電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計

1、電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計 中心議題： 兩種典型的MOSFET驅(qū)動電路的工作原理 兩種驅(qū)動電路在使用過程中的優(yōu)缺點 在設(shè)計MOSFET驅(qū)動線路時應(yīng)注意的問題解決方案： 在開始設(shè)計之前全面了解所選MOSFET的參數(shù) 在線路設(shè)計階段必須進行熱設(shè)計 盡量縮短開關(guān)時間，將開關(guān)損耗降到最低電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤為重要。功率MOSFET以及相關(guān)的驅(qū)動電路的設(shè)計直接與控制器的可靠性緊密相關(guān)，尤其是在續(xù)流側(cè)，MOSFE

2、T的驅(qū)動電路設(shè)計不當，續(xù)流側(cè) MOSFET很容易損壞，因此本文就如何測量、分析與調(diào)整控制器的MOSFET驅(qū)動線路來提高MOSFET的可靠性作一些研究，以便能夠為設(shè)計人員在設(shè)計產(chǎn)品時作一些參考。1 MOSFET開關(guān)過程及MOSFET參數(shù)模型1.1 MOSFET開通過程MOSFET開通過程中的波形見圖1所示，其開通的過程可分為四個階段：階段A、t0¬t1：門極電壓Vgs由0V逐漸上升至Vth，在此期間內(nèi)MOSFET關(guān)閉，Vds不變，Id=0A。階段B、t1t2：門極電壓Vgs由Vth上升至平臺電壓Vp，門極電壓為Cgs充電。在此期間內(nèi)MOSFET開始導通并進入飽和狀態(tài)，Vds基本保持不變

3、，Id由0上升至Id（max）。階段C、t2t3：門極電壓Vgs保持不變，門極電壓為Cgd充電。在此期間內(nèi)MOSFET仍處于飽和狀態(tài)，Vds迅速下降，Id保持不變。階段D、t3t4：門極電壓Vgs由Vp繼續(xù)上升，在此期間內(nèi)MOSFET退出飽和狀態(tài)進入完全導通狀態(tài)。MOSFET關(guān)斷時波形與開通時相反，在此不再敘述。1.2 MOSFET寄生參數(shù)MOSFET寄生參數(shù)模型如圖2所示。由于MOSFET的結(jié)構(gòu)、引線和封裝的影響，在MOSFET制作完成后，其各引腳間存在PN結(jié)寄生電容和寄生電感，引腳上存在引線電感。由于源極的引線較長，Ls一般要比Ld大。因此，我們在實際的開關(guān)應(yīng)用中應(yīng)特別注意寄生電容和引線電

4、感對開關(guān)波形的影響，特別是在負載為電感性負載時更應(yīng)注意。MOSFET的輸入電容、反向傳輸電容和輸出電容分別表示如下：Ciss=Cgs+CgdCrss=CgdCoss=Cgd+Cds2 兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路2.1由分立器件組成的驅(qū)動電路由分立器件組成的驅(qū)動電路（如圖3所示），驅(qū)動電路工作原理如下：A當HS為高電平時，Q7、Q4導通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓（約14V）經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導通。在導通期間，Q5的源極電壓（Phase）接近電源電壓Vdc，所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動，電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導通。B. 當H

5、S為低電平時，Q7、Q4關(guān)閉，Q6導通，為Q5的柵極提供放電回路，從而使Q5很快關(guān)閉。當Q5關(guān)閉后，由于下管的開通或負載的作用，使得Phase電壓下降接近0V，從而使C4經(jīng)過+15VD2C4GND回路充電，為下一次導通做好準備。C. 當LS為低電平時，Q8、Q11導通，Q10關(guān)閉，驅(qū)動電路通過R11為下管Q9的柵極充電，使Q9導通。D. 當LS為高電平時，Q8、Q11關(guān)閉，Q10導通，為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。E. 當HS和LS同時為高電平時，上管開通下管關(guān)閉。當HS和LS同時為低電平時，上管關(guān)閉下管開通。在實際應(yīng)用中，為了避免上下管同時開通，HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來

6、保證。2.2 半橋驅(qū)動芯片組成的驅(qū)動電路半橋驅(qū)動芯片組成的驅(qū)動電路如圖4所示，工作原理如下：A當HS和LS同時為高電平時，HO有驅(qū)動電壓輸出，使Q1開通。當HS和LS同時為低電平時，LO有驅(qū)動電壓輸出，使Q2開通。B電容C2與分立器件驅(qū)動電路里的C4作用相同，同樣為自舉電容。C電容C1為去藕電容，為抑制功率MOSFET開關(guān)時對驅(qū)動電路浮動電源部分的干擾，一般應(yīng)加上此電容。2.3 兩種驅(qū)動線路的區(qū)別A兩種驅(qū)動電路在開通時能提供基本相同的驅(qū)動電流驅(qū)動MOSFET開通，但在MOSFET關(guān)斷時，分立器件驅(qū)動電路因為有三極管放電，所以能提供更大的放電電流關(guān)閉MOSFET，而半橋驅(qū)動電路由于要經(jīng)過柵極電阻

7、放電，所以放電電流相對較小，導致MOSFET關(guān)閉時間過長，開關(guān)損耗相應(yīng)增加。解決的辦法可以是在驅(qū)動電阻上反并聯(lián)一只二極管并增加一個放電的PNP三極管。B分立器件驅(qū)動電路用的器件較多，可靠性相對沒有半橋芯片的驅(qū)動電路高。但前提條件是半橋驅(qū)動芯片的驅(qū)動電路要設(shè)計合理。3 MOSFET驅(qū)動線路的要求及參數(shù)的調(diào)整門極電壓不能超過Vgs的最大值。在設(shè)計驅(qū)動線路時，應(yīng)考慮驅(qū)動電源電壓和線路的抗干擾性，確保MOSFET在帶感性負載且工作在開關(guān)狀態(tài)時柵極電壓不超過Vgs的最大值。為了能夠減少MOSFET的開關(guān)損耗，驅(qū)動線路應(yīng)能提供足夠大的驅(qū)動電流，使開通和關(guān)斷的時間盡可能短，同時，盡量減少門極電壓的高頻震蕩。

8、如果要獲得同樣的RC時間常數(shù)，使用較小的驅(qū)動電阻和較大的電容可以獲得較好的驅(qū)動特性，但驅(qū)動線路的損耗同時也增加了。圖5和圖6是實際應(yīng)用中的測試波形，從圖中我們可以看出：電容的增加使得開啟的時間變長，增加了開通損耗。電容的增加，使得門極電壓的高頻震蕩減少。同時，由于米勒平臺的振蕩減小，MOSFET在米勒平臺期間的損耗也會相應(yīng)減小。延長MOSFET的開通時間可以減小開通時的涌入電流。由于電機負載為感性負載，所以在PWM關(guān)斷時存在續(xù)流現(xiàn)象（見圖7中的I2），為了減小續(xù)流側(cè)反向恢復電流（Irr）的大小，PWM側(cè)開關(guān)管的開通速度不宜過快。由于MOSFET處于飽和區(qū)時有公式：Id=K*(Vgs-Vth)2

9、,（K為一常數(shù)，由MOSFET的特性決定）。所以在一定的溫度和Vds條件下，從MOSFET的門極驅(qū)動電壓Vgs可以判斷MOSFET中的電流大小。圖5中Vgs峰值為9.1V，圖6中Vgs峰值為6.4V，所以增加電容使得峰值電流減小。Id也可從MOSFET的轉(zhuǎn)移特性圖中獲得。由于MOSFET的封裝電感和線路的雜散電感的存在，在MOSFET反向恢復電流Irr突然關(guān)斷時，MOSFET（Q3）上的電壓Vds會出現(xiàn)振鈴（如圖8中CH2所示）。此振鈴的出現(xiàn)會導致Vds超過MOSFET的擊穿電壓從而發(fā)生雪崩現(xiàn)象。如果線路中出現(xiàn)振鈴，我們可以通過以下方法來減小振鈴：A設(shè)計線路時應(yīng)考慮線路板布線：盡量縮短驅(qū)動線路

10、與MOSFET之間的線跡長度；使大電流回路的銅箔走線盡量短且寬，必要時可以在銅箔表面加錫；合理的走線，使大電流環(huán)路的面積最小。B如果線路雜散電感已經(jīng)確定，可以通過減小PWM側(cè)的MOSFET開通速度來減小在續(xù)流側(cè)的MOSFET上的Vds振鈴，從而能夠使MOSFET上的Vds不超過最大耐壓值。C如果以上兩種方法都不能很好地解決問題，我們可以通過在相線上加snubber的方法來抑制線路的振鈴。注意Cdv/dt產(chǎn)生的柵極感應(yīng)電壓。如圖7所示：在控制MOSFET Q1的導通開關(guān)期間，因為Q1的米勒效應(yīng)和導通延遲的緣故，滿輸入電壓并不會立刻出現(xiàn)在Q3的漏極上。施加在Q3上的漏極電壓會感應(yīng)出一個通過其柵-漏

11、極間米勒電容Cgd（見圖2）進行耦合的電流。該感應(yīng)電流在Q3的內(nèi)部柵極電阻Rg和外部柵極電阻的兩端產(chǎn)生一個壓降。該電壓將對Q3柵極上的柵-源極間電容Cgs進行充電。Q3上的感應(yīng)柵極電壓的幅度是dv/dt、Cgd、Cgs和總柵極電阻的一個函數(shù)。感應(yīng)柵極電壓如圖8中的CH1所示，其值已達到2.3V。另外，由于源極引線電感的存在，在Q3內(nèi)的電流迅速減小時，會在Ls的兩端感應(yīng)出一個極性為上負下正的電壓，如圖9所示，此時加在DIE上的電壓Vgs（die）要大于在外部引腳上測量的Vgs電壓，所以由于Ls的影響，使得MOSFET有提前導通的可能。如果下管由于感應(yīng)電壓而導通，則會造成上下管穿通，如果MOSFE

12、T不能承受此穿通電流，MOSFET就會損壞。 防止產(chǎn)生Cdv/dt感應(yīng)導通的方法：A選擇具有較高門限電壓的MOSFET。B選擇具有較小米勒電容Cgd和較小Cgd/Cgs的MOSFET。C使上橋（Q1）的開啟速度變慢，從而減小關(guān)斷時的dv/dt和di/dt，使感應(yīng)電壓Cdv/dt和Lsdi/dt減小。D增加Q3的柵極電容Cgs，從而減小感應(yīng)電壓。保留Cdv/dt感應(yīng)導通的好處Cdv/dt感應(yīng)導通有一個好處：它能夠減小續(xù)流側(cè)MOSFET上的電壓尖峰和Vds振鈴（V = L×dIrr/dt; L:環(huán)路寄生電感）， 同時也減小了系統(tǒng)的EMI干擾。因此，在設(shè)計MOSFET驅(qū)動線路時，我們應(yīng)根據(jù)實際情況來權(quán)衡驅(qū)動參數(shù)的調(diào)整,即究竟是阻止Cdv/dt感應(yīng)導通以求最大限度地提升電路效率和可靠性還是采用Cdv/dt感應(yīng)導通來抑制過多的寄生振鈴。4 結(jié)論4.1 在開始設(shè)計之前，應(yīng)該全面了解所選MOSFET的參數(shù)，判斷MOS