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1、 ( (書上書上, , 4.6 1. 歐姆定律的偏離歐姆定律的偏離)l當(dāng)電場不是太大時當(dāng)電場不是太大時, ,遷移率與電場無關(guān)遷移率與電場無關(guān), , 可作為常數(shù)處理可作為常數(shù)處理; ; 即即: 當(dāng)電場不是太大時當(dāng)電場不是太大時, 電導(dǎo)率與電場無電導(dǎo)率與電場無關(guān)關(guān),歐姆定律成立歐姆定律成立.dV J l強電場下強電場下, 遷移率隨電場增加而降低遷移率隨電場增加而降低. 漂漂移速度與電場強度不再成正比移速度與電場強度不再成正比,直至漂移直至漂移速度趨向飽和速度趨向飽和. -歐姆定律發(fā)生偏離歐姆定律發(fā)生偏離. 一般而言一般而言,當(dāng)外電場當(dāng)外電場00 *dyyzdxpm vpepeB v 對對n n型半

2、導(dǎo)體型半導(dǎo)體, ,討論電子系統(tǒng)討論電子系統(tǒng). . 動量平衡方程為動量平衡方程為: : 得到得到: R: RH H = -1/ne, R = -1/ne, RH H0 0 n n型材料型材料 0l 在在Hall電場和洛倫茲力的作用下電場和洛倫茲力的作用下,空穴和空穴和電子的橫向電流分別為電子的橫向電流分別為: 22()()yyxzyyxzJpepeBJneneB l穩(wěn)態(tài)下穩(wěn)態(tài)下,l則有：則有：l典型實驗結(jié)果：典型實驗結(jié)果：221 () ()HpnbRbe pnb()()0yyyJJJ圖12-412341-輕摻雜輕摻雜n型型2-較強摻雜較強摻雜n型型3-較輕摻雜較輕摻雜p型型4-較強摻雜較強摻雜p

3、型型l 得到半導(dǎo)體材料的重要物理性質(zhì)得到半導(dǎo)體材料的重要物理性質(zhì): 導(dǎo)電類型導(dǎo)電類型; 載流子濃度載流子濃度 (摻雜濃度摻雜濃度, 雜質(zhì)電離能雜質(zhì)電離能, 能隙寬度能隙寬度); 討論散射機理討論散射機理: Hall遷移率遷移率H和電導(dǎo)和電導(dǎo)遷移率遷移率的比較的比較lHall器件器件: V VH H = R= RH HI IX XB BZ Z / / d d4.5 玻耳茲曼方程玻耳茲曼方程 電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論電導(dǎo)率的統(tǒng)計理論4.6 1. 歐姆定律的偏離歐姆定律的偏離4.7 1. 1.多能谷散射多能谷散射 體內(nèi)負(fù)微分電導(dǎo)體內(nèi)負(fù)微分電導(dǎo) 本本章章-加入書上第十二章部分內(nèi)容加入書上第十二章部分內(nèi)容12.1 1. 一種載流子的一種載流子的霍耳

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