雙向可控硅的知識(shí)

1、雙向可控硅 百科名片雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。 產(chǎn)品命名雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”? 雙向可控硅三端：TRIode(取前三個(gè)字母) 交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch (取前兩個(gè)字母) 以上兩組名詞組合成“TRIAC” 中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。 由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。 雙向：Bi-directional(取第一個(gè)字母) 控制：Controlled(取第一個(gè)字母) 整流器：Rectifier(

2、取第一個(gè)字母) 再由這三組英文名詞的首個(gè)字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。 雙向：Bi-directional(取第一個(gè)字母) 三端：Triode(取第一個(gè)字母) 由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。 代表型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣

3、型/雙向可控硅； 雙向可控硅Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。 而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號(hào)并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào)，如： 四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等； 四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等； ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)最后一個(gè)字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅

4、”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號(hào)如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW、等等。 至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA， 型號(hào)沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA； PHILIPS公司的觸發(fā)電流代表字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。 意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始

5、誤差范圍，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明 一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。1 元件簡(jiǎn)介一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似 雙向可控硅于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。 在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅 ”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。 可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。

6、 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。 可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。 可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 產(chǎn)品分類可控硅有多種分類方法。 （一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。 TY300/TY301可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧ǘ┌匆_和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

7、 （三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。 （四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 (五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。 封裝形式常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、

8、TO-252等。 構(gòu)造原理盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A600V)、BCM3AM(3A600V)、2N6075(4A600V)，MAC218-10(8A800V)等。大功率雙向可 雙向可控硅控硅大多采用RD91型封裝。 雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1，的電壓均為正時(shí)，T2是陽

9、極，T1是陰極。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí)，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā?產(chǎn)品特性雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)?shù)谝魂枠OA1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。2 觸發(fā)電路將兩只單向可控硅SCRl、S

10、CR2反向并聯(lián)再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了 雙向可控硅一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。 S

11、CR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A1000V)，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。 工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。 當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。

12、 2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=1ib1=12ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。 由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，條件如下： A、從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位，2、控制極有足夠的正向電壓和電流，兩者缺一不可。 B、維持

13、導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位，2、陽極電流大于維持電流，兩者缺一不可。 C、從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位，2、陽極電流小于維持電流，任一條件即可。 觸發(fā)導(dǎo)通 在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。 產(chǎn)品判別雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。 1、單、雙向可控硅

14、的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋） 雙向可控硅，可能是A、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于16A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)

15、指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回位置，則表明可控硅良好。 對(duì)于16A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào)，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極，指針立即退回位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。對(duì)于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。 對(duì)于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)

16、發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。 測(cè)量方法在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，規(guī)定采用I+、I-、-三種方式，且以I+和-兩種方式用得最廣，下面采用這兩種方式進(jìn)行判別，并以最常見的小功率雙向可控硅為例。 (1)判別電極首先確定T2：兩支表棒隨意接觸管子的任意兩個(gè)電極，并輪流改換接法，直至找到顯示值為011V(該電壓在此記為T1與G之間的壓降Ugt1)時(shí)，空置的電極即為T2。 其次確定T1與G2用紅表棒接觸T2，黑表棒接觸其余兩極中的任一個(gè)(暫且假定為T1)，萬用表應(yīng)顯示溢出。接著將紅表棒滑向另一電極(暫且假定為G)，使得紅表棒短接這兩個(gè)電極

17、，如果顯示值比Ugt1略低，說明管子已被觸發(fā)導(dǎo)通(I+觸發(fā)方式)，證明以上假定成立，即黑表棒接的即是T 雙向可控硅1。如果在紅表棒滑向另極后顯示值為Ugt1，則只需將黑表棒改接至另一未知極重復(fù)上述步驟， 定能得出正確結(jié)果。 (2)觸發(fā)性能判別雙向晶閘管需要考察兩個(gè)方向的工作狀況，下面分別介紹。 紅表棒接T2，黑表棒接T1，此時(shí)應(yīng)顯示溢出(關(guān)斷狀態(tài))。把紅表棒滑向G，并且使T2與G這兩極接通，此時(shí)管子將進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，應(yīng)顯示比Ugt1略低的數(shù)值。接著，在紅表棒不斷開T2的前提下而脫離G，對(duì)于觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子來說，此時(shí)管子仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)，顯示值比觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)的略大，但低于Ugt1。 再

18、用紅表棒接觸T1、黑表棒接解T2，此時(shí)應(yīng)顯示溢出。在黑表棒短接T2、G兩極時(shí)，管子將導(dǎo)通，顯示值比Ugt1略低。與上個(gè)方向相同，當(dāng)黑表棒脫離G后，那些觸發(fā)靈敏度高、維持電流小的管子將仍然保持導(dǎo)通狀態(tài)。 實(shí)測(cè)一只TO-220封裝的雙向晶閘管BCR3AM(3A600V)，首先判別電極：紅、黑表棒在管子任意兩電極間測(cè)量，當(dāng)測(cè)得為0578V即Ugt1時(shí)，便確定未與表棒相接的一極為T2。該管子本身帶有一塊小型散熱片，通常它與T2極相連，此特征也可作為判別T2的依據(jù)。作為驗(yàn)證，測(cè)得T2與散熱片間為0V，故T2判別正確。又將紅表棒接T2，黑表棒任接其余兩極之一，此時(shí)顯示溢出。在紅表棒短接T2和懸空的電極時(shí)顯

19、示0546V，該電壓小于Ugt1=0578V，故黑表棒所接為T1，另一極則為G。 觸發(fā)性能判別：紅表棒接T2、黑表棒接T1，顯示溢出(管子關(guān)斷)。使紅表棒短接T2與G，此時(shí)顯示0546V(管子導(dǎo)通)，當(dāng)紅表棒脫離G極時(shí)顯示0558V，顯然，該值大于導(dǎo)通電壓，而又小于Ugt1，管子處于維持導(dǎo)通狀態(tài)。在檢測(cè)相反方向的觸發(fā)性能時(shí)，所得結(jié)果與上述極為接近，證明管子性能良好。 參數(shù)符號(hào) IT(AV)-通態(tài)平均電流VDRM-通態(tài)重復(fù)峰值電壓VRRM-反向重復(fù)峰值電壓IRRM-反向重復(fù)峰值電流IDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電流IF(AV)-正向平均電流VTM-通態(tài)峰值電壓Tjm-額定結(jié)溫VGT-門極觸發(fā)電壓VISO

20、-模塊絕緣電壓IH-維持電流Rthjc-結(jié)殼熱阻IGT-門極觸發(fā)電流di/dt-通態(tài)電流臨界上升率ITSM-通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流dv/dt-斷態(tài)電壓臨界上升率伏安特性反向特性當(dāng)控制極開路，陽極加上反向電壓時(shí)，J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。此時(shí)只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅 雙向可控硅速增加，特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí)，可控硅會(huì)發(fā)生永久性反向。 正向特性當(dāng)控制極開路，陽極上加上正向電壓時(shí)，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向

21、阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時(shí)入N1區(qū)，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣，進(jìn)入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿，進(jìn)入N1區(qū)的電子與進(jìn)入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉，這樣，在N1區(qū)就有電子積累，在P2區(qū)就有空穴積累，結(jié)果使P2區(qū)的電位升高，N1區(qū)的電位下降，J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性。 這時(shí)J1、J2、J3三個(gè)結(jié)均處于正偏，可控

22、硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)-通態(tài)，此時(shí)，它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似 檢測(cè)方法DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器 利用萬用表RXl檔判定雙向可控硅電極的方法，同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。 判定T2極G極與T1極靠近，距T2極較遠(yuǎn)。因此，GT1之間的正、反向電阻都很小。在肦Xl檔測(cè)任意兩腳之間的電阻時(shí)，只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻，正、反向電阻僅幾十歐，而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無窮大。這表明，如果測(cè)出某腳和其他兩腳都不通，就肯定是T2極。另外，采用TO220封裝的雙向可控硅，T2極通常與小散熱板連通，據(jù)此亦可確定T2極。 區(qū)分G極和T1極(1)找出T2極之后，首先假定剩下兩腳中

23、某一腳為Tl極，另一腳為G極。 (2)把黑表筆接T1極，紅表筆接T2極，電阻為無窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路，給G極加上負(fù)觸發(fā)信號(hào)，電阻值應(yīng)為十歐左右，證明管子已經(jīng)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(但仍接T2)，若電阻值保持不變，證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)。 黃金規(guī)則規(guī)則1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。 規(guī)則2.要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）。 雙向可控硅規(guī)則3.設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3象限（WT2-，+）。規(guī)則4.為減少雜波吸收，門極連線長度

24、降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1k或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。 規(guī)則5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。 規(guī)則6.假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾H的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。 規(guī)則7.選用好的門極觸發(fā)

25、電路，避開3象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。 規(guī)則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾H的無鐵芯電感，或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。 規(guī)則9.器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 規(guī)則10.為了長期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。 典型應(yīng)用雙向晶閘管可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動(dòng)開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能，

26、它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。圖5是由雙向晶閘管構(gòu)成的接近開關(guān)電路。R為門極限流電阻，JAG為干式舌簧管。平時(shí)JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關(guān)斷。僅當(dāng)小磁鐵移近時(shí)JAG吸合，使雙向晶閘管導(dǎo)通，將負(fù)載電源接通。由于通過干簧管的電流很小，時(shí)間僅幾微秒，所以開關(guān)的壽命很長。 現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)相當(dāng)廣闊，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域，機(jī)電領(lǐng)域，工業(yè)電器及 雙向可控硅家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見可控硅在人們的生活中都有廣泛的應(yīng)用。更重要的是，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān)，可以說是鮮少變化的。無論其他的元

27、件怎么變化，可控硅的變化是不大的，這相對(duì)來說，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng)，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn)。隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品的熱銷，更為可控硅提供了銷售空間。 推出兩款可優(yōu)化消費(fèi)電子產(chǎn)品性能的新型標(biāo)準(zhǔn)三端雙向可控硅開關(guān)元件，這兩種三端雙向可控硅開關(guān)采用先進(jìn)的平面硅結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有很高的可靠性，加上在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗最多僅為1.5V，因而可達(dá)致高效率。這兩種產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括：洗衣機(jī)、吸塵器、調(diào)光器、遙控開關(guān)和交流電機(jī)控制設(shè)備。 過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器(AC-SSR)的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路(包括雙向晶閘管)、保護(hù)電路(RC吸收網(wǎng)絡(luò))。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI(一般為高電

28、平)、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí)，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動(dòng)功率小、無觸點(diǎn)、噪音低、抗干擾能力強(qiáng)，吸合、釋放時(shí)間短、壽命長，能與TTLCMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。 雙向可控硅可廣泛用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動(dòng)開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器(SSR)和固態(tài)接觸器電路中。 產(chǎn)品區(qū)別雙向和單向可控硅的區(qū)別。 普通晶閘管（又稱可控硅）是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于大功率的交直流變換、調(diào)壓等。 單向可控硅通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特

29、性，一只雙向可控硅的工作原理，可等效兩只同型號(hào)的單向可控硅互相反向并聯(lián)，然后串聯(lián)在調(diào)壓電路 雙向可控硅中實(shí)現(xiàn)其可控硅交流調(diào)壓的。 可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistor，中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等特點(diǎn)，它是大功率形狀型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力、電子線路中。 一、可控硅的特性 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。有陽極A、陰極中、控制極G三個(gè)引腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個(gè)引腳。 單向，就是當(dāng)經(jīng)過可控硅電流單向流動(dòng)。所以當(dāng)電流反向時(shí)候，可控硅就不通，膚淺的說也就講其兩邊的電路短開了，所以它的用途之

30、一就是用來穩(wěn)流(你想，交變電電流不是方向要變嗎，就只有一個(gè)方向的可以過了)。雙向的嘛,就是怎么樣都通，可以空來穩(wěn)壓。 當(dāng)然可控硅最主要的作用之一就是穩(wěn)壓穩(wěn)流。 注意事項(xiàng)交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。 1：靈敏度 雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱 雙向可控硅作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的最小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度最高，(b)觸發(fā)靈敏度最低，為了保證觸發(fā)同時(shí)又要盡量限制門極電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式。 2：可控硅過載的保護(hù) 可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極