無損檢測(RT)題庫

1、RT題庫蘭色為I級人員內(nèi)容，紅色為III級人員內(nèi)容，其他為II級人員內(nèi)容。一、是非題1.1 原子序數(shù)z等于原子核中的質(zhì)子數(shù)量。1.2 為了使原子呈中性，原子棱中的質(zhì)子數(shù)必須等于核外的電子數(shù)。 1.3 當(dāng)原子核內(nèi)的中子數(shù)改變時(shí)，它就會(huì)變?yōu)榱硪环N元素。1.4 當(dāng)一個(gè)原子增加一個(gè)質(zhì)子時(shí)，仍可保持元素的種類不變。 1.5 原子序數(shù)相同而原子量不同的元素，我們稱它為同位素。 1.6 不穩(wěn)定同位素在衰變過程中，始終要輻射射線1.7 不同種類的同位素，放射性活度大的總是比放射性活度小的具有更高的輻射劑量。1.8 放射性同位素的半衰期是指放射性元素的能量變?yōu)樵瓉硪话胨枰臅r(shí)間。1.9 各種射線源產(chǎn)生的射線均

2、是單能輻射。 1.10 射線和射線雖然有很強(qiáng)的穿透能力，但由于對人體輻射傷害太大，所用于工業(yè)探傷。 1.11 將元素放在核反應(yīng)堆中受過量中子轟擊，從而變成人造放射性同位素，這一過程稱為"激活"。1.12 與其他放射性同位素不同，Cs137是原子裂變的產(chǎn)物，在常溫下呈液態(tài)，使用前須防止泄漏污染。1.14 射線能量越高，傳播速度越快，例如射線比X射線傳播快。 1.15 x射線或射線強(qiáng)度越高，其能量就越大。1.16 x射線或射線是以光速傳播的微小的物質(zhì)粒子。 1.17 當(dāng)x射線經(jīng)過2個(gè)半價(jià)層后，其能量僅僅剩下最初的1/4。1.19 標(biāo)識x射線具有高能量，那是由于高速電子同靶原子核

3、相碰撞的結(jié)果。 1.20 連續(xù)x射線是高速電子同靶原子的軌道電子相碰撞的結(jié)果。1.2l X射線的波長與管電壓有關(guān)。 1.22 X射線機(jī)產(chǎn)生X射線的效率比較高，大約有95%的電能轉(zhuǎn)化為X射線的能量。1.24 同能量的射線和X射線具有完全相同的性質(zhì)。1.25 X射線的強(qiáng)度不僅取決于X射線機(jī)的管電流而且還取決于X射線機(jī)的管電壓。1.26 與C。60相對，Csl37發(fā)出的射線能量較低，半衰期較短。 1.27 光電效應(yīng)中光子被完全吸收，而康普頓效應(yīng)中光子未被完全吸收。 1.28 一能量為300KeY的光子與原子相互作用，使一軌道電子脫離50KeV結(jié)合能的軌道，且具有50KeV動(dòng)能飛出，則新光子的能量是2

4、00KeV。 1.29 光電效應(yīng)的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而增加。 1.30 光電子又稱為反沖電子1.31 隨著入射光子能量的增大，光電吸收系數(shù)迅速減少，康普頓衰減系數(shù)逐漸增大。1.32 當(dāng)射線能量在1.02MeV至10MeV區(qū)間，與物質(zhì)相互作用的主要形式是電子對效應(yīng)。1.33 連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，線質(zhì)不變。 1.34 射線通過材料后，其強(qiáng)度的9/10被吸收，該厚度即稱作1/10價(jià)層。 1.35 當(dāng)射線穿過三個(gè)半價(jià)層后，其強(qiáng)度僅剩下最初的1/8。 1.37 C。60和Irl192射線源是穩(wěn)定的同位素在核反應(yīng)堆中俘獲中子而得到的，當(dāng)射線源經(jīng)過幾個(gè)半衰期后，將其放在核反應(yīng)堆中激活，可重

5、復(fù)使用。 1.38 X射線和射線都是電磁輻射，而中子射線不是電磁輻射。 1.39 放射性同位素的當(dāng)量能總是高于其平均能。 1.40 X射線與可見光本質(zhì)上的區(qū)別僅僅是振動(dòng)頻率不同。 1.41 高速電子與靶原子的軌道電子相撞發(fā)出X射線，這一過程稱作韌致輻射。 1.42 連續(xù)X射線的能量與管電壓有關(guān)，與管電流無關(guān)。 1.43 連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電流有關(guān)，與管電壓無關(guān)。 1.44 標(biāo)識X射線的能量與管電壓、管電流均無關(guān)，僅取決于靶材料。 1.45 X射線與射線的基本區(qū)別是后者具有高能量，可以穿透較厚物質(zhì)。 1.46 采取一定措施可以使射線照射范圍限制在一個(gè)小區(qū)域，這樣的射線稱為窄束射線。1.48 原

6、子核的穩(wěn)定性與核內(nèi)中子數(shù)有關(guān)，核內(nèi)中子數(shù)越小，核就越穩(wěn)定。 1.50 放射性同位素衰變常數(shù)越小，意味著該同位素半衰期越長。1.51 在管電壓、管電流不變的前提下，將X射線管的靶材料由鉬改為鎢，所發(fā)生的射線強(qiáng)度會(huì)增大。1.52 在工業(yè)射線探傷中，使膠片感光的主要是連續(xù)譜x射線，標(biāo)識譜x射線不起什么作用。1.53 Ir192射線與物質(zhì)相互作用，肯定不會(huì)發(fā)生電子對效應(yīng)。 1.54 高能X射線與物質(zhì)相互作用的主要形式之一是瑞利散射。 1.55 連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，平均波長變短。 2.1 X光管的有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)。 2.2 x射線機(jī)中的焦點(diǎn)尺寸，應(yīng)盡可能大，這樣發(fā)射的X射線能量大，同

7、時(shí)也可防止靶過份受熱。2.3 x射線管中電子的速度越小，則所發(fā)生的射線能量也就越小。 2.4 由于X射線機(jī)的電壓峰值(KVP)容易使人誤解，所以X射線機(jī)所發(fā)出的射線能量用電壓平均值毒示。 2.6 移動(dòng)式X射線機(jī)只能室內(nèi)小范圍移動(dòng)，不能到野外作業(yè)。 2.7 移動(dòng)式X射線機(jī)有油冷和氣冷兩種絕緣介質(zhì)冷卻方式。 2.8 相同千伏值的金屬陶瓷管和玻璃管，前者體積和尺寸小于后者。 2.9 "變頻"是減小x射線機(jī)重量的有效措施之一。2.10 放射性同位素的比活度越太，其輻射強(qiáng)度也就越大。 2.11 適宜探測厚度100mm以上鋼試件源的是C。60，透宜探測厚度20mm以下鋼試件的源是Ir1

8、92。 2.12 黑度定義為阻光率的常用對數(shù)值。 2.13 底片黑度D=1，即意味著透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的十分之一。2.15 能量較低的射線較更容易被膠片吸收，引起感光，因此，射線透照時(shí)防止散射線十分重要。 2.16 用來說明管電壓、管電流和穿透厚度關(guān)系的曲線稱為膠片特性曲線。 2.17 膠片達(dá)到一定黑度所需的照射量（即倫琴數(shù)）與射線質(zhì)無關(guān)。 2.18 同一膠片對不同能量的射線具有不同的感光度。 2.19 比活度越小，即意味著該放射性同位素源的尺寸可以做得更小。 2.20 膠片灰霧度包括片基固有密度和化學(xué)灰霧密度兩部分。 2.22 在常用的100KV-400KV X射線能量范圍內(nèi)*鉛箔增感屏的增

9、感系數(shù)隨其厚度的增大而減小。 2.23 對X射線，增感系數(shù)隨射線能量的增高而增大。但對射線來說則不是這樣，例如，鉆60的增感系數(shù)比銥192低。 2.24 對X射線機(jī)進(jìn)行"訓(xùn)練"的目的是為了排出絕緣油中的氣泡。 2.25 x和射線的本質(zhì)是相同的，但射線來自同位素，而x射線來自于一個(gè)以高壓加速電子的裝置。 2.26 在任何情況下，同位素都有優(yōu)于囂射線設(shè)備，這是由于使用它能得到更高的對比度和清晰度。 2.27 對于某一同位素放射源，其活度越大，則所發(fā)出的射線強(qiáng)度也越大。 2.29 相同標(biāo)稱千伏值和毫安值的x射線機(jī)所產(chǎn)生的射線強(qiáng)度和能量必定相同。2.30 所謂"管電流&q

10、uot;就是流過X射線管燈絲的電流。 2.31 放射源的比活度越大，其半衰期就越短。 2.32 膠片對比度與射線能量有關(guān)，射線能量越高，膠片對比度越小。 2.33 膠片特性曲線的斜率用來度量膠片的對比度。2.34 從實(shí)際應(yīng)用的角度來說，射線的能量對膠片特性曲線形狀基本上不產(chǎn)生影響。2.35 寬容度大的膠片其對比度必然低。 2.36 顯影時(shí)間延長，將會(huì)使特性曲線變陡，且在座標(biāo)上的位置向左移。 2.37 膠片特性曲線在座標(biāo)上的位置向左移，意味著膠片感光速度減小。 2.38 與一般膠片不同，X射線膠片雙面涂布感光乳劑層，其目的是為了增加感光速度和黑度。2.39 "潛象"是指在沒有

11、強(qiáng)光燈的條件下不能看到的影像。 2.40 鉛增感屏除有增感作用外，還有減少散射線的作用，因此在射線能穿透的前提下，應(yīng)盡量選用較厚的鉛屏。 ( )2.41 透照不銹鋼焊縫，可以使用碳素鋼絲象質(zhì)計(jì)。2.42 透照鈦焊縫，必須使用鈦金屬絲象質(zhì)計(jì)。 2.43 鉛箔增感屏的增感系數(shù)高于熒光增感屏，所以使用廣泛。 2.44 膠片鹵化銀粒度就是顯影后底片的顆粒度。 2.45 梯噪比高的膠片成像質(zhì)量好。 2.46 膠片系統(tǒng)分類的主要依據(jù)是膠片感光速度和梯噪比。 3.1 影象顆粒度完全取決于膠片乳劑層中鹵化銀微粒尺寸的大小。 3.3 使用較低能量的射線可得到較高的主因?qū)Ρ榷取?3.4 射線照相時(shí)，若干伏值提高，

12、將會(huì)使膠片對比度降低。 3.5 一般來說，對厚度差較大的工件，應(yīng)使用較高能量射線透照，其目的是降低對比度，增大寬容度。3.6 增大曝光量可提高主因?qū)Ρ榷取?3.7 當(dāng)射線的有效量增加到大約250KV以上時(shí)，就會(huì)對底片顆粒度產(chǎn)生明顯影響。 3.9 射線照相主因?qū)Ρ榷扰c入射線的能譜有關(guān)，與強(qiáng)度無關(guān)。 3.10 用增大射源到膠片距離的辦法可降低射線照相固有不清晰度。 3.11 減小幾何不清晰度的途徑之一，就是使膠片盡可能地靠近工件。 3.13 膠片的顆粒越粗，則引起的幾何不清晰度就越大。 3.14 使用射線源可以消除幾何不清晰度。 3.15 增加源到膠片的距離可以減小幾何清晰度，但同時(shí)會(huì)引起固有不清

13、晰度增大。3.16 膠片成象的顆粒性會(huì)隨著射線能量的提高而變差。 3.17 對比度、清晰度、顆粒度是決定射線照相靈敏度的三個(gè)主要因素。 3.18 膠片對比度和主因?qū)Ρ榷染c工件厚度變化引起的黑度有關(guān)。 3.19 使用較低能量的射線可提高主因?qū)Ρ榷?，但同時(shí)會(huì)降低膠片對比度。 3.20 膠片的粒度越大，固有不清晰度也就越大。 3.21 顯影不足或過度，會(huì)影響底片對比度，但不會(huì)影響顆粒度。 3.22 實(shí)際上由射線能量引起的不清晰度和顆粒度是同一效應(yīng)的不同名稱。 3.23 當(dāng)缺陷尺寸大大小于幾何不清晰度尺寸時(shí)，影象對比度會(huì)受照相幾何條件的影響。 3.24 可以采取增大焦距的辦法使尺寸較大的源的照相幾何

14、不清晰度與尺寸較小的源完全一樣。 3.25 如果信噪比不夠，即使增大膠片襯度，也不可能識別更小的細(xì)節(jié)影像。_ 3.26 散射線只影響主因?qū)Ρ榷龋挥绊懩z片對比度。 3.27 底片黑度只影響膠片對比度，與主因?qū)Ρ榷葻o關(guān)。 3.28 射線的能量同時(shí)影響照相的對比度、清晰度和顆粒度。 3.29 透照有余高的焊縫時(shí)，所選擇的"最佳黑度"就是指能保證焊縫部位和母材部位得到相同角質(zhì)計(jì)靈敏度顯示的黑度值。3.3l 底片黑度只影響對比度，不影響清晰度。 3.33 固有不清晰度是由于使溴化銀感光的電子在乳劑層中有一定穿越行程而造成的。3.34 底片能夠記錄的影象細(xì)節(jié)的最小尺寸取決于顆粒度。

15、3.35 對有余高的焊縫照相，應(yīng)盡量選擇較低能量的射線，以保證焊縫區(qū)域有較高的對比度。 3.37 由于底片上影象信噪比隨曝光量的增加而增大，所以增加曝光量有利于缺陷影象識別。 3.38 射線照相的信噪比與膠片梯噪比具有不同含義。 4.2 射線照相的優(yōu)點(diǎn)是射源尺寸小，且對大厚度工件照相曝光時(shí)間短。 4.3 選擇較小的射源尺寸df，或者增大焦距值F，都可以使照相Ug值減小。 4.4 欲提高球罐內(nèi)壁表面的小裂紋檢出率。采用源在外的透照方式比源在內(nèi)的透照方式好。 4.5 環(huán)焊縫的各種透照方式中，以源在內(nèi)中心透照周向曝光法為最佳方式。 4.6 無論采用哪一種透照方式，一次透照長度都隨著焦距的增大而增大。

16、 4.7 所謂"最佳焦距"是指照相幾何不清晰度Ug與固有不清晰度Ui相等時(shí)的焦距值。4.8 己知銅的等效系數(shù)銅=1.5則透照同樣厚度的鋼和銅時(shí)，后者的管電壓應(yīng)為前者的1.5倍。 4.9 對有余高的焊縫進(jìn)行透照，熱影響區(qū)部位的散射比要比焊縫中心部位大得多。4.10 源在內(nèi)透照時(shí)，搭接標(biāo)記必須放在射源側(cè)。 4.11 背散射線的存在，會(huì)影響底片的對比度。通常可在工件和膠片之間放置一個(gè)鉛字B來驗(yàn)證背散射線是否存在。 4.12 不論采用何種透照布置，為防止漏檢，搭接標(biāo)記均應(yīng)放在射源側(cè)。 4.13 由于"互易定律失效"，采用熒光增感時(shí)，根據(jù)曝光因子公式選擇透照參數(shù)可

17、能會(huì)產(chǎn)生較大誤差。 4.14 當(dāng)被透工件厚度差較大時(shí)，就會(huì)有"邊蝕散射"發(fā)生。4.15 在源和工件之間放置濾板來減小散射線的措施對射線并不適用。 4.16 使用"濾板"可增大照相寬容度，但濾板最好是放在工件和膠片之間。 4.17 在源和工件之間放置濾板減小散射線的措施對于平板工件照相并不適用。 4.18 在實(shí)際工作中正常使用的焦距范圍內(nèi)，可以認(rèn)為焦距對散射比沒有影響。 4.19 采用平靶周向X射線機(jī)對環(huán)縫作內(nèi)透中心法周向曝光時(shí)，有利于檢出橫向裂紋，但不利于檢出縱向裂紋。 4.20 采用源在外單壁透照方式，如K值不變，則焦距越大，一次透照長度L3就越大。4

18、.21 采用雙壁單影法透照時(shí)，如保持K值不變，則焦距越大，一次透照長度L3就越小。4.22 用單壁法透照環(huán)焊縫時(shí)，所用搭接標(biāo)記均應(yīng)放在射源側(cè)工件表面，以免端部缺陷漏檢。 4.23 對某一曝光曲線，應(yīng)使用同一類型的膠片，但可更換不同的X射線機(jī)。 4.24 使用射線曝光曲線時(shí)，首先應(yīng)知道射線源在給定時(shí)間的活度。 4.25 如果已知等效系數(shù)，用x射線曝光曲線來代替，射線曝光曲線，也能求出曝光參數(shù)。4.26 小徑管射線照相采用垂直透照法比傾斜透照法更有利于檢出根部未熔合。 4.27 增大透照厚度寬容度最常用的辦法是適當(dāng)提高射線能量。 4.28 對尺寸很小的缺陷，其影象的對比度不僅與射線能量有關(guān)，而且與

19、焦距有關(guān)。 4.29 材料的種類影響散射比，例如給定能量的射線在鋼中的散射比要比在鋁中大得多。4.30 在常規(guī)射線照相檢驗(yàn)中，散射線是無法避免的。 4.31 環(huán)縫雙壁單影照相，搭接標(biāo)記應(yīng)放膠片側(cè)，底片的有效評定長度是底片上兩搭接標(biāo)記之間的長度。 4.32 縱焊縫雙壁單影照相，搭接標(biāo)記應(yīng)放膠片側(cè)，底片的有效評定長度就是兩搭接標(biāo)記之間的長。 4.33 小徑管雙壁透照的要點(diǎn)是選用較高管電壓，較低曝光量，其目的是減小底片反差，擴(kuò)大檢出區(qū)域。 4.34 射線照相實(shí)際透照時(shí)很少采用標(biāo)準(zhǔn)允許的最小焦距值。 5.1 顯影時(shí)膠片上的AgBr被還原成金屬銀，從而使膠片變黑。 5.2 對曝光不足的底片，可采用增加顯

20、影時(shí)間或提高顯影溫度的方法來增加底片黑度，從而獲得符合要求的底片。 5.3 膠片在顯影液中顯影時(shí)，如果不進(jìn)行任何攪動(dòng)，則膠片上每一部位都會(huì)影響緊靠在它們下方部位的顯影。 5.4 定影液有兩個(gè)作用，溶解未曝光的AgBr和堅(jiān)膜作用。 5.5 所謂"通透時(shí)間"就是指膠片從放入定影液到乳劑層變?yōu)橥该鞯倪@段時(shí)間。 5.6 不減少底片上水跡的方法是溫膠片快速干燥。 5.7 膠片表面起網(wǎng)狀皺紋可能是膠片處理溫度變化急劇而引起的。 5.8 沖洗膠片時(shí)，只要使用安全燈，膠片上就不會(huì)出現(xiàn)灰霧。 5.9 顯影液中如果過量增加碳酸鈉，在底片上會(huì)產(chǎn)生反差降低的不良后果。 5.10 使用被劃傷的鉛箔增

21、感屏照相，底片上會(huì)出現(xiàn)與劃傷相應(yīng)的清晰的黑線。 5.11 膠片上靜電花紋的產(chǎn)生是由于射線管兩端的電壓過高的原因。 5.12 射線底片上產(chǎn)生亮的月牙痕跡的原因可能是曝光前使膠片彎曲。 5.13 射線底片上產(chǎn)生亮的月牙痕跡的原因可能是曝光后使膠片彎曲。5.14 如果顯影時(shí)間過長。有些未曝光的AgBr也會(huì)被還原，從而增大了底片灰霧。 5.15 顯影液中氫離子濃度增大，則顯影速度減慢，故借助于顯影液保持一定PH值。5.16 定影液中的氫離子濃度過高，定影能力就越強(qiáng)。 5.17 膠片未曝光部分變?yōu)橥该鲿r(shí)，即說明定影過程已經(jīng)完成。 5.18 因?yàn)殍F不耐腐蝕且容易生銹， 所以不能用鐵制容器盛放顯影液。 5.

22、19 溴化鉀除了抑制灰霧的作用外，還有增大反差的作用。 5.20 顯影時(shí)攪動(dòng)不但能夠使顯影速度加快，還有提高反差的作用。 5.21 所謂"超加和性"是指米吐爾和菲尼酮配合使用，顯影速度大大提高的現(xiàn)象。 6.1 由于射線照相存在影象放大現(xiàn)象，所以底片評定時(shí)，缺陷定量應(yīng)考慮放大的影響。6.2 各種熱裂紋只發(fā)生在焊縫上，不會(huì)發(fā)生在熱影響區(qū)。 6.3 形狀缺陷不屬于無損檢測檢出范疇，但對于目視檢查無法進(jìn)行的場合和部位，射線照相應(yīng)對形狀缺陷，例如內(nèi)凹、燒穿、咬邊等，評級。 7.1 暗室內(nèi)的工作人員在沖洗膠片的過程中，會(huì)受到膠片上的衍生的射線照射，因而白血球也會(huì)降低。 7.2 一個(gè)射線

23、工作者懷疑自己處在高輻射區(qū)域，驗(yàn)證的最有效方法是看劑量筆上的讀數(shù)是否也增加。 7.3 熱釋光膠片劑量計(jì)和袖珍劑量筆的工作原理均基于電離效應(yīng)。 7.4 照射量單位"倫琴"只適用x射線或射線，不能用于中子射線。 7.5 當(dāng)x或射源移去以后工件不再受輻射作用，但工件本身仍殘留極低的輻射。7.6 即使劑量相同，不同種類輻射對人體傷害是不同的。 7.7 小劑量，低劑量率輻射不會(huì)發(fā)生隨機(jī)性損害效應(yīng)。 7.8 只要嚴(yán)格遵守輻射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于劑量當(dāng)量限值的規(guī)定，就可以保證不發(fā)生輻射損傷。7.9 從x射線機(jī)和射線的防護(hù)角度來說，可以認(rèn)為1戈瑞=1希沃特。 7.10 焦耳千克是劑量當(dāng)量單位，庫倫

24、/千克是照射量單位。 7.11 劑量當(dāng)量的國際單位是希沃特，專用單位是雷姆，兩者的換算關(guān)系是l希沃特=100雷姆。 7.12 x射線比射線更容易被人體吸收，所以x射線對人體的傷害比射線大。 7.13 當(dāng)照射量相同時(shí)，高能X射線比低能X射線對人體傷害力更大一些。 8.2 寬容度大是高能X射線照相的優(yōu)點(diǎn)之一。8.5 中子照相的應(yīng)用之一是用來檢查航空材料蜂窩結(jié)構(gòu)的粘接質(zhì)量。 8.7 高能X射線照相的不清晰度主要是固有不清晰度，幾何不清晰度的影響幾乎可以忽略。 二、選擇題1.1 原子的主要組成部分是（）。A、質(zhì)子、電子、光子 B、質(zhì)子、重子、電子C、光子、電子、X射線 D、質(zhì)子、中子、電子1.2 電磁

25、波的頻率（f），速度（c）和波長（）之間的關(guān)系可用（）表示。A、f=·c B、c = f· C、=f·c D、=f/c1.3 原子核的質(zhì)子數(shù)等于（）。A、中子數(shù) B、原子序數(shù) C、光子數(shù) D、原子量1.4 質(zhì)子和中子的區(qū)別是中子沒有（）。A、電荷 B、質(zhì)量 C、自旋 D、半衰期1.5 當(dāng)幾種粒子和射線通過空氣時(shí)，其電離效應(yīng)最高的是（）。A、粒子 B、粒子 C、中子 D、X和射線1.6 在射線探傷中應(yīng)用最多的三種射線是（）。A、X射線，射線和中子射線 B、射線，射線和射線C、X射線，射線和射線 D、X射線，射線和射線1.7 原子核外電子能級量最高的是（）。A、外殼層

26、 B、中間殼層 C、內(nèi)殼層 D、以上均不是1.8 同位素是指（）。A、質(zhì)量數(shù)相同而中子數(shù)不同的元素；B、質(zhì)量數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素；C、中子數(shù)相同而質(zhì)子數(shù)不同的元素；D、質(zhì)子數(shù)相同而質(zhì)量數(shù)不同的元素。1.9 X射線、射線和粒子有一個(gè)共同點(diǎn)，即它們都是（）。A、均質(zhì)粒子輻射 B、電磁輻射 C、微波輻射 D、電離輻射1.10 在射線檢驗(yàn)中采用的能量范圍（約100KeVo-10MeV）射線穿過鋼鐵強(qiáng)度衰減的最主要原因是（）。A、光電效應(yīng) B、湯姆遜效應(yīng) C、康普頓效應(yīng) D、電子對效應(yīng)1.11 光子能量的數(shù)學(xué)表達(dá)式是（）。A、E=h/ B、E=/hc C、E=h D、E=h21.12 強(qiáng)度為I的單色

27、射線通過厚度為X的材料后，強(qiáng)度減弱I，其關(guān)系式為I=IX，此式表示下列哪種現(xiàn)象？（）A、光電效應(yīng) B、康普頓散射 C、吸收 D、半價(jià)層厚度3.13 通常所說的200KVX射線指（）。A、最大能量為0.2MeV的"白色"X射線B、平均能量為0.2MeV的連續(xù)射線 C、能量為0.2MeV的連續(xù)射線D、有效能量為0.2MeV的連續(xù)射線 1.14 單色射線是指（）。A、標(biāo)識x射線 B、工業(yè)探傷源產(chǎn)生的射線 C、用來產(chǎn)生高對比度的窄束射線 D、由單一波長的電磁波組成的射線 1.15 在一般的工業(yè)探傷中，射線與物質(zhì)相互作用時(shí)，主要產(chǎn)生的二個(gè)效應(yīng)是（）。A、光電效應(yīng)和電子對效應(yīng) B、光電

28、效應(yīng)和康普頓散射 C、康普頓散射和電子對效應(yīng) D、康普頓散射和電離 1.16 當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子將部分能量用于逐出軌道電子，且剩余的能量變?yōu)殡娮拥膭?dòng)能，這就是（）。 A、康普頓散射 B、光電效應(yīng) C、電子對效應(yīng) D、電離 1.17 當(dāng)光子與物質(zhì)相互作用時(shí)，光子的波長增加，方向改變，這是由于（ ）的結(jié)果。A、光電效應(yīng) B、康普頓散射 C、湯姆遜散射 D、電子對產(chǎn)生1.18 康普頓散射的特征是（）。 A、產(chǎn)生光電子 B、產(chǎn)生俄歇電子 C、產(chǎn)生反沖電子 D、產(chǎn)生正負(fù)電子對1.19 光電效應(yīng)的特征是( )A、產(chǎn)生光電子 B、發(fā)射標(biāo)識x射線 C、發(fā)射二次電子 D、以上都是1.20 已知某單能射

29、線在鋼中的半價(jià)層為3mm，則該射線在鋼中的吸收系數(shù)為（）。A、0.23lcm B、2.31cm-1 C、2.079cm D、00231mm-1 1.21 射線通過物質(zhì)時(shí)的衰減取決于（）。 A、物質(zhì)的原子序數(shù) B、物質(zhì)的楊氏模量 C、物質(zhì)的泊松比 D、物質(zhì)的晶粒度1.22 窄束和寬束的區(qū)別是（）。 A、窄束是指散射和未散射的射線均到達(dá)檢測器，而寬束是指只有未散射的射線到達(dá)檢測器。B、窄束是指只有未散射的射線到達(dá)檢測器，而寬束是指散射和未散射的射線均到達(dá)檢測器。 C、窄束和寬束區(qū)別在于源尺寸大小不同。D、窄束和寬束區(qū)別在于照射場大小不同。1.23 散射線的主要成份是低能電磁輻射，它是由光子在哪一過

30、程中減弱而產(chǎn)生的。A、光電過程 B、康普頓過程 C、電子對過程 D電離過程1.24 從X射線管中發(fā)射出的射線包括( )。 A、連續(xù)X射線 B、標(biāo)識X射線 C、射線 D、A和B 1.25 連續(xù)X射線穿透厚工件時(shí)，有何特點(diǎn)？( ) A、第二半價(jià)層小于第一半價(jià)層 B、第二半價(jià)層等于第一半價(jià)層 C、第二半價(jià)層大于第一半價(jià)層 D、第二半價(jià)層與第一半價(jià)層關(guān)系不確定1.26 當(dāng)射線波長一定時(shí)，下列哪種物質(zhì)的最大？ A、Fe B、Al C、Ti D、Cu 1.27 產(chǎn)生x射線的一般方法是在高速電子牌運(yùn)動(dòng)方向上設(shè)置一個(gè)障礙物，使高速電子在這個(gè)障礙物上突然減速，這個(gè)障礙物被叫（）。A、陽極 B、陰極 C、靶 D、

31、燈絲1.28 X射線的穿透能力取決于（）。 A、毫安 B千伏 C、曝光時(shí)間 D焦點(diǎn)尺寸 1.29 射線的穿透能力取決于( )A、源的尺寸 B、源的種類 C、曝光時(shí)間 D、焦點(diǎn)尺寸 1.30 當(dāng)施加于X射線管兩端的管電壓不變，管電流增加時(shí)，則( )。A、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度不變 B、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度增加 C、產(chǎn)生的X射線波長不變，強(qiáng)度減小 D、產(chǎn)生的X射線波長增加，強(qiáng)度不變 1.31 X射線機(jī)的管電流不變，管電壓減小時(shí)，則X射線將會(huì)發(fā)生（）。A、強(qiáng)度不變，波長減小 B、強(qiáng)度不變，波長增大C、波長減小，強(qiáng)度減小 D、波長增大，強(qiáng)度減小1.32 X射線警所產(chǎn)生的連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電

32、壓的關(guān)系是( )A、強(qiáng)度與管電壓成正比 B、強(qiáng)度與管電壓成反比 C、強(qiáng)度與管電壓平方與正比 D、強(qiáng)度與管電壓平方成反比 1.34 放射性同位素衰變時(shí)，原子核衰變方式通常是()。 A、粒子發(fā)射 B、K俘獲 C裂變 D、A和B1.35 韌致輻射是指高速運(yùn)動(dòng)的電子同靶相碰撞時(shí)，與靶的什么相互作用而放也電子的能量，產(chǎn)生連續(xù)X射線的？（ ）A、自由電子 B、原子核的質(zhì)子或中子 C、充層電子 D、原子核外庫侖場 1.36 放射性元素Co60轉(zhuǎn)變?yōu)镹60的過程是一次( )A、衰變 B、衰變 C、衰變 D、K俘獲 1.37 以下關(guān)于光電效應(yīng)的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的( )A、光電效應(yīng)發(fā)生幾率隨光子能量的增大而減小

33、 B、光電效應(yīng)發(fā)生幾率材料的原子序數(shù)增大而增大 C、在光電效應(yīng)過程中除產(chǎn)生光電子外，有時(shí)還會(huì)產(chǎn)生反沖電子 D、光電效應(yīng)發(fā)射出的電子的能量肯定小于入射光子的能量 1.38 以下關(guān)于康普頓效應(yīng)的敦述，哪一條是錯(cuò)誤的( )A、散射光子的波長肯定小于入射光子 B、反光子與散射光子能沖電子的能量為入射量之差 C、散射角越大，散射光子能量越小 D、康普頓效應(yīng)發(fā)生幾率隨入射光子能量增大而減小 1.39 某放射性同位素的衰變常數(shù)為0.005371天-1，則其半衰期為( )A、186天 B、129天 C、53天 D、537天1.40 下列幾種材料中，射線衰減系數(shù)較大的是( )A、銅 B、鋁 C、鐵 D、碳1.4

34、1 以下關(guān)于瑞利散射的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的( )A、瑞利散射是相干散射的一種 B、瑞利散射不改變光于能量，只改變光子的運(yùn)動(dòng)方向C、瑞利散射的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而減小 D、瑞利散射的發(fā)生幾率隨光子能量的增大而急劇減小 1.42 射線照相難以檢出的缺陷是( )A、未焊透和裂紋 B、氣孔和未熔合C、夾渣和咬邊 D、分層和折疊1.43 射線照相法對哪一種焊接方法不適用。( )A、氣焊，電渣焊 B、氣體保護(hù)焊、埋弧自動(dòng)焊C、手工電弧焊、系離子弧焊 D、摩擦焊，釬烽 1.44 以下哪些材料的熔化焊對接焊縫適宜使用射線照相法檢測( )A、鋼和不銹鋼 B鈦和鈦合金 C、鋁及鋁合金 D、以上都適宜 1.4

35、5 以下關(guān)于射線照相特點(diǎn)的敘述，哪些是錯(cuò)誤的( ) A、判定缺陷性質(zhì)、數(shù)量、尺寸比較準(zhǔn)確 B、檢測靈敏度受材料晶粒度的影響較大C、成本較高，檢測速度不快D、射線對人體有傷害 2.1 管電壓、管電流不變，將X射線管陽極由銅換成鎢，產(chǎn)生X射線線質(zhì)如何變化？A、變硬 B、變軟 C、不變 D、不一定2.2 X射線管的陽極靶量常用的材料是( )A、銅 B、鎢 C、鍍 D、銀2.3 軟射線x射線管的窗口材料一般是( )。 A、銅 B、鎢 C、鍍 D、銀2.4 X射線機(jī)技本性能指標(biāo)中，焦點(diǎn)尺寸是一項(xiàng)重要指標(biāo)，焦點(diǎn)尺寸是指( )。A、靶的幾何尺寸 B、電子束的直徑 C、實(shí)際焦點(diǎn)尺寸 D、有效焦點(diǎn)尺寸2.5 在

36、條件允許的情況下，焦點(diǎn)盡寸應(yīng)盡可能的小，其目的是( )。A、減小設(shè)備體積 B、提高清晰度C、增加能量密度 D、節(jié)省合金材料2.6 x射線管中轟擊靶產(chǎn)生x射線的高速電子的數(shù)量取決于( )。A、陽極靶材料的量子序數(shù) B、陰極靶材料的原子序數(shù) C、燈絲材料的原子序數(shù) D、燈絲的加熱溫度2.7 下列哪一特征，不是x射線管的靶材料所要求的（）。 A、高原子序鼓 B、高熔點(diǎn) C、高熱傳導(dǎo)率 D、高質(zhì)量吸收系數(shù)2.8 當(dāng)兩臺相同型號的X射線機(jī)的千伏值和毫安值均相同時(shí)，則( ) A、產(chǎn)生的x射線的強(qiáng)度和波長一定相同 B、產(chǎn)生的X射線的波長相同，強(qiáng)度不同 C、產(chǎn)生的X射線的強(qiáng)度相罔，波長不同 D、產(chǎn)生的X射線的

37、強(qiáng)度和波長不一定相同 、2.9 高壓變壓器直接與X射線管相連接的X射線機(jī)叫做( ) A、全波整流X射線機(jī) B、自整流X射線機(jī)C、交流X射線機(jī) D、恒電壓X射線機(jī)2.10 X射線管對真空度要求較高，其原因是( )A、防止電極材料氧化 B、使陰極與陽極之聞絕緣 C、使電子束不電離氣體而容易通過 D、以上三者均是 2.11 決定X射線機(jī)工作時(shí)間長短的主要因素是( )A、工作電太KV的大小 B、工作電流mA的大小 C、工件厚度的大小 D、陽極冷卻速度的大小 2.12 X射線機(jī)中循環(huán)油的作用是( )A、吸收散射線 B、濾去一次射線中波長較長的射線C、散熱 D、增強(qiáng)一次射線2.13 大焦點(diǎn)x射線機(jī)與小焦點(diǎn)

38、X射線機(jī)相比，其特點(diǎn)是（） A、射線的能量低穿透為小 B、射線不不集中，強(qiáng)度小 C、照相黑度不易控制 D、照相清晰度差 2.14 一般x射線機(jī)調(diào)節(jié)管電壓的方法通常是（）。 A、調(diào)節(jié)燈絲的加熱電壓 B、調(diào)節(jié)陰極和陽極之間的電壓C、調(diào)節(jié)陰極和陽極之間的距離 D、調(diào)節(jié)燈絲與陰極之間的距離 2.15 X射線管中的陰極最常見的是( ) A、冷陰極 B、熱陰極 C、旋轉(zhuǎn)陰極 D、固定陰極2.16 提高燈絲溫度的目的是使( )A、發(fā)射電子的能量增大 B、發(fā)射電子的數(shù)量增多 C、發(fā)出X射線的波長較短 D、發(fā)出X射線的波長較長 2.17 大功率X射線管陽極冷卻的常用方法是( )A、輻射冷卻 B、對流冷卻C、傳導(dǎo)

39、冷卻 D、液體強(qiáng)迫循環(huán)冷卻2.18 射線探傷機(jī)與X射線探傷機(jī)相比其優(yōu)點(diǎn)是( )A、設(shè)備簡單 B、不需外部電緣C、射源體積小 D、以上三者都是2.19 探傷所用的放射性同位素，都是( )A、天然同位素 B、人造同位素 C、穩(wěn)定同位素 D、以上三者都是2.20 放射性同位素的輻射強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系是( ）A、隨時(shí)間增大 B、與時(shí)間無關(guān) C、隨時(shí)間減小 D、三者都不對2.21 利用射線探傷時(shí)，若要增加射線強(qiáng)度可以采用（ ）A、增加焦距 B、減小焦距 C、減小曝光時(shí)間 D、三者均可2.22 下列四種放射性元素中，半價(jià)層最厚的是( )A、Co60 B、Cs137 C、Irl92 D、Tm1702.23 下

40、列四種放射性元素中，半衰期最長的為( )A、Co60 B、Cs137 C、Irl92 D、Tm1702.24 Tm170 源發(fā)出的射線能量為：( ) A、0.084和0.052MeV B、0.11和0.15MeV C、1.33和1.17MeV D、0.31和D.47MeV 2.25 180mm厚的鋼試件射線照相，可能使用的射線源是( )A、鈷60 B、銩170 C、銥192 D、銫137 2.26 可使用銥192照相的鋼試件厚度范圍是( ) A、100-200mm B、8-60mm C、4-15mm D、30-90mm2.27 決定材料對X射線吸收量最重要的因素是( )A、材料厚度 B、材料密

41、度 C、材料原子序致 D、材料晶粒度 2.28 下面有關(guān)X射線管焦點(diǎn)的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的？( ) A、有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)B、焦點(diǎn)越小，照相幾何不清晰度越小 C、量電壓、管電流增加，實(shí)際焦點(diǎn)會(huì)有一定程度的增大 D、焦點(diǎn)越大，散熱越困難 2.29 放射性同位素源的比活度取決于（） A、核反應(yīng)堆中照射的中子流B、材料在反應(yīng)堆中的停留時(shí)間 C、照射材料的特性（原子量、活化截面）D、以上全是 2.30 下列四種放射性同位素中，可用來透照厚度為312mm的薄壁管，輻射特性類似100250KVX射線的是（）A、Ir192 B、Cs137 C、Co60 D、Tm1702.31 一般放射性比活度高的源其

42、自吸收( ) A、較高 B、較低 C、兩者無關(guān) D、無自吸收2.32 決定x射線管靶材適用性的兩個(gè)因素是( )A、拉伸強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度 B、硬度和礁導(dǎo)率C、電阻和抗氧化性能 D、原子序數(shù)和熔點(diǎn) 2.33 以下關(guān)于便攜式X射線機(jī)操作使用的敘述，哪條是錯(cuò)誤的( )A、X射線機(jī)停用超過3天，才需要訓(xùn)機(jī)B、送高壓前應(yīng)預(yù)熱燈絲C、機(jī)內(nèi)SF6氣機(jī)過低，將影響絕緣性能D、應(yīng)保持工作和間歇時(shí)間1：12.34 以下哪一條不是，射線探傷設(shè)備優(yōu)點(diǎn)( ) A、不需用電和水 B、可連續(xù)操作 C、同進(jìn)行周向曝光和全景曝光 D、曝光時(shí)同短、效率高 2.35 X射線管中，電子轟擊靶時(shí)能量轉(zhuǎn)換的主要形式是產(chǎn)生( ) A、連續(xù)x射

43、線 B、標(biāo)識x射線 C、短波長X射線 D、熱 2.36 X射線量管電流大小主要取決于( ) A、靶材科 B、燈絲電流 C、陽極到陰極的距離 D、以上都是 2.37 X射線管中轟擊靶的電子運(yùn)動(dòng)的速度取決于（） A、靶材的原子序數(shù) B、管電壓C、管電流 D、燈絲電壓2.38 在管電壓、管電流相同的情況下，下列哪種線路產(chǎn)生的射線質(zhì)較硬，照射劑量率較大？（）A、半波整流 B、全波整流C、穩(wěn)恒直流 D、線路種類與射線的質(zhì)和劑量率無關(guān)2.39 在管電壓、管電流相同的情況下，焦點(diǎn)尺寸越小，其焦點(diǎn)的溫度（）A、越低 B越高 C、不變 D、不一定2.40 各種膠片成像的粒度（） A、隨千伏值提高而增大 B、隨千

44、伏值提高而減小C、與千伏值無關(guān) D、變化服從朗伯定律2.41 表示膠片受到一定量x射線照射，顯影后的底片黑度是多少的曲線叫做（）A、曝光曲線 B、靈敏度曲線C、特性曲線 D、吸收曲線2.42 X膠片的片基常用的材料是（） A、聚氯乙烯薄膜 B、聚氨脂薄膜 C、滌綸薄膜 D、聚乙烯薄膜 2.43 保存射線膠片的環(huán)境相對濕度應(yīng)為（） A、10-25% B、50-65% C、70-85% D、越干燥越好 2.44 膠片特性曲線上，過兩個(gè)特定黑度點(diǎn)的直線的斜率叫做（） A、膠片寬谷度 B、梯度 C、平均梯度 D、感光度 2.45 由膠片特性曲線可以得到膠片的技術(shù)參數(shù)是（）A、膠片的反差系數(shù) B、膠片的

45、本底灰霧度 C、正常的曝光范圍 D、三者均是 2.46 哪一因素變化，會(huì)使膠片特性曲線形狀明顯改變？A、改變管電壓 B改變管電流C、改變焦距 D、改變顯影條件2.47 實(shí)際使腔片鹵化銀顆粒感光的因素是（）A、X或光量子 B、粒子 C、電子 D、中子2.48 下面有關(guān)膠片的四種敘述中，唯一正確的是（） A、膠片顆粒度大，感光速度就快，底片圖象清晰B、膠片顆粒度小，感光速度就快，底片圖象模糊C、膠片顆粒度大，感光速度快，底片圖象模糊 D、膠片顆粒度小，感光速度快，底片圖象清晰2.49 底片的黑度范圍限制在膠片特性曲線的直線區(qū)域內(nèi)，這是因?yàn)樵诖藚^(qū)域內(nèi)透照出的底片( )A、黑度大 B、感光度高 C、本

46、底灰霧度小 D、對比度高 2.50 已曝過光的X膠片，不能在高溫高濕的環(huán)境內(nèi)保持時(shí)間過長，否則會(huì)引起（）。A、藥膜自動(dòng)脫落 B、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)C、產(chǎn)生靜電感光 D、潛象衰退、黑度下降2.51 膠片分類的依據(jù)主要是（）。A、梯度和顆粒度 B、感光度和顆粒度C、感光度和剃度 D、灰霧度和寬容度2.52 X膠片乳劑中與射線作用產(chǎn)生光化學(xué)作用的成分是（）。A、AgBr B、AgO2 C、AgS D、AgBr22.54 與非增感型膠片配合使用的增感屏是（）A、熒光增感屏 B、鉛箔增感屏C、熒光鉛箔增感屏 D、稀土熒光增感屏2.55 熒光增感屏與鉛箔增感屏相比，熒光增感屏的主要優(yōu)點(diǎn)（）A、圖象的清晰度高 B

47、、可提高靈敏度C、可縮短曝光時(shí)間 D、能屏蔽散射線2.56 鉛箔增感屏的主要優(yōu)點(diǎn)是（）A、可加速膠片感光同時(shí)吸收部分散射線B、可提高照相清晰度C、可減小照相顆粒度D、以上都是2.57 使用鉛箔增感屏可以縮短曝光時(shí)間，提高底片的黑度，其原因是鉛箔受X射線或射線照射時(shí)（）。A、能發(fā)出熒光從而加速膠片感光B、能發(fā)出可見光從而使膠片感光C、能發(fā)出紅外線從而使膠片感光D、能發(fā)出電子從而使膠片感光2.58 射線照相中，使用象質(zhì)計(jì)的主要目的是（）A、測量缺陷大小 B、評價(jià)底片靈敏度C、測定底片清晰度 D、以上都是2.59 什么是使用象質(zhì)計(jì)的局限性？（）A、不能提供射線照相檢驗(yàn)靈敏度的永久性證據(jù)B、不能比較兩

48、種不同透照技術(shù)的質(zhì)量高低C、不能提供可檢出缺陷尺寸的度量指示D、不能驗(yàn)證所用透照工藝的適當(dāng)性2.62 平板焊縫照相時(shí)，下面四種關(guān)于象質(zhì)計(jì)擺放的敘述，唯一正確的擺放位置是( )A、近膠片一側(cè)的工件表面，并應(yīng)靠近膠片端頭 B、近射源一側(cè)工件表面，金屬絲垂直焊縫，并位于工件中部 C、近膠片一側(cè)的工件表面，并應(yīng)處在有效照相范圍一端的焊縫上，金屬絲垂直于焊縫，細(xì)絲在外 D、近射源一側(cè)有效照相范圍一端的焊縫上，金屬絲垂直于焊縫，細(xì)絲在外 2.63 鈦對射線的吸收系數(shù)小于鋼，在透照鈦試件時(shí)采用了鋼絲象質(zhì)計(jì)，如果底片上顯示的象質(zhì)指數(shù)剛好達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)要求，則該底片的靈敏度( )A、剛好符合標(biāo)準(zhǔn)要求 B、達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)要

49、求C、遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過標(biāo)準(zhǔn)要求 D、無法判斷2.64 已知入射光強(qiáng)200cd/m2，則底片黑度為2.3的區(qū)域透過的光強(qiáng)為：( )A、5cd/m2 B、0.56cd/m2 C、1cd/m2 D、0.1cd/m22.66 以下關(guān)于周向輻射X射線管陽極靶的敘述，哪一條是錯(cuò)誤的：( )A、周向輻射X射線管的陽極靶有平面靶和錐形靶兩種 B、平面靶多用于300KVX射線管；C、平面靶散熱效果比錐形靶好：D、使用平面靶X射線管的探傷機(jī)照相要注意橫向裂紋漏檢問題 2.67 在其他參數(shù)不變的情況下，若顯影時(shí)間延長，膠片特性曲線會(huì)出現(xiàn)( )A、梯度增大，感光速度提高 B、梯度減小，感光速度提高C、梯度減小，感光速度降低 D、梯度增大，感光速度降低2.68 Ir192所發(fā)出的主要射線能量為( ) 、A、0.66,0.84,0.91MeV B、0.31,0.47,0.60MeV C、0.08,0.05,0.66MeV D、0.15,1.12,0.18MeV2.69 以下哪一條，不是金屬陶瓷管X射線機(jī)的優(yōu)點(diǎn)( )A、體積小 B、重量輕 C、故障小 D不需要訓(xùn)機(jī)2.70 以下哪一因素，對膠片對比度不產(chǎn)生影響( )A、射線能量 B、底片黑度C、膠片類型 D、顯影條件 2.71 使用"真空暗盒"的主