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負(fù)電極副柵線負(fù)電極主柵線正電極背電場(chǎng) 中試轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到18.5% 和16.5% 6.5% 第三層第三層4個(gè)電子個(gè)電子第二層第二層8個(gè)電子個(gè)電子第一層第一層2個(gè)電子個(gè)電子Si+14P+15B最外層最外層5個(gè)電子個(gè)電子最外層最外層3個(gè)電子個(gè)電子siPB metaln+p( - )( + )t finger-+p+正面銀正面銀電極電極鋁背鋁背場(chǎng)場(chǎng)硅鋁合金硅鋁合金層層采用三氯氧磷氣體攜帶源方式，采用三氯氧磷氣體攜帶源方式，分為兩步，第一步用氮?dú)馔ㄟ^(guò)分為兩步，第一步用氮?dú)馔ㄟ^(guò)液態(tài)的，將所需的雜質(zhì)用載流氣體輸運(yùn)至高溫半導(dǎo)體液態(tài)的，將所需的雜質(zhì)用載流氣體輸運(yùn)至高溫半導(dǎo)體表面，雜質(zhì)擴(kuò)散深度約幾百個(gè)納米。第二步是高溫處理，使預(yù)沉表面，雜質(zhì)擴(kuò)散深度約幾百個(gè)納米。第二步是高溫處理，使預(yù)沉積在表面的雜質(zhì)原子繼續(xù)向基體深處擴(kuò)散。這樣就形成了積在表面的雜質(zhì)原子繼續(xù)向基體深處擴(kuò)散。這樣就形成了pn結(jié)。結(jié)。 POCl3+O2PCl5+P2O5 P2O5+SiSiO2+P PCl5+O2P2O5+P

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