敏感電子材料

1、一、傳感器的定義和類(lèi)型一、傳感器的定義和類(lèi)型定義定義傳感器傳感器(transducer)又稱(chēng)敏感元件，是將各種非電量又稱(chēng)敏感元件，是將各種非電量(包括物包括物理量、化學(xué)量、生物量等理量、化學(xué)量、生物量等)按一定規(guī)律轉(zhuǎn)換成便于處理和傳輸按一定規(guī)律轉(zhuǎn)換成便于處理和傳輸?shù)牧淼牧矸N物理量種物理量(一般為電量一般為電量)的裝置，成為信號(hào)處理系統(tǒng)能接的裝置，成為信號(hào)處理系統(tǒng)能接受的信號(hào)受的信號(hào)類(lèi)型類(lèi)型結(jié)構(gòu)型傳感器通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)的幾何形狀或尺寸的變化，將結(jié)構(gòu)型傳感器通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)的幾何形狀或尺寸的變化，將外界被測(cè)參數(shù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電阻、電感、電容等物理量的變外界被測(cè)參數(shù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電阻、電感、電容等物理量的變化，

2、從而控制被測(cè)信號(hào)化，從而控制被測(cè)信號(hào)物理型傳感器利用某些材料本身物理性質(zhì)的變化而實(shí)現(xiàn)的，物理型傳感器利用某些材料本身物理性質(zhì)的變化而實(shí)現(xiàn)的，它是以導(dǎo)體、電介質(zhì)、鐵電體等為敏感材料的固體材料，已它是以導(dǎo)體、電介質(zhì)、鐵電體等為敏感材料的固體材料，已成為傳感器元件的主要發(fā)展動(dòng)向，各種功能材料是傳感器的成為傳感器元件的主要發(fā)展動(dòng)向，各種功能材料是傳感器的物質(zhì)基礎(chǔ)物質(zhì)基礎(chǔ)二二.氣氣 敏敏 傳傳 感感 器器 概述概述 氣敏傳感器是用來(lái)檢測(cè)氣體類(lèi)別、濃度和成分的傳感器。氣敏傳感器是用來(lái)檢測(cè)氣體類(lèi)別、濃度和成分的傳感器。 由于氣體種類(lèi)繁多由于氣體種類(lèi)繁多, 性質(zhì)各不相同，不可能用一種傳感器檢測(cè)所性質(zhì)各不相同，

3、不可能用一種傳感器檢測(cè)所有類(lèi)別的氣體，因此，能實(shí)現(xiàn)氣有類(lèi)別的氣體，因此，能實(shí)現(xiàn)氣-電轉(zhuǎn)換的傳感器種類(lèi)很多，按電轉(zhuǎn)換的傳感器種類(lèi)很多，按構(gòu)成氣敏傳感器材料可分為半導(dǎo)體和非半導(dǎo)體兩大類(lèi)。目前實(shí)構(gòu)成氣敏傳感器材料可分為半導(dǎo)體和非半導(dǎo)體兩大類(lèi)。目前實(shí)際使用最多的是半導(dǎo)體氣敏傳感器。際使用最多的是半導(dǎo)體氣敏傳感器。 二、 半導(dǎo)體氣敏傳感器是利用待測(cè)氣體與半導(dǎo)體表面接觸時(shí)，半導(dǎo)體氣敏傳感器是利用待測(cè)氣體與半導(dǎo)體表面接觸時(shí)， 產(chǎn)生的電導(dǎo)率等物理性質(zhì)變化來(lái)檢測(cè)氣體的。按照半導(dǎo)體與氣體產(chǎn)生的電導(dǎo)率等物理性質(zhì)變化來(lái)檢測(cè)氣體的。按照半導(dǎo)體與氣體相互作用時(shí)產(chǎn)生的變化只限于半導(dǎo)體表面或深入到半導(dǎo)體內(nèi)部，相互作用時(shí)產(chǎn)生的

4、變化只限于半導(dǎo)體表面或深入到半導(dǎo)體內(nèi)部，可分為表面控制型和體控制型，前者半導(dǎo)體表面吸附的氣體與半可分為表面控制型和體控制型，前者半導(dǎo)體表面吸附的氣體與半導(dǎo)體間發(fā)生電子接受，結(jié)果使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率等物理性質(zhì)發(fā)生變導(dǎo)體間發(fā)生電子接受，結(jié)果使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率等物理性質(zhì)發(fā)生變化，但內(nèi)部化學(xué)組成不變；后者半導(dǎo)體與氣體的反應(yīng)，使半導(dǎo)體化，但內(nèi)部化學(xué)組成不變；后者半導(dǎo)體與氣體的反應(yīng)，使半導(dǎo)體內(nèi)部組成發(fā)生變化，而使電導(dǎo)率變化。按照半導(dǎo)體變化的物理特內(nèi)部組成發(fā)生變化，而使電導(dǎo)率變化。按照半導(dǎo)體變化的物理特性，又可分為電阻型和非電阻型，電阻型半導(dǎo)體氣敏元件是利用性，又可分為電阻型和非電阻型，電阻型半導(dǎo)體氣敏元件是利用

5、敏感材料接觸氣體時(shí)，其阻值變化來(lái)檢測(cè)氣體的成分或濃度；敏感材料接觸氣體時(shí)，其阻值變化來(lái)檢測(cè)氣體的成分或濃度； 非電阻型半導(dǎo)體氣敏元件是利用其它參數(shù)。非電阻型半導(dǎo)體氣敏元件是利用其它參數(shù)。1.半導(dǎo)體氣敏傳感器半導(dǎo)體氣敏傳感器半導(dǎo)體氣敏傳感器是利用氣體在半導(dǎo)體表面的半導(dǎo)體氣敏傳感器是利用氣體在半導(dǎo)體表面的氧化和還原反應(yīng)導(dǎo)致敏感元件阻值變化而制成的。氧化和還原反應(yīng)導(dǎo)致敏感元件阻值變化而制成的。當(dāng)半導(dǎo)體器件被加熱到穩(wěn)定狀態(tài)，在氣體接觸半導(dǎo)當(dāng)半導(dǎo)體器件被加熱到穩(wěn)定狀態(tài)，在氣體接觸半導(dǎo)體表面而被吸附時(shí)，被吸附的分子首先在表面物性體表面而被吸附時(shí)，被吸附的分子首先在表面物性自由擴(kuò)散，失去運(yùn)動(dòng)能量，一部分分子

6、被蒸發(fā)掉，自由擴(kuò)散，失去運(yùn)動(dòng)能量，一部分分子被蒸發(fā)掉，另一部分殘留分子產(chǎn)生熱分解而固定在吸附處（化另一部分殘留分子產(chǎn)生熱分解而固定在吸附處（化學(xué)吸附）。學(xué)吸附）。半導(dǎo)體氣敏傳感器的機(jī)理半導(dǎo)體氣敏傳感器的機(jī)理當(dāng)半導(dǎo)體的功函數(shù)小于吸附分子的親和力當(dāng)半導(dǎo)體的功函數(shù)小于吸附分子的親和力(氣體的吸氣體的吸附和滲透特性附和滲透特性)時(shí)，時(shí)， 吸附分子將從器件奪得電子而變成負(fù)吸附分子將從器件奪得電子而變成負(fù)離子吸附，離子吸附， 半導(dǎo)體表面呈現(xiàn)電荷層。例如氧氣等具有負(fù)離半導(dǎo)體表面呈現(xiàn)電荷層。例如氧氣等具有負(fù)離子吸附傾向的氣體被稱(chēng)為氧化型氣體或電子接收性氣體。子吸附傾向的氣體被稱(chēng)為氧化型氣體或電子接收性氣體。如

7、果半導(dǎo)體的功函數(shù)大于吸附分子的離解能，吸附分如果半導(dǎo)體的功函數(shù)大于吸附分子的離解能，吸附分子將向器件釋放出電子，而形成正離子吸附。具有正離子子將向器件釋放出電子，而形成正離子吸附。具有正離子吸附傾向的氣體有吸附傾向的氣體有H2、CO、碳?xì)浠衔锖痛碱?lèi)，它們被、碳?xì)浠衔锖痛碱?lèi)，它們被稱(chēng)為還原型氣體或電子供給性氣體。稱(chēng)為還原型氣體或電子供給性氣體。 半導(dǎo)體氣敏傳感器的機(jī)理半導(dǎo)體氣敏傳感器的機(jī)理 當(dāng)氧化型氣體吸附當(dāng)氧化型氣體吸附到到N型半導(dǎo)體上，還原型半導(dǎo)體上，還原型氣體吸附到型氣體吸附到P型半導(dǎo)型半導(dǎo)體上時(shí)，將使半導(dǎo)體載體上時(shí)，將使半導(dǎo)體載流子減少，而使電阻值流子減少，而使電阻值增大。當(dāng)還原型氣

8、體吸增大。當(dāng)還原型氣體吸附到附到N型半導(dǎo)體上，氧型半導(dǎo)體上，氧化型氣體吸附到化型氣體吸附到P型半型半導(dǎo)體上時(shí)，則載流子增導(dǎo)體上時(shí)，則載流子增多，使半導(dǎo)體電阻值下多，使半導(dǎo)體電阻值下降。降。半導(dǎo)體氣敏傳感器的機(jī)理半導(dǎo)體氣敏傳感器的機(jī)理氣體接觸氣體接觸N型半導(dǎo)體時(shí)所產(chǎn)生的器件阻值變化情況。型半導(dǎo)體時(shí)所產(chǎn)生的器件阻值變化情況。100550加熱開(kāi)關(guān)大氣中2 min 4 min吸氣時(shí)還原型氧化型穩(wěn)定狀態(tài)器件加熱響應(yīng)時(shí)間約1 min以?xún)?nèi)器件電阻 / k由于空氣中的含氧量大體上是恒定的，由于空氣中的含氧量大體上是恒定的， 因此氧的吸附量也因此氧的吸附量也是恒定的，器件阻值也相對(duì)固定。若氣體濃度發(fā)生變化，是恒

9、定的，器件阻值也相對(duì)固定。若氣體濃度發(fā)生變化，其阻值也將變化。根據(jù)這一特性，可以從阻值的變化得知其阻值也將變化。根據(jù)這一特性，可以從阻值的變化得知吸附氣體的種類(lèi)和濃度。半導(dǎo)體氣敏時(shí)間吸附氣體的種類(lèi)和濃度。半導(dǎo)體氣敏時(shí)間(響應(yīng)時(shí)間響應(yīng)時(shí)間)一般一般不超過(guò)不超過(guò)1min。N型材料有型材料有SnO2、ZnO、TiO等，等，P型材料型材料有有MoO2、CrO3等。等。 問(wèn)題：?jiǎn)栴}：O2吸附到吸附到P型半導(dǎo)體上時(shí)，而使電阻值增大還是減小。型半導(dǎo)體上時(shí)，而使電阻值增大還是減小。典型的氣體傳感器結(jié)構(gòu)330.5(單位: mm)7(c)氧化鋁基片Pt電極氧化物半導(dǎo)體器件加熱用的加熱器(印制厚膜電阻)非電阻型氣敏

10、器件也是半導(dǎo)體氣敏傳感器之一。它是利非電阻型氣敏器件也是半導(dǎo)體氣敏傳感器之一。它是利用用MOS二極管的電容二極管的電容電壓特性的變化以及電壓特性的變化以及MOS場(chǎng)效應(yīng)晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管體管(MOSFET)的閾值電壓的變化等物性而制成的氣敏元件。的閾值電壓的變化等物性而制成的氣敏元件。由于類(lèi)器件的制造工藝成熟，便于器件集成化，因而其性能由于類(lèi)器件的制造工藝成熟，便于器件集成化，因而其性能穩(wěn)定且價(jià)格便宜。穩(wěn)定且價(jià)格便宜。 利用特定材料還可以使器件對(duì)某些氣體特利用特定材料還可以使器件對(duì)某些氣體特別敏感。別敏感。 2. 非電阻型半導(dǎo)體氣敏傳感器非電阻型半導(dǎo)體氣敏傳感器 (1) MOS二極管氣敏器件二極管氣

11、敏器件 MOS二極管氣敏元件制二極管氣敏元件制作過(guò)程是在作過(guò)程是在P型半導(dǎo)體硅片上，利用熱氧化工藝生成一型半導(dǎo)體硅片上，利用熱氧化工藝生成一層厚度為層厚度為50100 nm的二氧化硅的二氧化硅(SiO2)層，然后在其層，然后在其上面蒸發(fā)一層鈀上面蒸發(fā)一層鈀(Pd)的金屬薄膜，作為柵電極。的金屬薄膜，作為柵電極。MOS二極管結(jié)構(gòu)和等效電路 (a) 結(jié)構(gòu)； (b) 等效電路； (c) C-U特性 M(Pd)SiO2PSiCaCsCOVab(a)(b)(c) 半導(dǎo)體氣敏傳感器由于具有靈敏度高、響應(yīng)時(shí)間和半導(dǎo)體氣敏傳感器由于具有靈敏度高、響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間快、使用壽命長(zhǎng)以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，從而得到恢復(fù)時(shí)

12、間快、使用壽命長(zhǎng)以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，從而得到了廣泛的應(yīng)用。了廣泛的應(yīng)用。 按其用途可分為以下幾種類(lèi)型：氣體泄按其用途可分為以下幾種類(lèi)型：氣體泄露報(bào)警、自動(dòng)控制、自動(dòng)測(cè)試等。露報(bào)警、自動(dòng)控制、自動(dòng)測(cè)試等。3.氣敏傳感器應(yīng)用氣敏傳感器應(yīng)用二、色二、色 敏敏 傳傳 感感 器器 半導(dǎo)體色敏傳感器的基本原理半導(dǎo)體色敏傳感器的基本原理 半導(dǎo)體色敏傳感器相當(dāng)于兩只結(jié)構(gòu)不同的光電二極管的組合，半導(dǎo)體色敏傳感器相當(dāng)于兩只結(jié)構(gòu)不同的光電二極管的組合， 故又稱(chēng)光電雙結(jié)二極管，其結(jié)構(gòu)原理及等效電路如圖所示。故又稱(chēng)光電雙結(jié)二極管，其結(jié)構(gòu)原理及等效電路如圖所示。 為為了說(shuō)明色敏傳感器的工作原理，有必要了解光電二極管的工作機(jī)

13、了說(shuō)明色敏傳感器的工作原理，有必要了解光電二極管的工作機(jī)理。理。 半導(dǎo)體色敏傳感器結(jié)構(gòu)和等效電路圖半導(dǎo)體色敏傳感器結(jié)構(gòu)和等效電路圖 電極1 電極2PPNSiO2電極3123對(duì)于用半導(dǎo)體硅制造的光電二極管，在受光照射時(shí)，若入對(duì)于用半導(dǎo)體硅制造的光電二極管，在受光照射時(shí)，若入射光子的能量射光子的能量h大于硅的禁帶寬度大于硅的禁帶寬度Eg，則光子就激發(fā)價(jià)帶中的電，則光子就激發(fā)價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶而產(chǎn)生一對(duì)電子子躍遷到導(dǎo)帶而產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴。這些由光子激發(fā)而產(chǎn)生的空穴。這些由光子激發(fā)而產(chǎn)生的電子電子-空穴統(tǒng)稱(chēng)為光生載流子。光電二極管的基本部分是一個(gè)空穴統(tǒng)稱(chēng)為光生載流子。光電二極管的基本部分是一個(gè)結(jié)

14、，產(chǎn)生的光生載流子只要能擴(kuò)散到勢(shì)壘區(qū)的邊界，其中少結(jié)，產(chǎn)生的光生載流子只要能擴(kuò)散到勢(shì)壘區(qū)的邊界，其中少數(shù)載流子就受勢(shì)壘區(qū)強(qiáng)電場(chǎng)的吸引而被拉向?qū)γ鎱^(qū)域，這部分少數(shù)載流子就受勢(shì)壘區(qū)強(qiáng)電場(chǎng)的吸引而被拉向?qū)γ鎱^(qū)域，這部分少數(shù)載流子對(duì)電流作出貢獻(xiàn)。多數(shù)載流子（數(shù)載流子對(duì)電流作出貢獻(xiàn)。多數(shù)載流子（P區(qū)中的空穴或區(qū)中的空穴或N區(qū)中區(qū)中的電子）則受勢(shì)壘區(qū)電場(chǎng)的排斥而留在勢(shì)壘區(qū)的邊緣。的電子）則受勢(shì)壘區(qū)電場(chǎng)的排斥而留在勢(shì)壘區(qū)的邊緣。1. 光電二極管的工作原理光電二極管的工作原理 當(dāng)當(dāng)PN結(jié)外電路短路時(shí)，這個(gè)光電流將全部流過(guò)短接回路，結(jié)外電路短路時(shí)，這個(gè)光電流將全部流過(guò)短接回路， 即從即從P區(qū)和勢(shì)壘區(qū)流入?yún)^(qū)和勢(shì)壘

15、區(qū)流入N區(qū)的光生電子將通過(guò)外短接回路全部流區(qū)的光生電子將通過(guò)外短接回路全部流到到P區(qū)電極處，與區(qū)電極處，與P區(qū)流出的光生空穴復(fù)合。因此，短接時(shí)外回區(qū)流出的光生空穴復(fù)合。因此，短接時(shí)外回路中的電流是路中的電流是IL，其方向由，其方向由P端經(jīng)外接回路流向端經(jīng)外接回路流向N端。這時(shí)，端。這時(shí)，PN結(jié)中的載流子濃度保持平衡值。結(jié)中的載流子濃度保持平衡值。 當(dāng)當(dāng)PN結(jié)開(kāi)路或接有負(fù)載時(shí)，勢(shì)壘區(qū)電場(chǎng)收集的光生載流子結(jié)開(kāi)路或接有負(fù)載時(shí)，勢(shì)壘區(qū)電場(chǎng)收集的光生載流子便要在勢(shì)壘區(qū)兩邊積累，從而使便要在勢(shì)壘區(qū)兩邊積累，從而使P區(qū)電位升高，區(qū)電位升高，N區(qū)電位降低，區(qū)電位降低， 造成一個(gè)光生電動(dòng)勢(shì)。它相當(dāng)于在造成一個(gè)光

16、生電動(dòng)勢(shì)。它相當(dāng)于在PN結(jié)上加了正向偏壓。只不結(jié)上加了正向偏壓。只不過(guò)這是由光照形成，而不是電源饋送的，過(guò)這是由光照形成，而不是電源饋送的， 這稱(chēng)為光生電壓，這稱(chēng)為光生電壓， 這這種現(xiàn)象就是光生伏特效應(yīng)。種現(xiàn)象就是光生伏特效應(yīng)。 光在半導(dǎo)體中傳播時(shí)的衰減是由于價(jià)帶電子吸收光子而從價(jià)光在半導(dǎo)體中傳播時(shí)的衰減是由于價(jià)帶電子吸收光子而從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶的結(jié)果，這種吸收光子的過(guò)程稱(chēng)為本征吸收。硅帶躍遷到導(dǎo)帶的結(jié)果，這種吸收光子的過(guò)程稱(chēng)為本征吸收。硅的本征吸收系數(shù)隨入射光波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)如圖所示。由圖可見(jiàn)，的本征吸收系數(shù)隨入射光波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)如圖所示。由圖可見(jiàn)，在紅外部分吸收系數(shù)小，紫外部分吸收系數(shù)大。這就

17、表明，在紅外部分吸收系數(shù)小，紫外部分吸收系數(shù)大。這就表明， 波波長(zhǎng)短的光子衰減快，穿透深度較淺，而波長(zhǎng)長(zhǎng)的光子則能進(jìn)入長(zhǎng)短的光子衰減快，穿透深度較淺，而波長(zhǎng)長(zhǎng)的光子則能進(jìn)入硅的較深區(qū)域。硅的較深區(qū)域。 吸收系數(shù)隨波長(zhǎng)的變化吸收系數(shù)隨波長(zhǎng)的變化 0.2 0.4 0.6 0.81.2 1.4 1.61.8102101101102330 K77 K1061051041031021011波長(zhǎng) / m穿透深度(1 / ) /m吸收系數(shù) / cm1103SiGeGaAs 對(duì)于光電器件而言，還常用量對(duì)于光電器件而言，還常用量子效率來(lái)表征光生電子流與入射光子效率來(lái)表征光生電子流與入射光子流的比值大小。其物理意

18、義是指子流的比值大小。其物理意義是指單位時(shí)間內(nèi)每入射一個(gè)光子所引起單位時(shí)間內(nèi)每入射一個(gè)光子所引起的流動(dòng)電子數(shù)。根據(jù)理論計(jì)算可以的流動(dòng)電子數(shù)。根據(jù)理論計(jì)算可以得到，得到， P區(qū)在不同結(jié)深時(shí)量子效率區(qū)在不同結(jié)深時(shí)量子效率隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)如圖所示。圖中隨波長(zhǎng)變化的曲線(xiàn)如圖所示。圖中xj即表示結(jié)深。淺的即表示結(jié)深。淺的PN結(jié)有較好的結(jié)有較好的藍(lán)紫光靈敏度，深的藍(lán)紫光靈敏度，深的PN結(jié)則有利結(jié)則有利于紅外靈敏度的提高，于紅外靈敏度的提高， 半導(dǎo)體色半導(dǎo)體色敏器件正是利用了這一特性。敏器件正是利用了這一特性。 量子效率隨波長(zhǎng)的變化量子效率隨波長(zhǎng)的變化 0.40.60.81.0 / m00.20.40.60

19、.8量子效率xj2 mxj1 mxj0.5 m 在圖中所表示的在圖中所表示的P-N-P不是晶體管，而是結(jié)深不同的兩不是晶體管，而是結(jié)深不同的兩個(gè)個(gè)PN結(jié)二極管，淺結(jié)的二極管是結(jié)二極管，淺結(jié)的二極管是PN結(jié)；深結(jié)的二極管是結(jié)；深結(jié)的二極管是PN結(jié)。結(jié)。 當(dāng)有入射光照射時(shí)，當(dāng)有入射光照射時(shí)，P、N、P三個(gè)區(qū)域及其間的勢(shì)壘區(qū)三個(gè)區(qū)域及其間的勢(shì)壘區(qū)中都有光子吸收，但效果不同。如上所述，紫外光部分吸收中都有光子吸收，但效果不同。如上所述，紫外光部分吸收系數(shù)大，系數(shù)大， 經(jīng)過(guò)很短距離已基本吸收完畢。在此，淺結(jié)的即是經(jīng)過(guò)很短距離已基本吸收完畢。在此，淺結(jié)的即是光電二極管對(duì)紫外光的靈敏度高，而紅外部分吸收系數(shù)

20、較小，光電二極管對(duì)紫外光的靈敏度高，而紅外部分吸收系數(shù)較小，這類(lèi)波長(zhǎng)的光子則主要在深結(jié)區(qū)被吸收。因此，深結(jié)的那只這類(lèi)波長(zhǎng)的光子則主要在深結(jié)區(qū)被吸收。因此，深結(jié)的那只光電二極管對(duì)紅外光的靈敏度較高。光電二極管對(duì)紅外光的靈敏度較高。 2. 半導(dǎo)體色敏傳感器工作原理半導(dǎo)體色敏傳感器工作原理這就是說(shuō)，在半導(dǎo)體中不同的區(qū)域?qū)Σ煌牟ㄩL(zhǎng)分別具有不同的這就是說(shuō)，在半導(dǎo)體中不同的區(qū)域?qū)Σ煌牟ㄩL(zhǎng)分別具有不同的靈敏度。這一特性給我們提供了將這種器件用于顏色識(shí)別的可能靈敏度。這一特性給我們提供了將這種器件用于顏色識(shí)別的可能性，也就是可以用來(lái)測(cè)量入射光的波長(zhǎng)。將兩只結(jié)深不同的光電性，也就是可以用來(lái)測(cè)量入射光的波長(zhǎng)。

21、將兩只結(jié)深不同的光電二極管組合，就構(gòu)成了可以測(cè)定波長(zhǎng)的半導(dǎo)體色敏傳感器。二極管組合，就構(gòu)成了可以測(cè)定波長(zhǎng)的半導(dǎo)體色敏傳感器。 在在具體應(yīng)用時(shí)，具體應(yīng)用時(shí)， 應(yīng)先對(duì)該色敏器件進(jìn)行標(biāo)定。也就是說(shuō)，測(cè)定不應(yīng)先對(duì)該色敏器件進(jìn)行標(biāo)定。也就是說(shuō)，測(cè)定不同波長(zhǎng)的光照射下該器件中兩只光電二極管短路電流的比值同波長(zhǎng)的光照射下該器件中兩只光電二極管短路電流的比值ISD2/ISD1。ISD1是淺結(jié)二極管的短路電流，它在短波區(qū)較大；是淺結(jié)二極管的短路電流，它在短波區(qū)較大；ISD2是深結(jié)二極管的短路電流，它在長(zhǎng)波區(qū)較大，因而二者的比值與是深結(jié)二極管的短路電流，它在長(zhǎng)波區(qū)較大，因而二者的比值與入射單色光波長(zhǎng)的關(guān)系就可以確定。根據(jù)標(biāo)定的曲線(xiàn)，實(shí)測(cè)出某入射單色光波長(zhǎng)的關(guān)系就可以確定。根據(jù)標(biāo)定的曲線(xiàn)，實(shí)測(cè)出某一單色光時(shí)的短路電流比值，一單色光時(shí)的短路電流比值