電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)_第1頁
電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)_第2頁
電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)_第3頁
電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)_第4頁
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1、電動(dòng)自行車控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì) 中心議題: 兩種典型的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的工作原理 兩種驅(qū)動(dòng)電路在使用過程中的優(yōu)缺點(diǎn) 在設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)線路時(shí)應(yīng)注意的問題解決方案: 在開始設(shè)計(jì)之前全面了解所選MOSFET的參數(shù) 在線路設(shè)計(jì)階段必須進(jìn)行熱設(shè)計(jì) 盡量縮短開關(guān)時(shí)間,將開關(guān)損耗降到最低電動(dòng)自行車具有環(huán)保節(jié)能,價(jià)格合適,無噪聲,便利等特點(diǎn),因此,電動(dòng)自行車成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí),消費(fèi)者和商家對(duì)整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤為重要。功率MOSFET以及相關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)直接與控制器的可靠性緊密相關(guān),尤其是在續(xù)流側(cè),MOSFE

2、T的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)不當(dāng),續(xù)流側(cè) MOSFET很容易損壞,因此本文就如何測(cè)量、分析與調(diào)整控制器的MOSFET驅(qū)動(dòng)線路來提高M(jìn)OSFET的可靠性作一些研究,以便能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)作一些參考。1 MOSFET開關(guān)過程及MOSFET參數(shù)模型1.1 MOSFET開通過程MOSFET開通過程中的波形見圖1所示,其開通的過程可分為四個(gè)階段:階段A、t0¬t1:門極電壓Vgs由0V逐漸上升至Vth,在此期間內(nèi)MOSFET關(guān)閉,Vds不變,Id=0A。階段B、t1t2:門極電壓Vgs由Vth上升至平臺(tái)電壓Vp,門極電壓為Cgs充電。在此期間內(nèi)MOSFET開始導(dǎo)通并進(jìn)入飽和狀態(tài),Vds基本保持不變

3、,Id由0上升至Id(max)。階段C、t2t3:門極電壓Vgs保持不變,門極電壓為Cgd充電。在此期間內(nèi)MOSFET仍處于飽和狀態(tài),Vds迅速下降,Id保持不變。階段D、t3t4:門極電壓Vgs由Vp繼續(xù)上升,在此期間內(nèi)MOSFET退出飽和狀態(tài)進(jìn)入完全導(dǎo)通狀態(tài)。MOSFET關(guān)斷時(shí)波形與開通時(shí)相反,在此不再敘述。1.2 MOSFET寄生參數(shù)MOSFET寄生參數(shù)模型如圖2所示。由于MOSFET的結(jié)構(gòu)、引線和封裝的影響,在MOSFET制作完成后,其各引腳間存在PN結(jié)寄生電容和寄生電感,引腳上存在引線電感。由于源極的引線較長(zhǎng),Ls一般要比Ld大。因此,我們?cè)趯?shí)際的開關(guān)應(yīng)用中應(yīng)特別注意寄生電容和引線電

4、感對(duì)開關(guān)波形的影響,特別是在負(fù)載為電感性負(fù)載時(shí)更應(yīng)注意。MOSFET的輸入電容、反向傳輸電容和輸出電容分別表示如下:Ciss=Cgs+CgdCrss=CgdCoss=Cgd+Cds2 兩種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路2.1由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路(如圖3所示),驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下:A當(dāng)HS為高電平時(shí),Q7、Q4導(dǎo)通,Q6關(guān)閉,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc,所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動(dòng),電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來維持導(dǎo)通。B. 當(dāng)H

5、S為低電平時(shí),Q7、Q4關(guān)閉,Q6導(dǎo)通,為Q5的柵極提供放電回路,從而使Q5很快關(guān)閉。當(dāng)Q5關(guān)閉后,由于下管的開通或負(fù)載的作用,使得Phase電壓下降接近0V,從而使C4經(jīng)過+15VD2C4GND回路充電,為下一次導(dǎo)通做好準(zhǔn)備。C. 當(dāng)LS為低電平時(shí),Q8、Q11導(dǎo)通,Q10關(guān)閉,驅(qū)動(dòng)電路通過R11為下管Q9的柵極充電,使Q9導(dǎo)通。D. 當(dāng)LS為高電平時(shí),Q8、Q11關(guān)閉,Q10導(dǎo)通,為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。E. 當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí),上管開通下管關(guān)閉。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí),上管關(guān)閉下管開通。在實(shí)際應(yīng)用中,為了避免上下管同時(shí)開通,HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來

6、保證。2.2 半橋驅(qū)動(dòng)芯片組成的驅(qū)動(dòng)電路半橋驅(qū)動(dòng)芯片組成的驅(qū)動(dòng)電路如圖4所示,工作原理如下:A當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí),HO有驅(qū)動(dòng)電壓輸出,使Q1開通。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí),LO有驅(qū)動(dòng)電壓輸出,使Q2開通。B電容C2與分立器件驅(qū)動(dòng)電路里的C4作用相同,同樣為自舉電容。C電容C1為去藕電容,為抑制功率MOSFET開關(guān)時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路浮動(dòng)電源部分的干擾,一般應(yīng)加上此電容。2.3 兩種驅(qū)動(dòng)線路的區(qū)別A兩種驅(qū)動(dòng)電路在開通時(shí)能提供基本相同的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)MOSFET開通,但在MOSFET關(guān)斷時(shí),分立器件驅(qū)動(dòng)電路因?yàn)橛腥龢O管放電,所以能提供更大的放電電流關(guān)閉MOSFET,而半橋驅(qū)動(dòng)電路由于要經(jīng)過柵極電阻

7、放電,所以放電電流相對(duì)較小,導(dǎo)致MOSFET關(guān)閉時(shí)間過長(zhǎng),開關(guān)損耗相應(yīng)增加。解決的辦法可以是在驅(qū)動(dòng)電阻上反并聯(lián)一只二極管并增加一個(gè)放電的PNP三極管。B分立器件驅(qū)動(dòng)電路用的器件較多,可靠性相對(duì)沒有半橋芯片的驅(qū)動(dòng)電路高。但前提條件是半橋驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電路要設(shè)計(jì)合理。3 MOSFET驅(qū)動(dòng)線路的要求及參數(shù)的調(diào)整門極電壓不能超過Vgs的最大值。在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)線路時(shí),應(yīng)考慮驅(qū)動(dòng)電源電壓和線路的抗干擾性,確保MOSFET在帶感性負(fù)載且工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí)柵極電壓不超過Vgs的最大值。為了能夠減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗,驅(qū)動(dòng)線路應(yīng)能提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電流,使開通和關(guān)斷的時(shí)間盡可能短,同時(shí),盡量減少門極電壓的高頻震蕩。

8、如果要獲得同樣的RC時(shí)間常數(shù),使用較小的驅(qū)動(dòng)電阻和較大的電容可以獲得較好的驅(qū)動(dòng)特性,但驅(qū)動(dòng)線路的損耗同時(shí)也增加了。圖5和圖6是實(shí)際應(yīng)用中的測(cè)試波形,從圖中我們可以看出:電容的增加使得開啟的時(shí)間變長(zhǎng),增加了開通損耗。電容的增加,使得門極電壓的高頻震蕩減少。同時(shí),由于米勒平臺(tái)的振蕩減小,MOSFET在米勒平臺(tái)期間的損耗也會(huì)相應(yīng)減小。延長(zhǎng)MOSFET的開通時(shí)間可以減小開通時(shí)的涌入電流。由于電機(jī)負(fù)載為感性負(fù)載,所以在PWM關(guān)斷時(shí)存在續(xù)流現(xiàn)象(見圖7中的I2),為了減小續(xù)流側(cè)反向恢復(fù)電流(Irr)的大小,PWM側(cè)開關(guān)管的開通速度不宜過快。由于MOSFET處于飽和區(qū)時(shí)有公式:Id=K*(Vgs-Vth)2

9、,(K為一常數(shù),由MOSFET的特性決定)。所以在一定的溫度和Vds條件下,從MOSFET的門極驅(qū)動(dòng)電壓Vgs可以判斷MOSFET中的電流大小。圖5中Vgs峰值為9.1V,圖6中Vgs峰值為6.4V,所以增加電容使得峰值電流減小。Id也可從MOSFET的轉(zhuǎn)移特性圖中獲得。由于MOSFET的封裝電感和線路的雜散電感的存在,在MOSFET反向恢復(fù)電流Irr突然關(guān)斷時(shí),MOSFET(Q3)上的電壓Vds會(huì)出現(xiàn)振鈴(如圖8中CH2所示)。此振鈴的出現(xiàn)會(huì)導(dǎo)致Vds超過MOSFET的擊穿電壓從而發(fā)生雪崩現(xiàn)象。如果線路中出現(xiàn)振鈴,我們可以通過以下方法來減小振鈴:A設(shè)計(jì)線路時(shí)應(yīng)考慮線路板布線:盡量縮短驅(qū)動(dòng)線路

10、與MOSFET之間的線跡長(zhǎng)度;使大電流回路的銅箔走線盡量短且寬,必要時(shí)可以在銅箔表面加錫;合理的走線,使大電流環(huán)路的面積最小。B如果線路雜散電感已經(jīng)確定,可以通過減小PWM側(cè)的MOSFET開通速度來減小在續(xù)流側(cè)的MOSFET上的Vds振鈴,從而能夠使MOSFET上的Vds不超過最大耐壓值。C如果以上兩種方法都不能很好地解決問題,我們可以通過在相線上加snubber的方法來抑制線路的振鈴。注意Cdv/dt產(chǎn)生的柵極感應(yīng)電壓。如圖7所示:在控制MOSFET Q1的導(dǎo)通開關(guān)期間,因?yàn)镼1的米勒效應(yīng)和導(dǎo)通延遲的緣故,滿輸入電壓并不會(huì)立刻出現(xiàn)在Q3的漏極上。施加在Q3上的漏極電壓會(huì)感應(yīng)出一個(gè)通過其柵-漏

11、極間米勒電容Cgd(見圖2)進(jìn)行耦合的電流。該感應(yīng)電流在Q3的內(nèi)部柵極電阻Rg和外部柵極電阻的兩端產(chǎn)生一個(gè)壓降。該電壓將對(duì)Q3柵極上的柵-源極間電容Cgs進(jìn)行充電。Q3上的感應(yīng)柵極電壓的幅度是dv/dt、Cgd、Cgs和總柵極電阻的一個(gè)函數(shù)。感應(yīng)柵極電壓如圖8中的CH1所示,其值已達(dá)到2.3V。另外,由于源極引線電感的存在,在Q3內(nèi)的電流迅速減小時(shí),會(huì)在Ls的兩端感應(yīng)出一個(gè)極性為上負(fù)下正的電壓,如圖9所示,此時(shí)加在DIE上的電壓Vgs(die)要大于在外部引腳上測(cè)量的Vgs電壓,所以由于Ls的影響,使得MOSFET有提前導(dǎo)通的可能。如果下管由于感應(yīng)電壓而導(dǎo)通,則會(huì)造成上下管穿通,如果MOSFE

12、T不能承受此穿通電流,MOSFET就會(huì)損壞。 防止產(chǎn)生Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通的方法:A選擇具有較高門限電壓的MOSFET。B選擇具有較小米勒電容Cgd和較小Cgd/Cgs的MOSFET。C使上橋(Q1)的開啟速度變慢,從而減小關(guān)斷時(shí)的dv/dt和di/dt,使感應(yīng)電壓Cdv/dt和Lsdi/dt減小。D增加Q3的柵極電容Cgs,從而減小感應(yīng)電壓。保留Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通的好處Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通有一個(gè)好處:它能夠減小續(xù)流側(cè)MOSFET上的電壓尖峰和Vds振鈴(V = L×dIrr/dt; L:環(huán)路寄生電感), 同時(shí)也減小了系統(tǒng)的EMI干擾。因此,在設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)線路時(shí),我們應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況來權(quán)衡驅(qū)動(dòng)參數(shù)的調(diào)整,即究竟是阻止Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通以求最大限度地提升電路效率和可靠性還是采用Cdv/dt感應(yīng)導(dǎo)通來抑制過多的寄生振鈴。4 結(jié)論4.1 在開始設(shè)計(jì)之前,應(yīng)該全面了解所選MOSFET的參數(shù),判斷MOS

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