沖擊高壓發(fā)生器

1、%20s50Tt %30s2 . 1Tf fT)tt (67. 1T12f tT國標(biāo)規(guī)定：國標(biāo)規(guī)定：%60s2500T%20s250Ttf 沖擊電壓的一般表達(dá)式：沖擊電壓的一般表達(dá)式： u u2 2= U= U1 1expexp（-t/-t/1 1）- exp- exp（-t/-t/2 2） 時(shí)間常數(shù)：時(shí)間常數(shù)：用用1 1和和2 2表達(dá)表達(dá)1.2/50s1.2/50s的雷電波：的雷電波：1 12 2 u u2 2的構(gòu)成：的構(gòu)成：u u2 2由兩個(gè)指數(shù)分量選加構(gòu)成由兩個(gè)指數(shù)分量選加構(gòu)成波形時(shí)間的確定：波形時(shí)間的確定：波前時(shí)間相對于波尾半峰值時(shí)間要短得多。波前時(shí)間相對于波尾半峰值時(shí)間要短得多。波前

2、時(shí)間波前時(shí)間T Tf f基本上由較小的時(shí)間常數(shù)基本上由較小的時(shí)間常數(shù)2 2決定；決定；半峰值時(shí)間半峰值時(shí)間T Tt t基本上由相對大得多的時(shí)間常數(shù)基本上由相對大得多的時(shí)間常數(shù)1 1決定決定u u2 2=0.3U=0.3U2m2mu u2 2=0.9U=0.9U2m2m 0.3U 0.3U2 2m mU U2m2m1-exp1-exp（-t-t1 1/2 2） ，即，即expexp（-t-t1 1/2 2）0.70.7 0.9U 0.9U2m2mU U2m2m1-exp1-exp（-t-t2 2/2 2） ，即，即expexp（-t-t2 2/2 2）0.10.1由上兩式可得由上兩式可得t t2

3、 2t t1 12 2n7n7 ：因圖中因圖中OO1 1CFCF與與ABDABD相似，相似，故波前時(shí)間：故波前時(shí)間：T Tf f=(t=(t2 2t t1 1)/(0.9)/(0.90.3)0.3) 2 2n7/0.6n7/0.6 3.24 3.242 2 3.24R 3.24Rf fC C2 2 標(biāo)準(zhǔn)波定義 在在時(shí)，可近似地認(rèn)為時(shí)，可近似地認(rèn)為expexp（t/t/1 1）隨時(shí)間）隨時(shí)間t t幾乎不變，且設(shè)其值恒定為幾乎不變，且設(shè)其值恒定為1 1。即即 u u2 2UU1 111expexp（t/t/2 2） 其中充電時(shí)間常數(shù)其中充電時(shí)間常數(shù)2 2=R=Rf fC C2 2在在時(shí)，仍然考慮時(shí)

4、，仍然考慮1 12 2，到，到達(dá)半峰值時(shí)間時(shí)，雙指數(shù)分量中的達(dá)半峰值時(shí)間時(shí)，雙指數(shù)分量中的expexp（t/t/2 2）早已衰減到）早已衰減到接近零值，如圖中雙指數(shù)曲線所示。因此在確定半峰值時(shí)間接近零值，如圖中雙指數(shù)曲線所示。因此在確定半峰值時(shí)間T Tt t時(shí)，考慮到時(shí)，考慮到，不計(jì)及，不計(jì)及T Tf f的影響的影響認(rèn)為認(rèn)為 u u2 2UU1 1expexp（t/t/1 1） 其中放電時(shí)間常數(shù)其中放電時(shí)間常數(shù)1 1=R=Rt tC C1 1根據(jù)波形定義根據(jù)波形定義U U2m2m/2/2U U2m2mexpexp（T Tt t/1 1）故故 T Tt t=1 1n20.69n20.691 1

5、0.69R0.69Rt tC C1 1標(biāo)準(zhǔn)波定義 圖示等值回路中，放電電阻圖示等值回路中，放電電阻Rt，球隙，球隙g0放電后，電壓放電后，電壓u2上升。上升。2相當(dāng)于充電時(shí)間常相當(dāng)于充電時(shí)間常數(shù)。數(shù)。2=RfC1C2/（C1C2）Tf=3.24RfC1C2/（C1C2）因因C1C2，Tf3.24RfC2l電壓電壓u u2 2到達(dá)峰值到達(dá)峰值U U2m2m后，電容后，電容C C1 1和和C C2 2一起經(jīng)過一起經(jīng)過電阻電阻R Rt t放電。因一般放電。因一般C C1 1C C2 2，放電快慢主，放電快慢主要決定于要決定于C C1 1C2上電壓u2的波形波前波前波尾波尾沖擊電壓發(fā)生器的基本原理沖擊

6、電壓發(fā)生器概念：沖擊電壓發(fā)生器概念：沖擊電壓發(fā)生器由一組沖擊電壓發(fā)生器由一組并聯(lián)并聯(lián)的儲能高壓電容器，自直流高壓源的儲能高壓電容器，自直流高壓源充電充電幾十秒鐘后，幾十秒鐘后，通過銅球突然經(jīng)電阻通過銅球突然經(jīng)電阻串聯(lián)放電串聯(lián)放電，在試品上形成陡峭，在試品上形成陡峭上升前沿的沖擊電壓波形。沖擊波持續(xù)時(shí)間以微秒上升前沿的沖擊電壓波形。沖擊波持續(xù)時(shí)間以微秒計(jì)，電壓峰值一般為幾十計(jì)，電壓峰值一般為幾十kVkV至幾至幾MVMV發(fā)明人：發(fā)明人：產(chǎn)生較高電壓的沖擊發(fā)生器多級回路，首產(chǎn)生較高電壓的沖擊發(fā)生器多級回路，首先由德國人先由德國人E.E.馬克思（馬克思（E.MarxE.Marx）提出，為此他于）提出，

7、為此他于19231923年獲得專利，被稱為馬克思回路年獲得專利，被稱為馬克思回路單級沖擊電壓發(fā)生器回路放電時(shí)基本回路的等值回路2=（RdRf）C1C2/（C1C2）于是于是Tf=3.24（RdRf）C1C2/（C1C2）因因C1C2，Tf3.24（RdRf）C21(RdRt)(C1C2)（RdRt）C1Tt0.69(RdRt)(C1C2)Tt0.69（RdRt）C1T T：供電高壓變壓器；供電高壓變壓器；D D：整流用高壓硅堆；整流用高壓硅堆；r r：保護(hù)電阻，一般為幾保護(hù)電阻，一般為幾百千歐；百千歐；R R：充電電阻，一般為幾充電電阻，一般為幾十千歐；十千歐；rd:rd:每級的阻尼電阻；每級

8、的阻尼電阻；C C：每級的主電容，一般每級的主電容，一般為零點(diǎn)幾個(gè)微法；為零點(diǎn)幾個(gè)微法；CsCs：每級相應(yīng)點(diǎn)的對地每級相應(yīng)點(diǎn)的對地雜散電容，一般僅為雜散電容，一般僅為幾個(gè)皮法；幾個(gè)皮法；g g1 1：點(diǎn)火球隙；點(diǎn)火球隙；g g2 2g g4 4：中間球隙；中間球隙；g g0 0：隔離球隙；隔離球隙；“電容器并聯(lián)充電，而后串聯(lián)放電電容器并聯(lián)充電，而后串聯(lián)放電”電阻電阻R R的連接與隔離作用：的連接與隔離作用：在充電時(shí)起電路的連接作用；放電時(shí)則起隔離作用電容并聯(lián)串聯(lián)轉(zhuǎn)換方法：電容并聯(lián)串聯(lián)轉(zhuǎn)換方法：諸電容由并聯(lián)變成串聯(lián)是靠一組球隙分別處于絕緣和放電來達(dá)到 雜散電容與同步：雜散電容與同步：實(shí)際上因雜散

9、電容Cs是很小的，所以各中間球隙，在放電前所作用到的過電壓時(shí)間非常短促。為使諸球隙易于同步放電，在采用簡單球隙的條件下，它們應(yīng)排列成相互能夠放電（紫外線）照射的狀態(tài)。 阻尼電阻：阻尼電阻：為了防止雜散電感和對地分布的雜散電容引起高頻振蕩，或者說為了避免沖擊波前不光滑，電路中分布放置了阻尼電阻rd，一般每級為525，其大小可通過實(shí)驗(yàn)決定。若級數(shù)為n，阻尼電阻的串聯(lián)總值nrd稱作為Rd。Rd也起著調(diào)節(jié)波前時(shí)間的作用，但在放電時(shí)它與Rt會(huì)造成分壓，使輸出的電壓有所降低發(fā)生器電壓效率的近似計(jì)算式為發(fā)生器電壓效率的近似計(jì)算式為 CC1 1/ /（C C1 1C C2 2）RRt t/ /（R Rd dR

10、 Rt t） 放電時(shí)基本回路的等值回路這意味著輸出電壓這意味著輸出電壓u u2 2的的峰值峰值U U2m2m低于電容低于電容C C1 1上上的初始充電壓的初始充電壓U U1 1。它是。它是由于由于C C1 1與與C C2 2之間的分壓之間的分壓和和R Rt t與與R Rd d之間的分壓造之間的分壓造成的成的放電回路的RLC串聯(lián)等效回路 在計(jì)算波前時(shí)間時(shí)，仍采用簡化條件，在計(jì)算波前時(shí)間時(shí)，仍采用簡化條件，認(rèn)為認(rèn)為Rt t，把回路電感，把回路電感L考慮進(jìn)去，考慮進(jìn)去，則放電回路將變?yōu)閯t放電回路將變?yōu)镽LC串聯(lián)回路串聯(lián)回路如圖所示。如圖所示。其中其中R應(yīng)為阻尼電阻應(yīng)為阻尼電阻Rd d與波前電阻與波前

11、電阻Rf f之和。為獲得非振蕩沖擊波，應(yīng)使之和。為獲得非振蕩沖擊波，應(yīng)使假定是處于臨界阻尼條件。經(jīng)過簡化假定是處于臨界阻尼條件。經(jīng)過簡化計(jì)算，最終可得到：計(jì)算，最終可得到：波前時(shí)間波前時(shí)間T Tf f2.332.332 22.33RC2.33RC1 1C C2 2/ /（C C1 1C C2 2） 2121/2CCCCLR為什么不考慮為什么不考慮對波尾時(shí)間對波尾時(shí)間T Tt t的影響？的影響？沖擊電壓發(fā)生器高效回路接線 r rf f：每級的波前電阻，一般約每級的波前電阻，一般約幾十歐；幾十歐；r rt t：每級的放電電阻，通常約每級的放電電阻，通常約幾百歐；幾百歐；C C2 2：負(fù)荷電容，其值

12、不僅取決負(fù)荷電容，其值不僅取決于試品，而且與調(diào)波相關(guān)。于試品，而且與調(diào)波相關(guān)。一般處于幾百皮法至幾個(gè)一般處于幾百皮法至幾個(gè)納法間納法間T T：供電高壓變壓器；供電高壓變壓器；D D：整流用高壓硅堆；整流用高壓硅堆；r r：保護(hù)電阻，一般為幾百千歐；保護(hù)電阻，一般為幾百千歐；R R：充電電阻，一般為幾十千歐；充電電阻，一般為幾十千歐；C C：每級的主電容，一般為零點(diǎn)幾個(gè)微法；每級的主電容，一般為零點(diǎn)幾個(gè)微法；CsCs：每級相應(yīng)點(diǎn)的對地雜散電容，一般僅為每級相應(yīng)點(diǎn)的對地雜散電容，一般僅為幾個(gè)皮法；幾個(gè)皮法；g g1 1：點(diǎn)火球隙；點(diǎn)火球隙；g g2 2g g4 4：中間球隙；中間球隙；g g0 0

13、：隔離球隙；隔離球隙；通用的高通用的高效回路效回路沖擊電壓發(fā)生器回路接線 等值電路雙邊充電的沖擊電壓發(fā)生器回路 雙邊充電回路：雙邊充電回路：發(fā)生器采用發(fā)生器采用波前電阻和放電電阻集中放置波前電阻和放電電阻集中放置的方式。圖示為兩個(gè)半波直流充電電路的方式。圖示為兩個(gè)半波直流充電電路雙邊充電的沖擊電壓發(fā)生器回路波前波前電阻電阻波尾波尾電阻電阻充放電充放電過程？過程？雙邊充電的沖擊電壓發(fā)生器回路高效沖擊電壓發(fā)生器回路接線 高效回路的概念：高效回路的概念：高效高效回路中，分布放置的波回路中，分布放置的波前電阻前電阻r rf f，兼起著阻尼，兼起著阻尼電阻的作用，輸出電壓電阻的作用，輸出電壓相對比雙邊充

14、電回路高，相對比雙邊充電回路高，稱為高效回路稱為高效回路雙邊充電與高效充電的沖擊電壓發(fā)生器回路的區(qū)別 基本回路的分析基本回路及其放電時(shí)等值電路放電時(shí)基本回路的等值回路雙邊充電的沖擊電壓發(fā)生器回路主電容主電容C C1 1上的初始充電電壓為上的初始充電電壓為U U1 1拉氏轉(zhuǎn)換的運(yùn)算電路拉氏轉(zhuǎn)換的運(yùn)算電路輸出電壓：輸出電壓：U U2 2（s s）U U1 1d/d/（S S2 2+aS+b+aS+b） 放電時(shí)基本回路的等值回路放電時(shí)的運(yùn)算電路 放電時(shí)的運(yùn)算電路式中：式中：b=1/b=1/C C1 1C C2 2(R(Rd dR Rt t+R+Rd dR Rf f+R+Rf fR Rt t) ) a

15、=a=C C1 1(R(Rd d+R+Rt t)+C)+C2 2（R Rt t+R+Rf f) )bb d=C d=C1 1R Rt tbb輸出電壓：輸出電壓：U U2 2（s s）U U1 1d/d/（S S2 2+aS+b+aS+b）u u2 2(t)=U(t)=U1 1expexp（s s1 1t t）expexp（s s2 2t t） s s1 1、s s2 2為方程為方程s s2 2+as+b=0+as+b=0的兩個(gè)根的兩個(gè)根從根和系數(shù)的關(guān)系可知從根和系數(shù)的關(guān)系可知s s1 1ss2 2=b =b ； s s1 1 + s + s2 2= = a a或baaSS2212/2/,回路系

16、數(shù)：回路系數(shù)：=d/(s=d/(s1 1s s2 2)=R)=Rt tC C1 1S S1 1S S2 2/(s/(s1 1s s2 2) )令du2/dt=0，可求得u2達(dá)到峰值U2m時(shí)的時(shí)間tm:dudu2 2/dt=U/dt=U1 1ss1 1expexp（s s1 1t tm m）s s2 2expexp（s s2 2t tm m）=0=0t tm m=ln ln(s(s1 1/s/s2 2)/(s)/(s2 2s s1 1) )U U2m2m=U=U1 1expexp（s s1 1tmtm）expexp（s s2 2t tm m）=U=U1 10 0波形系數(shù)：波形系數(shù)：0 0expe

17、xp（s s1 1t tm m）expexp（s s2 2t tm m）電壓效率：電壓效率：=U=U2m2m/U/U1 1=0 0u u2 2(t)=U(t)=U1 1expexp（s s1 1t t）expexp（s s2 2t t） C2上電壓u2的波形沖擊波形的確定當(dāng)沖擊波形以雙指數(shù)波來代表時(shí)，在波形確定后，其相應(yīng)當(dāng)沖擊波形以雙指數(shù)波來代表時(shí)，在波形確定后，其相應(yīng)的的s s1 1、s s2 2、t tm m和波形系數(shù)和波形系數(shù)0 0 也就確定了也就確定了例：例：兩種標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的特性參數(shù)：兩種標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的特性參數(shù)：1.2/50s1.2/50s標(biāo)準(zhǔn)雷電沖標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波和擊波和250/2500

18、s250/2500s標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊波的各個(gè)參數(shù)值標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊波的各個(gè)參數(shù)值波形波形（ss1 1）S S1 1（ss1 1）S S2 2（ss1 1）t tm m（ss）0 01.2/501.2/500.0146590.0146592.46892.46892.0892.0890.96410.9641250/2500250/25003.16963.169610104 40.01600.0160250.0250.00.90550.9055雷電沖擊波：雷電沖擊波：輸出電壓峰值設(shè)為單位值輸出電壓峰值設(shè)為單位值（t t用用ss作為單位），則作為單位），則u u2 2(t)=1.03725exp(t)=1.0

19、3725exp（0.014659t0.014659t）expexp（2.4689t2.4689t） C C2 2值的確定：值的確定：當(dāng)試品確定之后，當(dāng)試品確定之后，C C2 2值可以確定。對于電容值可以確定。對于電容量小的試品，往往設(shè)置一調(diào)波電容，由它的大小來決定量小的試品，往往設(shè)置一調(diào)波電容，由它的大小來決定C C2 2的數(shù)值。為使電壓效率的數(shù)值。為使電壓效率不致太低，一般不致太低，一般C C1 110C10C2 2?；芈冯娮琛⒒芈冯娮?、0 0、 和和的計(jì)算：的計(jì)算：產(chǎn)生產(chǎn)生1.2/50s1.2/50s或其它或其它沖擊波形時(shí)，可從有關(guān)資料查出或算出沖擊波形時(shí)，可從有關(guān)資料查出或算出s s1

20、1及及s s2 2值，于是可值，于是可以計(jì)算出回路的各個(gè)電阻值和波形系數(shù)以計(jì)算出回路的各個(gè)電阻值和波形系數(shù)0 0、回路系數(shù)、回路系數(shù)、電壓效率電壓效率等。等。充電電壓：充電電壓：試驗(yàn)所需的試驗(yàn)所需的U U2m2m確定后，可算出充電電壓確定后，可算出充電電壓U U1 1。標(biāo)稱電壓：標(biāo)稱電壓：沖擊電壓發(fā)生器的名義電壓稱為標(biāo)稱電壓沖擊電壓發(fā)生器的名義電壓稱為標(biāo)稱電壓U U1n1n標(biāo)稱能量：標(biāo)稱能量：沖擊電壓發(fā)生器的標(biāo)稱能量為：沖擊電壓發(fā)生器的標(biāo)稱能量為： W Wn n=C=C1 1U U1n1n2 2/2/2多數(shù)發(fā)生器的多數(shù)發(fā)生器的W Wn n達(dá)幾十至幾百千焦達(dá)幾十至幾百千焦 沖擊波形的確定 沖擊電

21、壓發(fā)生器放電回路計(jì)算舉例 例題例題 設(shè)置一臺沖擊電壓發(fā)生器，要求它能滿設(shè)置一臺沖擊電壓發(fā)生器，要求它能滿足足110 kV110 kV電瓷產(chǎn)品的雷電沖擊放電及耐壓試驗(yàn)之電瓷產(chǎn)品的雷電沖擊放電及耐壓試驗(yàn)之用。請選擇它的額定電壓用。請選擇它的額定電壓U UN N，沖擊電容量，沖擊電容量C C1 1，初，初步確定負(fù)荷電容步確定負(fù)荷電容C C2 2，計(jì)算波前電阻，計(jì)算波前電阻R Rf f，放電電阻，放電電阻R Rt t，電壓效率電壓效率和額定容量和額定容量W WN N等。等。 題解題解 放電電壓的確定：放電電壓的確定：國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定110 kV110 kV電瓷產(chǎn)品電瓷產(chǎn)品的雷電沖擊耐受電壓為的

22、雷電沖擊耐受電壓為450 kV450 kV。放電電壓值與電瓷類別相。放電電壓值與電瓷類別相關(guān)，一般而言關(guān)，一般而言850 kV850 kV。所以實(shí)際產(chǎn)生的電壓按。所以實(shí)際產(chǎn)生的電壓按900 kV900 kV考考慮。電壓效率初步考慮為慮。電壓效率初步考慮為0.850.85，則額定電壓約為，則額定電壓約為1060 kV1060 kV。考慮盡可能不在額定電壓下頻繁放電，以延長其使用壽命，考慮盡可能不在額定電壓下頻繁放電，以延長其使用壽命，同時(shí)也考慮偶爾有特殊產(chǎn)品試驗(yàn)的需要，所以額定電壓取同時(shí)也考慮偶爾有特殊產(chǎn)品試驗(yàn)的需要，所以額定電壓取為為1200 kV1200 kV。陡度的確定：陡度的確定：對于線

23、路用合成絕緣子的沖擊陡波放電試驗(yàn)，對于線路用合成絕緣子的沖擊陡波放電試驗(yàn)，要求波前陡度達(dá)要求波前陡度達(dá)1000 kV /1000 kV /s s，由于絕緣子允許分段進(jìn)行，由于絕緣子允許分段進(jìn)行試驗(yàn)，這樣的額定電壓值也完全能夠滿足要求了。試驗(yàn)，這樣的額定電壓值也完全能夠滿足要求了。負(fù)荷電容的確定：負(fù)荷電容的確定：電瓷產(chǎn)品本身的電容量很小，負(fù)荷電容電瓷產(chǎn)品本身的電容量很小，負(fù)荷電容主要是阻容分壓器及發(fā)生器本身的雜散電容所構(gòu)成的。選主要是阻容分壓器及發(fā)生器本身的雜散電容所構(gòu)成的。選擇低阻尼阻容分壓器的電容為擇低阻尼阻容分壓器的電容為300 pF300 pF，其它雜散電容及試，其它雜散電容及試品電容考

24、慮為品電容考慮為200 pF200 pF，所以總的負(fù)荷電容，所以總的負(fù)荷電容C C2 2約為約為500 pF500 pF充放電回路主電容的確定：充放電回路主電容的確定：僅從電壓效率考慮僅從電壓效率考慮C C1 1達(dá)達(dá)5 510 10 nFnF就足夠了。但為了增強(qiáng)放電效果，就足夠了。但為了增強(qiáng)放電效果，C C1 1選擇為選擇為20 nF20 nF高效回路回路級數(shù)的確定：回路級數(shù)的確定：采用如圖所示高效回路。假設(shè)每級電容采用如圖所示高效回路。假設(shè)每級電容的額定電壓為的額定電壓為200 kV200 kV，則共需，則共需6 6級。每級的電容級。每級的電容C C的電容量的電容量為為0.12 0.12 F

25、 F回路參數(shù)的確定（兩種計(jì)算方法均可）:1. 1. 根據(jù)二階阻容放電回路計(jì)算根據(jù)二階阻容放電回路計(jì)算R Rt t，R Rf f及及和和2. 2. 放電回路的近似計(jì)算放電回路的近似計(jì)算額定電壓：額定電壓：1200 kV1200 kV；負(fù)荷電容：；負(fù)荷電容：500 pF500 pF；主電容；主電容C1C1：20 nF20 nF1. 根據(jù)二階阻容放電回路計(jì)算Rt，Rf及和查表可知查表可知1.2/50 1.2/50 s s下的下的S S1 1、S S2 2及波形系數(shù)及波形系數(shù)0 0 。b bS S1 1S S2 20.036190.03619s s2 2a a（S S1 1S S2 2）2.48362

26、.4836s s1 1根據(jù)根據(jù)b b1/1/（C C1 1C C2 2R Rf fR Rt t），），b b，C C1 1，C C2 2均已知，可得均已知，可得 R Rf fR Rt t2.76322.76321061062 2 （1 1）根據(jù)根據(jù)a/ba/bC C1 1R Rt tC C2 2（R Rt tR Rf f），代入諸已知值，可得），代入諸已知值，可得 R Rt t3347.63347.60.024390R0.024390Rf f （2 2）為避免兩大數(shù)相減所引起的計(jì)算誤差，宜先通過（為避免兩大數(shù)相減所引起的計(jì)算誤差，宜先通過（1 1）及）及（2 2）式求出）式求出R Rt t值。

27、值。計(jì)算時(shí)注意，在解二次方程的根時(shí)，拋去計(jì)算時(shí)注意，在解二次方程的根時(shí)，拋去R Rt t的一個(gè)小數(shù)值的一個(gè)小數(shù)值解，只取合理的大數(shù)值解。最后可得解，只取合理的大數(shù)值解。最后可得R Rt t3347.63347.6。每一。每一級中的級中的放電電阻放電電阻r rt tRRt t/6/6557.9557.9。于是可得于是可得R Rf f786.2786.2。每級的。每級的r rf fR Rf f/6/6131131?；芈废禂?shù)回路系數(shù) RCRC1 1S S1 1S S2 2/ /（S S1 1S S2 2）0.98730.9873電壓效率電壓效率 0 00.98730.98730.9641=0.95190.9641=0.9519額定電壓：額定電壓：1200 kV1200 kV；負(fù)荷電容：；負(fù)荷電容：500 pF500 pF；主電容；主電容C1C1：20 nF20 nF2. 放電回路的近似計(jì)算放電電阻的計(jì)算：放電電阻的計(jì)算：根據(jù)根據(jù)T Tt t0.690.69（R Rd dR Rt t）（）（C C1 1C C2 2）R