MOSFET功率器件項目投資決策報告參考模板

1、泓域咨詢/MOSFET功率器件項目投資決策報告目錄第一章 項目背景、必要性8一、 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模與競爭格局8二、 MOSFET器件概述8三、 強化科技創(chuàng)新平臺載體建設(shè)13四、 積極構(gòu)建現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，提高經(jīng)濟質(zhì)量效益13五、 項目實施的必要性14第二章 市場預(yù)測15一、 功率器件應(yīng)用發(fā)展機遇15二、 功率半導(dǎo)體行業(yè)概述19第三章 項目基本情況22一、 項目名稱及項目單位22二、 項目建設(shè)地點22三、 可行性研究范圍22四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則22五、 建設(shè)背景、規(guī)模24六、 項目建設(shè)進度24七、 環(huán)境影響25八、 建設(shè)投資估算25九、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標25主要經(jīng)濟指標一覽表26十、 主要

2、結(jié)論及建議27第四章 建筑技術(shù)方案說明29一、 項目工程設(shè)計總體要求29二、 建設(shè)方案30三、 建筑工程建設(shè)指標33建筑工程投資一覽表33第五章 產(chǎn)品規(guī)劃與建設(shè)內(nèi)容35一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容35二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)35產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表35第六章 法人治理結(jié)構(gòu)37一、 股東權(quán)利及義務(wù)37二、 董事39三、 高級管理人員44四、 監(jiān)事47第七章 發(fā)展規(guī)劃分析49一、 公司發(fā)展規(guī)劃49二、 保障措施50第八章 運營模式52一、 公司經(jīng)營宗旨52二、 公司的目標、主要職責(zé)52三、 各部門職責(zé)及權(quán)限53四、 財務(wù)會計制度57第九章 原輔材料成品管理64一、 項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況64

3、二、 項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理64第十章 勞動安全評價65一、 編制依據(jù)65二、 防范措施68三、 預(yù)期效果評價70第十一章 組織架構(gòu)分析72一、 人力資源配置72勞動定員一覽表72二、 員工技能培訓(xùn)72第十二章 工藝技術(shù)說明74一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析74二、 項目技術(shù)工藝分析77三、 質(zhì)量管理78四、 設(shè)備選型方案79主要設(shè)備購置一覽表80第十三章 環(huán)保方案分析81一、 編制依據(jù)81二、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析82三、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析83四、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析84五、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析84六、 環(huán)境管理分析85七、 結(jié)論87八、 建議87第十四章 項目節(jié)能分析8

4、9一、 項目節(jié)能概述89二、 能源消費種類和數(shù)量分析90能耗分析一覽表91三、 項目節(jié)能措施91四、 節(jié)能綜合評價93第十五章 投資方案分析94一、 投資估算的編制說明94二、 建設(shè)投資估算94建設(shè)投資估算表96三、 建設(shè)期利息96建設(shè)期利息估算表97四、 流動資金98流動資金估算表98五、 項目總投資99總投資及構(gòu)成一覽表99六、 資金籌措與投資計劃100項目投資計劃與資金籌措一覽表101第十六章 經(jīng)濟收益分析103一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取103二、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算103營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表103綜合總成本費用估算表105利潤及利潤分配表107三、 項目盈利能力分析107

5、項目投資現(xiàn)金流量表109四、 財務(wù)生存能力分析110五、 償債能力分析111借款還本付息計劃表112六、 經(jīng)濟評價結(jié)論112第十七章 風(fēng)險防范114一、 項目風(fēng)險分析114二、 項目風(fēng)險對策116第十八章 總結(jié)說明118第十九章 附表120營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表120綜合總成本費用估算表120固定資產(chǎn)折舊費估算表121無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表122利潤及利潤分配表123項目投資現(xiàn)金流量表124借款還本付息計劃表125建設(shè)投資估算表126建設(shè)投資估算表126建設(shè)期利息估算表127固定資產(chǎn)投資估算表128流動資金估算表129總投資及構(gòu)成一覽表130項目投資計劃與資金籌措一覽表131

6、報告說明除了MOSFET功率器件在結(jié)構(gòu)及工藝方面的優(yōu)化外，終端領(lǐng)域的高功率密度需求也帶動了功率器件的模塊化和集成化。在中大功率應(yīng)用場景中，客戶更傾向于使用大功率模塊。由于大功率模塊需要多元件電氣互聯(lián)，同時要考慮高溫失效和散熱問題，其封裝工藝和結(jié)構(gòu)更復(fù)雜；在小功率應(yīng)用場景中，功率器件被封裝到嵌入式封裝模塊中來提高集成度從而減小整體方案的體積。目前，工業(yè)領(lǐng)域仍是功率模塊的主要應(yīng)用領(lǐng)域。隨著新能源汽車、5G技術(shù)的興起，功率器件模塊化趨勢將愈發(fā)顯著。根據(jù)Omdia預(yù)測，2020-2024年分立器件市場增速為2.8%，而功率模塊市場增速為9.2%，高于分立器件市場增速。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資382

7、94.83萬元，其中：建設(shè)投資30021.36萬元，占項目總投資的78.40%；建設(shè)期利息318.16萬元，占項目總投資的0.83%；流動資金7955.31萬元，占項目總投資的20.77%。項目正常運營每年營業(yè)收入74300.00萬元，綜合總成本費用60131.38萬元，凈利潤10364.67萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率19.86%，財務(wù)凈現(xiàn)值13231.82萬元，全部投資回收期5.77年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本項目生產(chǎn)所需的原輔材料來源廣泛，產(chǎn)品市場需求旺盛，潛力巨大；本項目產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)先進，產(chǎn)品質(zhì)量、成本具有較強的競爭力，三廢排放少，能夠達到國家排放標

8、準；本項目場地及周邊環(huán)境經(jīng)考察適合本項目建設(shè)；項目產(chǎn)品暢銷，經(jīng)濟效益好，抗風(fēng)險能力強，社會效益顯著，符合國家的產(chǎn)業(yè)政策。本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設(shè)計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。第一章 項目背景、必要性一、 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模與競爭格局根據(jù)Omdia預(yù)測，2019年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為464億美元，預(yù)計至2024年市場規(guī)模將增長至522億美元，2019-2024的年化復(fù)合增長率為2.4%。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國際廠商優(yōu)勢明顯，全球前十大功率半導(dǎo)體公司均為海外廠商，包括英飛凌（Infi

9、neon）、德州儀器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等。行業(yè)整體集中度較低，2019年以銷售額計的全球功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)英飛凌市場份額為13.49%，前十大企業(yè)市場份額合計為51.93%。目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，2019年市場規(guī)模達到177億美元，增速為-3.3%，占全球市場比例高達38%。預(yù)計未來中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長，2024年市場規(guī)模有望達到206億美元，2019-2024年的年化復(fù)合增長率達3.1%。二、

10、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應(yīng)晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點，應(yīng)用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設(shè)設(shè)備、電源管理等多個領(lǐng)域。2019年全球MOSFET器件市場需求規(guī)模達到84.20億美元，受疫情影響，2020預(yù)計市場規(guī)模下降至73.88億美元，但預(yù)計未來全球MOSFET器件市場將繼續(xù)保持平穩(wěn)回增，2024年市場規(guī)模有望恢復(fù)至77.02億美元。2019年全球MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.79%，前十大公司市場占有率達到

11、74.42%。中國本土企業(yè)中，聞泰收購的安世半導(dǎo)體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年我國MOSFET器件市場規(guī)模為33.42億美元，2017年-2019年復(fù)合年均增長率為7.89%，高于功率半導(dǎo)體行業(yè)平均的增速。在下游的應(yīng)用領(lǐng)域中，消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領(lǐng)域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動MOSFET器件的市場需求，在汽車電子領(lǐng)域，MOSFET器件在電動馬達輔助驅(qū)動、電動助力轉(zhuǎn)向及電機驅(qū)動等動力控

12、制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領(lǐng)域均發(fā)揮重要作用，有著廣闊的應(yīng)用市場及發(fā)展前景。2019年，中國MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市占率達到24.95%，前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業(yè)中，華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導(dǎo)體和吉林華微電子進入前十，分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結(jié)MOSFET繼二十世紀五十年代起，真空管逐漸被固體器件替代，以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代，用二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出現(xiàn)。隨著功率器件在消費、醫(yī)藥、工業(yè)、運輸業(yè)中的廣泛應(yīng)用，能夠降低成本且提高系統(tǒng)效

13、率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，因此在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實際應(yīng)用需要，多次注入的超級結(jié)和深槽的超級結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)由此被提出。超級結(jié)MOSFET全稱超級結(jié)型MOSFET，是MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計的先進技術(shù)。該結(jié)構(gòu)具備更好的導(dǎo)通特性，可以工作于更大的電流條件。通常情況下，高壓VDMOS采用平面柵結(jié)構(gòu)。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成正比，因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和更淡的摻雜濃度，導(dǎo)致其導(dǎo)通電阻和損耗隨著外延層厚度增加而急劇增大，額定電流同步降低。超級結(jié)MOSFET的漂移區(qū)具有多個P柱，可以補償

14、N區(qū)中的電荷。在器件關(guān)斷時，N型外延層和P柱相互耗盡，可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應(yīng)的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓；在器件導(dǎo)通時，N摻雜區(qū)作為導(dǎo)通時的電流通路。由此，超級結(jié)結(jié)構(gòu)兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級結(jié)MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。隨著5G通訊、汽車電動化、高性能充電器等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，高壓超級結(jié)MOSFET將擁

15、有更快的市場增速。根據(jù)Omdia和Yole的統(tǒng)計及預(yù)測，2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量（折合8英寸）分別為59.7萬片與73.9萬片，年均復(fù)合增長為4.3%。其中，超級結(jié)MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片，年均復(fù)合增長率為8.1%，增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率器件。IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。IGBT被廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等

16、領(lǐng)域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應(yīng)用需求增長，全球IGBT分立器件市場將持續(xù)擴大。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年市場規(guī)模為16.03億美元，2017-2019年復(fù)合年均增長率為11.73%，2024年市場規(guī)模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領(lǐng)域中，英飛凌銷售額排名第一，市占率高達30.22%，前十大公司合計占比達到75.42%，中國廠商中，吉林華微電子進入前十，市占率為2.41%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2017年我國IGBT分立器件市場規(guī)模為4.26億美元，2019年為6.05億美元，對應(yīng)復(fù)合年均增長率為19.17%。IGB

17、T是國家16個重大技術(shù)突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領(lǐng)域，IGBT廣泛應(yīng)用于新能源汽車和白色家電中；在1700V以上的高電壓領(lǐng)域，IGBT廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%。我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，未來進口替代空間巨大，目前在部分領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了技術(shù)突破和國產(chǎn)化。此外，在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市

18、場的快速發(fā)展，IGBT產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。三、 強化科技創(chuàng)新平臺載體建設(shè)加強科研基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，發(fā)揮科技園區(qū)、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)平臺支撐作用，做強定西國家農(nóng)業(yè)科技園區(qū)科研平臺。加快定西生態(tài)科技創(chuàng)新城建設(shè)，統(tǒng)籌推進智慧城市、海綿城市、市政設(shè)施、公共服務(wù)等領(lǐng)域重大工程，推進與蘭州科技創(chuàng)新合作，打造新的經(jīng)濟增長極。充分發(fā)揮定西科技創(chuàng)新研究院、定西農(nóng)業(yè)科學(xué)研究院、甘肅中醫(yī)藥大學(xué)定西校區(qū)等機構(gòu)作用，推動設(shè)立中醫(yī)藥創(chuàng)新研究院、國家中醫(yī)藥實驗室、國家馬鈴薯工程技術(shù)中心，積極組建技術(shù)創(chuàng)新中心、創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟，推進科研院所、高校、企業(yè)科研力量優(yōu)化配置和資源共享，加快推進馬鈴薯、中醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域新品種新技術(shù)新裝備研

19、發(fā)推廣。推進創(chuàng)新型城市創(chuàng)建，提升縣域科技創(chuàng)新能力。四、 積極構(gòu)建現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，提高經(jīng)濟質(zhì)量效益堅持把發(fā)展經(jīng)濟的著力點放在實體經(jīng)濟上，實施產(chǎn)業(yè)強市戰(zhàn)略，以傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為主體，以戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)為先導(dǎo)，打好產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化和產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化攻堅戰(zhàn)，推動創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、價值鏈融通，促進產(chǎn)業(yè)從中低端向中高端邁進，構(gòu)建綠色、協(xié)調(diào)、高效的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，建設(shè)全省供應(yīng)鏈創(chuàng)新與應(yīng)用示范城市。五、 項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負債結(jié)構(gòu)，補充流動資金將提高公司應(yīng)對短期流動性壓力的能力，降低公司財務(wù)費用水平，提升公司盈利能力，促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司

20、未來成為國際領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)服務(wù)商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。第二章 市場預(yù)測一、 功率器件應(yīng)用發(fā)展機遇受益于新能源汽車和5G產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通訊基站及車規(guī)級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結(jié)MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品在功率器件領(lǐng)域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁（1）發(fā)展機遇2020年，充電樁被列入國家七大“新基建”領(lǐng)域之一。2020年5月兩會期間，政府工作報告中強調(diào)“建設(shè)充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費需求、助力產(chǎn)業(yè)升級”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示，截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛，與2019年年底相比增加36萬輛，增

21、長率達到9.45%。伴隨新能源汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎(chǔ)設(shè)施亦實現(xiàn)了快速增長，截止2019年12月，全國充電基礎(chǔ)設(shè)施累計數(shù)量為121.9萬個，其中公共樁51.6萬個，私人樁70.3萬個，充電場站建設(shè)數(shù)量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關(guān)等具有公共服務(wù)性質(zhì)的機構(gòu)置辦，服務(wù)對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年，全國公共充電樁的數(shù)量由5.8萬個增長至51.6萬個，復(fù)合年增長率達到了72.9%。近幾年來，我國充電站同樣有快速發(fā)展，充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，復(fù)合年增長率為140.64%。充電站密度越來越高，電動汽車車主充電便

22、利性也得到了大幅改善?！靶禄ā睂Τ潆姌兜慕ㄔO(shè)驅(qū)動主要在以下幾方面：驅(qū)動公共樁建設(shè)提質(zhì)且區(qū)域均衡發(fā)展，直流樁占比將持續(xù)提升，省份間差異有望縮小。推動優(yōu)質(zhì)場站建設(shè)，完善配套設(shè)施申報流程辦理。推動小區(qū)、商場等停車位充電樁建設(shè)。促進對運營商的建設(shè)與充電運營流程支持。（2）超級結(jié)MOSFET功率器件迎來快速發(fā)展機遇充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。公共充電樁包括交流樁和直流樁，交流充電樁需要借助車載充電機，充電速度較慢，一輛純電動汽車（普通電池容量）完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”，固定安裝在電動汽車外，與交流電網(wǎng)連接，通常僅需要不到2-3小時即可將一輛純

23、電動汽車電池充滿。目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設(shè)更廣泛，對應(yīng)的充電功率分為3.5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數(shù)量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的領(lǐng)先解決方案使用了超級結(jié)MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據(jù)2016-2019年新增公共直流樁平均功率數(shù)據(jù)，公共直流樁充電功率在逐漸提高。其

24、中2017年上漲幅度最大，從69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年雖然維持上漲趨勢，但由于目前市場的公共直流樁充電功率已經(jīng)基本上能夠滿足電動汽車的充電需求，故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高，達到115.76kW。預(yù)計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結(jié)MOSFET因其更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應(yīng)用產(chǎn)品，具體應(yīng)用于充電樁的功率因數(shù)校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模

25、塊等。超級結(jié)MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設(shè)。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，預(yù)計隨著充電樁的不斷建設(shè)，功率器件尤其是超級結(jié)MOSFET將迎來高速發(fā)展機遇。 2、5G基站（1）5G建設(shè)規(guī)模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業(yè)和信息化部發(fā)言人指出，中國已累計建成5G基站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業(yè)和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)及應(yīng)用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5G基站60萬個以上。（2）5G基站拉動

26、功率半導(dǎo)體需求5G建設(shè)將從四個方面拉動功率半導(dǎo)體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設(shè)更為密集，帶來更大的電源供應(yīng)需求；2）射頻端功率半導(dǎo)體用量提升；3）霧計算為功率半導(dǎo)體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導(dǎo)體用量。MIMO即多進多出，指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構(gòu)成多個信道的天線系統(tǒng)，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。數(shù)量上，傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)天線的通道數(shù)為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上，傳統(tǒng)MIMO為2D覆蓋，信號

27、只能在水平方向移動，不能在垂直方向移動，類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。5G網(wǎng)絡(luò)主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發(fā)射功率又受到限制，所以5G網(wǎng)絡(luò)部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量，使用MassiveMIMO技術(shù)。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計，傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導(dǎo)體價值大約為25美元，而過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導(dǎo)體價值增加至100美元，達到原來的4倍。與云計算相比，霧計算所采用的架構(gòu)呈分布式，更接近網(wǎng)絡(luò)邊緣。霧計算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理

28、和應(yīng)用程序集中在網(wǎng)絡(luò)邊緣的設(shè)備中，數(shù)據(jù)的存儲及處理更依賴本地設(shè)備，本地運算設(shè)備的增加帶動MOSFET用量提升。二、 功率半導(dǎo)體行業(yè)概述1、功率半導(dǎo)體介紹功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。近年來，隨著國民經(jīng)濟的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。功率半導(dǎo)體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、高壓晶體管、MOSFET、IGBT等產(chǎn)品。在功率半導(dǎo)體發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極

29、管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導(dǎo)體功率器件正式進入電子應(yīng)用時代。20世紀90年代，超級結(jié)MOSFET逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應(yīng)用需求。對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級結(jié)MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的復(fù)雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。2、功率MOSFET的技術(shù)發(fā)展情況隨

30、著社會電氣化程度的不斷提高，功率器件的性能也需要不斷提高以滿足更高的要求。對于功率MOSFET而言，技術(shù)驅(qū)動的性能提升主要包括三個方面：更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度以及更低的功耗。為了實現(xiàn)更高的性能指標，功率器件主要經(jīng)歷了工藝進步、器件結(jié)構(gòu)改進與使用寬禁帶材料等幾個方面的演進。在制造工藝上，線寬制程從10微米縮減至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品質(zhì)因數(shù)（FOM）以及開關(guān)效率。在器件結(jié)構(gòu)改進方面，功率器件經(jīng)歷了平面（Planar）、溝槽（Trench）、超級結(jié)（SuperJunction）等器件結(jié)構(gòu)的變化，進一步提高了器件的功率密度和工作頻率。在材料方面，新興的第三代半導(dǎo)體功率

31、器件采用了碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)材料，進一步提升了器件的開關(guān)特性、降低了功耗，也改善了其高溫特性。第三章 項目基本情況一、 項目名稱及項目單位項目名稱：MOSFET功率器件項目項目單位：xx有限公司二、 項目建設(shè)地點本期項目選址位于xxx，占地面積約75.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。三、 可行性研究范圍本報告對項目建設(shè)的背景及概況、市場需求預(yù)測和建設(shè)的必要性、建設(shè)條件、工程技術(shù)方案、項目的組織管理和勞動定員、項目實施計劃、環(huán)境保護與消防安全、項目招投標方案、投資估算與資金籌措、效益評價等方面進行綜合

32、研究和分析，為有關(guān)部門對工程項目決策和建設(shè)提供可靠和準確的依據(jù)。四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則（一）編制依據(jù)1、國家經(jīng)濟和社會發(fā)展的長期規(guī)劃，部門與地區(qū)規(guī)劃，經(jīng)濟建設(shè)的指導(dǎo)方針、任務(wù)、產(chǎn)業(yè)政策、投資政策和技術(shù)經(jīng)濟政策以及國家和地方法規(guī)等；2、經(jīng)過批準的項目建議書和在項目建議書批準后簽訂的意向性協(xié)議等；3、當?shù)氐臄M建廠址的自然、經(jīng)濟、社會等基礎(chǔ)資料；4、有關(guān)國家、地區(qū)和行業(yè)的工程技術(shù)、經(jīng)濟方面的法令、法規(guī)、標準定額資料等；5、由國家頒布的建設(shè)項目可行性研究及經(jīng)濟評價的有關(guān)規(guī)定；6、相關(guān)市場調(diào)研報告等。（二）技術(shù)原則1、堅持科學(xué)發(fā)展觀，采用科學(xué)規(guī)劃，合理布局，一次設(shè)計，分期實施的建設(shè)原則。2、根據(jù)行業(yè)未

33、來發(fā)展趨勢，合理制定生產(chǎn)綱領(lǐng)和技術(shù)方案。3、堅持市場導(dǎo)向原則，根據(jù)行業(yè)的現(xiàn)有格局和未來發(fā)展方向，優(yōu)化設(shè)備選型和工藝方案，使企業(yè)的建設(shè)與未來的市場需求相吻合。4、貫徹技術(shù)進步原則，產(chǎn)品及工藝設(shè)備選型達到目前國內(nèi)領(lǐng)先水平。同時合理使用項目資金，將先進性與實用性有機結(jié)合，做到投入少、產(chǎn)出多，效益最大化。5、嚴格遵守“三同時”設(shè)計原則，對項目可能產(chǎn)生的污染源進行綜合治理，使其達到國家規(guī)定的排放標準。五、 建設(shè)背景、規(guī)模（一）項目背景5G建設(shè)將從四個方面拉動功率半導(dǎo)體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設(shè)更為密集，帶來更大的電源供應(yīng)需求；2）射頻端功率半導(dǎo)體用量提升；3）霧計算為功率半導(dǎo)體帶來增量市場；

34、以及4）云計算拉動計算用功率半導(dǎo)體用量。（二）建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積50000.00（折合約75.00畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積95184.64。其中：生產(chǎn)工程59462.40，倉儲工程22489.60，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施9168.64，公共工程4064.00。項目建成后，形成年產(chǎn)xxx件MOSFET功率器件的生產(chǎn)能力。六、 項目建設(shè)進度結(jié)合該項目建設(shè)的實際工作情況，xx有限公司將項目工程的建設(shè)周期確定為12個月，其工作內(nèi)容包括：項目前期準備、工程勘察與設(shè)計、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 環(huán)境影響本項目的建設(shè)符合國家政策，各種污染物采取治理措施后對周

35、圍環(huán)境影響較小，從環(huán)保角度分析，本項目的建設(shè)是可行的。八、 建設(shè)投資估算（一）項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資38294.83萬元，其中：建設(shè)投資30021.36萬元，占項目總投資的78.40%；建設(shè)期利息318.16萬元，占項目總投資的0.83%；流動資金7955.31萬元，占項目總投資的20.77%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資30021.36萬元，包括工程費用、工程建設(shè)其他費用和預(yù)備費，其中：工程費用26255.17萬元，工程建設(shè)其他費用2856.35萬元，預(yù)備費909.84萬元。九、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟指標（一）財務(wù)效

36、益分析根據(jù)謹慎財務(wù)測算，項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入74300.00萬元，綜合總成本費用60131.38萬元，納稅總額6712.76萬元，凈利潤10364.67萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率19.86%，財務(wù)凈現(xiàn)值13231.82萬元，全部投資回收期5.77年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積50000.00約75.00畝1.1總建筑面積95184.641.2基底面積32000.001.3投資強度萬元/畝388.352總投資萬元38294.832.1建設(shè)投資萬元30021.362.1.1工程費用萬元26255.172.1.2其他費用萬元2856.352.1.3預(yù)備費萬

37、元909.842.2建設(shè)期利息萬元318.162.3流動資金萬元7955.313資金籌措萬元38294.833.1自籌資金萬元25308.703.2銀行貸款萬元12986.134營業(yè)收入萬元74300.00正常運營年份5總成本費用萬元60131.38""6利潤總額萬元13819.56""7凈利潤萬元10364.67""8所得稅萬元3454.89""9增值稅萬元2908.81""10稅金及附加萬元349.06""11納稅總額萬元6712.76""12工業(yè)增加

38、值萬元22681.39""13盈虧平衡點萬元27583.91產(chǎn)值14回收期年5.7715內(nèi)部收益率19.86%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元13231.82所得稅后十、 主要結(jié)論及建議本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。第四章 建筑技術(shù)方案說明一、 項目工程設(shè)計總體要求（一）土建工程原則根據(jù)生產(chǎn)需要，本項目工程建設(shè)方案主要遵循如下原則：1、布局合理的原則。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能設(shè)施分區(qū)設(shè)置，人流、物流布置得當、有序，做到既利于生產(chǎn)經(jīng)營，又方便交通。2、

39、配套齊全、方便生產(chǎn)的原則。立足廠區(qū)現(xiàn)有基礎(chǔ)條件，充分利用好現(xiàn)有功能設(shè)施，保證水、電供應(yīng)設(shè)施齊全，廠區(qū)內(nèi)外道路暢通，方便生產(chǎn)。在建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計，嚴格執(zhí)行國家技術(shù)經(jīng)濟政策及環(huán)保、節(jié)能等有關(guān)要求。在滿足工藝生產(chǎn)特性，設(shè)備布置安裝、檢修等前提下，土建設(shè)計要盡量做到技術(shù)先進、經(jīng)濟合理、安全適用和美觀大方。建筑設(shè)計要簡捷緊湊，組合恰當、功能合理、方便生產(chǎn)、節(jié)約用地；結(jié)構(gòu)設(shè)計要統(tǒng)一化、標準化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的標準為保證建筑物的質(zhì)量，保證生產(chǎn)安全和長壽命使用，本項目建筑物嚴格按照相關(guān)標準進行施工建設(shè)。1、工業(yè)企業(yè)設(shè)計衛(wèi)生標準2、公共建筑節(jié)能設(shè)計標準3、綠色建筑評價標準4、外墻

40、外保溫工程技術(shù)規(guī)程5、建筑照明設(shè)計標準6、建筑采光設(shè)計標準7、民用建筑電氣設(shè)計規(guī)范8、民用建筑熱工設(shè)計規(guī)范二、 建設(shè)方案（一）建筑結(jié)構(gòu)及基礎(chǔ)設(shè)計本期工程項目主體工程結(jié)構(gòu)采用全現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板，框架結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)采用樁基基礎(chǔ)，鋼筋混凝土條形基礎(chǔ)?；A(chǔ)工程設(shè)計：根據(jù)工程地質(zhì)條件，荷載較小的建（構(gòu)）筑物采用天然地基，荷載較大的建（構(gòu)）筑物采用人工挖孔現(xiàn)灌澆柱樁。（二）車間廠房、辦公及其它用房設(shè)計1、車間廠房設(shè)計：采用鋼屋架結(jié)構(gòu)，屋面采用彩鋼板，墻體采用彩鋼夾芯板，基礎(chǔ)采用鋼筋混凝土基礎(chǔ)。2、辦公用房設(shè)計：采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，多孔磚非承重墻體，屋面為現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，基礎(chǔ)為鋼筋混凝土基礎(chǔ)。3

41、、其它用房設(shè)計：采用磚混結(jié)構(gòu)，承重型墻體，基礎(chǔ)采用墻下條形基礎(chǔ)。（三）墻體及墻面設(shè)計1、墻體設(shè)計：外墻體均用標準多孔粘土磚實砌，內(nèi)墻均用巖棉彩鋼板。2、墻面設(shè)計：生產(chǎn)車間的外墻墻面采用水泥砂漿抹面，刷外墻涂料，內(nèi)墻面為乳膠漆墻面。辦公樓等根據(jù)使用要求適當提高裝飾標準。腐蝕性樓地面、地坪以及有防火要求的樓地面采用特殊地面做法。依據(jù)建設(shè)部、國家建材局關(guān)于建筑采用使用的規(guī)定，框架填充墻采用加氣混凝土空心砌塊墻體，磚混結(jié)構(gòu)承重墻地上及地下部分采用燒結(jié)實心頁巖磚。（四）屋面防水及門窗設(shè)計1、屋面設(shè)計：屋面采用大跨度輕鋼屋面，高分子卷材防水面層，上人屋面加裝保護層。2、屋面防水設(shè)計：現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面均采

42、用剛性防水。3、門窗設(shè)計：一般建筑物門窗，采用鋁合金門窗，對于變壓器室、配電室等特殊場所應(yīng)采用特種門窗，具體做法可參見國家標準圖集。有防爆或者防火要求的生產(chǎn)車間，門窗設(shè)置應(yīng)滿足防爆泄壓的要求，玻璃應(yīng)采用安全玻璃，凡防火墻上門窗均為防火門窗，參見國標圖集。（五）樓房地面及頂棚設(shè)計1、樓房地面設(shè)計：一般生產(chǎn)用房為水泥砂漿面層，局部為水磨石面層。2、頂棚及吊頂設(shè)計：一般房間白色涂料面層。（六）內(nèi)墻及外墻設(shè)計1、內(nèi)墻面設(shè)計：一般房間為彩鋼板，控制室采用水性涂料面層，衛(wèi)生間采用衛(wèi)生磁板面層。2、外墻面設(shè)計：均涂裝高級彈性外墻防水涂料。（七）樓梯及欄桿設(shè)計1、樓梯設(shè)計：現(xiàn)澆鋼筋混凝土樓梯。2、欄桿設(shè)計：車

43、間內(nèi)部采用鋼管欄桿，其它采用不銹鋼欄桿。（八）防火、防爆設(shè)計嚴格遵守建筑設(shè)計防火規(guī)范（GB50016-2014）中相關(guān)規(guī)定，滿足設(shè)備區(qū)內(nèi)相關(guān)生產(chǎn)車間及輔助用房的防火間距、安全疏散、及防爆設(shè)計的相關(guān)要求。從全局出發(fā)統(tǒng)籌兼顧，做到安全適用、技術(shù)先進、經(jīng)濟合理。（九）防腐設(shè)計防腐設(shè)計以預(yù)防為主，根據(jù)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的介質(zhì)的腐蝕性、環(huán)境條件、生產(chǎn)、操作、管理水平和維修條件等，因地制宜區(qū)別對待，綜合考慮防腐蝕措施。對生產(chǎn)影響較大的部位，危機人身安全、維修困難的部位，以及重要的承重構(gòu)件等加強防護。（十）建筑物混凝土屋面防雷保護車間、生活間等建筑的混凝土屋面采用10鍍鋅圓鋼做避雷帶，利用鋼柱或柱內(nèi)兩根主筋作引

44、下線，引下線的平均間距不大于十八米（第類防雷建筑物）或25.00米（第類防雷建筑物）。（十一）防雷保護措施利用基礎(chǔ)內(nèi)鋼筋作接地體，并利用地下圈梁將建筑物的四周的柱子基礎(chǔ)接通，構(gòu)成環(huán)形接地網(wǎng)，實測接地電阻R1.00（共用接地系統(tǒng)）。三、 建筑工程建設(shè)指標本期項目建筑面積95184.64，其中：生產(chǎn)工程59462.40，倉儲工程22489.60，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施9168.64，公共工程4064.00。建筑工程投資一覽表單位：、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程18240.0059462.407612.671.11#生產(chǎn)車間5472.0017838.722283.801.2

45、2#生產(chǎn)車間4560.0014865.601903.171.33#生產(chǎn)車間4377.6014270.981827.041.44#生產(chǎn)車間3830.4012487.101598.662倉儲工程8960.0022489.602001.192.11#倉庫2688.006746.88600.362.22#倉庫2240.005622.40500.302.33#倉庫2150.405397.50480.292.44#倉庫1881.604722.82420.253辦公生活配套1664.009168.641342.923.1行政辦公樓1081.605959.62872.903.2宿舍及食堂582.403209.

46、02470.024公共工程3200.004064.00358.39輔助用房等5綠化工程7130.00127.94綠化率14.26%6其他工程10870.0026.407合計50000.0095184.6411469.51第五章 產(chǎn)品規(guī)劃與建設(shè)內(nèi)容一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積50000.00（折合約75.00畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積95184.64。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx有限公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xxx件MOSFET功率器件，預(yù)計年營業(yè)收入74300.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政

47、策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風(fēng)險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預(yù)測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品（服務(wù)）名稱單位單價（元）年設(shè)計產(chǎn)量產(chǎn)值1MOSFET功率器件件xxx2MOSFET功率器件件xxx3MOSFET功率器件件xxx4.件5.件6.件合計xxx74300.002020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業(yè)和信息化部發(fā)言人指出，中國已累計

48、建成5G基站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業(yè)和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)及應(yīng)用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5G基站60萬個以上。第六章 法人治理結(jié)構(gòu)一、 股東權(quán)利及義務(wù)1、公司股東享有下列權(quán)利：（1）依照其所持有的股份份額獲得股利和其他形式的利益分配；（2）依法請求、召集、主持、參加或者委派股東代理人參加股東大會，并行使相應(yīng)的表決權(quán)；（3）對公司的經(jīng)營進行監(jiān)督，提出建議或者質(zhì)詢；（4）依照法律、行政法規(guī)及本章程的規(guī)定轉(zhuǎn)讓、贈與或質(zhì)押其所持有的股份；（5）查閱本章程、股東名冊、公司債

49、券存根、股東大會會議記錄、董事會會議決議、監(jiān)事會會議決議、財務(wù)會計報告；（6）公司終止或者清算時，按其所持有的股份份額參加公司剩余財產(chǎn)的分配；（7）對股東大會作出的公司合并、分立決議持異議的股東，要求公司收購其股份；（8）法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程規(guī)定的其他權(quán)利。2、公司股東承擔(dān)下列義務(wù)：（1）遵守法律、行政法規(guī)和本章程；（2）依其所認購的股份和入股方式繳納股金；（3）除法律、法規(guī)規(guī)定的情形外，不得退股；（4）不得濫用股東權(quán)利損害公司或者其他股東的利益；不得濫用公司法人獨立地位和股東有限責(zé)任損害公司債權(quán)人的利益；公司股東濫用股東權(quán)利給公司或者其他股東造成損失的，應(yīng)當依法承擔(dān)賠償責(zé)任。公司

50、股東濫用公司法人獨立地位和股東有限責(zé)任，逃避債務(wù)，嚴重損害公司債權(quán)人利益的，應(yīng)當對公司債務(wù)承擔(dān)連帶責(zé)任。（5）法律、行政法規(guī)及本章程規(guī)定應(yīng)當承擔(dān)的其他義務(wù)。3、持有公司5%以上有表決權(quán)股份的股東，將其持有的股份進行質(zhì)押的，應(yīng)當自該事實發(fā)生當日，向公司作出書面報告。4、公司的控股股東、實際控制人員不得利用其關(guān)聯(lián)關(guān)系損害公司利益。違反規(guī)定給公司造成損失的，應(yīng)當承擔(dān)賠償責(zé)任。公司控股股東及實際控制人對公司和公司社會公眾股股東負有誠信義務(wù)。控股股東應(yīng)嚴格依法行使出資人的權(quán)利，控股股東不得利用利潤分配、資產(chǎn)重組、對外投資、資金占用、借款擔(dān)保等方式損害公司和社會公眾股股東的合法利益，不得利用其控制地位損害

51、公司和社會公眾股股東的利益。違反規(guī)定的，給公司造成損失的，應(yīng)當承擔(dān)賠償責(zé)任。公司董事會建立對控股股東所持公司股份“占用即凍結(jié)”機制，即發(fā)現(xiàn)控股股東侵占公司資產(chǎn)立即申請司法凍結(jié)，凡不能以現(xiàn)金清償?shù)?，通過變現(xiàn)股權(quán)償還侵占資產(chǎn)。二、 董事1、公司設(shè)董事會，對股東大會負責(zé)。2、董事會由5名董事組成，包括2名獨立董事。董事會中設(shè)董事長1名，副董事長1名。3、董事會行使下列職權(quán)：（1）召集股東大會，并向股東大會報告工作；（2）執(zhí)行股東大會的決議；（3）決定公司的經(jīng)營計劃和投資方案；（4）制訂公司的年度財務(wù)預(yù)算方案、決算方案；（5）制訂公司的利潤分配方案和彌補虧損方案；（6）擬訂公司重大收購、收購本公司股票

52、或者合并、分立、解散及變更公司形式的方案；（7）在股東大會授權(quán)范圍內(nèi)，決定公司對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔(dān)保事項、委托理財、關(guān)聯(lián)交易等事項；（8）決定公司內(nèi)部管理機構(gòu)的設(shè)置；（9）聘任或者解聘公司總裁、董事會秘書；根據(jù)總裁的提名，聘任或者解聘公司副總裁、財務(wù)總監(jiān)等高級管理人員，并決定其報酬事項和獎懲事項；（10）制訂公司的基本管理制度；（11）制訂本章程的修改方案；（12）管理公司信息披露事項；（13）向股東大會提請聘請或更換為公司審計的會計師事務(wù)所；（14）聽取公司總裁的工作匯報并檢查總裁的工作；（15）法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程授予的其他職權(quán)。4、公司董事會應(yīng)當就注冊會計

53、師對公司財務(wù)報告出具的非標準審計意見向股東大會作出說明。5、董事會制定董事會議事規(guī)則，以確保董事會落實股東大會決議，提高工作效率，保證科學(xué)決策。6、董事會應(yīng)當確定對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔(dān)保事項、委托理財、關(guān)聯(lián)交易的權(quán)限，建立嚴格的審查和決策程序；重大投資項目應(yīng)當組織有關(guān)專家、專業(yè)人員進行評審，并報股東大會批準。董事會可根據(jù)公司生產(chǎn)經(jīng)營的實際情況，決定一年內(nèi)公司最近一期經(jīng)審計總資產(chǎn)30%以下的購買或出售資產(chǎn)，決定一年內(nèi)公司最近一期經(jīng)審計凈資產(chǎn)的50%以下的對外投資、委托理財、資產(chǎn)抵押（不含對外擔(dān)保）。決定一年內(nèi)未達到本章程規(guī)定提交股東大會審議標準的對外擔(dān)保。決定一年內(nèi)公司最近一期

54、經(jīng)審計凈資產(chǎn)1%至5%且交易金額在300萬元至3000萬元的關(guān)聯(lián)交易。7、董事長和副董事長由董事會以全體董事的過半數(shù)選舉產(chǎn)生。8、董事長行使下列職權(quán)：（1）主持股東大會和召集、主持董事會會議；（2）督促、檢查董事會決議的執(zhí)行；（3）簽署董事會重要文件和其他應(yīng)由公司法定代表人簽署的其他文件；（4）行使法定代表人的職權(quán)；（5）在發(fā)生特大自然災(zāi)害等不可抗力的緊急情況下，對公司事務(wù)行使符合法律規(guī)定和公司利益的特別處置權(quán)，并在事后向公司董事會和股東大會報告；（6）董事會授予的其他職權(quán)。9、公司副董事長協(xié)助董事長工作，董事長不能履行職務(wù)或者不履行職務(wù)的，由副董事長履行董事長職務(wù)；副董事長不能履行職務(wù)或者不

55、履行職務(wù)的，由半數(shù)以上董事共同推舉一名董事履行職務(wù)。10、董事會每年至少召開兩次會議，由董事長召集，于會議召開10日前以書面形式通知全體董事和監(jiān)事。11、代表1/10以上表決權(quán)的股東、1/3以上董事或者監(jiān)事會，可以提議召開董事會臨時會議。董事長應(yīng)當自接到提議后10日內(nèi)，召集和主持董事會會議。12、董事會召開臨時董事會會議的通知方式為：電話、傳真、郵件等；通知時限為：3日。13、董事會會議通知包括以下內(nèi)容：（1）會議日期和地點；（2）會議期限；（3）事由及議題；（4）發(fā)出通知的日期。14、董事會會議應(yīng)有過半數(shù)的董事出席方可舉行。董事會作出決議，必須經(jīng)全體董事的過半數(shù)通過。董事會決議的表決，實行一人一票。15、董事與董事會會議決議事項所涉及的企業(yè)有關(guān)聯(lián)關(guān)系的，不得對該項決議行使表決權(quán)，也不得代理其他董事行使表決權(quán)。該董事會會議由過半數(shù)的無關(guān)聯(lián)關(guān)系董事出席即可舉行，董事會會議所作決議須經(jīng)無關(guān)聯(lián)關(guān)系董事過半數(shù)通過。出席董事會的無關(guān)聯(lián)董事人數(shù)不足3人的，應(yīng)將該事項提交股東大會審議