駐馬店IGBT項(xiàng)目創(chuàng)業(yè)計劃書【模板參考】

1、CMC·泓域咨詢 /駐馬店IGBT項(xiàng)目創(chuàng)業(yè)計劃書駐馬店IGBT項(xiàng)目創(chuàng)業(yè)計劃書xx（集團(tuán)）有限公司目錄第一章 項(xiàng)目緒論11一、 項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)11二、 項(xiàng)目承辦單位11三、 項(xiàng)目定位及建設(shè)理由13四、 優(yōu)化區(qū)域布局，加快構(gòu)建現(xiàn)代城鎮(zhèn)體系13五、 報告編制說明15六、 項(xiàng)目建設(shè)選址17七、 項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模17八、 建筑物建設(shè)規(guī)模17九、 環(huán)境影響17十、 原輔材料及設(shè)備18十一、 項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成18十二、 資金籌措方案19十三、 項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)19十四、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度規(guī)劃19主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表20第二章 項(xiàng)目背景及必要性22一、 電動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯

2、片、傳感器需求提升22二、 實(shí)行高水平對外開放，打造內(nèi)陸開放高地23三、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景24四、 國內(nèi)IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上25五、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性27六、 新能源發(fā)電為IGBT帶來持續(xù)發(fā)展動力27七、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢28第三章 行業(yè)發(fā)展分析32一、 汽車半導(dǎo)體量價齊升，市場空間正快速擴(kuò)大32二、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新35三、 IGBT是新能源車動力系統(tǒng)核心中的核心40第四章 項(xiàng)目建設(shè)單位說明42一、 公司基本信息42二、 公司簡介42三、 公司競爭優(yōu)勢43四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)45公司合并資產(chǎn)負(fù)債表

3、主要數(shù)據(jù)45公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)46五、 核心人員介紹46六、 經(jīng)營宗旨48七、 公司發(fā)展規(guī)劃48第五章 建筑工程方案50一、 項(xiàng)目工程設(shè)計總體要求50二、 建設(shè)方案50三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)52建筑工程投資一覽表52第六章 產(chǎn)品方案與建設(shè)規(guī)劃54一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容54二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)54產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表55第七章 SWOT分析57一、 優(yōu)勢分析（S）57二、 劣勢分析（W）59三、 機(jī)會分析（O）59四、 威脅分析（T）61第八章 法人治理69一、 股東權(quán)利及義務(wù)69二、 董事72三、 高級管理人員76四、 監(jiān)事78第九章 工藝技術(shù)分析80一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析80

4、二、 項(xiàng)目技術(shù)工藝分析82三、 質(zhì)量管理84四、 設(shè)備選型方案85主要設(shè)備購置一覽表86第十章 安全生產(chǎn)87一、 編制依據(jù)87二、 防范措施89三、 預(yù)期效果評價95第十一章 建設(shè)進(jìn)度分析96一、 項(xiàng)目進(jìn)度安排96項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計劃一覽表96二、 項(xiàng)目實(shí)施保障措施97第十二章 項(xiàng)目投資分析98一、 投資估算的依據(jù)和說明98二、 建設(shè)投資估算99建設(shè)投資估算表101三、 建設(shè)期利息101建設(shè)期利息估算表101四、 流動資金102流動資金估算表103五、 總投資104總投資及構(gòu)成一覽表104六、 資金籌措與投資計劃105項(xiàng)目投資計劃與資金籌措一覽表105第十三章 項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益107一、 基本假設(shè)及基

5、礎(chǔ)參數(shù)選取107二、 經(jīng)濟(jì)評價財務(wù)測算107營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表107綜合總成本費(fèi)用估算表109利潤及利潤分配表111三、 項(xiàng)目盈利能力分析111項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表113四、 財務(wù)生存能力分析114五、 償債能力分析114借款還本付息計劃表116六、 經(jīng)濟(jì)評價結(jié)論116第十四章 項(xiàng)目招標(biāo)及投標(biāo)分析117一、 項(xiàng)目招標(biāo)依據(jù)117二、 項(xiàng)目招標(biāo)范圍117三、 招標(biāo)要求118四、 招標(biāo)組織方式120五、 招標(biāo)信息發(fā)布124第十五章 項(xiàng)目總結(jié)分析125第十六章 附表附件127營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表127綜合總成本費(fèi)用估算表127固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表128無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷

6、估算表129利潤及利潤分配表129項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表130借款還本付息計劃表132建設(shè)投資估算表132建設(shè)投資估算表133建設(shè)期利息估算表133固定資產(chǎn)投資估算表134流動資金估算表135總投資及構(gòu)成一覽表136項(xiàng)目投資計劃與資金籌措一覽表137報告說明根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項(xiàng)目總投資33833.98萬元，其中：建設(shè)投資27741.74萬元，占項(xiàng)目總投資的81.99%；建設(shè)期利息297.75萬元，占項(xiàng)目總投資的0.88%；流動資金5794.49萬元，占項(xiàng)目總投資的17.13%。項(xiàng)目正常運(yùn)營每年營業(yè)收入58100.00萬元，綜合總成本費(fèi)用49102.68萬元，凈利潤6557.69萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率

7、12.36%，財務(wù)凈現(xiàn)值-883.07萬元，全部投資回收期6.79年。本期項(xiàng)目具有較強(qiáng)的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。IGBT既有MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。IGBT可以看做由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件。BJT即三極管，是電流驅(qū)動器件，基本結(jié)構(gòu)是兩個背靠背的PN結(jié)，基極和發(fā)射極之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，基極和集電極之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)，通過控制輸入電壓和基極電流可以使三極管出現(xiàn)電流

8、放大或開關(guān)效應(yīng)。MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，以常用的N溝道MOS管為例，通過在P型半導(dǎo)體上方加入金屬板和絕緣板，即柵極，在使用中保持源級和漏級電壓不變，柵極加正電壓，MOS管呈導(dǎo)通狀態(tài)，降低柵極電壓，MOS管呈關(guān)閉狀態(tài)。由于柵極所帶來的電容效應(yīng)，使得MOS管只需要很小的驅(qū)動功率即可實(shí)現(xiàn)高速的開關(guān)作用。BJT通態(tài)壓降小、載流能力大，但驅(qū)動電流小，MOSFET驅(qū)動功率小、快關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大、載流密度小。IGBT可以等效為MOS管和BJT管的復(fù)合器件，在保留MOS管優(yōu)點(diǎn)的同時增加了載流能力和抗壓能力，自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)化應(yīng)用以來發(fā)展迅速，成為電力電子領(lǐng)域中最重要的功率開關(guān)器件之一，

9、在6500V以下的大功率高頻領(lǐng)域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。本報告基于可信的公開資料，參考行業(yè)研究模型，旨在對項(xiàng)目進(jìn)行合理的邏輯分析研究。本報告僅作為投資參考或作為參考范文模板用途。第一章 項(xiàng)目緒論一、 項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)（一）項(xiàng)目名稱駐馬店IGBT項(xiàng)目（二）項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)本項(xiàng)目屬于擴(kuò)建項(xiàng)目二、 項(xiàng)目承辦單位（一）項(xiàng)目承辦單位名稱xx（集團(tuán)）有限公司（二）項(xiàng)目聯(lián)系人段xx（三）項(xiàng)目建設(shè)單位概況展望未來，公司將圍繞企業(yè)發(fā)展目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，在“夢想、責(zé)任、忠誠、一流”核心價值觀的指引下，圍繞業(yè)務(wù)體系、管控體系和人才隊伍體系重塑，推動體制機(jī)制改革和管理及業(yè)務(wù)模式的創(chuàng)新，加強(qiáng)團(tuán)隊能力建設(shè)，提升核

10、心競爭力，努力把公司打造成為國內(nèi)一流的供應(yīng)鏈管理平臺。面對宏觀經(jīng)濟(jì)增速放緩、結(jié)構(gòu)調(diào)整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機(jī)構(gòu)、企業(yè)文化、質(zhì)量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實(shí)力，配合產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)改革。同時，公司注重履行社會責(zé)任所帶來的發(fā)展機(jī)遇，積極踐行“責(zé)任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。公司在“政府引導(dǎo)、市場主導(dǎo)、社會參與”的總體原則基礎(chǔ)上，堅持優(yōu)化結(jié)構(gòu)，提質(zhì)增效。不斷促進(jìn)企業(yè)改變粗放型發(fā)展模式和管理方式，補(bǔ)齊生態(tài)環(huán)境保護(hù)不足和區(qū)域發(fā)展不協(xié)調(diào)的短板，走綠色、協(xié)調(diào)和可持續(xù)發(fā)展道路，不斷優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，提高發(fā)展質(zhì)量和效益。牢固樹立并切實(shí)貫徹創(chuàng)新、協(xié)調(diào)、

11、綠色、開放、共享的發(fā)展理念，以提質(zhì)增效為中心，以提升創(chuàng)新能力為主線，降成本、補(bǔ)短板，推進(jìn)供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革。公司將依法合規(guī)作為新形勢下實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的基本保障，堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟(jì)利益的理念，確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位，進(jìn)一步明確了全面合規(guī)管理責(zé)任。公司不斷強(qiáng)化重大決策、重大事項(xiàng)的合規(guī)論證審查，加強(qiáng)合規(guī)風(fēng)險防控，確保依法管理、合規(guī)經(jīng)營。嚴(yán)格貫徹落實(shí)國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求，重點(diǎn)領(lǐng)域合規(guī)管理不斷強(qiáng)化，各部門分工負(fù)責(zé)、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立，廣大員工合規(guī)意識普遍增強(qiáng)，合規(guī)文化氛圍更加濃厚。三、 項(xiàng)目定位及建設(shè)理由新為能源車的快速發(fā)展為IITGBT帶來廣闊的增量市場。新能源

12、車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能。硅基IGBT作為主導(dǎo)型功率器件，在新能源車中應(yīng)用于電動控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系統(tǒng)中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件。根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2021年6月新能源車產(chǎn)銷分別為24.8萬輛、25.6萬輛，環(huán)比+14.3%、+17.7%，同比增長1.3倍和1.4倍，2021年1-6月，新能源車產(chǎn)銷分別達(dá)到121.5萬輛和120.6萬輛，同比增長均為2.0倍，新能源車的快速發(fā)展為IGBT帶來廣闊的市場空間。四、 優(yōu)化區(qū)域布局，加快構(gòu)建現(xiàn)代城鎮(zhèn)體系落實(shí)主體功能區(qū)戰(zhàn)略，優(yōu)化國土

13、空間布局，堅持強(qiáng)心引領(lǐng)、多極支撐、整體聯(lián)動，加快構(gòu)建以中心城區(qū)為主體、縣城和小城鎮(zhèn)協(xié)調(diào)發(fā)展的現(xiàn)代城鎮(zhèn)體系。增強(qiáng)中心城區(qū)輻射帶動作用。堅持以國際化、現(xiàn)代化、生態(tài)化為方向，增強(qiáng)樞紐輻射、創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新、開放帶動、文化引領(lǐng)等功能，集聚高端發(fā)展要素，全面提升綜合承載能力和輻射帶動能力，打造區(qū)域性中心城市。優(yōu)化中心城市組團(tuán)空間結(jié)構(gòu)，加快推進(jìn)“一中心五組團(tuán)一帶六極”現(xiàn)代城鎮(zhèn)體系（以中心城區(qū)為核心，以遂平、汝南、確山縣和西部山區(qū)及東部宿鴨湖地區(qū)為組團(tuán)，打造以西平、上蔡、平輿、新蔡、正陽、泌陽縣為支撐的沿邊經(jīng)濟(jì)發(fā)展帶和沿邊經(jīng)濟(jì)增長極），積極推進(jìn)遂平、確山撤縣設(shè)區(qū)，支持泌陽、平輿打造縣級城市。推進(jìn)縣域經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。

14、開展縣域治理“三起來”示范創(chuàng)建，打造產(chǎn)業(yè)先進(jìn)、充滿活力、城鄉(xiāng)繁榮、生態(tài)優(yōu)美、人民富裕的強(qiáng)縣。堅持產(chǎn)業(yè)為基集聚發(fā)展，發(fā)揮各縣比較優(yōu)勢，優(yōu)化縣域發(fā)展布局，推動工業(yè)基礎(chǔ)較好的縣突出轉(zhuǎn)型提質(zhì)、壯大優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集群，推動農(nóng)業(yè)優(yōu)勢明顯的縣突出特色高效、穩(wěn)固糧食生產(chǎn)能力、發(fā)展特色產(chǎn)業(yè)集群，推動生態(tài)功能突出的縣強(qiáng)化生態(tài)環(huán)境保護(hù)、發(fā)展資源環(huán)境可承載的適宜產(chǎn)業(yè)。堅持城鄉(xiāng)融合協(xié)調(diào)發(fā)展，構(gòu)建以縣城為龍頭、中心鎮(zhèn)為節(jié)點(diǎn)、鄉(xiāng)村為腹地的縣域發(fā)展體系；推進(jìn)以縣城為重要載體的新型城鎮(zhèn)化建設(shè)，支持縣城積極融入中心城市發(fā)展，深入實(shí)施百城建設(shè)提質(zhì)工程和文明城市創(chuàng)建，加快特色小城鎮(zhèn)建設(shè)。健全縣域經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展組織領(lǐng)導(dǎo)、扶持引導(dǎo)、獎懲激勵等

15、機(jī)制，完善區(qū)域協(xié)作、資源調(diào)配、收益共享等機(jī)制，激發(fā)縣域經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展內(nèi)生動力。統(tǒng)籌城市規(guī)劃建設(shè)管理。堅持以人為核心，統(tǒng)籌生產(chǎn)生態(tài)生活空間，提高城市規(guī)劃建設(shè)管理水平，讓城市成為人民群眾高品質(zhì)生活的空間。實(shí)施城市更新行動，統(tǒng)籌城市結(jié)構(gòu)優(yōu)化和功能完善，科學(xué)規(guī)劃城市功能片區(qū)，增強(qiáng)建設(shè)發(fā)展的整體性、協(xié)調(diào)性，補(bǔ)好城市路網(wǎng)、水網(wǎng)、管網(wǎng)、綠網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)短板，完善公共服務(wù)設(shè)施。加強(qiáng)城市和建筑風(fēng)貌管控，實(shí)現(xiàn)城市設(shè)計與空間規(guī)劃有機(jī)銜接，塑造特色鮮明、功能多樣、尺度宜人的公共空間。加強(qiáng)歷史文化保護(hù)和利用，使城市自然資源、歷史景觀和現(xiàn)代風(fēng)貌有機(jī)融合，提升城市魅力。加強(qiáng)城市重要基礎(chǔ)設(shè)施安全管理，推動城市防洪排澇設(shè)施建

16、設(shè)。分級分類推進(jìn)新型智慧城市建設(shè)和省級新型智慧城市建設(shè)試點(diǎn)，推動新一代信息技術(shù)與城市規(guī)劃、建設(shè)、管理、服務(wù)全面融合，建設(shè)“城市大腦”中樞平臺，提升城市治理精細(xì)化、智能化水平。堅持房子是用來住的、不是用來炒的定位，促進(jìn)房地產(chǎn)市場平穩(wěn)健康發(fā)展。深化戶籍制度改革，完善財政轉(zhuǎn)移支付和城鎮(zhèn)新增建設(shè)用地規(guī)模與農(nóng)業(yè)轉(zhuǎn)移人口市民化掛鉤政策，強(qiáng)化基本公共服務(wù)保障，加快農(nóng)業(yè)轉(zhuǎn)移人口市民化。五、 報告編制說明（一）報告編制依據(jù)1、一般工業(yè)項(xiàng)目可行性研究報告編制大綱;2、建設(shè)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)評價方法與參數(shù)(第三版);3、建設(shè)項(xiàng)目用地預(yù)審管理辦法;4、投資項(xiàng)目可行性研究指南;5、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄。（二）報告編制原則1、嚴(yán)格

17、遵守國家和地方的有關(guān)政策、法規(guī)，認(rèn)真執(zhí)行國家、行業(yè)和地方的有關(guān)規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定；2、選擇成熟、可靠、略帶前瞻性的工藝技術(shù)路線，提高項(xiàng)目的競爭力和市場適應(yīng)性；3、設(shè)備的布置根據(jù)現(xiàn)場實(shí)際情況，合理用地；4、嚴(yán)格執(zhí)行“三同時”原則，積極推進(jìn)“安全文明清潔”生產(chǎn)工藝，做到環(huán)境保護(hù)、勞動安全衛(wèi)生、消防設(shè)施和工程建設(shè)同步規(guī)劃、同步實(shí)施、同步運(yùn)行，注意可持續(xù)發(fā)展要求，具有可操作彈性；5、形成以人為本、美觀的生產(chǎn)環(huán)境，體現(xiàn)企業(yè)文化和企業(yè)形象；6、滿足項(xiàng)目業(yè)主對項(xiàng)目功能、盈利性等投資方面的要求；7、充分估計工程各類風(fēng)險，采取規(guī)避措施，滿足工程可靠性要求。（二） 報告主要內(nèi)容1、項(xiàng)目背景及市場預(yù)測分析；2、建設(shè)規(guī)模

18、的確定；3、建設(shè)場地及建設(shè)條件；4、工程設(shè)計方案；5、節(jié)能；6、環(huán)境保護(hù)、勞動安全、衛(wèi)生與消防；7、組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置；8、項(xiàng)目招標(biāo)方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務(wù)分析。六、 項(xiàng)目建設(shè)選址本期項(xiàng)目選址位于xx（以最終選址方案為準(zhǔn)），占地面積約70.00畝。項(xiàng)目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項(xiàng)目建設(shè)。七、 項(xiàng)目生產(chǎn)規(guī)模項(xiàng)目建成后，形成年產(chǎn)xx個IGBT的生產(chǎn)能力。八、 建筑物建設(shè)規(guī)模本期項(xiàng)目建筑面積80458.91，其中：生產(chǎn)工程56837.62，倉儲工程10659.67，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施8484.38，公共工程447

19、7.24。九、 環(huán)境影響本項(xiàng)目將嚴(yán)格按照“三同時”即三廢治理與生產(chǎn)裝置同時設(shè)計、同時施工、同時建成使用的原則，貫徹執(zhí)行國家和地方有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)。積極采用先進(jìn)而成熟的工藝設(shè)備，最大限度利用資源，盡可能將三廢消除在工藝內(nèi)部，項(xiàng)目單位及時對生產(chǎn)過程中的噪音、廢水、固體廢棄物等都要經(jīng)過處理，避免造成環(huán)境污染，確保該項(xiàng)目的建設(shè)與實(shí)施過程完全符合國家環(huán)境保護(hù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)。十、 原輔材料及設(shè)備（一）項(xiàng)目主要原輔材料該項(xiàng)目主要原輔材料包括xx、xx、xxx等。（二）主要設(shè)備主要設(shè)備包括：xx、xx、xxx等。十一、 項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成（一）項(xiàng)目總投資構(gòu)成分析本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動

20、資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項(xiàng)目總投資33833.98萬元，其中：建設(shè)投資27741.74萬元，占項(xiàng)目總投資的81.99%；建設(shè)期利息297.75萬元，占項(xiàng)目總投資的0.88%；流動資金5794.49萬元，占項(xiàng)目總投資的17.13%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項(xiàng)目建設(shè)投資27741.74萬元，包括工程費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備費(fèi)，其中：工程費(fèi)用23792.61萬元，工程建設(shè)其他費(fèi)用3264.46萬元，預(yù)備費(fèi)684.67萬元。十二、 資金籌措方案本期項(xiàng)目總投資33833.98萬元，其中申請銀行長期貸款12153.07萬元，其余部分由企業(yè)自籌。十三、 項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)（一）經(jīng)濟(jì)效益目標(biāo)值（正常經(jīng)

21、營年份）1、營業(yè)收入（SP）：58100.00萬元。2、綜合總成本費(fèi)用（TC）：49102.68萬元。3、凈利潤（NP）：6557.69萬元。（二）經(jīng)濟(jì)效益評價目標(biāo)1、全部投資回收期（Pt）：6.79年。2、財務(wù)內(nèi)部收益率：12.36%。3、財務(wù)凈現(xiàn)值：-883.07萬元。十四、 項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度規(guī)劃本期項(xiàng)目按照國家基本建設(shè)程序的有關(guān)法規(guī)和實(shí)施指南要求進(jìn)行建設(shè)，本期項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。十四、項(xiàng)目綜合評價經(jīng)初步分析評價，項(xiàng)目不僅有顯著的經(jīng)濟(jì)效益，而且其社會救益、生態(tài)效益非常顯著，項(xiàng)目的建設(shè)對提高農(nóng)民收入、維護(hù)社會穩(wěn)定，構(gòu)建和諧社會、促進(jìn)區(qū)域經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展具有十分重要的作用。項(xiàng)目在社會經(jīng)濟(jì)、自然條

22、件及投資等方面建設(shè)條件較好，項(xiàng)目的實(shí)施不但是可行而且是十分必要的。主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積46667.00約70.00畝1.1總建筑面積80458.911.2基底面積28000.201.3投資強(qiáng)度萬元/畝375.332總投資萬元33833.982.1建設(shè)投資萬元27741.742.1.1工程費(fèi)用萬元23792.612.1.2其他費(fèi)用萬元3264.462.1.3預(yù)備費(fèi)萬元684.672.2建設(shè)期利息萬元297.752.3流動資金萬元5794.493資金籌措萬元33833.983.1自籌資金萬元21680.913.2銀行貸款萬元12153.074營業(yè)收入萬元58100.00

23、正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元49102.68""6利潤總額萬元8743.59""7凈利潤萬元6557.69""8所得稅萬元2185.90""9增值稅萬元2114.45""10稅金及附加萬元253.73""11納稅總額萬元4554.08""12工業(yè)增加值萬元16199.35""13盈虧平衡點(diǎn)萬元26629.34產(chǎn)值14回收期年6.7915內(nèi)部收益率12.36%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元-883.07所得稅后第二章 項(xiàng)目背景及必要性一、 電

24、動化+數(shù)字互聯(lián)帶動功率模擬芯片、控制芯片、傳感器需求提升半導(dǎo)體是汽車發(fā)展趨勢（電驅(qū)化、數(shù)字互聯(lián)）的核心。汽車在電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體是發(fā)展的核心支撐。1）電驅(qū)化（電動化），電動與混動汽車的發(fā)展要求動力傳動系統(tǒng)向電氣化邁進(jìn)，其中由電池、電機(jī)、電控組成的三電系統(tǒng)主要以功率半導(dǎo)體為主，包含IGBT、MOSFET等。2）數(shù)字互聯(lián)（智能化、網(wǎng)聯(lián)化），智能化發(fā)展帶動具備AI計算能力的主控芯片市場規(guī)?？焖俪砷L；此外智能與網(wǎng)聯(lián)相輔相成，核心都是加強(qiáng)人車交互，除了加強(qiáng)計算能力的主控芯片外，傳感器、存儲也是核心的汽車半導(dǎo)體，包含自動化駕駛的實(shí)現(xiàn)使傳感器需求提升、數(shù)據(jù)量的增加帶動存儲的數(shù)量和容量

25、的需求提升。汽車半導(dǎo)體絕對值在增長，從分類中功率半導(dǎo)體價值量增加幅度最大。新能源汽車相比傳統(tǒng)燃油車，新能源車中的功率半導(dǎo)體價值量提升幅度較大。按照傳統(tǒng)燃油車半導(dǎo)體價值量417美元計算，功率半導(dǎo)體單車價值量達(dá)到87.6美元，按照FHEV、PHEV、BEV單車半導(dǎo)體價值量834美元計算，功率半導(dǎo)體單車價值量達(dá)到458.7美元，價值量增加四倍多。二、 實(shí)行高水平對外開放，打造內(nèi)陸開放高地積極融入“一帶一路”建設(shè)，加快構(gòu)建高水平開放型經(jīng)濟(jì)新體制，實(shí)現(xiàn)更大范圍、更寬領(lǐng)域、更深層次對外開放。打造高質(zhì)量對外開放平臺。放大國家戰(zhàn)略平臺疊加聯(lián)動效應(yīng)，完善開放載體功能，加強(qiáng)制度創(chuàng)新和政策集成，加快形成更具競爭力的

26、多層次開放平臺優(yōu)勢。持續(xù)辦好中國農(nóng)產(chǎn)品加工業(yè)投資貿(mào)易洽談會，加快推動中國（駐馬店）國際農(nóng)產(chǎn)品加工產(chǎn)業(yè)園建設(shè)，做大做強(qiáng)開放招商平臺。充分發(fā)揮海關(guān)開放平臺優(yōu)勢，加快保稅物流中心（B型）申建進(jìn)程，積極建設(shè)農(nóng)業(yè)跨境電商綜合試驗(yàn)區(qū)，提高貿(mào)易便利化水平。推進(jìn)中國（河南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)駐馬店聯(lián)動片區(qū)申建工作。推動與天津、青島、連云港、上海、寧波舟山港等沿海港口口岸的戰(zhàn)略聯(lián)合，加快口岸基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。拓展開放合作空間。主動融入“一帶一路”、河南“四路協(xié)同”開放格局，積極對接鄭州航空港、新鄭機(jī)場、明港機(jī)場等，推進(jìn)海鐵聯(lián)運(yùn)、公鐵聯(lián)運(yùn)、公路物流港無縫對接，搭建海陸空立體化交通、物流體系。推進(jìn)“互聯(lián)網(wǎng)+外貿(mào)”，引導(dǎo)傳統(tǒng)

27、外貿(mào)和制造企業(yè)“上線觸網(wǎng)”，開展跨境電子商務(wù)，實(shí)現(xiàn)電子商務(wù)平臺與國內(nèi)外市場互聯(lián)互通。推動更多企業(yè)加快創(chuàng)建自主品牌，擴(kuò)大產(chǎn)品影響力。深入推進(jìn)跨區(qū)域協(xié)作，繼續(xù)加強(qiáng)周邊合作，全面深化同京津冀、長三角、粵港澳大灣區(qū)等區(qū)域合作，主動開展與有關(guān)國家和地區(qū)合作，形成合作交流新格局。強(qiáng)力推進(jìn)開放招商。堅持把開放招商作為關(guān)鍵一招，創(chuàng)新市場化、專業(yè)化、精細(xì)化招商引資機(jī)制，辦好中國農(nóng)加工投洽會等重大招商活動，圍繞主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，突出招大引強(qiáng)、招新引優(yōu)、招專引精，積極承接國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，爭取中央企業(yè)和國內(nèi)外優(yōu)勢企業(yè)在駐馬店市設(shè)立區(qū)域總部和功能性機(jī)構(gòu)。加快“政策招商”向“產(chǎn)業(yè)招商”轉(zhuǎn)變，開展產(chǎn)業(yè)鏈精準(zhǔn)招商，實(shí)

28、現(xiàn)企業(yè)集群式引進(jìn)、產(chǎn)業(yè)鏈接式轉(zhuǎn)移，培育壯大產(chǎn)業(yè)集群。加強(qiáng)招商隊伍建設(shè)，優(yōu)化招商服務(wù)，提升專業(yè)招商能力。強(qiáng)化要素保障，確保招引項(xiàng)目早落地、早見效。三、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對應(yīng)著不同的應(yīng)用場景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費(fèi)電子和太陽能逆變器領(lǐng)域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域；高壓通常為2500V以上，主要用于高壓大電流的高鐵、動車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。IGBT根據(jù)封裝形式可分為I

29、GBT分立器件、IGBT模塊以及IPM。從封裝形式上來看，IGBT可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產(chǎn)品。IGBT分立器件指一個IGBT單管和一個反向并聯(lián)二極管組成的器件；IGBT模組指將多個（兩個及以上）IGBT芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，并進(jìn)行模塊化封裝；IPM則指將功率器件（主要為IGBT）和驅(qū)動電路、過壓和過流保護(hù)電流、溫度監(jiān)視和超溫保護(hù)電路等外圍電路集成再一起生產(chǎn)的一種組合型器件。IGBT。模塊的封裝工藝主要分為焊接式和壓接式。IGBT在工作過程中或產(chǎn)生一定的損耗，當(dāng)每個IGBT芯片在工作過程中產(chǎn)生的損耗只集中在1平方厘米左右的面積向外傳播時，這樣

30、的高熱流密度對器件的安全有效工作而言則成為一個巨大的挑戰(zhàn)，所以，IGBT需要依靠一定的封裝形式以便進(jìn)行散熱，從而保證產(chǎn)品可靠性。IGBT模塊的封裝工藝主要分為焊接式與壓接式。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則多采用壓接式封裝工藝。壓接式IGBT結(jié)構(gòu)與焊接式IGBT結(jié)構(gòu)差別較大，且壓接式IGBT封裝結(jié)構(gòu)還可細(xì)分為凸臺式和彈簧式，彈簧式壓接型封裝結(jié)構(gòu)的專利由ABB公司持有，東芝、Westcode、Dynex等公司則采用凸臺式封裝結(jié)構(gòu)。四、 國內(nèi)IGBT模塊百億級市場空間，占全球40%以上根據(jù)英飛凌年報，2019年英飛凌模塊產(chǎn)品全球市占率35.6%，斯達(dá)半導(dǎo)2.5%，英飛

31、凌IGBT器件產(chǎn)品市占率32.5%，士蘭微2.2%。2019年斯達(dá)半導(dǎo)IGBT模塊營業(yè)收入7.6億元，士蘭微IGBT器件營業(yè)收入約1億元，由此可推算2019年全球IGBT模塊市場規(guī)模約300億元，IGBT器件市場規(guī)模約45億元。根據(jù)ASMC研究顯示，全球IGBT市場規(guī)模預(yù)計在2022年達(dá)到60億美元，全球IGBT市場規(guī)模在未來幾年時間仍將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的勢頭。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)和頭豹研究院數(shù)據(jù)整理，2014年，我國IGBT行業(yè)市場規(guī)模為79.8億元，預(yù)測到2020年，我國IGBT行業(yè)將實(shí)現(xiàn)197.7億元的收入，年復(fù)合增長率達(dá)16.32%。預(yù)計到2023年中國IGBT行業(yè)整體市場規(guī)模有望達(dá)到2

32、90.8億元，市場前景廣闊。根據(jù)Yole預(yù)測，2024年我國行業(yè)IGBT產(chǎn)量預(yù)期達(dá)到0.78億只，需求量達(dá)到1.96億只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市場長期被英飛凌、富士電機(jī)等海外公司壟斷，英飛凌占據(jù)絕對領(lǐng)先的地位。2019年英飛凌模塊產(chǎn)品全球市占率35.6%，器件產(chǎn)品全球市占率32.5%，IGBT模塊領(lǐng)域國內(nèi)斯達(dá)半導(dǎo)是唯一進(jìn)入前十的企業(yè)，市占率2.5%，IGBT器件領(lǐng)域國內(nèi)士蘭微是唯一進(jìn)入前十的企業(yè)，市占率2.2%。國內(nèi)產(chǎn)品供需不平衡，“國產(chǎn)替代”將是未來IGBT行業(yè)發(fā)展的主要方向。五、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性（一）現(xiàn)有產(chǎn)能已無法滿足公司業(yè)務(wù)發(fā)展需求作為行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，公司已建立良好的品牌形象和

33、較高的市場知名度，產(chǎn)品銷售形勢良好，產(chǎn)銷率超過 100%。預(yù)計未來幾年公司的銷售規(guī)模仍將保持快速增長。隨著業(yè)務(wù)發(fā)展，公司現(xiàn)有廠房、設(shè)備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優(yōu)化生產(chǎn)流程、強(qiáng)化管理等手段，不斷挖掘產(chǎn)能潛力，但仍難以從根本上緩解產(chǎn)能不足問題。通過本次項(xiàng)目的建設(shè)，公司將有效克服產(chǎn)能不足對公司發(fā)展的制約，為公司把握市場機(jī)遇奠定基礎(chǔ)。（二）公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級的需要隨著制造業(yè)智能化、自動化產(chǎn)業(yè)升級，公司產(chǎn)品的性能也需要不斷優(yōu)化升級。公司只有以技術(shù)創(chuàng)新和市場開發(fā)為驅(qū)動，不斷研發(fā)新產(chǎn)品，提升產(chǎn)品精密化程度，將產(chǎn)品質(zhì)量水平提升到同類產(chǎn)品的領(lǐng)先水準(zhǔn)，提高生產(chǎn)的靈活性和適應(yīng)性，契合關(guān)鍵零部件國產(chǎn)化

34、的需求，才能在與國外企業(yè)的競爭中獲得優(yōu)勢，保持公司在領(lǐng)域的國內(nèi)領(lǐng)先地位。六、 新能源發(fā)電為IGBT帶來持續(xù)發(fā)展動力目前新能源發(fā)電以光伏和風(fēng)力發(fā)電為主，以光伏發(fā)電為例，在太陽光照射下太陽能電池陣列產(chǎn)生電能輸出直流電，但輸出的電能不符合電網(wǎng)要求，需通過逆變器將其整流，再逆變成符合電網(wǎng)要求的交流電后輸入并網(wǎng)。以往光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用MOSFET構(gòu)成的逆變器，然而隨著電壓的升高，MOSFET會因其通態(tài)電阻過大而導(dǎo)致增加開關(guān)損耗，IGBT因其通態(tài)電流大、耐壓高、電壓驅(qū)動等特點(diǎn)，在中、高壓容量的系統(tǒng)中更具優(yōu)勢，在實(shí)際項(xiàng)目中IGBT已逐漸取代MOSFET作為光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心器件，新能源發(fā)電行業(yè)

35、的迅速發(fā)展將成為IGBT行業(yè)持續(xù)增長的全新動力。據(jù)歐洲光伏產(chǎn)業(yè)協(xié)會預(yù)測,全球光伏裝機(jī)量未來5年將保持15%以上的復(fù)合增速，假設(shè)光伏逆變器出貨量每年保持15%增長，預(yù)計到2025年全球光伏IGBT市場規(guī)模將達(dá)到53億元。國內(nèi)逆變器廠商在全球光伏市場上持續(xù)突破，據(jù)Solaredge數(shù)據(jù)，2018年華為在全球逆變器市場的份額達(dá)22%。據(jù)陽光電源2020年報披露，公司2015年起出貨量首次超越連續(xù)多年排名全球發(fā)貨量第一的歐洲公司，銷售收入7.51億元，全球市占率27%，已批量銷往德國、意大利、澳大利亞、美國、日本、印度等150多個國家和地區(qū)，國內(nèi)光伏逆變器廠商的快速發(fā)展也為國產(chǎn)IGBT替代帶來更多產(chǎn)品

36、應(yīng)用的機(jī)會。七、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢IGBT技術(shù)的整體發(fā)展趨勢是大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性。從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。第一代：PT-IGBT，使用重?fù)诫s的P+襯底作為起始層，在此之上依次生長N+buffer，N-base外延，最后在外延層表面形成原胞結(jié)構(gòu)，由于體內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)本身原因造成“負(fù)溫度系數(shù)”，各IGBT原胞通態(tài)壓降不一致，不利于并聯(lián)運(yùn)行，第一代IG

37、BT電流只有25A，且容量小速度低，目前已基本退出市場。第二代：改進(jìn)版PT-IGBT，采用精細(xì)平面柵結(jié)構(gòu)，增加一個“緩沖層”，在相同的擊穿電壓下實(shí)現(xiàn)了更薄的晶片厚度，從而降低了IGBT導(dǎo)通電阻，降低了IGBT工作過程中的損耗，提高了IGBT的耐壓程度。第三代：Trench-IGBT，采用Trench結(jié)構(gòu)，通過挖槽工藝去掉柵極下面的JFET區(qū)，把溝道從表面變到垂直面，基區(qū)的PIN效應(yīng)增強(qiáng)，柵極附近載流子濃度增大，提高了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)減小了導(dǎo)通電阻，有效降低導(dǎo)通壓降及導(dǎo)通損耗。第四代：NPT-IGBT，使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu)，然后從背面減薄到IGBT電壓規(guī)

38、格需要的厚度，再從背面用離子注入工藝形成P+集電極，在截止時電場沒有貫穿N-漂移區(qū)，因此稱為NPT“非穿通”型IGBT?？梢跃珳?zhǔn)的控制結(jié)深而控制發(fā)射效率，盡可能地增快載流子抽取速度來降低關(guān)斷損耗，保持基區(qū)原有的載流子壽命而不會影響穩(wěn)態(tài)功耗，同時具有正溫度系數(shù)特點(diǎn)。第五代：FS-IGBT，采用先進(jìn)的薄片技術(shù)并且在薄片上形成電場終止層，大大的減小了芯片的總厚度，使得導(dǎo)通壓降和動態(tài)損耗都有大幅的下降，從而進(jìn)一步降低IGBT工作中過程中的損耗。第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基礎(chǔ)上改進(jìn)溝槽柵結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步增加芯片的電流導(dǎo)通能力，優(yōu)化芯片內(nèi)的載流子濃度和分布，減小了芯片的綜合損耗。第七代：

39、微溝槽柵-場截止型IGBT，溝槽密度更高，原胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)5kv/us下的最佳開關(guān)性能?？傮w而言，不同代際升級趨勢為升高耐壓成都，降低開關(guān)損耗，在結(jié)構(gòu)上大體表現(xiàn)在以下兩方面：柵極結(jié)構(gòu)方面：早期IGBT是平面柵結(jié)構(gòu)，隨著Trench（干法刻槽）工藝的成熟，將平面型柵極結(jié)構(gòu)變成垂直于芯片表面的溝槽型結(jié)構(gòu)，IGBT的本質(zhì)是通過控制柵極與發(fā)射級之間的電壓大小，從而實(shí)現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的控制。當(dāng)柵極-發(fā)射級電壓0時，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)，當(dāng)集電極-發(fā)射級電壓0且柵極-發(fā)射級電壓閾值電壓，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)。溝槽型結(jié)構(gòu)單元面積小、電流密度大、通態(tài)損耗降低約30

40、%，擊穿電壓更高?？v向結(jié)構(gòu)方面：早期是穿通型（PT）和非穿通型（NPT）結(jié)構(gòu)。PTIGBT是最早商業(yè)化生產(chǎn)的IGBT，隨著使用應(yīng)用中電壓等級越來越高，對NPT結(jié)構(gòu)的基區(qū)寬帶要求越來越寬，又有了在高壓領(lǐng)域向穿通結(jié)構(gòu)的回歸。第三章 行業(yè)發(fā)展分析一、 汽車半導(dǎo)體量價齊升，市場空間正快速擴(kuò)大純電動車有望成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。新能源汽車根據(jù)發(fā)動機(jī)主要可以分為HEV（混合電動汽車）、PHEV（插電式混合電動汽車）、BEV（純電動汽車）。其中，HEV是最常見的混合動力類型，它的動力驅(qū)動方式可以通過使用燃料的發(fā)動機(jī)和帶有電池的電動機(jī)。PHEV電池容量比較大，由較長的純電續(xù)航里程，且有充電接口，一般

41、需要專用的供電樁進(jìn)行供電，在電能充足的時候，采用電動機(jī)驅(qū)動車輛，而電能不足時，發(fā)動機(jī)發(fā)電給動力電池。BEV則不需要燃油機(jī)，只需要依靠電池提供能量，所以會配置較大容量的電池。BEV的優(yōu)勢在于零排放。受益于國家的雙碳計劃，BEV有望成為未來新能源汽車發(fā)展的主要方向。中國新能源汽車銷量增速高于全球，02020年中國新能源汽車銷量達(dá)到7136.7萬輛。根據(jù)EV-volumes公布的數(shù)據(jù)，2014年全球新能源汽車銷量為32.1萬輛，2020年達(dá)到324萬輛，2014-2020年復(fù)合增長率為47%；根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù)，2014年中國新能源汽車銷量為7.5萬輛，2020年達(dá)到136.7萬輛，20

42、14-2020年復(fù)合增長率為62%；整體來看全球與中國新能源汽車銷量皆快速增長，且中國的增速高于全球。雙碳計劃促進(jìn)新能源汽車發(fā)展，新能源汽車的碳減排潛力相較傳統(tǒng)燃油車更具優(yōu)勢。國內(nèi)要實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)，可能性路徑包括中國工業(yè)和公路交通等領(lǐng)域加速電氣化、加速部署可再生電源等零碳電源等。受益于雙碳目標(biāo)，新能源汽車替代傳統(tǒng)燃油車已是大勢所趨。在車輛使用階段，新能源汽車的碳減排潛力有明顯優(yōu)勢。純電動汽車與油車相比，單車運(yùn)行階段減排比例介于243%。若電動汽車的電耗降低，新能源電力使用比例提高，新能源汽車減排量比例還會進(jìn)一步提升。2021年上半年全球新能源汽車銷量同比接近翻倍，全球各國家銷量皆大幅度提升。根據(jù)

43、EV-volumes預(yù)測，2021年全球新能源汽車銷量預(yù)計達(dá)到640萬，相較于2020年同比增長98%。全球輕型汽車市場已從2020年上半年的-28%的低迷中部分恢復(fù)，同比增長28%。2021年上半年部分地區(qū)新能源汽車由于基數(shù)較低因此呈倍數(shù)增長，歐洲同比增長157%，中國同比增長197%，美國同比增長166%，其余市場同比增長達(dá)到95%；除日本外，所有主要市場在今年上半年的電動汽車銷量和份額均創(chuàng)下新紀(jì)錄。中國新能源汽車滲透率預(yù)計在2025年達(dá)到20%,預(yù)計中國新能源汽車銷量超過600萬輛。國務(wù)院辦公廳印發(fā)新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(20212035年)提出，新能源汽車新車銷售量達(dá)到汽車新車銷售總量

44、的20%左右；此外中汽協(xié)預(yù)測2025年中國汽車銷量或到3000萬輛，根據(jù)保守線性推算，我們預(yù)計2025年中國新能源汽車銷量達(dá)到600萬輛，年復(fù)合增速達(dá)到34.4%。根據(jù)中汽協(xié)預(yù)測未來五年中國新能源汽車銷量年均增速40%以上的預(yù)測，2025年新能源汽車銷量預(yù)計達(dá)到735萬輛。2020年新能源汽車半導(dǎo)體價值量4834美金。根據(jù)英飛凌、IHS、AutomotiveGroup等多家機(jī)構(gòu)測算，2020年FHEV、PHEV、BEV單車半導(dǎo)體的成本到了834美元，相較于傳統(tǒng)燃油車的汽車半導(dǎo)體價值417美元，單車半導(dǎo)體價值量翻倍成長；相較于48V輕混合車，單車半導(dǎo)體價值量增加45.8%。預(yù)計2025年，48V

45、輕混車、FHEV/PHEV/BEV銷量分別將達(dá)到1880萬輛、2100萬輛，基于2020年單車半導(dǎo)體BOM靜態(tài)測算，2025年車用半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到282.7億美元。新能源汽車半導(dǎo)體價值量持續(xù)增加，保守估計52025年中國市場規(guī)模達(dá)到070億美元。隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展，半導(dǎo)體在單車上的整體價值也越來越高，根據(jù)Gartner預(yù)測的數(shù)據(jù)，2024年單輛汽車中的半導(dǎo)體價值有望超過1000美元，根據(jù)前四年的年復(fù)合增長率預(yù)測，預(yù)計2025年達(dá)到1046美元，中國2025年新能源汽車預(yù)計達(dá)到600-700萬量，經(jīng)測算中國新能源汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模在2025年有望達(dá)到62.8億-73.2億美元

46、。汽車半導(dǎo)體國產(chǎn)化率僅10%，前八大歐美日企業(yè)占整體市場的63%。根據(jù)ICVTank數(shù)據(jù)，2019年汽車半導(dǎo)體前八大企業(yè)為歐美日公司，包含恩智浦、英飛凌、瑞薩半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、德州儀器等，占整體市場規(guī)模的63%。從自主汽車芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模來看，歐美日占據(jù)整體市場的93%，歐洲、美國和日本公司分別占37%、30%和25%市場份額；中國公司僅為3%，根據(jù)中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)汽車行業(yè)中車用芯片自研率僅占10%，國內(nèi)汽車芯片市場基本被國外企業(yè)壟斷，并且具備90%的替代空間。二、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新IGBT是一個電路開關(guān)，透過開關(guān)控制改變電壓。IGBT（絕

47、緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關(guān)斷，具有自關(guān)斷的特征，即是一個非通即斷的開關(guān)。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)點(diǎn)，既有MOSFET的開關(guān)速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)

48、動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。IGBT工藝與設(shè)計難度高，產(chǎn)品生命周期長。IGBT芯片結(jié)構(gòu)分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術(shù)從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術(shù)從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐?/p>

49、（FS,FieldStop）。技術(shù)的迭代對改善IGBT的開關(guān)性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)對于工藝有著相當(dāng)高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當(dāng)減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點(diǎn)的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導(dǎo)致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產(chǎn)品具有生命周期長的特點(diǎn)，以英飛凌IGBT產(chǎn)品為例，該產(chǎn)品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術(shù)在3300V、4500V、6500V等高壓應(yīng)用領(lǐng)域依舊占據(jù)主導(dǎo)地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術(shù)，其IGBT4產(chǎn)

50、品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)已成為本土廠商的對標(biāo)。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方面的提升來實(shí)現(xiàn)整個芯片結(jié)束的進(jìn)步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導(dǎo)率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半

51、導(dǎo)體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強(qiáng)的優(yōu)勢。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域至今經(jīng)歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導(dǎo)體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導(dǎo)體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀(jì)40年代開始登上舞臺，目前主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應(yīng)用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進(jìn)新產(chǎn)品發(fā)展，高壓高頻領(lǐng)域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強(qiáng)度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產(chǎn)品SiC的面積會

52、比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產(chǎn)品，SiC可以做到1700V以上且低導(dǎo)通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導(dǎo)通電阻增大主要采用IGBT結(jié)構(gòu)，但由于其存在開關(guān)損耗大產(chǎn)生發(fā)熱、高頻驅(qū)動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產(chǎn)品性能。SiC在MOSFET的結(jié)構(gòu)就可實(shí)現(xiàn)高耐壓，因此可同時實(shí)現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速M(fèi)OSFET結(jié)構(gòu)。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種

53、寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運(yùn)行，同時仍然能夠以高頻率進(jìn)行開關(guān)。這些特性可轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，SiC產(chǎn)品價格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導(dǎo)通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內(nèi)，比MOSFET可降低導(dǎo)通電阻，另一方面由于少數(shù)載子的累積，斷開時產(chǎn)生尾電流、造成開關(guān)的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導(dǎo)度調(diào)變，可用高速組件構(gòu)造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電

54、阻，可實(shí)現(xiàn)開關(guān)損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應(yīng)用方面又面臨很高的技術(shù)要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域各有不同。雖然IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應(yīng)用領(lǐng)域。BJT更強(qiáng)調(diào)工作功率，MOSFET更強(qiáng)調(diào)工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應(yīng)用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應(yīng)用市場，IGBT適用于高功率中頻率應(yīng)用市場。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長一段時間內(nèi)仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件

55、具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關(guān)產(chǎn)品則主要用于高壓高頻領(lǐng)域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產(chǎn)業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進(jìn)行布局。英飛凌于2018年收購德國廠商Siltectra，彌補(bǔ)自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品供應(yīng)，旗下CoolSiC系列產(chǎn)品已走入量產(chǎn)。2019年，意法半導(dǎo)體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協(xié)議，且收購了瑞典SiC晶圓廠商N(yùn)orstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導(dǎo)體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯

56、達(dá)半導(dǎo)、華潤微、等本土廠商也已在SiC領(lǐng)域布局。三、 IGBT是新能源車動力系統(tǒng)核心中的核心新能源車的制動原理是利用電磁效應(yīng)驅(qū)動電機(jī)轉(zhuǎn)動，IGBT優(yōu)異的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換、電壓轉(zhuǎn)換和頻率轉(zhuǎn)換幾個核心功能，電動車充電時，通過IGBT將外部電源轉(zhuǎn)變成直流電，并把外部220V電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷航o電池組充電。電動車制動時，通過IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機(jī)使用的交流電，同時精確調(diào)整電壓和頻率，驅(qū)動電動車運(yùn)動。一臺車的加速能力、最高時速、能源效率主要看車規(guī)級功率器件的性能，硅基IGBT作為主導(dǎo)型功率器件，在新能源車中應(yīng)用于電動控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系統(tǒng)中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件。新能車市場銷量：根據(jù)中汽協(xié)發(fā)布的數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2019年新能源車新產(chǎn)銷分別完成124.2萬輛和120.6萬輛，其中絕大部分為純電動汽車，產(chǎn)銷為102萬輛和97.2萬輛，插電式混合動力汽車產(chǎn)銷為22.0萬輛和23.2萬輛，2020年國內(nèi)新能源車銷量為136.7萬輛。2021年5月，新能源汽車產(chǎn)銷環(huán)比略增，同比繼續(xù)保持高速增長，產(chǎn)銷均為21.7萬輛，環(huán)比增長0.5%和5.4%，同比增長1.5倍和1.6倍。單臺新能源車用量：電動汽車單車IGBT的價格在A00級車的主控IGBT模塊價值量800-1000元，A級車1