專升本《高電壓技術(shù)及應(yīng)用》_08129950試卷_20160512141344

1、試題分類:專升本高電壓技術(shù)及應(yīng)用_08129950題型:單選分?jǐn)?shù):21.由氣體熱狀態(tài)引起的電離是（ ）A.碰撞電離 B.光電離 C.熱電離 D.表面電離 答案:C2.湯遜理論未考慮（ ）現(xiàn)象。A.電子的碰撞電離B.離子的碰撞電離C.空間電荷畸變電場(chǎng)D.表面電離 答案:C3.我國(guó)500kV交流線路采用（ ）A.單導(dǎo)線 B.雙分裂導(dǎo)線 C.3分裂導(dǎo)線 D.4分裂導(dǎo)線 答案:D4.伏秒特性曲線實(shí)際上是一條帶狀區(qū)域，因?yàn)樵跊_擊電壓作用下，間隙放電時(shí)間具有( )。A.分散性 B.準(zhǔn)確性 C.統(tǒng)計(jì)性 D.50%概率 答案:A5.（ ）不是“改善電場(chǎng)分布”途徑中的措施。A.采用屏障 B.采用高真空 C.改進(jìn)

2、電極形狀 D.利用空間電荷 答案:B6.除（ ）外，一般選取介電常數(shù)較小的材料作為電氣設(shè)備的絕緣介質(zhì)。A.變壓器 B.電纜 C.電容器 D.斷路器 答案:C7.絕緣介質(zhì)嚴(yán)重受潮時(shí)，絕緣電阻值將( )A.變大 B.變小 C.不變 D.不易確定 答案:B8.與氣體的湯遜理論解釋的擊穿相類似的固體電介質(zhì)的擊穿理論是（ ）。A.電擊穿 B.電化學(xué)擊穿理論 C.小橋擊穿 D.熱擊穿 答案:A9.用西林電橋測(cè)量介質(zhì)損耗角正切值時(shí)，采用正接法( )。A.需要試品兩端對(duì)地絕緣 B.試品設(shè)在低壓端C.適用于現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn) D.需要注意操作人員安全 答案:A10.串級(jí)試驗(yàn)變壓器為了保證容量利用率一般不超過(guò)（ ）級(jí)。A.

3、2 B.3 C.4 D.5 答案:B11.構(gòu)成串級(jí)直流高壓發(fā)生裝置的基本單元是（ ）。A.倍壓整流回路 B.半波整流回路 C.全波整流回路 D.橋式整流回路 答案:A12.單級(jí)沖擊電壓發(fā)生器基本回路中應(yīng)使( )。A.主電容C1和負(fù)荷電容C2相等 B.主電容C1遠(yuǎn)大于負(fù)荷電容C2 C.主電容C1小于負(fù)荷電容C2 D.主電容C1和負(fù)荷電容C2的關(guān)系不確定 答案:B13.球隙可以測(cè)量（ ）A.所有高電壓 B.工頻高電壓和沖擊高電壓 C.工頻高電壓和直流高電壓 D.直流高電壓和沖擊高電壓 答案:B14.下列有關(guān)波的折射和反射的正確說(shuō)法是（ ）。A.折射系數(shù)只與第二段導(dǎo)線的波阻抗有關(guān) B.反射系數(shù)只與第

4、一段導(dǎo)線的波阻抗有關(guān) C.折射系數(shù)和反射系數(shù)與兩導(dǎo)線的波阻抗都有關(guān) D.折射系數(shù)和反射系數(shù)與導(dǎo)線波阻抗的關(guān)系不確定答案:C15.平行導(dǎo)線間的耦合作用與（ ）無(wú)關(guān)。A.導(dǎo)線間互電感 B.導(dǎo)線間互電容 C.導(dǎo)線間距離 D.導(dǎo)線電阻 答案:D16.避雷線的保護(hù)角（ ）A.越大越好 B.越小越好 C.不確定 D.與防雷效果無(wú)關(guān) 答案:B17.雷直擊于線路的情況不包括（ ）。A.雷擊線路附近在導(dǎo)線上感應(yīng)出雷電波 B.雷擊桿塔 C.雷擊避雷線 D.雷繞擊于導(dǎo)線 答案:A18.不對(duì)稱短路時(shí)會(huì)引起（ ）A.操作過(guò)電壓 B.工頻電壓升高 C.線性諧振過(guò)電壓 D.參數(shù)諧振過(guò)電壓 答案:B19.產(chǎn)生鐵磁諧振過(guò)電壓的

5、條件是（ ）。A.初始感抗小于容抗 B.初始感抗等于容抗C.初始感抗大于容抗 D.不確定 答案:C20.電弧接地過(guò)電壓出現(xiàn)在（ ）系統(tǒng)中。A.中性點(diǎn)直接接地 B.中性點(diǎn)經(jīng)消弧線圈接地C.中性點(diǎn)不接地 D.任何 答案:C試題分類:專升本高電壓技術(shù)及應(yīng)用_08129950題型:填空分?jǐn)?shù):3.081.湯遜放電理論只能解釋_情況下的放電現(xiàn)象。答案:低氣壓短間隙 2.流注放電理論能夠較好地解釋_情況下的放電現(xiàn)象。答案:大氣壓長(zhǎng)間隙 3.極不均勻電場(chǎng)中存在的特殊放電形式是_。答案:電暈放電 4.極不均勻電場(chǎng)如果電極不對(duì)稱，則放電有明顯的_。答案:極性效應(yīng) 5.組合絕緣在交流電壓作用下，各層絕緣承受的電壓與

6、其_成反比。答案:電容 6.組合絕緣在直流電壓作用下，各層絕緣承受的電壓與其_成反比。答案:電導(dǎo) 7.吸收比定義為_(kāi)與_的比值。答案:R60s，R15s8.絕緣狀態(tài)良好時(shí)，吸收比_；當(dāng)絕緣受潮時(shí)，吸收比_。答案:大，小 9.局部放電測(cè)量裝置是利用發(fā)生局部放電時(shí)氣泡中會(huì)產(chǎn)生_和_，將其檢測(cè)出來(lái)。答案:脈沖電流，脈沖電壓 10.介質(zhì)損耗測(cè)量的正接法要求試品兩端_，反接法允許試品一端_。答案:對(duì)地絕緣，接地 11.串級(jí)試驗(yàn)變壓器的級(jí)數(shù)越多，容量利用率越_，所以一般不超過(guò)_。答案:低，3級(jí) 12.沖擊電壓波形可由兩個(gè)_疊加而成，因此單級(jí)沖擊電壓發(fā)生器可由兩個(gè)_組合而成。答案:指數(shù)波，RC電路 13.用

7、分壓器測(cè)量高電壓時(shí)，測(cè)量交流高電壓通常采用_，測(cè)量直流高電壓只能用_。答案:電容分壓器，電阻分壓器 14.用分壓器測(cè)量沖擊高電壓時(shí)即可用_，也可用_。答案:電容分壓器，電阻分壓器 15.輸電線路上的主要雷害來(lái)源有：_、_。答案:直擊雷，感應(yīng)雷 16.計(jì)算輸電線路雷擊跳閘率時(shí)主要考慮_和_兩種情況。答案:雷擊桿塔，雷繞擊導(dǎo)線 17.變電所中避雷器與被保護(hù)設(shè)備之間有一段_，使被保護(hù)設(shè)備上的電壓將_避雷器的殘壓。答案:距離，高于 18.變電所侵入波保護(hù)的主要措施是_，輔助手段是_。答案:避雷器，進(jìn)線段保護(hù) 19.單相接地時(shí)健全相的工頻電壓升高與_有關(guān)。答案:零序電抗和正序電抗的比值 20.長(zhǎng)線路空載

8、時(shí)產(chǎn)生工頻電壓升高的原因是_。答案:電容效應(yīng) 21.線性諧振過(guò)電壓是由于電源頻率與回路自振頻率_時(shí)電感和電容上產(chǎn)生的過(guò)電壓。答案:接近 22.參數(shù)諧振過(guò)電壓產(chǎn)生的原因是某些原件的電感發(fā)生_。答案:周期性變化 23.切除空載變壓器時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓的根本原因是_。答案:截流現(xiàn)象 24.切除空載線路時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓的根本原因是_。答案:斷路器重燃 25.絕緣配合的根本任務(wù)是處理好_與_這一對(duì)矛盾。答案:絕緣，過(guò)電壓 26.絕緣配合需要考慮的電氣設(shè)備所承受的電壓是_和_。答案:工作電壓，過(guò)電壓 試題分類:專升本高電壓技術(shù)及應(yīng)用_08129950題型:多選分?jǐn)?shù):21.湯遜放電理論是在( )條件下得出的。A.低氣

9、壓 B.高氣壓 C.短間隙 D.長(zhǎng)間隙 答案:A,C2.雷電沖擊電壓作用下的擊穿特性用（ ）表示。A.靜態(tài)擊穿電壓 B.50%沖擊擊穿電壓 C.伏秒特性 D.波頭長(zhǎng)度 答案:B,C3.直流耐壓試驗(yàn)的優(yōu)點(diǎn)是（ ）。A.與交流耐壓試驗(yàn)效果相同 B.試驗(yàn)設(shè)備輕 C.可同時(shí)測(cè)量泄漏電流 D.對(duì)絕緣損傷小 答案:B,C,D4.雷擊輸電線路有（ ）三種情況。A.雷擊絕緣子 B.雷擊塔頂 C.雷擊避雷線 D.繞擊導(dǎo)線 答案:B,C,D5.解釋電弧接地過(guò)電壓的理論有（ ）A.湯遜理論 B.流注理論 C.工頻熄弧理論 D.高頻熄弧理論 答案:C,D試題分類:專升本高電壓技術(shù)及應(yīng)用_08129950題型:問(wèn)答分?jǐn)?shù)

10、:51.為什么電負(fù)性氣體的絕緣性能比空氣好？答案:電負(fù)性氣體具有較大電子親和力，當(dāng)電子與其原子碰撞時(shí)，被吸附形成負(fù)離子，由于負(fù)離子的尺寸和質(zhì)量比電子大得多，因此在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中積累能量小，電離能力降低，使氣體放電不易發(fā)展，因而絕緣性能提高。 2.為什么湯遜的自持放電條件表示成？答案:ed表示一個(gè)起始電子發(fā)生電子崩過(guò)程到達(dá)陽(yáng)極的電子數(shù)，由碰撞電離新產(chǎn)生了（ed1）個(gè)電子和正離子。這（ed1）個(gè)正離子撞擊陰極表面，產(chǎn)生表面電離，一個(gè)正離子可電離出MISSING IMAGE: , 個(gè)電子，則（ed1）正離子就可電離出（ed1）個(gè)電子。如果陰極表面電離時(shí)至少能從陰極釋放出一個(gè)有效電子，即可產(chǎn)生新的電子崩，使放電能繼續(xù)下去達(dá)到自持。所以，自持放電的條件表示為：（ed1）1。3.為什么湯遜理論不能解釋大氣壓、長(zhǎng)間隙的放電現(xiàn)象？答案:湯遜理論是在低氣壓、短間隙條件下得出的，只能解釋低氣壓、短間隙條件下的放電現(xiàn)象，而大氣壓、長(zhǎng)間隙條件下的放電在放電外形、放電時(shí)間等方面與湯遜理論解釋的現(xiàn)象有較大差異，因此湯遜理論不能解