高電壓技術(shù)試題

1、一、選擇1.流注理論未考慮( )的現(xiàn)象。A.碰撞游離 B.表面游離 C.光游離 D.電荷畸變電場(chǎng)2.極化時(shí)間最短的是( )。A.電子式極化 B.離子式極化C.偶極子極化 D.空間電荷極化3.先導(dǎo)通道的形成是以( )的出現(xiàn)為特征。A.碰撞游離 B.表現(xiàn)游離 C.熱游離 D.光游離4.下列因素中，不會(huì)影響液體電介質(zhì)擊穿電壓的是（ ）A.電壓的頻率 B.溫度 C.電場(chǎng)的均勻程度 D. 雜質(zhì)5.電暈放電是一種（ ）。A.滑閃放電 B.非自持放電 C.沿面放電 D.自持放電6.以下四種氣體間隙的距離均為10cm，在直流電壓作用下，擊穿電壓最低的是（ ）。A.球球間隙(球徑50cm) B.棒板間隙，棒為負(fù)

2、極C.針針間隙 D.棒板間隙，棒為正極7.不均勻的絕緣試品，如果絕緣嚴(yán)重受潮，則吸收比K將( )A.遠(yuǎn)大于1 B.遠(yuǎn)小于1 C.約等于1 D.不易確定8. 衡量電介質(zhì)損耗的大小用（ ）表示。A.相對(duì)電介質(zhì) B.電介質(zhì)電導(dǎo)C.電介質(zhì)極化 D.介質(zhì)損失角正切9.以下哪種因素與tg無關(guān)。（ ）A.溫度 B.外加電壓 C.濕度 D.電壓的頻率10.SF6氣體具有較高絕緣強(qiáng)度的主要原因之一是( )A.無色無味性 B.不燃性 C.無腐蝕性 D.電負(fù)性11.下列哪種電介質(zhì)存在雜質(zhì)“小橋”現(xiàn)象( )A.氣體 B.液體 C.固體 D.無法確定12.構(gòu)成沖擊電壓發(fā)生器基本回路的元件有沖擊性主電容C1，負(fù)荷電容C2

3、，波頭電阻R1和波尾電阻R2。為了獲得一很快由零上升到峰值然后較慢下降的沖擊電壓，應(yīng)使( )A.C1>>C2,R1>>R2 B.C1>>C2,R1<<R2C.C1<<C2,R1>>R2 D.C1<<C2,R1<<R213.以下哪個(gè)不是發(fā)生污閃最危險(xiǎn)的氣象條件（ ）。 A.大霧 B.毛毛雨 C.凝露 D.大雨 14.以下哪種材料不具有憎水性（ ）。 A. 金屬 B.電瓷 C. 玻璃 D硅橡膠15.解釋電壓較高、距離較長(zhǎng)的間隙中的氣體放電過程可用（ ）。A湯遜理論 B流注理論 C巴申定律 D小橋理論 1

4、6.雷電流具有沖擊波形的特點(diǎn)（ ）。A緩慢上升，平緩下降 B緩慢上升，快速下降C迅速上升，平緩下降D迅速上升，快速下降17、污穢等級(jí)II的污濕特征：大氣中等污染地區(qū)，輕鹽堿和爐煙污穢地區(qū)，離海岸鹽場(chǎng)3km10km地區(qū)，在污閃季節(jié)中潮濕多霧但雨量較少，其線路鹽密為（ ）。A.0.03 B.>0.030.06 C.>0.060.10 D.>0.100.2518、下面的選項(xiàng)中，非破壞性試驗(yàn)包括_，破壞性實(shí)驗(yàn)包括_。A. 絕緣電阻試驗(yàn) B.交流耐壓試驗(yàn) C.直流耐壓試驗(yàn) D.局部放電試驗(yàn) E.絕緣油的氣相色譜分析 F.操作沖擊耐壓試驗(yàn) G.介質(zhì)損耗角正切試驗(yàn) H.雷電沖擊耐壓試驗(yàn)二、

5、填空1、 氣體放電現(xiàn)象包括_和_兩種現(xiàn)象。2、極不均勻電場(chǎng)中，屏障的作用是由于其對(duì)_的阻擋作用，造成電場(chǎng)分布的改變。3、工頻耐壓試驗(yàn)中，加至規(guī)定的試驗(yàn)電壓后，一般要求持續(xù)_秒的耐壓時(shí)間。4、按絕緣缺陷存在的形態(tài)而言,絕緣缺陷可分為_缺陷和_缺陷兩大類。5、_是表征電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下極化程度的物理量。6、根據(jù)巴申定律，在某一PS值下，擊穿電壓存在_值。7、用QSI型電橋測(cè)量介質(zhì)損失角正切時(shí)，其接線方式分為_接線和_接線。8、氣體內(nèi)的各種粒子因高溫而動(dòng)能增加，發(fā)生相互碰撞而產(chǎn)生游離的形式稱為_。9、在極不均勻電場(chǎng)中，正極性擊穿電壓比負(fù)極性擊穿電壓_。10、標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件為：溫度，壓力_kPa，絕

6、對(duì)濕度11、下行的負(fù)極性雷通常可分為3個(gè)主要階段：_、_、_。12、介質(zhì)損失角正切的計(jì)算公式是_，表示_。13、介質(zhì)熱老化的程度主要是由_和_來決定的。14、純凈液體介質(zhì)的擊穿理論分為_和_。15、在局部放電測(cè)量中，稱為_，是指_。16、在對(duì)電力設(shè)備絕緣進(jìn)行高電壓耐壓試驗(yàn)時(shí)，所采用的電壓波形有_、_、_、_。17、目前實(shí)用的局部放電測(cè)量的方法，使用得最多的測(cè)量方法是_、_、_。18、沖擊電壓發(fā)生器的原理是_。19、電力系統(tǒng)外絕緣的沖擊高壓試驗(yàn)通?？梢圆蓸?5次沖擊法，即是_。被試品施加正、負(fù)極性沖擊全波試驗(yàn)電壓各15次，相鄰兩次沖擊時(shí)間間隔應(yīng)不小于1min三、問答：1、為什么棒板間隙中棒為正極

7、性時(shí)電暈起始電壓比負(fù)極性時(shí)略高？（1）當(dāng)棒具有正極性時(shí)，間隙中出現(xiàn)的電子向棒運(yùn)動(dòng)，進(jìn)入強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)，開始引起電離現(xiàn)象而形成電子崩。隨著電壓的逐漸上升，到放電達(dá)到自持、爆發(fā)電暈之前，在間隙中形成相當(dāng)多的電子崩。當(dāng)電子崩達(dá)到棒極后，其中的電子就進(jìn)入棒極，而正離子仍留在空間，相對(duì)來說緩慢地向板極移動(dòng)。于是在棒極附近，積聚起正空間電荷，從而減少了緊貼棒極附近的電場(chǎng)，而略為加強(qiáng)了外部空間的電場(chǎng)。這樣，棒極附近的電場(chǎng)被削弱，難以造成流柱，這就使得自持放電也即電暈放電難以形成。 （2）當(dāng)棒具有負(fù)極性時(shí)，陰極表面形成的電子立即進(jìn)入強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)，造成電子崩。當(dāng)電子崩中的電子離開強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)后，電子就不再能引起電離，而以越來

8、越慢的速度向陽極運(yùn)動(dòng)。一部份電子直接消失于陽極，其余的可為氧原子所吸附形成負(fù)離子。電子崩中的正離子逐漸向棒極運(yùn)動(dòng)而消失于棒極，但由于其運(yùn)動(dòng)速度較慢，所以在棒極附近總是存在著正空間電荷。結(jié)果在棒極附近出現(xiàn)了比較集中的正空間電荷，而在其后則是非常分散的負(fù)空間電荷。負(fù)空間電荷由于濃度小，對(duì)外電場(chǎng)的影響不大，而正空間電荷將使電場(chǎng)畸變。棒極附近的電場(chǎng)得到增強(qiáng)，因而自持放電條件易于得到滿足、易于轉(zhuǎn)入流柱而形成電暈放電。2、均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)間隙放電特性有何不同？間隙有哪些放電現(xiàn)象？均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)氣隙放電特性有何不同？在均勻電場(chǎng)中，氣體間隙內(nèi)流注一旦形成，放電達(dá)到自持的程度，氣隙就被擊穿。不均勻

9、電場(chǎng)分稍不均勻和極不均勻，在同樣極間距離時(shí)稍不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓比均勻電場(chǎng)的均勻電場(chǎng)氣隙的要低，在極不均勻電場(chǎng)氣隙中自持放電條件即是電暈起始條件，由發(fā)生電暈至擊穿的過程還必須升高電壓才能完成。3、正流注過程與負(fù)流注過程的發(fā)展機(jī)理有何不同？當(dāng)電子雪崩到達(dá)陽極時(shí)，雪崩中積累的帶電粒子會(huì)引起陽極與雪崩頭部之間區(qū)域的電場(chǎng)產(chǎn)生畸變，并使得該區(qū)域?qū)щ娦栽黾?。這樣，該區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度就會(huì)減小，而使得雪崩頭部與陰極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度增大。如果這種畸變發(fā)展到一定程度，將會(huì)引起正極性流注的產(chǎn)生。在正流注的產(chǎn)生過程中，電場(chǎng)畸變尖峰（此處正電荷最密集）向陰極擴(kuò)展，形成所謂的離子波。在離子波發(fā)展路徑中，陰極產(chǎn)生的電子和附著產(chǎn)生

10、的負(fù)離子會(huì)向電場(chǎng)畸變尖峰處快速漂移（因?yàn)殡妶?chǎng)畸變尖峰處與陰極間電場(chǎng)強(qiáng)度比較大，大于湯遜放電時(shí)），這引起電場(chǎng)畸變尖峰處帶電粒子進(jìn)一步積聚，使得該處導(dǎo)電性增強(qiáng)。于是，尖峰位置向陰極移動(dòng)，且與陰極之間的電場(chǎng)畸變更加嚴(yán)重，這種自放大過程促進(jìn)了流注向陰極快速擴(kuò)展。在離子波峰值區(qū)域與陽極之間，電場(chǎng)強(qiáng)度基本穩(wěn)定在一個(gè)很小的值，有效的電離系數(shù)（考慮了電荷損失）為零 負(fù)流注的發(fā)展速度比正流注的要小4、純凈液體電介質(zhì)的電擊穿理論和氣體擊穿理論兩者之間有差別嗎？為什么？電擊穿理論：以液體分子由電子的碰撞而產(chǎn)生電離為前提。氣泡擊穿理論：液體分子由電子碰撞而產(chǎn)生氣泡，或在電場(chǎng)作用下因其他原因產(chǎn)生氣泡，由氣泡的成長(zhǎng)和氣泡

11、內(nèi)的放電導(dǎo)致液體電介質(zhì)擊穿。 在外施電場(chǎng)較高時(shí)，純凈液體中產(chǎn)生氣泡的原因： 1)由陰極強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射的電子電流加熱液體，使它分解出氣泡。 2)由電場(chǎng)加速的電子碰撞液體分子，使液體分子解離產(chǎn)生出氣泡。 3)靜電排斥作用。 4)電極上尖的或不規(guī)則的凸起物上的電暈放電引起液體氣化。 小橋理論：液體電介質(zhì)中的雜質(zhì)容易極化而電場(chǎng)方向定向排列，形成雜質(zhì)“小橋”，使泄漏電流增大，促使水分汽化、氣泡擴(kuò)大，排成氣體“小橋”，最后將在氣體通道中發(fā)生擊穿5、總結(jié)提高液體電解質(zhì)擊穿電壓的各種方法。方法：1、提高及保持油的品質(zhì) 消除液體中的雜質(zhì)，不能形成“小橋2、覆蓋層 在金屬電極表面緊貼一層固體絕緣薄層，使“小橋”不能直接

12、接觸電極，減小泄漏電流，阻斷“小橋”熱擊穿的發(fā)展過程。 3、絕緣層 緊貼在金屬電極上的較厚的固體絕緣層，其介電常數(shù)大于液體，而減小了電極附近的電場(chǎng)強(qiáng)度，防止電極附近局部放電的發(fā)生。 4、屏障 一是機(jī)械地阻隔雜質(zhì)小橋的形成；二是在不均勻電場(chǎng)中，使另一面電場(chǎng)變得比較均勻，起改善電場(chǎng)分布的作用。 5、保護(hù)設(shè)備與被保護(hù)設(shè)備的伏秒特性應(yīng)如何配合？為什么？保護(hù)設(shè)備的伏秒特性應(yīng)始終低于被保護(hù)設(shè)備的伏秒特性。這樣，當(dāng)有一過電壓作用于兩設(shè)備時(shí)，總是保護(hù)設(shè)備先擊穿，進(jìn)而限制了過電壓幅值，保護(hù)了被保護(hù)設(shè)備6、測(cè)量絕緣材料的泄漏電流為什么用直流電壓而不用交流電壓？因?yàn)橹绷麟妷鹤饔孟碌慕橘|(zhì)損失僅有漏導(dǎo)損失，而交流作用下的介質(zhì)損失不僅有漏導(dǎo)損失還有極化損失。所以在直流電壓下，更容易測(cè)