電工學(xué)第8章半導(dǎo)體器件

1、第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件8.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)8.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管8.6 集成電路集成電路8.3 特殊二極管特殊二極管8.7 晶閘管晶閘管分析與思考分析與思考教學(xué)基本要求教學(xué)基本要求練習(xí)題練習(xí)題8.4 雙極型晶體管雙極型晶體管8.5 場(chǎng)效晶體管場(chǎng)效晶體管返回主頁(yè)返回主頁(yè)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件教教 學(xué)學(xué) 基基 本本 要要 求求 1. 了解半導(dǎo)體二極管的基本類(lèi)型、伏安特性和了解半導(dǎo)體二極管的基本類(lèi)型、伏安特性和主要參數(shù)，了解主要參數(shù)，了解二極管的整流作用、鉗位作用和限二極管的整流作用、鉗位作用和限幅作用幅作用。

2、 2. 了解穩(wěn)壓二極管的主要特性及其穩(wěn)壓作用。了解穩(wěn)壓二極管的主要特性及其穩(wěn)壓作用。 3. 了解雙極型晶體管的基本類(lèi)型、了解雙極型晶體管的基本類(lèi)型、特性曲線特性曲線和和主要參數(shù)，理解主要參數(shù)，理解晶體管的三種工作狀態(tài)晶體管的三種工作狀態(tài)。 4. 了解了解 MOS 場(chǎng)效管的基本類(lèi)型、工作原理和場(chǎng)效管的基本類(lèi)型、工作原理和特性曲線。特性曲線。 5. 了解集成電路的發(fā)展概況和特點(diǎn)。了解集成電路的發(fā)展概況和特點(diǎn)。 6. 了解了解晶閘管的基本性能晶閘管的基本性能。返返 回回第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件8.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)（一）本征半導(dǎo)體：（一）本征半導(dǎo)體： 純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的純

3、凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的鍺鍺、硅、硒、硅、硒下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：( (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻) )。摻雜性摻雜性：純凈的半導(dǎo)體中摻入微量某些雜質(zhì)，導(dǎo)電純凈的半導(dǎo)體中摻入微量某些雜質(zhì)，導(dǎo)電 能力明顯改變能力明顯改變( (可做成各種不同用途的半導(dǎo)可做成各種不同用途的半導(dǎo) 體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏性：光敏性：當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化 ( (可做可做 成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏

4、二極 管、光敏三極管等管、光敏三極管等) )。熱敏性：熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件晶體中原子的排列方式晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)硅單晶中的共價(jià)健結(jié)構(gòu)共價(jià)健共價(jià)健共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子，稱(chēng)為共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子，稱(chēng)為價(jià)電子價(jià)電子。 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)：半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)：下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件 Si Si Si Si價(jià)電子價(jià)電子 價(jià)電子在獲得一定價(jià)電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，能量（溫度升高或受光照）后，掙脫原子

5、核的束縛，成為掙脫原子核的束縛，成為自由自由電子電子（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱(chēng)為中留下一個(gè)空位，稱(chēng)為空穴空穴（帶正電）。（帶正電）。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征激發(fā)：本征激發(fā)：空穴空穴 溫度愈高，晶體中產(chǎn)生溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子、空穴愈多。的自由電子、空穴愈多。自由電子自由電子 在外電場(chǎng)的作用下，空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，在外電場(chǎng)的作用下，空穴吸引相鄰原子的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)（相而在該原子中出現(xiàn)一個(gè)空穴，其結(jié)果相當(dāng)于空穴的運(yùn)動(dòng)（相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)）。當(dāng)于正電荷的移動(dòng)）。下一節(jié)下一節(jié)上一

6、頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件結(jié)論：結(jié)論：(1) 半導(dǎo)體有半導(dǎo)體有兩種載流子兩種載流子（負(fù)）電子、（正）空穴（負(fù)）電子、（正）空穴(2) 自由電子和自由電子和空穴成對(duì)地產(chǎn)生，同時(shí)又不斷復(fù)合?？昭ǔ蓪?duì)地產(chǎn)生，同時(shí)又不斷復(fù)合。 在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡， 半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。(3) 載流子的數(shù)量少，故導(dǎo)電性能很差。載流子的數(shù)量少，故導(dǎo)電性能很差。(4) 載流子的數(shù)量受溫度影響較大，溫度高數(shù)量就多。載流子的數(shù)量受溫度影響較大，溫度高數(shù)量就多。 所以，溫度對(duì)半

7、導(dǎo)體器件性能影響很大。所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能影響很大。(5) 當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，載流子定向運(yùn)動(dòng)當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，載流子定向運(yùn)動(dòng) （漂移運(yùn)動(dòng)），在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流（漂移運(yùn)動(dòng)），在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流 自由電子作定向運(yùn)動(dòng)自由電子作定向運(yùn)動(dòng) 電子電流電子電流 價(jià)電子遞補(bǔ)空穴價(jià)電子遞補(bǔ)空穴 空穴電流空穴電流下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件 Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮幼優(yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€(gè)失去一個(gè)電子變?yōu)殡娮幼優(yōu)檎x子正離子 Si Si Si SiB硼原子硼原子

8、空穴空穴（二）雜質(zhì)半導(dǎo)體：（二）雜質(zhì)半導(dǎo)體：摻入少量雜質(zhì)的半導(dǎo)體摻入少量雜質(zhì)的半導(dǎo)體下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回(1) N 型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體）型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體）形成：向本征半導(dǎo)體中摻入少量的形成：向本征半導(dǎo)體中摻入少量的 5 價(jià)元素價(jià)元素特點(diǎn)：特點(diǎn)：（a）含有）含有大量的電子大量的電子多多數(shù)載流數(shù)載流子子 （b）含有）含有少量的空穴少量的空穴少少數(shù)載流數(shù)載流子子無(wú)論無(wú)論N型或型或P型半導(dǎo)體都是中性的，對(duì)外不顯電性。型半導(dǎo)體都是中性的，對(duì)外不顯電性。(2) P 型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）

9、型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）形成：向本征半導(dǎo)體中摻入少量的形成：向本征半導(dǎo)體中摻入少量的 3 價(jià)元素價(jià)元素特點(diǎn)：特點(diǎn)：（a）含有）含有大量的空穴大量的空穴多多數(shù)載流數(shù)載流子子 （b）含有）含有少量的電子少量的電子少少數(shù)載流數(shù)載流子子第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件（三）（三）PN 結(jié)結(jié) (1) PN 結(jié)的形成結(jié)的形成flash1多數(shù)載流子的濃度差多數(shù)載流子的濃度差多數(shù)載流子擴(kuò)散多數(shù)載流子擴(kuò)散空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)少數(shù)載流子漂移少數(shù)載流子漂移擴(kuò)散擴(kuò)散 = 漂移漂移穩(wěn)定的穩(wěn)定的空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)即即PN 結(jié)結(jié)或耗盡層或耗盡層下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)半導(dǎo)體器

10、件的基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件(2) PN 結(jié)的特性結(jié)的特性 （a）PN 結(jié)外加正向電壓結(jié)外加正向電壓PN 結(jié)正偏結(jié)正偏PN 結(jié)正向?qū)ńY(jié)正向?qū)ㄍ怆妶?chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相反利于擴(kuò)散利于擴(kuò)散擴(kuò)散擴(kuò)散 漂移漂移PN 結(jié)變窄結(jié)變窄外部電源不斷提供電荷外部電源不斷提供電荷產(chǎn)生較大的擴(kuò)散電流產(chǎn)生較大的擴(kuò)散電流 I正正下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回 動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件（b）PN 結(jié)外加反向電壓結(jié)外加反向電壓PN 結(jié)反偏結(jié)反偏PN 結(jié)反向截止結(jié)反向截止外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相同外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)方向相同利于漂移利于漂移漂移漂移

11、 擴(kuò)散擴(kuò)散PN 結(jié)變厚結(jié)變厚外部電源不斷提供電荷外部電源不斷提供電荷產(chǎn)生較小的反向電流產(chǎn)生較小的反向電流 I反反 下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回動(dòng)畫(huà)動(dòng)畫(huà)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件 結(jié)論：結(jié)論：加正向電壓加正向電壓導(dǎo)通導(dǎo)通加反向電壓加反向電壓截止截止單方向?qū)щ娦詥畏较驅(qū)щ娦韵乱还?jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回 第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件8.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管（一）基本結(jié)構(gòu)（一）基本結(jié)構(gòu)按材料分按材料分硅管硅管鍺管鍺管按按PN結(jié)分結(jié)分點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型面接觸型面接觸型按用途分按用途分普通管普通管整流管整流管PN陽(yáng)極陽(yáng)極陰極陰極下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)

12、上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)兩層半導(dǎo)體兩層半導(dǎo)體一個(gè)一個(gè)PN結(jié)結(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件（二）伏安特性：（二）伏安特性： 二極管電流與電壓之間的關(guān)系二極管電流與電壓之間的關(guān)系UIOUDUIOUIOAABB硅硅鍺鍺正向：死區(qū)（正向：死區(qū)（ OA 段）段）: 硅管約硅管約 0.5 V， 鍺管約鍺管約 0.2 V； 正向?qū)▍^(qū)正向?qū)▍^(qū): 硅管硅管 約約 0.7 V，鍺管約，鍺管約0.3 V溫度增加，曲溫度增加，曲線左移線左移反向：截止區(qū)（反向：截止區(qū)（ OB 段）段）: I 近似為近似為 0； 擊穿區(qū)擊穿區(qū): 管子被擊穿管子被擊穿半導(dǎo)體二極管的伏安特性半導(dǎo)體二極管的伏安特性

13、(a) 近似特性近似特性 (b) 理想特性理想特性溫度增加，曲溫度增加，曲線下移線下移下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件（三）主要參數(shù)（三）主要參數(shù)(1)(1)IF ：額定正向平均電流：額定正向平均電流(2)(2)UF ：正向電壓降：正向電壓降(3)(3)UR ：最高反向工作電壓：最高反向工作電壓(4)(4)IRm ：最大反向電流：最大反向電流以上各值是選擇二極管的依據(jù)。以上各值是選擇二極管的依據(jù)。下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件二極管二極管的單向?qū)щ娦缘膯蜗驅(qū)щ娦?1.

14、二極管加正向電壓（正向偏置，陽(yáng)極接正、陰二極管加正向電壓（正向偏置，陽(yáng)極接正、陰極接負(fù)）時(shí)，極接負(fù)）時(shí)， 二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。向電阻較小，正向電流較大。 2. 二極管加反向電壓（反向偏置，陽(yáng)極接負(fù)、陰二極管加反向電壓（反向偏置，陽(yáng)極接負(fù)、陰極接正）時(shí)，極接正）時(shí)， 二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。向電阻較大，反向電流很小。 3. 3. 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦?。失去單向?qū)щ娦浴?4. 4. 二極管的反向

15、電流受溫度的影響，溫度愈高二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。反向電流愈大。下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件二極管電路分析：先二極管電路分析：先判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止否則，正向管壓降否則，正向管壓降硅硅0 0.60.7V鍺鍺0.20.3V若若 V陽(yáng)陽(yáng) V陰陰或或 UD為正，二極管導(dǎo)通為正，二極管導(dǎo)通若若 V陽(yáng)陽(yáng) Vb，D導(dǎo)通，導(dǎo)通，uo = u2 ； u2 負(fù)半周，負(fù)半周，VaV陰陰 二極管導(dǎo)通二極管導(dǎo)通若忽略管壓降，二極管可看作短路若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB = 6V否

16、則，否則， UAB低于低于6V一個(gè)管壓降一個(gè)管壓降，為為6.3或或6.7V例例2： 取取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。陽(yáng)極和陰極的電位。 二極管起鉗位作用二極管起鉗位作用 D6V12V3k BAUAB+下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件兩個(gè)二極管的陰極接在一起兩個(gè)二極管的陰極接在一起取取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。的電位。V1陽(yáng)陽(yáng) =6 V，V2陽(yáng)陽(yáng)=0 V，V1陰陰 = V2陰陰= 12 VUD1

17、= 6V， UD2 =12V UD2 UD1 D2 優(yōu)先導(dǎo)通優(yōu)先導(dǎo)通，鉗位，使鉗位，使 D1截止截止。若忽略管壓降，二極管可看作短路，若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB = 0 V例例3:流過(guò)流過(guò) D2 的電流為的電流為mA43122D I求求：UABD2 起鉗位作用起鉗位作用， D1起隔離作用起隔離作用。 BD16V12V3k AD2UAB+下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件例例4:+6VRDAVA AVB BVY YDB當(dāng)當(dāng)VA = 3V，VB = 0V時(shí)，分析輸出端的電位時(shí)，分析輸出端的電位VY。理想二極管：理想二極管：VY

18、 = VB = 0V UDB UDA DB 優(yōu)先導(dǎo)通優(yōu)先導(dǎo)通， DA截止截止。 鍺二極管：鍺二極管：VY = VB + UD = 0.3V 硅二極管：硅二極管：VY = VB + UD = 0.7V-6VRDAVA AVB BVY YDB UDA UDB DA 優(yōu)先導(dǎo)通優(yōu)先導(dǎo)通， DB截止截止。理想二極管：理想二極管：VY = VA = 3V 鍺二極管：鍺二極管：VY = VA - UD = 2.7V 硅二極管：硅二極管：VY = VA - UD = 2.3V下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件ui 8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路二極管導(dǎo)

19、通，可看作短路 uo = 8V ui UZ，DZ 反向擊穿，反向擊穿，uO = 5V當(dāng)當(dāng)ui UZ，DZ 反向截止，反向截止，uO = uiui負(fù)半周，負(fù)半周，DZ 正向?qū)?，正向?qū)ǎ瑄O = 0V5V上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回下一節(jié)下一節(jié)上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件（二）光電二極管（二）光電二極管 光電二極管工作于反向偏置狀態(tài)。無(wú)光照時(shí)電路光電二極管工作于反向偏置狀態(tài)。無(wú)光照時(shí)電路中電流很小，有光照時(shí)電流會(huì)急劇增加。中電流很小，有光照時(shí)電流會(huì)急劇增加。RLDE 光電二極管電路光電二極管電路DEI 發(fā)光二極管電路發(fā)光二極管電路（三）發(fā)光二極管（三）發(fā)光二極管 發(fā)光

20、二極管工作于正向偏置狀態(tài)。正向電流通過(guò)發(fā)光二極管工作于正向偏置狀態(tài)。正向電流通過(guò)發(fā)光二極管時(shí)，它會(huì)發(fā)出光來(lái)，正向工作電壓一般不發(fā)光二極管時(shí)，它會(huì)發(fā)出光來(lái)，正向工作電壓一般不超過(guò)超過(guò) 2 V，正向電流為，正向電流為10 mA左右。發(fā)光二極管常用左右。發(fā)光二極管常用于數(shù)字儀表和音響設(shè)備中的顯示器。冷光源。于數(shù)字儀表和音響設(shè)備中的顯示器。冷光源。上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回下一節(jié)下一節(jié)上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件（四）光電耦合器（四）光電耦合器 又稱(chēng)光電隔離器。是發(fā)光器件和受光器件的組合體。又稱(chēng)光電隔離器。是發(fā)光器件和受光器件的組合體。輸入電路輸入電路輸出電路輸出電路 輸入

21、和輸出電路之間沒(méi)有電的直接聯(lián)系，實(shí)現(xiàn)輸入和輸出電路之間沒(méi)有電的直接聯(lián)系，實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，具有良好的抗干擾性。電路之間的電氣隔離，具有良好的抗干擾性。 上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回下一節(jié)下一節(jié)上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件8.4 雙極型晶體管雙極型晶體管( (一一) )基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回下一節(jié)下一節(jié)上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件基區(qū)：最薄，基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高雜濃度最高發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)：面積大集電結(jié)：面積大BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：集電區(qū)：集電區(qū)：面積最大面積最大下一節(jié)下一節(jié)上一頁(yè)上一頁(yè)下一頁(yè)下一頁(yè)返返 回回上一節(jié)上一節(jié)第第 8 章章 半導(dǎo)體器件半