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1、reading reportreading report 劉煜劉煜 2015.10.31文獻(xiàn)文獻(xiàn) ：Lateral epitaxial growth of two-dimensional layered semiconductor heterojunctions (from nature nanotechnology. Dec. 2014 vol91.1.制備工藝制備工藝 2.2.表征表征 3.3.光電特性光電特性1. 制備工藝制備工藝MoS2MoSe2 and WS2WSe2 lateral heterostructures are growed by in situ modulation

2、of the vapour-phase reactantsduring growth of these two-dimensional crystals.遇到的問題：遇到的問題：1. 第一次生長的材料若第一次生長的材料若暴露暴露于于周圍環(huán)境，則其邊緣原子周圍環(huán)境，則其邊緣原子易受到干擾而鈍化，不利于易受到干擾而鈍化，不利于對(duì)第二次外延生長。對(duì)第二次外延生長。2. 原子尺寸的原子尺寸的TMD并不穩(wěn)定，并不穩(wěn)定，第一次生長的材料忍受不了第一次生長的材料忍受不了第二次生長所需要到溫度等第二次生長所需要到溫度等環(huán)境因素的變化。環(huán)境因素的變化。supporting information1. 制備工藝制

3、備工藝supporting information2. 表征表征Raman and photoluminescence mapping studies demonstrate that the resulting heterostructure nanosheets exhibit clear structural and optical modulation.與單獨(dú)測兩種材料的與單獨(dú)測兩種材料的RAMAN和和PL時(shí)的峰值一致時(shí)的峰值一致結(jié)論：結(jié)論：1.表征了兩種材料表征了兩種材料2.材料之間沒有間隙材料之間沒有間隙1.low-resolution TEM2.high-angle annula

4、r dark-field (HAADF) TEM3.A selected area electron diffraction (SAED) (兩種材料六邊兩種材料六邊 形的晶格結(jié)構(gòu)（結(jié)構(gòu)相似，取向相同形的晶格結(jié)構(gòu)（結(jié)構(gòu)相似，取向相同) 每個(gè)散射點(diǎn)都有兩個(gè)散射峰，對(duì)應(yīng)兩每個(gè)散射點(diǎn)都有兩個(gè)散射峰，對(duì)應(yīng)兩 種不同的衍射峰值，對(duì)應(yīng)兩種不同的種不同的衍射峰值，對(duì)應(yīng)兩種不同的 晶格距離晶格距離4.TEM. 確定了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)上的連續(xù)性，確定了異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)上的連續(xù)性， 即兩種材料之間沒有間隙即兩種材料之間沒有間隙1. EDS（能量色散光譜學(xué)）（能量色散光譜學(xué)） 顯示了顯示了W、S、Se的分布的分布 兩種材料之間

5、無間隙兩種材料之間無間隙 2. EDS的線掃描顯示了的線掃描顯示了S、Se的分布的分布 變化情況。中間有變化情況。中間有35nm左右寬的左右寬的 過渡帶。過渡帶。2. 表征表征Raman and photoluminescence mapping studies demonstrate that the resulting heterostructure nanosheets exhibit clear structural and optical modulation.與單獨(dú)測兩種材料的與單獨(dú)測兩種材料的RAMAN和和PL時(shí)的峰值相比，時(shí)的峰值相比，MoS2的的RAMAN峰和峰和PL峰發(fā)生了

6、紅移峰發(fā)生了紅移結(jié)論：結(jié)論：1.表征了兩種材料表征了兩種材料2.材料之間沒有間隙材料之間沒有間隙原因：原因：Se的影響的影響1.(h)low-resolution TEM2.A selected area electron diffraction (SAED) (兩種材料六邊形兩種材料六邊形 的晶格結(jié)構(gòu)（結(jié)構(gòu)相似，取向相同的晶格結(jié)構(gòu)（結(jié)構(gòu)相似，取向相同)3.EDS的線掃描顯示了的線掃描顯示了S、Se的分的分 布變化情況。中間有布變化情況。中間有40nm左右左右 寬的過渡帶。寬的過渡帶。3. 光電特性光電特性Electrical transport studies demonstrate tha

7、t the WSe2WS2 heterojunctions form lateral pn diodes and photodiodes, and can be used to create complementary inverters with high voltage gain.襯底：襯底：Si/SiO2 之前生長材料的襯底是之前生長材料的襯底是silicon oxide（一氧化硅？二氧化硅？）（一氧化硅？二氧化硅？）硅作為背柵電極硅作為背柵電極3. 光電特性光電特性線性線性I-V關(guān)系說明金屬接觸勢壘沒有影響到器件的固有性質(zhì)。關(guān)系說明金屬接觸勢壘沒有影響到器件的固有性質(zhì)。不同的背柵電壓下

8、的表現(xiàn)，顯示了材料的不同的背柵電壓下的表現(xiàn)，顯示了材料的 p n 特性。特性。？具體如何測？具體如何測a bnpcWSe2 正偏壓時(shí)，才有電流通過。整流特性。正偏壓時(shí)，才有電流通過。整流特性。WS2摻雜濃度更低，所以制約著器件異質(zhì)結(jié)間電荷的傳輸。也摻雜濃度更低，所以制約著器件異質(zhì)結(jié)間電荷的傳輸。也就是為什么電流值隨背向柵壓的增大而增大的緣故。（為什就是為什么電流值隨背向柵壓的增大而增大的緣故。（為什么和么和p型無關(guān)，而是與型無關(guān)，而是與n型有關(guān)？）型有關(guān)？）3. 光電特性光電特性探究了探究了pn結(jié)的光響應(yīng)特性，開路電壓約為結(jié)的光響應(yīng)特性，開路電壓約為0.47V,短路電壓約為短路電壓約為1.2nA.響應(yīng)時(shí)間約為響應(yīng)時(shí)間約為100us。表明了電流來自于載流子的分離和復(fù)合。表明了電流來自于載流子的分離和復(fù)合。de光電流光電流