三極管特性曲線(xiàn)參數(shù)及場(chǎng)效應(yīng)管 模擬電子 傳感器技術(shù) 教學(xué)ppt課件

1、 共發(fā)射極接法的供電電路和電壓-電流關(guān)系如以下圖。圖 共發(fā)射極接法的電壓-電流關(guān)系雙極型半導(dǎo)體三極管的特性曲線(xiàn); iB是輸入電流，vBE是輸入電壓，加在B、E兩電極之間。 iC是輸出電流，vCE是輸出電壓，從C、E 兩電極取出。 輸入特性曲線(xiàn) iB=fvBE vCE=const 輸出特性曲線(xiàn) iC=fvCE iB=const共發(fā)射極接法三極管的特性曲線(xiàn)，即;1 輸入特性曲線(xiàn); 2輸出特性曲線(xiàn) 共發(fā)射極接法的輸出特性曲線(xiàn)如圖02.06所示，它是以iB為參變量的一族特性曲線(xiàn)。現(xiàn)以其中任何一條加以闡明，當(dāng)vCE=0 V時(shí)，因集電極無(wú)搜集作用，iC=0。當(dāng)vCE稍增大時(shí)，發(fā)射結(jié)雖處于正向電壓之下，但集

2、電結(jié)反偏電壓很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0，VGS=0， ID不等于零。2VGS0時(shí)，ID 。3VGS0時(shí)，ID 。圖圖 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET的構(gòu)造的構(gòu)造; a a 構(gòu)造表示圖構(gòu)造表示圖 b b 轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn) 圖圖02.17 N02.17 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET的構(gòu)造的構(gòu)造 和和轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn) 2N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET; 3P溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET P溝道溝道MOSFET的任務(wù)原理與的任務(wù)原理與N溝道溝道MOSFET完全一樣，只不過(guò)導(dǎo)電的載流完全一樣，只不過(guò)導(dǎo)電的載

3、流子不同，供電電壓極性不同而已。這如子不同，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有同雙極型三極管有NPN型和型和PNP型一樣。型一樣。; 圖02.18 各類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)三極管的特性曲線(xiàn)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型伏安特性曲線(xiàn)伏安特性曲線(xiàn);絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型;結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P溝道耗盡型;2.2.4 2.2.4 場(chǎng)效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號(hào)1 場(chǎng)效應(yīng)三極管的參數(shù) 開(kāi)啟電壓VGSth 或VT 開(kāi)啟電壓是MOS加強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值, 場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。 夾斷電壓VGSoff 或VP 夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGSoff 時(shí),漏極電流為零。 飽和漏極電流IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管, 當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。; 輸入電阻輸入電阻RGS 場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于約大于107，對(duì)，對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管, RGS約是約是1091015。 低頻跨導(dǎo)gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制造用，這一點(diǎn)與電子管的控制造用類(lèi)似。gm可以在轉(zhuǎn) 移特性曲線(xiàn)上求