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1、Lorem ipsum PN節(jié)的介紹1光生伏打效應2晶硅太陽能電池工作原理3N型半導體： 在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。 PN節(jié)介紹1P型半導體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導體。 PN節(jié)介紹1PN結：采用不同的摻雜工藝，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN結。 PN節(jié)介紹11、光生伏打效應:太陽能電池能量轉換的基礎是半導體PN結的光生伏打效應。當光照射到半導體光伏器件上時，能量大于硅禁帶寬度的光子穿過減反射膜進入硅中，在N區(qū)、耗盡區(qū)和P區(qū)中激發(fā)出光生電子

2、-空穴對。耗盡區(qū)：耗盡區(qū)：光生電子-空穴對在耗盡區(qū)中產生后，立即被內建電場分離，光生電子被送進N區(qū)，光生空穴則被推進P區(qū) 光生伏打效應2在在N N區(qū)中：區(qū)中：光生電子-空穴對產生以后，光生空穴便向P-N結邊界擴散，一旦到達P-N結邊界，便立即受到內建電場作用，被電場力牽引作漂移運動，越過耗盡區(qū)進入P區(qū)，光生電子（多子）則被留在N區(qū)。在在P P區(qū)中：區(qū)中：光生電子（少子）同樣的先因為擴散、后因為漂移而進入N區(qū)，光生空穴（多子）留在P區(qū)。如此便在P-N結兩側形成了正、負電荷的積累，使N區(qū)儲存了過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴。從而形成與內建電場方向相反的光生電場。 光生伏打效應2光生電場除了部分抵消勢

3、壘電場的作用外，還使P區(qū)帶正電，N區(qū)帶負電，在N區(qū)和P區(qū)之間的薄層就產生電動勢，這就是光生伏打效應。如果將P-N結兩端開路，可以測得這個電動勢，稱之為開路電壓Uoc。對晶體硅電池來說，開路電壓的典型值為0.50.6V。如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過，這個電流稱為短路電流Isc。 光生伏打效應2晶硅內存在PN結，在P型和N型交界面兩邊形成勢壘電場，能將電子驅向N區(qū)，空穴驅向P區(qū)，從而使得N區(qū)有過剩的電子，P區(qū)有過剩的空穴，在PN結附近形成與勢壘電場方向相反的光生電場。 晶硅太陽能電池工作原理3若分別在P型層和N型層焊上金屬引線，接通負載，則外電路便有電流通過。如此形成的一個個電池元件，把它們串聯(lián)、并

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