MOS電容C-V特性

1、編輯ppt1MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性 報(bào)告人：王碩2011年11月22日編輯ppt2MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性 MOS電容結(jié)構(gòu)的能帶圖 理想MOS電容的C-V特性 實(shí)際MOS電容的C-V特性 小結(jié)編輯ppt3無偏壓下MOS電容結(jié)構(gòu)的能帶圖AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）理想AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）非理想+-msoxsqVqVqV表面勢的接觸電勢差smWWoxddx編輯ppt4外加偏置下MOS電容結(jié)構(gòu)的能帶圖AlSiO2SiGV0V xV,Gox exts extVVV體現(xiàn)了外加電場的作用編輯ppt5MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性 MOS電容結(jié)構(gòu)的能帶圖 理想MOS電容的C-V特性

2、 實(shí)際MOS電容的C-V特性 小結(jié)編輯ppt6理想MOS電容的C-V特性 氧化層完全絕緣 氧化層中不存在任何電荷 氧化層與半導(dǎo)體界面上無界面態(tài) 忽略金屬與半導(dǎo)體的接觸電勢差GVoxCsCipsdQCdVGoxsVVV111GoxsmsoxsdVdVdVCdQdQdQCCoxoxoxCdssdCx由oxoxoxdsCdx為空間電荷區(qū)寬度dx，編輯ppt7積累狀態(tài)下MOS電容的C-V曲線AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）EFioxoxoxCCdQQdQdQ0GV 編輯ppt8耗盡狀態(tài)下MOS電容的C-V曲線AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）QQdQdQdxdxEFidxdx ssd

3、CxoxoxoxdsCdx0GV 編輯ppt9反型狀態(tài)下MOS電容的C-V曲線AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）EFidTx0GTVV反型層電荷密度變化的電子的來源：u空間電荷區(qū)的P型襯底的少子擴(kuò)散u空間電荷區(qū)熱運(yùn)動(dòng)形成的空穴-電 荷對(duì)編輯ppt10反型狀態(tài)下MOS電容的C-V曲線l低頻時(shí)：QQdQdQdTxoxoxoxCCdl高頻時(shí)：QdQdQdxQdTxoxoxoxdTsCdx編輯ppt11MOS電容器的C-V特性曲線0GVC積累低頻高頻耗盡弱反型反型FBVFBC編輯ppt12MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性 MOS電容結(jié)構(gòu)的能帶圖 理想MOS電容的C-V特性 實(shí)際MOS電容的C-V特性 小結(jié)編輯ppt13實(shí)際MOS電容的C-V特性 固定柵氧化層電荷效應(yīng) 界面電荷效應(yīng)編輯ppt14固定柵氧化層電荷效應(yīng)不同有效氧化層陷阱電荷下，P型MOS電容器高頻電容和柵壓的函數(shù)關(guān)系圖ssFBmsoxQVCssQ其中： 為固定氧化層電荷 為金-半功函數(shù) ms編輯ppt15界面電荷效應(yīng)編輯p