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1、學(xué) 號(hào) 天津城建大學(xué)控制系統(tǒng)仿真大作業(yè)直流升壓變換器的MATLAB仿真學(xué)生姓名班級(jí)成績(jī)控制與機(jī)械工程學(xué)院2014年 6 月 20 日目錄一、緒論1二、仿真電路原理圖及原理1三、所使用的Matlab工具箱與模塊庫(kù)2四、模塊參數(shù)設(shè)定2五、模塊封裝與仿真框圖搭建2六、仿真結(jié)果6七、結(jié)論6八、參考文獻(xiàn)7一、緒論在電力電子技術(shù)中,將直流電的一種電壓值通過(guò)電力電子變換裝置變換為另一種固定或可調(diào)電壓值的變換,成為直流-直流變換。直流變換的用途非常廣泛,包括直流電動(dòng)機(jī)傳動(dòng)、開(kāi)關(guān)電源、單相功率因數(shù)校正,以及用于其它領(lǐng)域的交直流電源。根據(jù)電力電子技術(shù)原理,升壓式(Boost)斬波器的輸出電壓高于輸入電源電壓,控制
2、開(kāi)關(guān)與負(fù)載并聯(lián)連接,與負(fù)載并聯(lián)的濾波電容必須足夠大,以保證輸出電壓恒定,儲(chǔ)能電感也要很大,以保證向負(fù)載提供足夠的能量。若升壓式斬波器的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間,關(guān)斷時(shí)間,開(kāi)關(guān)工作周期。定義占空比或?qū)ū?,定義升壓比。根據(jù)電力電子技術(shù)的原理,理論上電感儲(chǔ)能與釋放能量相等,有,升壓比的倒數(shù)。還有,。由此可見(jiàn),當(dāng)一定時(shí),改變就可以調(diào)節(jié)。當(dāng)時(shí),調(diào)就是調(diào),或調(diào)也是調(diào),也就改變了,這就是升壓式斬波器的升壓工作原理。二、仿真電路原理圖及原理原理圖如圖1所示:假設(shè)L值、C值很大,V通時(shí),E向L充電,充電電流恒為,同時(shí)C的電壓向負(fù)載供電,因C值很大,輸出電壓為恒值,記為。設(shè)V通的時(shí)間為,此階段L上積蓄的能量為。圖1V斷時(shí),
3、E和L共同向C充電并向負(fù)載R供電。設(shè)V斷的時(shí)間為,則此期間電感L釋放能量為,穩(wěn)態(tài)時(shí),一個(gè)周期T中L積蓄能量與釋放能量能量相等?;?jiǎn)得,輸出電壓高于電源電壓,故稱為升壓斬波電路。也稱為boost chooper變換器。為升壓比,調(diào)節(jié)其即可改變。將升壓比的倒數(shù)記為,即,和導(dǎo)通占空比,有如下關(guān)系:,因此。升壓斬波電路能使輸出電壓高于電源電壓的原因是:L儲(chǔ)能之后具有使電壓升高的作用與電容C可將輸出電壓保持住。三、所使用的Matlab工具箱與模塊庫(kù)本次設(shè)計(jì)利用Simulink仿真,所使用的Matlab工具箱與模塊庫(kù)主要有:直流電源Dc、場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET、脈沖發(fā)生器(Pulse Generator)、
4、電流測(cè)量(current Measurement)、電感(series RLC Branch)、阻抗負(fù)載(Parallel RLC Branch)、二極管Diode、電壓測(cè)量(Voltage Measurement)、示波器scope以及powergui模塊等。四、模塊參數(shù)設(shè)定(1) 直流電壓源,MOSFET與Diode、電壓測(cè)量、電流測(cè)量等均采用默認(rèn)設(shè)置。(2)電感設(shè)置為1e-4,阻抗負(fù)載設(shè)置為:R=5;C=1e-4。(3)脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置至關(guān)重要:“Pulse type”脈沖類型,設(shè)置為Time based(時(shí)間基準(zhǔn));“Time(t)”時(shí)間,設(shè)置為Use simulation tim
5、e(用仿真時(shí)間);“Amplitude”脈沖幅值,設(shè)置為1.1;“Period(secs)”周期(s),設(shè)置為0.2e-3,對(duì)應(yīng)著MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率為5kHz;“Pulse Width(% of Period)”脈沖寬度(周期的百分?jǐn)?shù)),根據(jù)MOSFET的開(kāi)關(guān)特性,設(shè)置為50;“Phase delay(secs)”相位延遲(s),設(shè)置為0.001e-3。五、模塊封裝與仿真框圖搭建利用Simulink軟件對(duì)升壓式直流斬波電路(Boost)進(jìn)行仿真,如圖2所示:圖2(1) 仿真參數(shù),算法(solver)ode23tb,相對(duì)誤差(relative tolerance)為1e-3,開(kāi)始時(shí)間為0,結(jié)
6、束時(shí)間為0.003,如圖3所示:圖3(2) 電源參數(shù),電壓為100v,如圖4所示:圖4(3) 電感參數(shù),如圖5所示:圖5(4) 阻抗負(fù)載參數(shù),如圖6所示:圖6(5) 二極管參數(shù)設(shè)置,如圖7所示:圖7(6) MOSFET參數(shù)設(shè)置,如圖8所示:圖8(7) 脈沖發(fā)生器參數(shù)設(shè)置,如圖9所示:圖9六、仿真結(jié)果觸發(fā)脈沖占空比為50%時(shí)的波形,如圖10所示:圖10設(shè)為門極正脈沖(脈沖發(fā)生器Pulse發(fā)出)、為升壓便留輸出電壓(分壓器發(fā)出)、為MOSFET導(dǎo)通的電感儲(chǔ)能電流(分流器A1發(fā)出)、為電感反電勢(shì)與串聯(lián)疊加流經(jīng)二極管向負(fù)載供電的電流(分流器A2發(fā)出)、i為流經(jīng)電感電流(分流器A發(fā)出),顯然,。仿真波形
7、如上圖9所示,自上而下依次為、i、。由圖可見(jiàn),波形對(duì)應(yīng)脈沖發(fā)生器的脈沖寬度(周期的百分?jǐn)?shù)),設(shè)置為50;升壓變流輸出電壓瞬時(shí)波形振蕩走高后逐步趨近并等于200v(直流);i為流經(jīng)電感電流(分流器A發(fā)出)由兩個(gè)分量組成,從波形圖看到,。七、結(jié)論(1)直流斬波電路可將直流電壓變換成固定的或可調(diào)的直流電壓,使用直流斬波技術(shù),不僅可以實(shí)現(xiàn)調(diào)壓的功能,而且還可以達(dá)到改善網(wǎng)側(cè)諧波和提高功率因數(shù)的目的。直流斬波技術(shù)主要應(yīng)用于已具有直流電源需要調(diào)節(jié)直流電壓的場(chǎng)合。(2)直流變換電路主要以全控型電力電子器件作為開(kāi)關(guān)器件,通過(guò)控制主電路的接通與斷開(kāi),將恒定的直流斬成斷續(xù)的方波,經(jīng)濾波后變?yōu)殡妷嚎烧{(diào)的直流輸出電壓。
8、利用Simulink對(duì)升壓斬波的仿真結(jié)果進(jìn)行了詳細(xì)分析,與采用常規(guī)電路分析方法所得到的輸出電壓波形進(jìn)行比較,進(jìn)一步驗(yàn)證了仿真結(jié)果的正確性。(3)采用Matlab/Simulink對(duì)直流斬波電路進(jìn)行仿真分析,避免了常規(guī)分析方法中繁瑣的繪圖和計(jì)算過(guò)程,得到了一種較為直觀、快捷分析斬波電路的新方法。同時(shí)其建模方法也適用于其他斬波電路的方針,只需對(duì)電路結(jié)構(gòu)稍作改變即可實(shí)現(xiàn),因此實(shí)用性較強(qiáng)。(4)應(yīng)用Matlab/Simulink進(jìn)行仿真,在仿真過(guò)程中可以靈活改變仿真參數(shù),并且能直觀的觀察到仿真結(jié)果隨參數(shù)的變化情況,方便學(xué)習(xí)與研究。八、參考文獻(xiàn)1王兆安,黃俊電力電子技術(shù)(第四版)北京:機(jī)械工業(yè)出版社,20002康華光,陳大欽電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)北京:高等教育出版社,19983 陳桂明,張明照.應(yīng)用MATLAB建
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