電子科技大學-數(shù)字電路

1、UDID死區(qū)電壓：死區(qū)電壓：硅管硅管 0.5V0.5V鍺管鍺管 0 0.2V.2V。反向擊穿電壓反向擊穿電壓V V(BR)(BR)導(dǎo)通壓降導(dǎo)通壓降: : 硅管硅管0.60.60.7V,0.7V,鍺管鍺管0.20.20.3V0.3V。反向飽和電流反向飽和電流（很小，（很小， A A級）級）U Ui iU Uo ot tt tR RL LU UiU UO O) 1(TDVUSDeII BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極基區(qū)：較薄，基區(qū)：較薄，摻雜濃度低摻雜濃度低集電區(qū)：集電區(qū)：面積較大面積較大發(fā)射區(qū)：摻發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高雜濃度較高發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié)B BE EC CN NN NP

2、 P發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極+ + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 基極基極電流放大原理電流放大原理B BE EC CN NN NP PE EB BR RB BE Ec c發(fā)射結(jié)正發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射偏，發(fā)射區(qū)電子不區(qū)電子不斷向基區(qū)斷向基區(qū)擴散，形擴散，形成發(fā)射極成發(fā)射極電流電流I IE E。I IE E進入進入P P區(qū)的電子少區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電穴復(fù)合，形成電流流I IB B ，多數(shù)擴多數(shù)擴散到

3、集電結(jié)。散到集電結(jié)。I IB BB BE EC CN NN NP PE EB BR RB BEcI IE E從基區(qū)擴散來的從基區(qū)擴散來的電子漂移進入集電子漂移進入集電結(jié)而被收集，電結(jié)而被收集，形成形成I IC C。I IC CI IC CI IB B要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，要使三極管能放大電流，必須使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。集電結(jié)反偏。ICmAmA A AV VV VU UCECEU UBEBER RB BI IB BU USCSCU USBSB 實驗線路實驗線路( (共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法) )C CB BE ER RC C I IB B 與與U UBEBE的關(guān)系曲線（同二

4、極管）的關(guān)系曲線（同二極管）輸入特性輸入特性I IB B( ( A)A)U UBEBE(V)(V)20204040606080800.40.40.80.8U UCECE 1V1V 死區(qū)電壓，死區(qū)電壓，硅管硅管0.5V0.5V工作壓降：工作壓降： 硅硅管管U UBE BE 0.7V 0.7V輸出特性輸出特性(I(IC C與與U UCECE的關(guān)系曲線的關(guān)系曲線) )I IC C( (m mA A ) )U UCECE(V)(V)3 36060 A A =I=IC C/I/IB B=3=3mAmA/60/60 A=50A=502 2 =I=IC C/I/IB B=2=2mAmA/40/40 A=50

5、A=504040 A A4 48080 A ACDABFFF21iHCBOLnImIVVR8 . 25maxminmaxLOLCCiLOLRVVnIILiLOLInIIiLOLOLCCLnIIVVRmaxmin“1”ABF 場效應(yīng)管與晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸場效應(yīng)管與晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管JFETJFET絕緣柵型場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管MOSMOS場效應(yīng)管有兩種場效應(yīng)管有兩種: :N N溝道溝道P P溝道溝道耗盡型耗盡型增強型增強型耗盡型耗盡型增強型增強型 MOSMOS絕緣柵場效應(yīng)管（絕緣柵場效應(yīng)管（N N溝道）溝道）（1 1） 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)P PGSDP P型基底型基底兩個兩個N N區(qū)區(qū)SiOSiO2 2絕緣層絕緣層金屬鋁金屬鋁N N導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道未預(yù)留未預(yù)留 N N溝道增強型溝道增強型預(yù)留預(yù)留 N