷甚至陰森，同時(shí)遠(yuǎn)視時(shí)眼睛的觀察能力會(huì)下降，在這方面的一些研究中證明，低于3000K的黃光或暖白光是比較適合道路照明的。高壓鈉燈的相關(guān)色

18、溫(Tcp)為2100K左右，屬暖色溫，其顯色指數(shù)(Ra)只有2325，顯色性低；而LED路燈現(xiàn)在使用的色溫多大于5300K，屬冷色溫，較好的產(chǎn)品，其Ra可達(dá)7080，顯色性好。作為機(jī)動(dòng)車行駛的快速道、主干道，偏黃色光的鈉燈，對(duì)看清前方90160m左右距離路面狀況，效果比白色光略優(yōu)，特別是對(duì)有霧、多塵的空氣條件下，鈉燈較有優(yōu)勢(shì)，相對(duì)的LED路燈射程短,在較高高度下工作,燈光就顯的很暗。對(duì)于人行道、商業(yè)步行街、居住小區(qū)等道路，LED的顯色性優(yōu)于鈉燈，分辨人的狀況更清晰，較有優(yōu)勢(shì)。對(duì)光源的維護(hù)，高壓鈉燈直接更換光源電器，成本較高。而對(duì)于LED路燈，現(xiàn)在很多大功率LED燈珠內(nèi)部集成了齊納二極管，單顆

19、LED燈珠損壞不會(huì)影響整體燈具的亮度，不必要更換，但是要整個(gè)光源更換，現(xiàn)場(chǎng)的維護(hù)就無(wú)法進(jìn)行，一旦出現(xiàn)整體故障時(shí)，只能整個(gè)燈具進(jìn)行替換維修，這對(duì)使用單位來(lái)說(shuō)是不方便的，還有待今后解決。據(jù)2013-2017年中國(guó)風(fēng)光互補(bǔ)路燈行業(yè)發(fā)展前景與投資預(yù)測(cè)分析報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)現(xiàn)有城鄉(xiāng)路燈總數(shù)，大約在2億盞，并以每年20%的速度增長(zhǎng)，假如這2億盞400瓦或250瓦高壓鈉燈全部改成150瓦或100瓦風(fēng)光互補(bǔ)LED路燈，并且每盞路燈每天工作12小時(shí)，在1年內(nèi)將節(jié)約1500億度電。而三峽水電站在2010年的發(fā)電總量為840億度電。因此把全國(guó)2億盞路燈全部改為風(fēng)光互補(bǔ)路燈后，所節(jié)省的電量相當(dāng)于1.8個(gè)三峽水電站20

20、10年的全年發(fā)電量。4.2 LED在汽車燈具中的應(yīng)用LED在儀表、電信等信號(hào)指示上的初步應(yīng)用，形成了LED 早期的應(yīng)用市場(chǎng)，但由于其光強(qiáng)度、光衰減等性能指標(biāo)問(wèn)題還無(wú)法在汽車燈具中獲得廣泛應(yīng)用。80年代后期伴隨高亮度發(fā)光二級(jí)管技術(shù)的出現(xiàn)，LED在車外照明信號(hào)的應(yīng)用成為可能。典型標(biāo)志性事件為: 1988 年Nissan在280Z汽車上首次使用STANLEY生產(chǎn)的72只AlGaAs紅色高亮度LED作為汽車高位制動(dòng)燈。從此，LED 正式進(jìn)入汽車照明市場(chǎng)。90年代，LED的材料開(kāi)發(fā)不斷演進(jìn)，Toshiba和Hewlett-Packard在1991年共同開(kāi)發(fā)出以磷化鋁鎵銦(InGaAlP)制成的四元素高亮

21、度LED。在技術(shù)上和批量生產(chǎn)上，為汽車燈具光源的LED 化鋪平了道路。進(jìn)入二十一世紀(jì)，LED 技術(shù)突飛猛進(jìn)，并逐漸取代白熾燈、真空熒光等傳統(tǒng)光源被廣泛組合應(yīng)用到汽車儀表背光照明、操作開(kāi)關(guān)、頂燈、閱讀燈、門鎖燈等車內(nèi)照明上。另外，LED 可靠性強(qiáng)、使用壽命長(zhǎng)、色純度高、響應(yīng)速度快、體積小便于設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)得以突顯，在汽車外部照明方面也得到越來(lái)越普遍的應(yīng)用。特別是最近幾年，LED車燈被廣泛應(yīng)用于轉(zhuǎn)向信號(hào)燈、制動(dòng)燈、位置燈、倒車燈、霧燈、牌照燈等燈具上，已經(jīng)成為汽車潮流的新寵。目前，80%以上的歐系和日系汽車安裝了LED高位制動(dòng)燈。市場(chǎng)上幾大汽車領(lǐng)導(dǎo)廠商也不斷推出以LED為光源的新型汽車， 像日系的To

22、yota、Mitsubishi、Honda、Nissan 等廠商推出的Teana、Crown、Reiz，美系通用汽車旗下的Cadillac、Buick，以及德系車廠的Mercedes-Benz、BMW、AUDI 等都已采用LED 尾燈，并逐漸形成了LED 汽車燈具的產(chǎn)業(yè)化。伴隨LED 模塊技術(shù)的發(fā)展， 高亮度輸出LED模塊也成功面世，如Lumileds研制的白色LuxeonLED模塊、OSRAM的“OSTAR”白色LED模塊，使得LED在汽車前照燈上的應(yīng)用也成為可能，并引領(lǐng)了新一代前照燈技術(shù)的潮流。但由于高成本的限值，目前的LED前照燈主要應(yīng)用在高級(jí)豪華車輛上。2004 年，Audi A8 6.0L豪華車第一次使用Lumileds的6個(gè)白色LuxeonLED作為日間行車燈。2007年，日本豐田汽車推出了Lexus頂級(jí)混合動(dòng)力車“LS600h”和“LS600hL”，成為全球首次配備使用全白光Nichia LED前照燈的量產(chǎn)車。4.3 LED顯示設(shè)備在教學(xué)中的應(yīng)用進(jìn)入21 世紀(jì)之后，除了在日常電力照明領(lǐng)域正在普及的LED 光源，LED顯示技術(shù)從臺(tái)式計(jì)算機(jī)的字段式顯示開(kāi)始的實(shí)用化LED面板，到后來(lái)的類似于主動(dòng)型素子驅(qū)動(dòng)方法的開(kāi)發(fā)，使大型、