降低OSP離子污染改善方案

1、關(guān)于降低ospW子污染的改善方案針對(duì)貴司所提出的藥水在使用過(guò)程中客戶投訴OSP生產(chǎn)板出現(xiàn)離子污染超標(biāo)的現(xiàn)象（根據(jù)IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：離子?染度小于：10.06ug.NaCL/sq.in,方為達(dá)標(biāo)）；為協(xié)助貴司解決此不良現(xiàn)象，保證生產(chǎn)板品質(zhì)；特對(duì)此進(jìn)行實(shí)驗(yàn)跟進(jìn)，并作出改善方案。二、離子污原因分析：1、水洗不充分或水質(zhì)不達(dá)標(biāo)（電導(dǎo)率小于10us/cm）;2、膜層過(guò)高（大于0.5um）以及沉膜時(shí)間過(guò)長(zhǎng)；3、來(lái)料污染嚴(yán)重；4、OS刖銅離子含量偏高；5、PCB隔離紙重復(fù)多次使用導(dǎo)致板面污染；6、包裝紙污染三、實(shí)驗(yàn)結(jié)果以及改善方案：（由貴公司技術(shù)人員及客戶處M認(rèn)同跟進(jìn)）通過(guò)對(duì)貴司客戶處OSP設(shè)備

2、的實(shí)際考察以及對(duì)水質(zhì)的測(cè)試結(jié)果來(lái)看：水洗時(shí)間和水質(zhì)完全能夠滿足生產(chǎn)的需求，基本可以排除水洗不充分或水質(zhì)不合格導(dǎo)致離子污染超標(biāo)；為此特對(duì)以下進(jìn)行跟進(jìn)：1、在保證生產(chǎn)板膜厚的條件下盡量縮短沉膜時(shí)間。實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)下表:沉膜時(shí)間（s）7080100備注膜厚（nm）0.450.50.54經(jīng)多次實(shí)驗(yàn)得出結(jié)果.實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來(lái)自樂(lè)健實(shí)驗(yàn)室OSP段走板速度2.3m/min2.0m/min1.8m/min離子污染度2.0ug.NaCL/sq.in3.0ug.NaCL/sq.in3.9ug.NaCL/sq.in小結(jié)：OSP膜層的厚度是影響離子污染的重要因素之一；沉膜時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，過(guò)厚的膜層越容易殘存溶液中的離子，使得水洗的難

3、度增大，最終會(huì)導(dǎo)致離子污染值的相應(yīng)升高。2、由于OSP1多種工序都可能有離子污染，由于實(shí)驗(yàn)條件限制，目前本制程惟有通過(guò)烘板后來(lái)減輕離子污染源，見(jiàn)下表：試板料號(hào)未烘板過(guò)OSP離子污染測(cè)試烘板過(guò)OSP離子污染測(cè)試備注P084413.0ug.NaCL/sq.in2.0ug.NaCL/sq.in通過(guò)多次對(duì)比實(shí)驗(yàn)得P084413.9ug.NaCL/sq.in2.0ug.NaCL/sq.in出結(jié)果，數(shù)據(jù)來(lái)自樂(lè)P084414.0ug.NaCL/sq.in2.0ug.NaCL/sq.in健實(shí)驗(yàn)室P258573.4ug.NaCL/sq.in2.0ug.NaCL/sq.inP102476.3ug.NaCL/sq.

4、in3.8ug.NaCL/sq.inP105753.4ug.NaCL/sq.in2.4ug.NaCL/sq.in小結(jié)：離子污染會(huì)在潮濕環(huán)境中出現(xiàn)離子形式的殘留物。PCB在前制程（如：防焊制程容易出現(xiàn)綠油undercut偏大、綠油半塞孔板、不同工藝的洗板、電測(cè)制程油污、手汗污染等，都會(huì)導(dǎo)致離子殘留機(jī)率高）容易受到離子污染，故此，PCB板在OSP1經(jīng)過(guò)烘考后，會(huì)大大減輕離子污染。實(shí)驗(yàn)證明是可行的。3、根據(jù)在客戶處的觀察了解，目前OS限使用的隔離紙都經(jīng)過(guò)多次重復(fù)使用后污染極為嚴(yán)重，在使用過(guò)程中PCB板難免會(huì)受到污染，通過(guò)離子污染測(cè)試表明，PCB包裝紙重復(fù)多次使用導(dǎo)致板面污染是可能的，也是存在的。見(jiàn)下

5、表：試板料號(hào)OSP后使用現(xiàn)用隔離紙擦拭測(cè)離子污染OSP后直接測(cè)試離子污染P030323.9ug.NaCL/sq.in3.5ug.NaCL/sq.inP0102476.3ug.NaCL/sq.in4.4ug.NaCL/sq.in4、OSPM銅離子含量偏高：由于此次離子污染測(cè)試出現(xiàn)在OSPff開(kāi)缸期間，OSPM銅離子含量偏高導(dǎo)致離子污染的原因不成立。只是在隨著做板面積的增加，銅離子含量增高，（由于離子含量越高的溶液，在同樣的水洗條件下，離子污染值越高，我司OSP藥水經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)以及眾多客戶的長(zhǎng)期使用證明：OSPM銅離子小于1000PpM寸，離子污染都小于10ug.NaCL/sq.in）后期注意監(jiān)控

6、銅離子含量和離子污染測(cè)試。四、建議改善：正是由于離子污染會(huì)在潮濕環(huán)境中出現(xiàn)離子形式的殘留物。這些污染物由于不能通過(guò)目檢發(fā)現(xiàn)，其存在尤其危險(xiǎn)，殘留物來(lái)自不同渠道，任何地方都有可能造成離子污染。目前根據(jù)客戶出現(xiàn)離子污染的現(xiàn)象建議以下改善：1、為避免水質(zhì)要求不達(dá)標(biāo)，務(wù)必加強(qiáng)水洗缸的保養(yǎng)，保持水洗缸每班更換一次。2、對(duì)離子污染測(cè)試嚴(yán)重的來(lái)料板進(jìn)行烘烤后（150度，15-30分鐘）過(guò)OSP。3、應(yīng)用OSP的電路板，在生產(chǎn)過(guò)程中，要求作業(yè)和檢查人員戴手套作業(yè)，以免手汗或水滴殘留板面以及焊點(diǎn)上，在下游客戶的使用時(shí)有可能出現(xiàn)焊接性不良以及離子污染超標(biāo)。4、盡量避免和減小前工序?qū)CB板的離子污染。5、離子污染也來(lái)自于OSP膜層本身（殘存在膜層中）。建議生產(chǎn)中控制膜厚：五、附表：5月29日-6月3日樂(lè)健OSP離子污染測(cè)試結(jié)果:日期料號(hào)膜厚（um）離子污染(ug.NaCL/sq.in)備注5月29日P084410.543.03.94.03pcsP258570.513.0P084410.52.05月30日P030320.433.5P102900.433.5P084410.433.95月31日P084410.46.5P105750.43.54.02pcsP030320.42.9P102470.466.3P102470.463.84.42pcs6月2日P