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1、1.單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)1.1單相橋式全控整流電路電路結(jié)構(gòu)(電阻性負(fù)載) 單相橋式全控整流電路用四個晶閘管,兩只晶閘管接成共陰極,兩只晶閘管接成共陽極,每一只晶閘管是一個橋臂。 單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)電路圖如圖1所示:圖1 單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)1.2單相橋式全控整流電路工作原理(電阻性負(fù)載)1)在u2正半波的(0)區(qū)間: 晶閘管VT1、VT4承受正壓,但無觸發(fā)脈沖。四個晶閘管都不通。假設(shè)四個晶閘管的漏電阻相等,則uT1.4= uT2.3=1/2 u2。2) 在u2正半波的t=時刻: 觸發(fā)晶閘管VT1、VT4使其導(dǎo)通。電流沿aVT1RVT4bTr的二次繞組
2、a流通,負(fù)載上有電壓(ud=u2)和電流輸出,兩者波形相位相同且uT1.4=0。此時電源電壓反向施加到晶閘管VT2、VT3上,使其承受反壓而處于關(guān)斷狀態(tài),則uT2.3=1/2 u2。晶閘管VT1、VT4一直導(dǎo)通到t=為止,此時因電源電壓過零,晶閘管陽極電流下降為零而關(guān)斷。3)在u2負(fù)半波的(+)區(qū)間: 晶閘管VT2、VT3承受正壓,因無觸發(fā)脈沖,VT2、VT3處于關(guān)斷狀態(tài)。此時,uT2.3=uT1.4= 1/2 u2。4)在u2負(fù)半波的t=+時刻: 觸發(fā)晶閘管VT2、VT3,元件導(dǎo)通,電流沿bVT3RVT2aTr的二次繞組b流通,電源電壓沿正半周期的方向施加到負(fù)載電阻上,負(fù)載上有輸出電壓(ud
3、=-u2)和電流,且波形相位相同。此時電源電壓反向加到晶閘管VT1、VT4上,使其承受反壓而處于關(guān)斷狀態(tài)。晶閘管VT2、VT3一直要導(dǎo)通到t=2為止,此時電源電壓再次過零,晶閘管陽極電流也下降為零而關(guān)斷。晶閘管VT1、VT4和VT2、VT3在對應(yīng)時刻不斷周期性交替導(dǎo)通、關(guān)斷。 1.3單相橋式全控整流電路仿真模型(電阻性負(fù)載)單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)仿真電路圖如圖2所示:圖2 單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)仿真電路圖電源參數(shù),頻率50hz,電壓100v,如圖3圖3.單相橋式全控整流電路電源參數(shù)設(shè)置VT1,VT4脈沖參數(shù),振幅3V,周期0.02,占空比10%,時相延遲/360*0.0
4、2,如圖4圖4. 單相橋式全控整流電路脈沖參數(shù)設(shè)置VT2,VT3脈沖參數(shù),振幅3V,周期0.02,占空比10%,時相延遲(+180)/360*0.02,如圖5圖5. 單相橋式全控整流電路脈沖參數(shù)設(shè)置1.4單相橋式全控整流電路仿真參數(shù)設(shè)置(電阻性負(fù)載)設(shè)置觸發(fā)脈沖分別為30°、60°、90°、120°。與其產(chǎn)生的相應(yīng)波形分別如圖6、圖7、圖8、圖9。在波形圖中第一列波為流過VT1的電流波形,第二列波為流過VT1的電壓波形,第三列波流過 VT3的電流波形,第四列波為流過VT3的電壓波形,第五列波為流過過負(fù)載電流波形波形,第六列波為流過過負(fù)載電壓波形波形。(1
5、)當(dāng)延遲角=30°時,波形圖如圖6所示:圖6 =30°單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)波形圖(2)當(dāng)延遲角=60°時,波形圖如圖7所示:圖7 =60°單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)波形圖(3)當(dāng)延遲角=90°時,波形圖如圖8所示:圖8 =90°單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)波形圖(4)當(dāng)延遲角=120°時,波形圖如圖9所示: 圖9 =120°單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)波形圖1.5單相橋式全控整流電路小結(jié)(電阻性負(fù)載)單相橋式全控整流電路(電阻性負(fù)載)一共采用了四個晶閘管,VT1,VT2兩只晶閘管接成共陽極,VT3,VT4兩只晶閘管接成共陰極,當(dāng)u2在(0)晶閘管VT1和VT4承受正向電壓,但是沒有觸發(fā)脈沖晶閘管沒有導(dǎo)通。在()VT1和VT4承受正向電壓,有觸發(fā)脈沖晶閘管VT1,VT4導(dǎo)通。當(dāng)u2在(+)閘管VT2和VT3承受正向電壓,但是沒有觸發(fā)脈沖晶閘管沒有導(dǎo)通。在(+2)VT2和VT3承受正向電
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