新一代逆變器優(yōu)化光伏系統(tǒng)

1、新一代逆變器優(yōu)化光伏系統(tǒng)設(shè)計作者:與非網(wǎng)博客 近年來光伏發(fā)電在各國的普及和應(yīng)用取得可觀的進(jìn)展。作為電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，電力電 子變換器對于光伏系統(tǒng)的整體性能與可靠性占有舉足輕重的地位。本文在簡要回顧了太陽 能市場近年來的發(fā)展之后，著重分析了太陽能逆變器的設(shè)計需要并由此闡述了功率半導(dǎo)體 器件與電路拓?fù)浞矫娴膬?yōu)選原則。 隨著對綠色能源不斷增長的需求，太陽能發(fā)電近年來的迅猛發(fā)展引起了各方面的廣泛關(guān)注。2009年度以美國為例，太陽能工業(yè)總產(chǎn)值在整體經(jīng)濟(jì)低迷的形勢下仍增長了百分之三十六，并吸引了高達(dá)14億美元的風(fēng)險投資。據(jù)有關(guān)方面的可靠報導(dǎo)，在未來三年里，全世界對光伏發(fā)電系統(tǒng)的年需求將保持百 分之三十的

2、速度遞增。這樣的高增長率預(yù)測是基于以下幾個因素：目前過剩的生產(chǎn)能力已 經(jīng)將光伏系統(tǒng)的平均制造成本削減了百分之二十五；光伏系統(tǒng)的安裝價格在持續(xù)下降；世 界范圍內(nèi)各國與地區(qū)的政府補貼。中國太陽能資源非常豐富，近期來國家的補貼扶持政策 陸續(xù)推出。如其中最具影響的金太陽項目一一提出對光伏并網(wǎng)項目和無電地區(qū)離網(wǎng)光伏發(fā)電項目分別給予50%及70%的財政補貼?？梢韵嘈?，中國太陽能產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在處于一個高速發(fā) 展的時期。電力電子的設(shè)計對于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的整體效能具有舉足輕重的地位。最高的轉(zhuǎn)換效率永 遠(yuǎn)是系統(tǒng)設(shè)計項目師考慮的首要因素。因為光電轉(zhuǎn)換板的效率很低，通常不超過百分之二 十，因此太陽能逆變器的轉(zhuǎn)換效率對于減小

3、太陽能板總面積和系統(tǒng)總體積就至關(guān)重要。除 此之外，在電能轉(zhuǎn)換過程的功率損耗直接導(dǎo)致了半導(dǎo)體晶圓的溫度升高，所以要通過散熱 器有效耗散這部分損耗能量。器件工作時的溫升和熱應(yīng)力是影響可靠性的重要參數(shù)，換言 之，減少功率變換損耗不僅節(jié)約了能源，還提高了系統(tǒng)可靠性，縮減了系統(tǒng)體積和成本。 本文將闡述以提高能效為目標(biāo)的太陽能逆變器設(shè)計原則，并介紹市場上應(yīng)運而生的各種新 器件，新電路和最新控制技術(shù)。電路拓?fù)湟烟柲苻D(zhuǎn)換板輸出的 粗電”波動的直流電壓）變成恒定可靠的正弦波交流市電，實現(xiàn) 方式通常分為兩種構(gòu)架：單級變換和兩級變換，也稱為無直流斬波和有直流斬波式。直流 直流斬波器能夠保持逆變器輸入側(cè)電壓的恒定

4、和可調(diào)，從而實現(xiàn)電壓和功率控制之間的解 耦。有些時候也利于電力半導(dǎo)體器件的選取和系統(tǒng)成本優(yōu)化。但是，毋庸置疑，這一級額 外的變換裝置很可能對系統(tǒng)效率帶來負(fù)面影響，所以越來越多的廠商在開發(fā)或評估單級變 換的架構(gòu)，即使這樣會面臨更復(fù)雜的逆變器控制和潛在的更高器件耐量要求。在新的拓?fù)?結(jié)構(gòu)中，HERIC?和多電平結(jié)構(gòu)吸引了業(yè)界更多的關(guān)注而且有望成為主流的拓?fù)湫问?，特別是在和電網(wǎng)相聯(lián) 的情況下。圖1 : HERIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖2 :三電平鉗位二極管拓?fù)?。如圖1所示，HERIC逆變器的結(jié)構(gòu)是在傳統(tǒng)的單相逆變?nèi)珮蚧A(chǔ)上新增加了一對二極管串聯(lián) 開關(guān)反并聯(lián)作為輸出。新增電路中的開關(guān)器件以工頻周波速度開關(guān)，對于器

5、件速度沒有特 殊需求。在應(yīng)用了適當(dāng)?shù)南辔豢刂浦螅@種電路能夠更加有效地處理無功功率，從而提 高整個系統(tǒng)的效率。應(yīng)當(dāng)指出，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)現(xiàn)在仍然處于Sun ways所獲專利的有效期之內(nèi)，因而在歐洲的應(yīng)用相對于亞洲和北美要廣泛（逆變器市場分析報告。三電平二極管鉗位逆變器是近來受到特別關(guān)注的一種新型太陽能逆變電路拓?fù)?，它已被?功地使用在高電壓的集中式太陽能發(fā)電應(yīng)用中。圖2所示的三相三電平電路的每個橋臂由4只帶反并聯(lián)二極管的開關(guān)串聯(lián)而成，另外每相有一個二極管相臂跨接在主開關(guān)之間，且其 中點和直流母線的中性點直接連通。這個二極管相臂起電壓鉗位的作用以保證電路工作時 ，每個主開關(guān)器件所受最大電壓應(yīng)力為母

6、線電壓的一半。因為這種特殊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，三電 平輸出具有低次諧波小 交流輸出更接近正弦），電磁噪聲水平低，所需開關(guān)器件的電壓 耐量低和級數(shù)可擴(kuò)展等優(yōu)點。在太陽能并網(wǎng)發(fā)電時，尤其適用于三相大功率高電壓的場合 。此外，多電平電路對于系統(tǒng)成本的節(jié)約意義顯著。體現(xiàn)在三個方面：首先，實踐證明， 高壓半導(dǎo)體開關(guān)器件的價格高于相同電流耐量一半電壓耐量的低壓器件的兩倍，從而三電 平電路的器件成本更低；其次，輸出電壓的諧波小，所需的濾波器磁性元件尺寸大為減小 ，從而降低了濾波設(shè)備成本；最后，因為開管數(shù)量的增多，即使在脈寬調(diào)制方式下，三電 平的部分主開關(guān)可以在低頻下開關(guān)，就可以采用相對經(jīng)濟(jì)的開關(guān)器件。電力電子器件的

7、常用種類和選型原則用于廣義的 太陽能逆變器 含輸入直流斬波級）的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET, IGBT ,SuperJunctionMOSFET。其中MOSFET速度最快，但成本也最高。與此相對的IGBT則開關(guān)速度較慢，但具有較高的電流密度，從而價格便宜并適用于大電流的應(yīng)用場合。超結(jié)MOSFET介于兩者之間，是一種性能價格折中的產(chǎn)品，在實際設(shè)計中被廣為應(yīng)用。概括地說，選用哪類器件 取決于成本，效率的要求并兼顧開關(guān)頻率。如果要求硬開關(guān)在100千赫以上，一般只有 MOSFET能夠勝任。在較低頻段如 15千赫，如沒有特殊的效率要求，則選擇IGBT。在此之間的頻率，則取決于客戶對轉(zhuǎn)換效率和成本的

8、具體要求。系統(tǒng)效率和成本之間作為一對矛盾 ，設(shè)計項目師將根據(jù)其相應(yīng)關(guān)系對照目標(biāo)系統(tǒng)要求以確定最貼近系統(tǒng)要求的元件型號。為 了幫助設(shè)計人員量化的分析效率和器件成本之間的關(guān)系，表一羅列了三種半導(dǎo)體開關(guān)器件 的功率損耗和價格因素，為了便于比較，各參數(shù)均以MOSFET情況作歸一化處理。超結(jié) MOSFET工藝目前沒有超過900V的器件。半導(dǎo)體器件類別f電壓電流等級MOSFETIGBTSuper Junction FET600V/50A10.360.7開關(guān)損耗2313價格1 0 50.361200V/25A通態(tài)廳10.17X開關(guān)損耗12 2 X價格10.33X表1常用開關(guān)器件的性能與價格對照表（所有數(shù)字以

9、MOSFET情況歸一化除去以上最典型的三類全控開關(guān)器件，業(yè)界還存在像碳化硅二極管和ESBT?等基于新材料和新工藝的產(chǎn)品。它們目前的價格還比較高，主要應(yīng)用于對太陽能發(fā)電效率 有特殊要求的場合。但隨著生產(chǎn)工藝的不斷進(jìn)步和器件單價的下降，這類器件也將逐步變 為主流產(chǎn)品，甚至替代上述的某一類器件。工業(yè)界的最新產(chǎn)品因為太陽能發(fā)電市場的龐大規(guī)模與發(fā)展?jié)摿?，世界各大半?dǎo)體生產(chǎn)廠商都競相推出自己的 產(chǎn)品追逐市場。近幾年來，各種針對太陽能功率變換的新器件和新技術(shù)層出不窮。在如火 如荼的市場競爭中，美高森美（microsemi的太陽能系列產(chǎn)品以其先進(jìn)工藝和應(yīng)用技術(shù)而獨樹一幟。單相全橋混合器件模塊與三電平混合器件模

10、塊圖3所示的混合單相全橋功率模塊是專用于太陽能單相逆變的產(chǎn)品。配合以單極型調(diào)制方法，每個橋臂的兩只開關(guān)管分別工作在完全相異開關(guān)頻率范圍。以圖示為例，上管總是在工 頻切換通斷狀態(tài)，而下管總是在脈寬調(diào)制頻率下動作。根據(jù)這種工作特點，上管總是選用 相對便宜的門極溝道型（Trench IGBT以優(yōu)化通態(tài)損耗，而下管可選擇非穿通型（NPTIGBT以減少開關(guān)損耗。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不但保障了最高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率還降低了整個逆變設(shè)備 的成本。圖4給出了不同器件搭配的轉(zhuǎn)換效率曲線以印證這種太陽能功率模塊的優(yōu)越性?？?以發(fā)現(xiàn)，這種混合器件配置在不同負(fù)載下能實現(xiàn)98%以上的轉(zhuǎn)換效率。LOW VCEWT MT REB師-r/

11、-1p圖3 :混合器件太陽能逆變模塊 高效微型太陽能逆變器測試方法）。xM.9tvEUJ1P：Pnoni圖4 :不同器件搭配的逆變器效率對比。在美高森美的三電平逆變模塊中，也引入了混合器件的機(jī)制。其主旨在于充分利用兩端器 件開關(guān)頻率遠(yuǎn)高于中間相鄰兩器件。因而APTCV60系列三電平模塊使用兩頭超結(jié) MOSFET中間Trench IGBT的結(jié)構(gòu)進(jìn)一步提高效率。ESBTESBT是應(yīng)用于太陽能的一種新型高電壓快速開關(guān)器件，它兼顧了IGBT 和MOSFET的優(yōu)點，不僅電壓耐量高于 MOSFET，而且損耗小于快速IGBT器件。美高森美即將推向市 場的ESBT太陽能升壓斬波器模塊集成了碳化硅二極管和ESB

12、T,面向5千瓦至20千瓦的超高效率升壓應(yīng)用。其電壓耐量為1200V,集電極和射極間飽和通態(tài)電壓很低接近1V），優(yōu)化開關(guān)頻率在30千赫至40千赫之間，可選擇單芯片模塊或雙芯片模塊封裝。實驗表明，這種功率模塊比目前市場上對應(yīng)的IGBT模塊減少40%的損耗。根據(jù)6千瓦的參考設(shè)計實驗結(jié)果，此模塊在50%至滿負(fù)載之間，轉(zhuǎn)換效率比最快的IGBT器件要提高至少0.6個百分點。因此，在碳化硅全控器件的價格下降到可接受的范圍 之前，對于超高效率的太陽能功率變換應(yīng)用，ESBT將是開關(guān)器件的不二之選。Ihiv Mil圖5 : ESBT升壓斬波模塊。旁路二極管位于太陽能逆變器前端的旁路二極管，嚴(yán)格來說雖然不屬于逆變部

13、分，但是作為太陽能發(fā) 電設(shè)備的一部分，對于逆變器運行乃至整個系統(tǒng)的可靠性也至關(guān)重要。美高森美新針對此 應(yīng)用推出兩款新產(chǎn)品：LX2400和SFDS1045。LX2400融入了最新的散熱封裝技術(shù) 一 CoolRUNTM工藝，無需散熱器，通過 10A電流時溫升小于10?C。以30年穩(wěn)定運行為目標(biāo)的可靠性設(shè)計保證了 100uA以下漏電流，20A的穩(wěn)態(tài)電流能力，和雙向抗閃電功能。其最大特點是業(yè)界最低溫升。SFDS1045是新一代肖特基二極管，也是迄今為止業(yè)界最薄的旁路二極管，只有0.74mm厚度并置于玻璃封裝之下，特別適合直接應(yīng)用于太陽能板。另外其獨特的柔韌銅引腳具有衛(wèi)星應(yīng)用級別的可靠性。結(jié)論：提高轉(zhuǎn)換效率和降低成本是太陽能逆變器設(shè)計的長期課題，也是項目設(shè)計人員面臨 的最大挑