04微電子概論半導(dǎo)體工藝

1、半導(dǎo)體器件工藝（半導(dǎo)體工藝部分）哈爾濱工程大學(xué)信息與通信工程學(xué)院l 集成電路的制造需要非常復(fù)雜的技術(shù)，它主要由半導(dǎo)體物理與器件專(zhuān)業(yè)負(fù)責(zé)研究。VLSI設(shè)計(jì)者可以不去深入研究，但是作為從事系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師，有必要了解芯片設(shè)計(jì)中的工藝基礎(chǔ)知識(shí)，才能根據(jù)工藝技術(shù)的特點(diǎn)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)方案。對(duì)于電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，更多關(guān)注的是工藝制造的能力，而不是工藝的具體實(shí)施過(guò)程。l 由于SOC的出現(xiàn)，給IC設(shè)計(jì)者提出了更高的要求，也面臨著新的挑戰(zhàn)：設(shè)計(jì)者不僅要懂系統(tǒng)、電路，也要懂工藝、制造。1.學(xué)習(xí)工藝的必要性緒論2.集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)芯片檢測(cè)單晶、外單晶、外延材料延材料掩膜版掩膜版芯片

2、制芯片制造過(guò)程造過(guò)程封裝封裝測(cè)試測(cè)試 系統(tǒng)需求系統(tǒng)需求制造業(yè)制造業(yè)3.芯片制造過(guò)程由氧化、淀積、離子注入或蒸由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層發(fā)形成新的薄膜或膜層曝曝 光光刻刻 蝕蝕硅片硅片測(cè)試和封裝測(cè)試和封裝用掩膜版用掩膜版重復(fù)重復(fù)20-30次次集成電路芯片的顯微照片Vsspoly 柵Vdd布線通道參考孔有源區(qū)N+P+溝道長(zhǎng)度為0.15微米的晶體管 柵長(zhǎng)為90納米的柵圖形照片 50 m100 m頭發(fā)絲粗細(xì)頭發(fā)絲粗細(xì) 30 m1 m 1 m(晶體管的大小晶體管的大小)3050 m(皮膚細(xì)胞的大小皮膚細(xì)胞的大小)90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人

3、類(lèi)頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較類(lèi)頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較N溝道溝道MOS晶體管晶體管CMOS集成電路集成電路(互補(bǔ)型互補(bǔ)型MOS集成電路集成電路)：目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占集成電路總數(shù)的集成電路總數(shù)的95%以上。以上。集成電路制造工藝 圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類(lèi)似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上 摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等 制膜：制作各種材料的薄膜第一章、晶體的生長(zhǎng)和外延 我們將介紹最常用的生長(zhǎng)半導(dǎo)體單晶（最重要的是硅和砷化鎵）的工藝。 一種與晶體生長(zhǎng)密切相關(guān)的技術(shù)叫“外延生長(zhǎng)”，當(dāng)外

4、延層和襯底材料相同時(shí)，就稱(chēng)為“同質(zhì)外延”1.硅的基本性能硅的基本性能 導(dǎo)電性能導(dǎo)電性能摻雜濃度越高，電阻率越低。摻雜濃度越高，電阻率越低。10-31010 cm加入不同雜質(zhì)導(dǎo)致不同的導(dǎo)電類(lèi)型。加入不同雜質(zhì)導(dǎo)致不同的導(dǎo)電類(lèi)型。N型，型，P型型 物理性能物理性能硬度硬度8.5 107g/cm2，熔點(diǎn)熔點(diǎn)1420 C，E=190GPa， =2.3g/cm3 化學(xué)性質(zhì)化學(xué)性質(zhì)IV族，易與金屬形成合金，易被堿性溶液腐族，易與金屬形成合金，易被堿性溶液腐蝕，主要以氧化物形式存在蝕，主要以氧化物形式存在。 晶體性能晶體性能三種主要晶向：三種主要晶向：100、110、1112.硅片的制備硅片的制備 原料：石英

5、砂（原料：石英砂（SiO2） 在電弧爐中冶煉冶金級(jí)硅，純度在電弧爐中冶煉冶金級(jí)硅，純度99%用用C或或Al還原還原含含C、Fe、Al、Ti、B、P等雜質(zhì)等雜質(zhì) 化學(xué)提純?yōu)榘雽?dǎo)體級(jí)多晶硅化學(xué)提純?yōu)榘雽?dǎo)體級(jí)多晶硅三氯氫硅法和硅烷法三氯氫硅法和硅烷法 熔融拉片，形成單晶硅熔融拉片，形成單晶硅 制片：切片，磨片，拋光，清洗制片：切片，磨片，拋光，清洗3. 硅圓片工藝硅圓片工藝晶片: 只含有極少“缺陷”的單晶硅體?！扒锌藙谒够ā鄙L(zhǎng)單晶硅“切克勞斯基法”:將一塊稱(chēng)為籽晶的單晶硅浸入熔融硅中，然后在旋轉(zhuǎn)籽晶的同時(shí)緩慢地把其從熔融硅中拉起。結(jié)果，就形成圓柱形的大單晶棒。生長(zhǎng)時(shí)，可在熔融硅中摻入雜質(zhì)來(lái)獲得期

6、望的電阻率 。直拉單晶硅Silicon Ingots (400mm)大單晶棒能切成薄的圓片（wafer） 在大多數(shù)CMOS技術(shù)中，圓片的電阻率為0.05到0.1cm，厚度約為500到1000微米。chip4.硅片直徑變大的好處 5、外延工藝 1）外延工藝概述 定義:外延(epitaxy)是在單晶襯底上生長(zhǎng)一 層單晶膜的技術(shù)。新生單晶層按襯底晶 相延伸生長(zhǎng)，并稱(chēng)此為外延層。長(zhǎng)了外 延層的襯底稱(chēng)為外延片。 圖11 Si表面原子分辨圖象顯示出平臺(tái)是由Si的二聚物行列組成，這些二聚物行列每生長(zhǎng)一層則改變其取向。2）CVD:Chemical Vapor Deposition(化學(xué)汽相淀積） *晶體結(jié)構(gòu)良

7、好 *摻入的雜質(zhì)濃度易控制 *可形成接近突變pn結(jié) * 外延分類(lèi): 氣相外延(VPE)常用 液相外延(LPE) 固相外延(SPE)熔融再結(jié)晶 分子束外延(MBE)超薄 化學(xué)氣相淀積(CVD) 低溫, 多（非）晶 材料異同 同質(zhì)結(jié)Si-Si 異質(zhì)結(jié)GaAs-AlxGa(1-x) As, Ge-Si Ge-Si 溫度：外延高溫1000以上 CVD低溫1000以下3）硅氣相外延工藝 外延原理 氫還原反應(yīng)硅烷熱分解腐蝕）固）固）(241000242(4(20SiClSiSiClHClSiHSiClC2600420HSiSiHC第二章、薄膜淀積 器件制造過(guò)程中還需要在晶片上淀積許多不同材料，如多晶硅、互

8、連層之間的絕緣材料以及互連金屬層。薄膜的淀積方法：1）熱氧化；2）介質(zhì)淀積；3）多晶硅淀積；4）金屬化。工藝上主要應(yīng)用3種工藝；1）氧化工藝；2）化學(xué)汽相淀積；3）物理汽相淀積。下面我們分別討論1、氧化工藝（Oxidation） 在硅片表面生成一層二氧化硅膜集成電路的基礎(chǔ)工藝技術(shù)是平面技術(shù)，首先將硅表面氧化，然后根據(jù)各元器件圖形在二氧化硅膜上開(kāi)設(shè)窗口，通過(guò)該窗口進(jìn)行定域操作。多次實(shí)施這種平面工藝，在硅片表面形成各種平面的元器件以及互連。這種技術(shù)之 所以能實(shí)施的關(guān)鍵在于：能比較容易地獲得適應(yīng)這些工藝的優(yōu)質(zhì)的二氧化 硅膜，即可以在硅表面生成非常均勻的氧化層而幾乎不在晶格中產(chǎn)生應(yīng)力。 氧化膜的用途=

9、光刻掩蔽膜(選擇擴(kuò)散的掩蔽層，離子注入的阻擋層)=MOS管的絕緣柵材料（gate oxide)，高質(zhì)量要求=電路隔離介質(zhì)或絕緣介質(zhì)，包括多層金屬間的介質(zhì)=電容介質(zhì)材料=器件表面保護(hù)或鈍化膜隔離氧化膜隔離氧化膜Field oxide氧化膜的生長(zhǎng)方法氧化膜的生長(zhǎng)方法1. 熱氧化：將裸露的硅片放在1000左右的氧化氣氛(如氧氣)中生長(zhǎng)氧化層。如柵氧、場(chǎng)氧的生長(zhǎng)。熱氧化時(shí)，氧化膜既在硅片表面形成，也向硅片內(nèi)延伸(1:0.44)。 干氧氧化：速度慢、質(zhì)量高 濕氧氧化：速度快、質(zhì)量差2. CVD (Chemical vapor deposition)。如生長(zhǎng)層間絕緣的氧化膜、保護(hù)膜。 可在低溫下制備氧化層

10、(200800)氧化工藝 氧化：制備SiO2層 SiO2的性質(zhì)及其作用 SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)SiO2的制備方法 熱氧化法干氧氧化水蒸汽氧化濕氧氧化干氧濕氧干氧(簡(jiǎn)稱(chēng)干濕干)氧化法氫氧合成氧化 化學(xué)氣相淀積法 熱分解淀積法 濺射法進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖2、化學(xué)汽相淀積(CVD) 化學(xué)汽相淀積(Chemical Vapor Deposition)：通過(guò)氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過(guò)程。（APCVD、LPCVD、PECVD） CVD技術(shù)特點(diǎn)：具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于

11、控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬(鎢、鉬)等化學(xué)汽相淀積(CVD)分類(lèi)常壓化學(xué)汽相淀積(APCVD)低壓化學(xué)汽相淀積(LPCVD)等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖平行板型平行板型PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 單晶硅的化學(xué)汽相淀積(外延)：一般地，將在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶材料的工藝叫做外延，生長(zhǎng)有外延層的晶體片叫做外延片 二氧化硅的化學(xué)汽

12、相淀積：可以作為金屬化時(shí)的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源 低溫CVD氧化層：低于500中等溫度淀積：500800高溫淀積：900左右 多晶硅的化學(xué)汽相淀積：利用多晶硅替代金屬鋁作為MOS器件的柵極是MOS集成電路技術(shù)的重大突破之一，它比利用金屬鋁作為柵極的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅柵技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)源漏區(qū)自對(duì)準(zhǔn)離子注入，使MOS集成電路的集成度得到很大提高。 氮化硅的化學(xué)汽相淀積：中等溫度(780820)的LPCVD或低溫(300) PECVD方法淀積3、物理氣相淀積(PVD) 蒸發(fā)：在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便

13、可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。按照能量來(lái)源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種。 濺射：真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場(chǎng)作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上。PVD主要用于制備各種金屬膜；PVD 金屬化：濺射和蒸發(fā)金屬化：濺射和蒸發(fā) 蒸發(fā)和濺射是制備金屬結(jié)構(gòu)層和電極的主要蒸發(fā)和濺射是制備金屬結(jié)構(gòu)層和電極的主要方法。是物理氣相淀積的方法。方法。是物理氣相淀積的方法。 金屬材料的要求金屬材料的要求良好的導(dǎo)電性良好的導(dǎo)電性容易形成良好的歐姆接觸容易形成良好的歐姆接觸與硅和二氧化硅粘附性好與硅和二氧化硅粘附性好能用蒸發(fā)或?yàn)R射的方法形成

14、薄膜能用蒸發(fā)或?yàn)R射的方法形成薄膜易于光刻，實(shí)現(xiàn)圖形化易于光刻，實(shí)現(xiàn)圖形化 常用金屬材料：常用金屬材料：Al, Au, Ag, Pt, W, Mo, Cr, Ti（1）蒸發(fā)）蒸發(fā) 在真空室中把金屬加熱到相當(dāng)高的溫度，在真空室中把金屬加熱到相當(dāng)高的溫度，形成金屬蒸汽，在硅片表面淀積形成金形成金屬蒸汽，在硅片表面淀積形成金屬薄膜。屬薄膜。 分類(lèi)：電阻加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)分類(lèi)：電阻加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā) 真空鍍膜機(jī)：真空鍍膜機(jī)：真空鍍膜室：鐘罩、加熱器、擋板、底盤(pán)真空鍍膜室：鐘罩、加熱器、擋板、底盤(pán)抽氣系統(tǒng)：抽氣系統(tǒng)：10-510-2Pa, 真空泵和擴(kuò)散泵真空泵和擴(kuò)散泵真空測(cè)量?jī)x器：熱偶、熱陰極電離、高

15、頻真空測(cè)量?jī)x器：熱偶、熱陰極電離、高頻火花火花蒸蒸發(fā)發(fā)原原理理圖圖蒸發(fā)蒸發(fā)Al工藝工藝 掛置掛置Al絲，清洗并放置硅片絲，清洗并放置硅片 抽真空：機(jī)械泵、擴(kuò)散泵，抽真空：機(jī)械泵、擴(kuò)散泵，7 10-3Pa 襯底加熱襯底加熱 熔球，預(yù)蒸發(fā)和蒸發(fā)熔球，預(yù)蒸發(fā)和蒸發(fā) 冷卻、取出硅片冷卻、取出硅片 合金化，形成歐姆接觸。合金化，形成歐姆接觸。577 C 質(zhì)量分析質(zhì)量分析厚度控制和測(cè)量：時(shí)間控制，電阻法，天平稱(chēng)量厚度控制和測(cè)量：時(shí)間控制，電阻法，天平稱(chēng)量鋁膜表面氧化鋁膜表面氧化電子束蒸發(fā)電子束蒸發(fā) 利用經(jīng)過(guò)高壓加速并聚焦的電子束，在真利用經(jīng)過(guò)高壓加速并聚焦的電子束，在真空中直接打到源表面，將源蒸發(fā)并淀積到

16、空中直接打到源表面，將源蒸發(fā)并淀積到襯底表面形成薄膜。襯底表面形成薄膜。 設(shè)備：偏轉(zhuǎn)電子槍真空鍍膜機(jī)設(shè)備：偏轉(zhuǎn)電子槍真空鍍膜機(jī) 優(yōu)點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)淀積的淀積的Al膜純度高，鈉離子玷污少膜純度高，鈉離子玷污少臺(tái)階覆蓋性能好臺(tái)階覆蓋性能好采用紅外線加熱襯底，工作效率高采用紅外線加熱襯底，工作效率高 缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：X射線破壞硅表面晶體。射線破壞硅表面晶體。（2）濺射）濺射 惰性氣體（惰性氣體（Ar）在真空室中高電場(chǎng)作用下在真空室中高電場(chǎng)作用下電離，產(chǎn)生的正離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速形成高電離，產(chǎn)生的正離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速形成高能離子流轟擊濺射靶，靶（源）原子和分能離子流轟擊濺射靶，靶（源）原子和分子離開(kāi)固體表面，以高速濺射到

17、陽(yáng)極（硅子離開(kāi)固體表面，以高速濺射到陽(yáng)極（硅片）上淀積形成薄膜。片）上淀積形成薄膜。 分類(lèi)：直流濺射、等離子體濺射和高頻濺分類(lèi)：直流濺射、等離子體濺射和高頻濺射射直流濺射直流濺射 設(shè)備：陰極（濺射源）、陽(yáng)極（硅片），設(shè)備：陰極（濺射源）、陽(yáng)極（硅片），距離距離310cm 氬氣壓強(qiáng)氬氣壓強(qiáng)110Pa 35V直流電壓，輝光放電直流電壓，輝光放電 特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可得到大面積均勻薄膜；特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可得到大面積均勻薄膜；放電電流容易隨電壓和氣壓變化，速率不放電電流容易隨電壓和氣壓變化，速率不易控制易控制 等離子四極濺射等離子四極濺射 熱陰極發(fā)射電子，在陰極和陽(yáng)極間產(chǎn)生等熱陰極發(fā)射電子，在陰極和陽(yáng)極

18、間產(chǎn)生等離子體。用電磁線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)可使等離離子體。用電磁線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)可使等離子體在中心軸附近聚焦成等離子柱。靶上子體在中心軸附近聚焦成等離子柱。靶上加負(fù)高壓，等離子體中的正離子在電場(chǎng)作加負(fù)高壓，等離子體中的正離子在電場(chǎng)作用下轟擊靶，使源原子濺射到接地的硅片用下轟擊靶，使源原子濺射到接地的硅片上。上。 特點(diǎn)：真空度要求低，淀積膜厚度容易控特點(diǎn)：真空度要求低，淀積膜厚度容易控制，金屬膜的純度高。制，金屬膜的純度高。高頻濺射高頻濺射 在絕緣材料的背面加上一個(gè)金屬電極，加在絕緣材料的背面加上一個(gè)金屬電極，加上高頻電壓，使絕緣材料中產(chǎn)生位移電流，上高頻電壓，使絕緣材料中產(chǎn)生位移電流，實(shí)現(xiàn)絕緣材料的濺

19、射淀積。實(shí)現(xiàn)絕緣材料的濺射淀積。 頻率：頻率：10MHz 特點(diǎn)：不需要熱陰極，能在較低的氣壓和特點(diǎn)：不需要熱陰極，能在較低的氣壓和電壓下進(jìn)行濺射，可以濺射多種材料的絕電壓下進(jìn)行濺射，可以濺射多種材料的絕緣介質(zhì)膜。緣介質(zhì)膜。集成電路制造工藝 圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類(lèi)似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上 摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等 制膜：制作各種材料的薄膜第三章、圖形曝光與刻蝕 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)是IC制造的精髓，它由光刻和刻蝕兩部分組成。 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的改進(jìn)與發(fā)展決定了器件特征尺寸的大小和集成電路發(fā)展的不同的技術(shù)時(shí)代。 特征尺寸是指集成電路技術(shù)所能

20、加工的器件的最小尺寸。 Moore定律：每個(gè)芯片上集成的元件數(shù)平均每18個(gè)月翻一翻，即集成電路芯片的集成度每3年增加4倍，半導(dǎo)體器件的特征尺寸以每3年縮小2倍的趨勢(shì)發(fā)展。 特征尺寸硅片尺寸 集成度、性能 性?xún)r(jià)比 半導(dǎo)體工業(yè)1、圖形轉(zhuǎn)換：光刻 幾種常見(jiàn)的光刻方法接觸式光刻：分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙(1025m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式三種光刻方式三種光刻方式掩膜版掩膜版光學(xué)系統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)光源光源光刻膠光刻膠硅片硅片接觸式接近式

21、投影式接觸式光刻機(jī)掃描投影式光刻機(jī)（canon)光刻工序：光刻膠的涂覆爆光顯影刻蝕去膠光刻的基本要素是掩模板和光刻膠。集成電路的集成度主要由光刻工藝到底能形成多么精細(xì)的圖形(分辨率，清晰度)，以及與其它層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來(lái)決定的。因此，為提高光刻工藝的精度，除利用性能優(yōu)良的光刻膠外，還需要有性能良好的曝光系統(tǒng)。 接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光X射線曝光、電子束曝光2.常見(jiàn)的光刻曝光方法 接觸式曝光：分辨率0.5um; 掩模版容易損壞；容易累積缺陷； 接近式曝光；硅片和掩模版之間的間隙在1025um；對(duì)于可見(jiàn)光，分辨率約1um；對(duì)X-ray，分辨率可以很高； 投影式曝光

22、（目前最常用的）投影式曝光Wafer StepperOptical Stepper3、圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法干法刻蝕：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過(guò)轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的1)濕法刻蝕 濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法，用在線條較大的IC(3m)；優(yōu)點(diǎn)：選擇性好；重復(fù)性好；生產(chǎn)效率高；設(shè)備簡(jiǎn)單；成本低；缺點(diǎn)：鉆蝕嚴(yán)重；對(duì)圖形的控制性差；廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝中：磨片、拋光、清洗、腐蝕；濕法的刻蝕原理濕法是接觸型腐蝕濕法化學(xué)腐蝕濕

23、法化學(xué)腐蝕 SiO2 的腐蝕：的腐蝕：腐蝕液：以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液；腐蝕液：以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液；光刻膠黏附不好，造成鉆蝕或脫膠；光刻膠黏附不好，造成鉆蝕或脫膠；淀積膜比熱氧化膜腐蝕速度快的多；淀積膜比熱氧化膜腐蝕速度快的多；含硼的氧化膜比含磷的氧化膜腐蝕速度慢；含硼的氧化膜比含磷的氧化膜腐蝕速度慢；腐蝕溫度：腐蝕溫度：3040 C。要嚴(yán)格控制腐蝕時(shí)間。要嚴(yán)格控制腐蝕時(shí)間。濕法化學(xué)腐蝕濕法化學(xué)腐蝕 Si3N4的腐蝕的腐蝕腐蝕劑：氫氟酸（薄層）或熱磷酸腐蝕劑：氫氟酸（薄層）或熱磷酸 Al的腐蝕的腐蝕腐蝕劑：磷酸、高錳酸鉀等腐蝕劑：磷酸、高錳酸鉀等加入無(wú)水乙醇或采用超聲振動(dòng)，去除氣泡；加入無(wú)水

24、乙醇或采用超聲振動(dòng)，去除氣泡；腐蝕溫度腐蝕溫度7090 C ；定期更換磷酸腐蝕劑定期更換磷酸腐蝕劑濕法化學(xué)腐蝕濕法化學(xué)腐蝕 單晶硅的腐蝕單晶硅的腐蝕各向同性腐蝕：采用硝酸、氫氟酸、醋酸混合各向同性腐蝕：采用硝酸、氫氟酸、醋酸混合水溶液做腐蝕劑。在化學(xué)拋光中使用；水溶液做腐蝕劑。在化學(xué)拋光中使用；各向異性腐蝕：各向異性腐蝕：無(wú)機(jī)腐蝕液：無(wú)機(jī)腐蝕液：KOH、NaOH、氨水等，加入異丙醇氨水等，加入異丙醇有機(jī)腐蝕液：有機(jī)腐蝕液：EPW（乙二胺、鄰苯二酚、水）、乙二胺、鄰苯二酚、水）、TMAH腐蝕液選擇的依據(jù)：污染、安全、設(shè)計(jì)。腐蝕液選擇的依據(jù)：污染、安全、設(shè)計(jì)。2)干法刻蝕 濺射與離子束銑蝕：通過(guò)高

25、能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕，各向異性性好，但選擇性較差 等離子刻蝕(Plasma Etching)：利用放電產(chǎn)生的游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)物，實(shí)現(xiàn)刻蝕。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差 反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching，簡(jiǎn)稱(chēng)為RIE)：通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前，RIE已成為VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù) 基本原理腐蝕劑氣體與被腐蝕樣品表面接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)腐蝕。干法等離子體腐蝕干法等離子體腐蝕 氣體分子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下發(fā)生輝光放電，氣體分子在強(qiáng)電場(chǎng)作

26、用下發(fā)生輝光放電，氣體分子被激勵(lì)產(chǎn)生活性基，垂直入射，氣體分子被激勵(lì)產(chǎn)生活性基，垂直入射，與被腐蝕層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成揮發(fā)性氣與被腐蝕層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成揮發(fā)性氣體。體。 特點(diǎn)：清潔、干燥，無(wú)浮膠現(xiàn)象，工藝過(guò)特點(diǎn)：清潔、干燥，無(wú)浮膠現(xiàn)象，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，圖形分辨率高。成本高。程簡(jiǎn)單，圖形分辨率高。成本高。 工作氣體：工作氣體：CF4在電場(chǎng)作用下形成多種活在電場(chǎng)作用下形成多種活性基，與性基，與Si、SiO2、Si3N4作用，生成揮發(fā)作用，生成揮發(fā)性氣體性氣體SiF4。干法等離子體腐蝕干法等離子體腐蝕 多晶硅的腐蝕：活性基多晶硅的腐蝕：活性基F*與硅反應(yīng)，加入與硅反應(yīng)，加入氧氣可以使氧氣可以使F*增

27、多，提高腐蝕速率。增多，提高腐蝕速率。 SiO2 、Si3N4的腐蝕：活性基的腐蝕：活性基CF3*與與SiO2 、Si3N4反應(yīng)，加入氧氣可以使反應(yīng)，加入氧氣可以使CF3*增多，提增多，提高腐蝕速率。也可以選用氟里昂（高腐蝕速率。也可以選用氟里昂（C3F8）。）。 鋁的腐蝕：用氯等離子體腐蝕，工作氣體鋁的腐蝕：用氯等離子體腐蝕，工作氣體CCl4?？杉尤霘鍤?，以濺射和腐蝕相結(jié)合可加入氬氣，以濺射和腐蝕相結(jié)合方式進(jìn)行。方式進(jìn)行。等離子刻蝕設(shè)備左、圓桶型 右、平板型3) 凈化和清洗凈化和清洗 清洗：除去器件制造過(guò)程中偶然引入的清洗：除去器件制造過(guò)程中偶然引入的“表面玷污表面玷污”雜質(zhì)（來(lái)自加工過(guò)程或

28、清雜質(zhì)（來(lái)自加工過(guò)程或清洗），如顆粒、雜質(zhì)膜、物理吸附或化學(xué)洗），如顆粒、雜質(zhì)膜、物理吸附或化學(xué)吸附等。清洗是一個(gè)必需的復(fù)雜的工藝過(guò)吸附等。清洗是一個(gè)必需的復(fù)雜的工藝過(guò)程。程。 清洗過(guò)程必須遵循固定的程序和順序。清洗過(guò)程必須遵循固定的程序和順序。 硅片的清洗：原始硅片、工藝環(huán)節(jié)前、甩硅片的清洗：原始硅片、工藝環(huán)節(jié)前、甩膠前、去膠后等；膠前、去膠后等；凈化凈化 保證半導(dǎo)體工藝環(huán)境保持潔凈保證半導(dǎo)體工藝環(huán)境保持潔凈 污染來(lái)源：污染來(lái)源：環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)、有害氣體；環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)、有害氣體；工作人員、設(shè)備、工具、藥品等帶入的雜質(zhì)。工作人員、設(shè)備、工具、藥品等帶入的雜質(zhì)。 凈化標(biāo)準(zhǔn)：以直徑大于凈

29、化標(biāo)準(zhǔn)：以直徑大于0.3 m的塵埃數(shù)衡量，的塵埃數(shù)衡量，分五級(jí)。相對(duì)濕度要求分五級(jí)。相對(duì)濕度要求4045%。 凈化方式：空氣過(guò)濾、潔凈室、超凈工作臺(tái)。凈化方式：空氣過(guò)濾、潔凈室、超凈工作臺(tái)。 風(fēng)淋、工作服、鞋、物品傳遞箱等風(fēng)淋、工作服、鞋、物品傳遞箱等第四章、雜質(zhì)摻雜 摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻、歐姆接觸磷(P)、砷(As) N型硅硼(B) P型硅 摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入1、擴(kuò)散、擴(kuò)散 定義：在一定溫度下雜質(zhì)原子具有一定能定義：在一定溫度下雜質(zhì)原子具有一定能量，能夠克服阻力進(jìn)入半導(dǎo)體并在其中做量，能夠克服阻力進(jìn)入半導(dǎo)體并在其中做緩慢的

30、遷移運(yùn)動(dòng)。緩慢的遷移運(yùn)動(dòng)。 形式：替代式擴(kuò)散形式：替代式擴(kuò)散(B)和間隙式擴(kuò)散和間隙式擴(kuò)散(Au) 一維擴(kuò)散方程（一維擴(kuò)散方程（D與溫度、雜質(zhì)種類(lèi)、氣與溫度、雜質(zhì)種類(lèi)、氣氛和襯底晶向有關(guān)）：氛和襯底晶向有關(guān)）： 恒定表面濃度擴(kuò)散和再分布擴(kuò)散恒定表面濃度擴(kuò)散和再分布擴(kuò)散22xNDtN 替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：、族元素族元素一般要在很高的溫度一般要在很高的溫度(9501280)下進(jìn)行下進(jìn)行磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴(kuò)散

31、的掩蔽層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層 間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：Na、K、Fe、Cu、Au 等元素等元素?cái)U(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大67個(gè)數(shù)量級(jí)個(gè)數(shù)量級(jí)雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖雜質(zhì)橫向擴(kuò)散示意圖擴(kuò)散工藝主要參數(shù)擴(kuò)散工藝主要參數(shù) 結(jié)深：結(jié)深：pn結(jié)距擴(kuò)散表面的深度結(jié)距擴(kuò)散表面的深度 薄層電阻薄層電阻Rs（方塊電阻）方塊電阻） 表面濃度表面濃度 次表面濃度。次表面濃度。擴(kuò)散方式擴(kuò)散方式 液態(tài)源擴(kuò)散：利用保護(hù)氣體攜帶雜質(zhì)蒸汽液態(tài)源擴(kuò)散：利用保護(hù)氣體攜帶雜質(zhì)蒸汽進(jìn)入反應(yīng)室，在高溫下分解并與硅表面發(fā)進(jìn)入反應(yīng)室，在高溫下分解并與硅表面發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生雜質(zhì)原子，

32、雜質(zhì)原子向硅內(nèi)生反應(yīng)，產(chǎn)生雜質(zhì)原子，雜質(zhì)原子向硅內(nèi)部擴(kuò)散。部擴(kuò)散。 固態(tài)源擴(kuò)散：固態(tài)源在高溫下汽化、活化固態(tài)源擴(kuò)散：固態(tài)源在高溫下汽化、活化后與硅表面反應(yīng)，雜質(zhì)分子進(jìn)入硅表面并后與硅表面反應(yīng)，雜質(zhì)分子進(jìn)入硅表面并向內(nèi)部擴(kuò)散。向內(nèi)部擴(kuò)散。利用液態(tài)源進(jìn)行擴(kuò)散的裝置示意圖固態(tài)源擴(kuò)散：如B2O3、P2O5、BN等液態(tài)源擴(kuò)散硼液態(tài)源擴(kuò)散硼B(yǎng) 擴(kuò)散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等擴(kuò)散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等 擴(kuò)散原理：硼酸三甲酯擴(kuò)散原理：硼酸三甲酯500 C分解后分解后與硅反與硅反應(yīng)，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子繼續(xù)應(yīng)，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子繼續(xù)向內(nèi)部擴(kuò)散，形成擴(kuò)散層。向內(nèi)部擴(kuò)散，形成擴(kuò)散層。

33、擴(kuò)散系統(tǒng)：擴(kuò)散系統(tǒng)：N2氣源、純化、擴(kuò)散源、擴(kuò)散爐氣源、純化、擴(kuò)散源、擴(kuò)散爐 擴(kuò)散工藝：預(yù)沉積，去擴(kuò)散工藝：預(yù)沉積，去BSG，再分布再分布 工藝條件對(duì)擴(kuò)散結(jié)果的影響工藝條件對(duì)擴(kuò)散結(jié)果的影響氣體流量、雜質(zhì)源、溫度氣體流量、雜質(zhì)源、溫度液態(tài)源擴(kuò)散磷液態(tài)源擴(kuò)散磷P 擴(kuò)散源：擴(kuò)散源：POCl3，PCl3，PBr3等等 擴(kuò)散原理：三氯氧磷擴(kuò)散原理：三氯氧磷600 C分解后分解后與硅與硅反應(yīng)，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原反應(yīng)，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子繼續(xù)向內(nèi)部擴(kuò)散，形成擴(kuò)散層。子繼續(xù)向內(nèi)部擴(kuò)散，形成擴(kuò)散層。 擴(kuò)散系統(tǒng)：擴(kuò)散系統(tǒng)：O2和和N2氣源、純化、擴(kuò)散源、氣源、純化、擴(kuò)散源、源冷卻系統(tǒng)、擴(kuò)散爐源

34、冷卻系統(tǒng)、擴(kuò)散爐 擴(kuò)散工藝：預(yù)沉積，去擴(kuò)散工藝：預(yù)沉積，去PSG，再分布再分布固態(tài)源擴(kuò)散固態(tài)源擴(kuò)散 箱法箱法B擴(kuò)散擴(kuò)散B2O3或或BN源，源，石英密封箱。不適應(yīng)批量生石英密封箱。不適應(yīng)批量生產(chǎn)產(chǎn) 片狀片狀BN擴(kuò)散擴(kuò)散氧氣活化，氮?dú)獗Ｗo(hù)，石英管和石英舟，氧氣活化，氮?dú)獗Ｗo(hù)，石英管和石英舟，預(yù)沉積和再分布預(yù)沉積和再分布 片狀片狀P擴(kuò)散擴(kuò)散擴(kuò)散源為偏磷酸鋁和焦磷酸硅擴(kuò)散源為偏磷酸鋁和焦磷酸硅 固固-固擴(kuò)散（乳膠源擴(kuò)散）固擴(kuò)散（乳膠源擴(kuò)散）固態(tài)源擴(kuò)散：如B2O3、P2O5、BN等2.離子注入 離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度

35、由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量)決定 摻雜的均勻性好溫度低：小于600可以精確控制雜質(zhì)分布可以注入各種各樣的元素橫向擴(kuò)展比擴(kuò)散要小得多?？梢詫?duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜離子注入離子注入 特點(diǎn)：橫向效應(yīng)小，但結(jié)深淺；雜質(zhì)量可特點(diǎn)：橫向效應(yīng)小，但結(jié)深淺；雜質(zhì)量可控；晶格缺陷多控；晶格缺陷多 基本原理：雜質(zhì)原子經(jīng)高能粒子轟擊離子基本原理：雜質(zhì)原子經(jīng)高能粒子轟擊離子化后經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊硅片表面，形成注入化后經(jīng)電場(chǎng)加速轟擊硅片表面，形成注入層層 裝置：離子源、聚焦、分析、加速、掃描、裝置：離子源、聚焦、分析、加速、掃描、偏轉(zhuǎn)、靶室、真空系統(tǒng)偏轉(zhuǎn)、靶室、真空系統(tǒng) 離子注入主要應(yīng)用于電路加工，在離子注入主要應(yīng)用于電路加

36、工，在MEMS結(jié)構(gòu)加工中很少應(yīng)用。結(jié)構(gòu)加工中很少應(yīng)用。離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入到無(wú)定形靶中的高斯分布情況離子注入到無(wú)定形靶中的高斯分布情況3.退 火 退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過(guò)程都可以稱(chēng)為退火激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用消除損傷 退火方式：爐退火快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等)退火作用和方式退火作用和方式 作用：一般是利用各種能量形式所產(chǎn)生的作用：一般是利用各種能量形式所產(chǎn)生的熱

37、效應(yīng)，來(lái)消除半導(dǎo)體片在其加工過(guò)程中熱效應(yīng)，來(lái)消除半導(dǎo)體片在其加工過(guò)程中所引起的各種晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力，或根據(jù)所引起的各種晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力，或根據(jù)需要使表面材料產(chǎn)生相變和改變表面形態(tài)。需要使表面材料產(chǎn)生相變和改變表面形態(tài)。 方式：方式：熱退火：管式爐，保護(hù)氣氛，熱退火：管式爐，保護(hù)氣氛，900 C，2030min，用于再擴(kuò)散用于再擴(kuò)散激光退火：自淬火，局部加熱，制備歐姆接激光退火：自淬火，局部加熱，制備歐姆接觸觸電子退火電子退火普通熱退火：退火時(shí)間通常為15-30min，使用通常的擴(kuò)散爐，在真空或氮、氬等氣體的保護(hù)下對(duì)襯底作退火處理。缺點(diǎn)：清除缺陷不完全，注入雜質(zhì)激活不高，退火溫度高、時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)致

38、雜質(zhì)再分布。熱退火問(wèn)題*簡(jiǎn)單、價(jià)廉*激活率不高*產(chǎn)生二次缺陷，桿狀位錯(cuò)。位錯(cuò)環(huán)、層錯(cuò)、位錯(cuò)網(wǎng)加劇第五章、封裝過(guò)程1、隔離技術(shù) PN結(jié)隔離 場(chǎng)區(qū)隔離 絕緣介質(zhì)隔離 溝槽隔離 一、隔離的目的： 完整的電路是由分離的器件通過(guò)特定的電學(xué)通路連接起來(lái)的，因此在集成電路制造中必須能夠把器件隔離開(kāi)來(lái)，這些器件隨后還要能夠互連以形成所需要的特定的電路結(jié)構(gòu)。隔離不好會(huì)造成漏電、擊穿低、閂鎖效應(yīng)等。因此隔離技術(shù)是集成電路制造中一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。 二、隔離技術(shù)的要求 隔離區(qū)域的面積盡量要小 表面盡量平坦，臺(tái)階要小 制造過(guò)程中不增加缺陷（柵氧完整性，二極管漏電） 器件特性不變（短溝道效應(yīng)） 工藝復(fù)雜度盡量要小，并和先前以

39、及未來(lái)的工藝兼容。PN結(jié)隔離結(jié)隔離(標(biāo)準(zhǔn)隱埋集電極隔離工藝）標(biāo)準(zhǔn)隱埋集電極隔離工藝）絕緣絕緣介質(zhì)介質(zhì)隔離隔離工藝工藝ROI隔離工藝（等平面氧化物隔離）隔離工藝（等平面氧化物隔離）LOCOS隔離工藝隔離工藝（局域氧（局域氧化隔離）化隔離）一般用于一般用于030.35m 溝槽隔離溝槽隔離在在0.25m及以下的工藝，都使用及以下的工藝，都使用STI隔離隔離 2、接觸與互連 Al是目前集成電路工藝中最常用的金屬互連材料, 但Al連線也存在一些比較嚴(yán)重的問(wèn)題電遷移嚴(yán)重、電阻率偏高、淺結(jié)穿透等 Cu連線工藝有望從根本上解決該問(wèn)題IBM、Motorola等已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功 目前，互連線已經(jīng)占到芯片總面積的708

40、0%；且連線的寬度越來(lái)越窄，電流密度迅速增加電遷移（Electromigration） 由于在連線（Al）中的電子在足夠大的電場(chǎng)力作用下使鋁原子發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生Al線上的空洞（Void）和小丘（Hillock），使IC在正常工作中，其內(nèi)部互連線發(fā)生短路或者斷路的現(xiàn)象。電遷移中的Void和Hillock3.鍵合、裝配和封裝鍵合、裝配和封裝Bonding, Assembling and Packaging 當(dāng)單獨(dú)硅片上的工藝完成后，為最終實(shí)現(xiàn)當(dāng)單獨(dú)硅片上的工藝完成后，為最終實(shí)現(xiàn)具備設(shè)計(jì)功能的器件所做的后續(xù)工藝。具備設(shè)計(jì)功能的器件所做的后續(xù)工藝。 步驟：釋放步驟：釋放劃片劃片分離分離分選分選粘片粘

41、片檢驗(yàn)檢驗(yàn)鍵合引線鍵合引線檢驗(yàn)檢驗(yàn)多芯片裝配多芯片裝配檢檢驗(yàn)驗(yàn)封裝封裝終測(cè)終測(cè) 商業(yè)化器件封裝成本占商業(yè)化器件封裝成本占80%以上。以上。 目的：目的：形成最終結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)最終功能；形成最終結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)最終功能；對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)，防止沖擊和腐蝕；對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)，防止沖擊和腐蝕；便于安裝和器件散熱等。便于安裝和器件散熱等。1）鍵合）鍵合 鍵合目的是使兩種金屬、金屬與非金屬、鍵合目的是使兩種金屬、金屬與非金屬、兩種非金屬等接觸材料之間形成緊密的結(jié)兩種非金屬等接觸材料之間形成緊密的結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)引線、多芯片裝配、立體結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)引線、多芯片裝配、立體結(jié)構(gòu)等。構(gòu)等。 引線鍵合：引線鍵合：引線種類(lèi)：金絲、鋁

42、硅絲引線種類(lèi)：金絲、鋁硅絲方式：熱壓焊接、超聲波焊接方式：熱壓焊接、超聲波焊接 非引線鍵合：非引線鍵合：金金-金、金金、金-硅、硅硅、硅-玻璃、硅玻璃、硅-硅硅其它裝配方式其它裝配方式 粘接粘接引線：導(dǎo)電膠引線：導(dǎo)電膠硅片：用于間隙和對(duì)準(zhǔn)精度要求不高的場(chǎng)合。硅片：用于間隙和對(duì)準(zhǔn)精度要求不高的場(chǎng)合。膠的種類(lèi)：膠的種類(lèi)：502、合成樹(shù)脂等、合成樹(shù)脂等 壓合壓合間隙要求高，對(duì)準(zhǔn)要求低。間隙要求高，對(duì)準(zhǔn)要求低。2）封裝）封裝 要求：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，穩(wěn)定性、可靠性高，封要求：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，穩(wěn)定性、可靠性高，封裝條件不影響器件性能，成本低，適于批裝條件不影響器件性能，成本低，適于批量生產(chǎn)。量生產(chǎn)。 集成電路封裝：金屬圓殼、雙列直插、貼集成電路封裝：金屬圓殼、雙列直插、貼片片 材料：玻璃、塑料、金屬、陶瓷、多層陶材料：玻璃、塑料、金屬、陶瓷、多層陶瓷等瓷等封裝技術(shù)（與PCB板的連接）封裝類(lèi)型引線鍵合封裝（wire-bonding）Lead FrameSubstrateDiePad倒裝片封裝（Flip-chip）Solder bumpsSubstrateDieInterconnectlayers Flip Chip既是一種芯片互連技術(shù)，又是一種理想