887電子科學與技術基礎

1、887 電子科學與技術基礎1 考試內容（ 1）電子技術基礎部分主要包括二極管、三極管的結構、特性及主要參數；掌握飽和、放大、截止的基本概念和條件。 晶體管放大電路的組成和工作原理。 掌握圖解分析法和等效模型分析法。掌握放大電路的三種組態(tài)及性能特點。 電路的三種耦合方式及特點。反饋的基本概念：正、負反饋；電壓、電流、串聯(lián)、并聯(lián)負反饋；掌握反饋類型和極性判斷，引入負反饋對放大性能的影響。 比例、加減、微積分線性運算電路。一般了解對數、指數運算電路的工作原理及一階、二階有源濾波器的電路組成、頻率特性。了解產生自激振蕩的條件。 掌握電壓比較器， 用電壓比較器組成的非正弦發(fā)生電路。 掌握邏輯代數的基本公

2、式、 基本規(guī)則；邏輯代數的表示方法及相互轉換。掌握各種門的邏輯符號、功能、特點、使用方法。正確理解TTL 門和CMOS門電路的結構、工作原理。（ 2 ）電磁場理論部分主要考察考生對電磁理論基本內容的理解和掌握程度，以及靈活應用知識的能力。試卷命題對大綱內容有覆蓋性和廣泛性，題型主要包括概念題、 計算題和證明推導題。應掌握的基本內容為：矢量分析：三種常用坐標系內的梯度、散度和旋度的運算、幾種重要矢量場的定義和性質；靜電場：庫侖定律、電場與電場強度、高斯定律、靜電場的環(huán)路定律、電位和電位差、電位的泊松方程和拉普拉斯方程、電偶極子、電介質中的靜電場、靜電場中的導體、電場能量與靜電力；恒定電場和電流：

3、恒定電流場的基本定律、歐姆定律和焦耳定律、恒定電流場的邊界條件、 恒定電流場與靜電場的類比；恒定磁場： 安培磁力定律和畢奧 - 沙伐定律、恒定磁場的基本定律、矢量磁位和標量磁位、磁偶極子、磁介質中恒定磁場基本定律、 磁介質的邊界條件； 靜態(tài)場的邊值問題： 拉普拉斯方程的分離變量法、鏡象法、有限差分法；電磁感應：法拉第電磁感應定律、電感、磁場的能量；時變電磁場：位移電流和推廣的安培回路定律、麥克斯韋方程組、正弦電磁場、媒質的色散與損耗、坡印廷定理、電磁場的波動方程、標量位和矢量位、 時變電磁場的邊界條件； 平面電磁波： 理想介質中的均勻平面電磁波、電磁波的極化、 有耗媒質中的均勻平面電磁波、 理

4、想媒質界面上電磁波的反射和折射、全折射和全反射；導行電磁波：矩形波導管中的電磁波、TE10模電磁波、波導中的能量傳輸與損耗、傳輸線上的TEM 波、諧振腔；電磁波輻射：赫芝偶極子輻射、磁偶極子天線的輻射、線天線、天線的方向性系數和增益。（ 3 ）半導體物理部分主要包含半導體中的電子狀態(tài)；半導體中的電子狀態(tài)和能帶、電子的運動，本征半導體的導電機構、空穴，回旋共振，硅和鍺的能帶結構；半導體中的雜質和缺陷能級，硅、鍺晶體中的雜質能級、缺陷、位錯能級；半導體中載流子的統(tǒng)計分布、狀態(tài)密度，費米能級、載流子濃度的計算，簡并半導體；載流子的位移與擴散運動，載流子的散射、遷移率、電阻率、強場效應、熱載流子、多能

5、谷散射，耿氏效應；非平衡載流子的注入，復合壽命，費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的遷移運動，愛因斯坦關系，連續(xù)性方程； PN 結的伏安特性， PN 結電容，擊穿；金屬和半導體的接觸的理論，少子的注入與歐姆接觸；表面態(tài)，表面場效應， C-V 特性，表面電場對 PN 結特性的影響；半導體的光學性質，光電性質，發(fā)光現(xiàn)象，半導體激光器；半導體的熱電性質，溫差電動勢率，熱電效應及其應用；半導體磁效應和壓阻效應。2 考試要求（1） 電子技術基礎部分要求全部考生必做；（2） 電磁場理論部分（ A）要求報考 02 電磁仿真與天線、 03 毫米波太赫茲技術與系統(tǒng)方向考生必做；（3） 半導體物理部分（ B）要求報考 04 微電子與集成電路方向考生必做；（4） 報考其他方向考生可任選A 或 B。3 題型及分值安排(1) 題型 : 簡答題和計算題。簡答題包含概念題和重要數學公式及其物理意義，計算題包含數學模型、重要物理量計算、設計等。(2) 分值安排：簡答題占 40%，計算題占 60%。參考書目(1) 模擬電路基礎； (2) 半導體物理學； (3)電磁場理論基礎。 (1) 北京理工大學出版社； (2) 國防工業(yè)