內(nèi)存相關(guān)知識(shí)總結(jié)講課教案

1、內(nèi)存相關(guān)知識(shí)總結(jié)內(nèi)容n內(nèi)存相關(guān)名詞解釋n內(nèi)存種類n內(nèi)存區(qū)別及信號(hào)描述n內(nèi)存基本時(shí)序n內(nèi)存設(shè)計(jì)nExample168Pin SDRAM 兩個(gè)卡口兩個(gè)卡口240 pin DDR2 184Pin DDR 工作電壓工作電壓 3.3V工作電壓工作電壓 2.5V工作電壓工作電壓 1.8VDIMM內(nèi)存條2. 內(nèi)存種類144Pin SDRAM工作電壓工作電壓 2.5V200 pin DDR200 pin DDR2工作電壓工作電壓 1.8V工作電壓工作電壓 3.3VSODIMM內(nèi)存條工作電壓工作電壓 2.5V172 pin DDRMicro-DIMM內(nèi)存條用于筆記本工作電壓工作電壓 1.8V214 pin DD

2、R2MINI Registered DIMM內(nèi)存條用于筆記本工作電壓工作電壓 1.8V244 pin DDR2內(nèi)存芯片及內(nèi)存條生產(chǎn)內(nèi)存芯片及內(nèi)存條生產(chǎn)廠商廠商廠商網(wǎng)址廠商網(wǎng)址KINGMAX（勝創(chuàng)）http:/ （以時(shí)鐘頻率來(lái)命名）PC100PC133nDDR（DDR/DDR2/DDR3以數(shù)據(jù)傳輸率命名，單位 MB/s）PC 1600- DDR200 (64bit100MHz281600MB/s)PC 2100- DDR266 （64bit133MHz282128MB/s）PC 2700- DDR333PC 3200 -DDR400nDDR2PC2-4300- DDR2 533PC2-5300-

3、 DDR2-667PC2-6400- DDR2 -800nDDR3PC3-6400- DDR3 800PC3-8500- DDR3-1066PC3-10600- DDR3 -1333PC3-12800- DDR3 -1600內(nèi)存代碼含義 SDR DDR DDR2 DDR3 工作電壓(V) 3.3 (LVTTL標(biāo)準(zhǔn)) 2.5 (SSTL2標(biāo)準(zhǔn)) 1.8 (SSTL_18) 1.5V CLOCK 頻率(MHz) 66/100/133 100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200 數(shù)據(jù)傳輸率(MHz) 66/100/133 200/266/333/4

4、00 400/533/667/800 800/1066/1333/1600 密度(Mb)64/128/256/512256/512/1Gb256/512/1Gb/2Gb1Gb/2Gb位寬(bit) x4/x8/x16/x32 x4/x8/x16 x4/x8/x16x4/x8/x16BANK444/88Termination無(wú)無(wú)ODT (optional)ODT DATA Strobe無(wú)單端差分/單端差分/單端System Synchronization Master Reset 儲(chǔ)存溫度(攝氏度) (-55)-125 0-70 (-40)-85 0-85 (-40)-95(-55)-100 封

5、裝 TSOP/FBGATSOP/FBGAFBGA FBGA SDR/DDR/DDR2/DDR3區(qū)別3. 幾種內(nèi)存的區(qū)別及信號(hào)描述SDR信號(hào)描述Symbol Type Description1 An:0 I地址信號(hào) BA0(A13)BA1(A12)IBANK片選與地址復(fù)用CLK I時(shí)鐘CKE I時(shí)鐘使能RAS# I行地址選通CS# I片選CAS# I列地址選通WE# I寫使能DQM,DQML/DQMH IDQ Mask.寫屏蔽 For x16：DQML/DQMHFor x8/x4:DQMDQ(x:0) I/O數(shù)據(jù)信號(hào)VCC/VCCQPowerVSS/VSSQ GNDSymbol Type Des

6、cription1 CK/CK#差分時(shí)鐘CKEI時(shí)鐘使能CS#I片選RAS# CAS# WE# I行地址選通 列地址選通 寫使能DMLDM/UDMIDQ Mask.寫屏蔽 For x16：LDM/UDMFor x8/x4:DMBA0/BA1IBANK 片選A0A13I地址線DQI/O數(shù)據(jù)線DQSLDQS/UDQSI/O數(shù)據(jù)選通For x16：LDQS/UDQSFor x8/x4:DQSVDDQ/VDD/VREF電源VSSQ/VSS地DDR信號(hào)描述DDR2信號(hào)描述信號(hào)描述CK/CK#CLOCK InputCKEClock EnableCS#RANK SelectODTOn die termina

7、tion 可通過(guò)設(shè)置寄存器EMR(1)使能內(nèi)部端接電阻RAS#，CAS#，WE#行選通，列選通，寫輸入使能DMUDM/LDMWrite data mask: DM for 4 8UDM/LDM for 16BA0-BA2BANK SELECTA0-A15Address input:提供行地址，列地址，讀寫命令的預(yù)充電位在預(yù)充電命令期間，A10為低，只對(duì)一個(gè)BANK充電；A10為高時(shí)，對(duì)所有BANK預(yù)充電DQData input/outputDQ S/DQ S#RDQ S/RDQ S#UDQ S/UDQ S#LDQ S/LDQS#Data strobe:4 DQ S/DQ S#8 DQ S/DQ

8、 S# RDQ S/RDQ S#(可配置為一對(duì)或兩對(duì)選通)16 UDQ S/UDQ S#(對(duì)應(yīng)DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(對(duì)應(yīng)DQ0-DQ7)VDDQ/VDDL/VDD/VREFPOWERVSSQ/VSSDL/VSSGNDDDR3信號(hào)描述信號(hào)描述CK/CK#CLOCK InputCKEClock EnableCS#RANK SelectODTOn die termination 可通過(guò)設(shè)置寄存器EMR(1)使能內(nèi)部端接電阻RAS#，CAS#，WE#行選通，列選通，寫輸入使能DMDMU/DMLWrite data mask: DM for 4 8DMU/DML for 16BA

9、0-BA2BANK SELECTA0-A15Address input:提供行地址，列地址，讀寫命令的預(yù)充電位在預(yù)充電命令期間，A10為低，只對(duì)一個(gè)BANK充電；A10為高時(shí)，對(duì)所有BANK預(yù)充電BC#/A12Burst chopDQData input/outputTDQS, TDQS#Termination Data Strobe: for 8ZQReference Pin for ZQ calibrationDQU, DQL, DQS,DQS#,DQSU,DQSU#,DQSL,DQSL#Data strobe:VDDQ/VDD/VREFDQ/VREFCAPOWERVSSQ/VSSGND4

10、.內(nèi)存基本時(shí)序初始化預(yù)充電BANK激活讀寫預(yù)充電詳細(xì)內(nèi)容見(jiàn)JESD相關(guān)規(guī)范DDR2 內(nèi)存基本時(shí)序(JESD79-2E)nDDR2 SDRAM內(nèi)部有4個(gè)模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3)n向4個(gè)寄存器中寫入相應(yīng)的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM的工作參數(shù)。n命令的寫入是通過(guò)地址線和BA片選線實(shí)現(xiàn)。BA2BA1BA0A13-A15A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0向上述表格中信號(hào)寫入不同的值即實(shí)現(xiàn)了對(duì)各個(gè)寄存器命令的寫入n上電時(shí)，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ來(lái)自同一Power Source，VTTVDDQmin

11、時(shí)，完成上電。n啟動(dòng)時(shí)鐘，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT穩(wěn)定后至少200us，CK/CK#穩(wěn)定，執(zhí)行NOP，并將CKE=High。n400us后，執(zhí)行Precharge All。nEMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High)nEMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High)nEMRS使能DLL。nMRSreset DLL。nPrecharge all.nAuto-refresh 2 or more.nMRS（A8=Low）.初始化 Device。nOCD Calibration，exit OCD Calibration m

12、ode。nDDR2 SDRAM 初始化完成。 初始化BANK激活n激活BANK時(shí)：CAS#=WE#=High，CS#=RAS#=Low。nBA0-BA2：選擇所要激活的BANK。nA0-A15：確定所選擇BANK的行地址。n激活BANK之前，不能進(jìn)行Read/Write操作。n同一BANK在執(zhí)行相鄰的兩個(gè)激活命令之間，必須進(jìn)行一次預(yù)充電。n幾個(gè)時(shí)間的定義 tRAS：ACT to PRE Delay tRP： PRE to ACT Delay tRC：ACT to ACT Delay tRCD：ACT to RD(A) or WT(A) Delay（RAS# to CAS# Delay） CL：

13、CAS# LatencyRead/Write 具體時(shí)序可參考規(guī)范JESD79-2E內(nèi)存讀寫可分為行有效和列讀寫兩個(gè)部分，n行有效時(shí)序理解為：CKE有效（時(shí)鐘有效）CS#有效（選擇一個(gè)Rank）BA0，BA1有效（選擇一個(gè)邏輯地址Bank）RAS#有效（行地址選通）A0-An有效（行地址有效）。n列讀寫時(shí)序理解為：CKE有效（時(shí)鐘有效）CS#有效（選擇一個(gè)Rank）BA0，BA1有效（選擇一個(gè)邏輯地址Bank）CAS#有效（列地址選通）A0-An有效（列地址有效）。5.內(nèi)存設(shè)計(jì)DDR2顆粒：256Mb/512Mb(4 BANK) 1Gb/2Gb/4Gb(8 BANK)目前公司內(nèi)存設(shè)計(jì)模組主要有：

14、nOn Board MemorynDIMM：168Pin(SDRAM) 184Pin(DDR) 240Pin(DDR2)nSODIMM：144Pin(SDRAM) 200Pin(DDR/DDR2)除此之外，還有用于筆記本的內(nèi)存模組MicroDIMM：172Pin(DDR) 214Pin(DDR2)Mini Registered DIMM：244pin (DDR2 )設(shè)計(jì)模塊內(nèi)存設(shè)計(jì)主要信號(hào)：nCK/CK#：240Pin和184Pin DIMM有三個(gè)CLOCK差分輸 入 ，SODIMM只有兩個(gè)CLOCK輸入。根據(jù)內(nèi)存顆粒的不同，每個(gè)CLOCK負(fù)載也不同。nCS#：RANK片選，每個(gè)RANK對(duì)應(yīng)一

15、個(gè)獨(dú)立的CS#信號(hào)。nCKE：時(shí)鐘使能，每個(gè)RANK對(duì)應(yīng)一個(gè)獨(dú)立的CKE信號(hào)。nODT：On Die Termination ，每個(gè)RANK對(duì)應(yīng)一個(gè)獨(dú)立的 ODT信號(hào)。nBS ：BANK片選，每個(gè)通道對(duì)應(yīng)一組BS片選，用于選擇該通道上的BANKSPDnSPD是Serial Presence Detect（串行存在檢測(cè)）的縮寫。是內(nèi)存條上的一顆采用SOIC封裝形式8針的EEPROM，容量為256字節(jié)。SPD芯片內(nèi)記錄了該內(nèi)存的許多重要信息，諸如內(nèi)存芯片及模組的生產(chǎn)廠商、工作頻率、工作電壓、速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)。SPD信息一般都是在出廠前，由內(nèi)存模組制造商根據(jù)內(nèi)存芯片的實(shí)際參數(shù)寫入到ROM芯片中。計(jì)算機(jī)通過(guò)識(shí)別SPD的信息，配置內(nèi)存運(yùn)行的參數(shù)，我們可以通過(guò)硬件檢測(cè)軟件比如CPU-Z等檢測(cè)SPD信息，來(lái)了解一個(gè)內(nèi)存條的參數(shù)。EEPROM Device Diagram：Pin Description：其中SDA/SCL為SMBus總線Device Type IdentifierChip Enable BitsR/W#SPDAddressb7b6